JP2008028136A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板1と、このシリコン基板1上に形成され比誘電率が二酸化珪素の比誘電率4.2よりも小さい低誘電率絶縁層3と、この低誘電率絶縁層3内に相互に絶縁されて形成された複数個の配線4及び6と、低誘電率絶縁層3内に形成され配線4及び6間を接続する複数個のビア5と、低誘電率絶縁層3の端部に接するようにシリコン基板1上に設けられ低誘電率絶縁層3よりも大きい弾性率を有する剥離防止層12と、を有する。
【選択図】図1
Description
2、9、102、109;層間絶縁層
3、14、15、103;低誘電率絶縁層
4、104、8、108;配線
5、10、105、110;ビア
6、106;配線
7、107;導体層
11、16、111;再配線層
12、19;剥離防止層
13、113;保護膜層
13a、113a;開口部
17、18;剥離防止膜
Claims (8)
- シリコン基板と、このシリコン基板上に形成され比誘電率が二酸化珪素の比誘電率4.2よりも小さい低誘電率絶縁層と、この低誘電率絶縁層内に相互に絶縁されて形成された複数個の配線と、前記低誘電率絶縁層内に形成され前記配線間を接続する複数個のビアと、前記低誘電率絶縁層の端部に接するように前記シリコン基板上に設けられ前記低誘電率絶縁層よりも大きい弾性率を有する剥離防止層と、を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記低誘電率絶縁層は15GPa以下の弾性率を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記剥離防止層は二酸化珪素、シアン化珪素及びシリコンからなる群から選択された1種であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記剥離防止層が複数個の膜からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記シリコン基板と前記低誘電率絶縁層との間に前記低誘電率絶縁層よりも大きい弾性率を有する層間絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- シリコン基板上に4.2よりも小さい比誘電率で配線及び配線間を接続するビアが設けられた低誘電率絶縁層を形成する工程と、前記低誘電率絶縁層における前記配線及びビアが設けられていない端部をエッチング除去して前記シリコン基板を露出させる工程と、前記エッチングによって露出した前記低誘電率絶縁層の端面に接するように前記シリコン基板上に剥離防止層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記剥離防止層を形成する工程は、少なくとも2層の剥離防止膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- ダイシング工程で、前記剥離防止層を通って前記シリコン基板を切断することを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
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