JP2008027773A - Ic socket and its manufacturing method - Google Patents

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伸一 二階堂
Haruo Miyazawa
春夫 宮澤
Katsuya Yamagami
勝哉 山上
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an IC socket of which the contact can contact by metal to a land on the IC package side, and which can cope with multiple pins, fine pitch, large current, and high speed with high productivity. <P>SOLUTION: One end part of contact piece 14 is formed by resin integrally at a through hole forming part 12 of a socket base body 10, and the portion other than the one end part of the contact piece 14 faces a through hole 21. A plating layer 20 is formed on the inner wall of the through hole 13 penetrating the through hole forming part 12 in front and rear direction, the surface and the rear face of the through hole forming part 12, and over the surface of the contact piece 14, to form a three-dimensional circuit. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、CPUやLSIなどのICパッケージを例えばプリント基板に実装する際に使用するICソケットに関し、さらに詳しくは、例えば三次元回路形成技術を用いて立体回路が形成されたICソケットおよびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to an IC socket used when mounting an IC package such as a CPU or LSI on, for example, a printed circuit board, and more specifically, for example, an IC socket in which a three-dimensional circuit is formed using a three-dimensional circuit forming technique and its manufacture It is about the method.

従来から、CPUやLSIなどのICパッケージを、ICソケットを介してプリント基板に実装する技術が検討されている。パーソナルコンピュータやサーバのマザーボードの多くには、LGA(Land Grid array)パッケージや、BGA(Ball Grid Array)パッケージのCPUを装着するためのソケットが実装されている。   Conventionally, techniques for mounting an IC package such as a CPU or LSI on a printed circuit board via an IC socket have been studied. Many motherboards of personal computers and servers are mounted with sockets for mounting CPUs of LGA (Land Grid array) packages and BGA (Ball Grid Array) packages.

CPUは、その機能、性能の向上のため、年々多ピン化、高速化が進んでおり、パッケージの大型化やファインピッチ化によって対応がなされている。これに伴い、ICソケットも多ピン化への対応が必要になるとともに、パッケージのサイズアップに伴う撓み量増大への対応や、パッケージの接触ランドやボールの高さばらつきへの対応が必要になる。   The number of pins and the speed of CPUs are increasing year by year in order to improve the functions and performance of CPUs, and measures are being taken by increasing the size of packages and making fine pitches. Along with this, it is necessary to cope with the increase in the number of pins of the IC socket, and it is also necessary to cope with an increase in the amount of bending accompanying an increase in the size of the package and a variation in the contact land of the package and the height variation of the ball. .

したがって、ICソケットでは、ICパッケージの電極部との接触において撓み方向へのストロークを確保できる構造が求められる。   Therefore, the IC socket is required to have a structure that can ensure a stroke in the bending direction in contact with the electrode portion of the IC package.

また、ファインピッチ化に対する対応としては、極力簡単な構造で実現すべきであり、パッケージからプリント基板への接続を短い距離で行う構造が望ましい。   Further, as a countermeasure to the fine pitch, it should be realized with a simple structure as much as possible, and a structure in which the connection from the package to the printed board is performed at a short distance is desirable.

さらに、高速化に対する対応としては、ICソケットとパッケージとのコンタクトが低インダクタンスであることが重要であり、高速化による消費電流増大に対応して許容電流も高いことが求められる。   Furthermore, in order to cope with the high speed, it is important that the contact between the IC socket and the package has a low inductance, and the allowable current is required to be high in response to the increase in current consumption due to the high speed.

現在のLGAパッケージ用ソケットの主流は、約1mmピッチの400〜800ピンのものであり、金属板を複雑に折り曲げて所定のコンタクト片を作り、これをソケットハウジングにコンタクトを挿入した構造のICソケットが知られている(例えば、特許文献1、2参照)。しかし、これらのICソケットでは、ソケットハウジングに1ピンずつコンタクトを挿入して組み立てるため、ピン数が多くなると製造に必要なコンタクト挿入時間が増大し、生産性が悪化する。   The current mainstream of LGA package sockets is 400-800 pins with a pitch of about 1 mm. An IC socket having a structure in which a metal plate is bent in a complicated manner to form a predetermined contact piece and a contact is inserted into the socket housing. Is known (see, for example, Patent Documents 1 and 2). However, since these IC sockets are assembled by inserting contacts into the socket housing one pin at a time, as the number of pins increases, the contact insertion time required for manufacturing increases and productivity deteriorates.

このような問題の対策案として、コンタクトとして導電性エラストマーによるコラムを用いた構造のものが知られている(例えば、特許文献3参照)。しかし、このようにコンタクトとしてエラストマーを用いると、金属接触に比較して接触抵抗が高く、高電流化に対して発熱や電圧降下の増大の恐れがある。また、エラストマーを用いたICソケットでは、ICパッケージを装着するときに、エラストマーでなるコンタクト部が、ICパッケージ側のランド(電極部)の金属面をワイピング(擦過)しないため、ランドの酸化膜除去が期待できないという問題点がある。さらに、このICソケットは、ICパッケージ側の金属でなるランドに対してエラストマーの圧接で接触するため、経時的に接触抵抗が変化するなどの問題点がある。
特開2004−158430号公報 特開2005−19284号公報 米国特許第6,669,490号
As a countermeasure against such a problem, a structure using a column made of a conductive elastomer as a contact is known (for example, see Patent Document 3). However, when an elastomer is used as a contact in this way, the contact resistance is higher than that of metal contact, and there is a risk of heat generation and increase in voltage drop when the current is increased. Also, in the IC socket using elastomer, when the IC package is mounted, the contact portion made of elastomer does not wipe the metal surface of the land (electrode part) on the IC package side, so that the oxide film on the land is removed. There is a problem that cannot be expected. Furthermore, since this IC socket comes into contact with the land made of metal on the IC package side by pressure contact with the elastomer, there is a problem that the contact resistance changes with time.
JP 2004-158430 A JP-A-2005-19284 US Pat. No. 6,669,490

そこで、本発明の目的は、ICパッケージ側のランドに対してコンタクトが金属接触でき、生産性が高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化に対応できるICソケットおよびその製造方法を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an IC socket that can make metal contact with a land on the IC package side, has high productivity, and can cope with high pin count, fine pitch, large current, and high speed, and a manufacturing method thereof Is to provide.

本発明の第1の特徴は、ICソケットであって、表裏方向に貫通する複数のコンタクト収納穴が形成され、前記コンタクト収納穴の周縁部に、表裏方向に貫通するスルーホールが形成されたスルーホール形成部を有し、板状のコンタクト片が前記コンタクト収納穴に臨んだ状態で、該コンタクト片の基部が前記スルーホール形成部の表面側の側壁部に一体的に設けられた、板状のソケット基体と、前記スルーホール内壁および前記スルーホール形成部の表裏面および前記コンタクト片の表面に連続するように形成されためっき層と、を備えることを要旨とする。   A first feature of the present invention is an IC socket, in which a plurality of contact housing holes penetrating in the front and back directions are formed, and through holes penetrating in the front and back directions are formed in the peripheral portion of the contact housing holes. A plate-like shape having a hole-forming portion, with the plate-shaped contact piece facing the contact receiving hole, and a base portion of the contact piece integrally provided on the side wall portion on the surface side of the through-hole forming portion And a plating layer formed to be continuous with the inner wall of the through hole, the front and back surfaces of the through hole forming portion, and the surface of the contact piece.

本発明の第2の特徴は、ICソケット複合体であって、請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載された、一対のICソケットが裏面同士を合わせた状態で当接され、且つ前記スルーホール形成部の裏面側の前記めっき層同士がはんだづけされていることを要旨とする。   A second feature of the present invention is an IC socket composite, wherein the pair of IC sockets according to any one of claims 1 to 5 are brought into contact with each other in a state where the back surfaces are aligned with each other. In addition, the gist is that the plating layers on the back side of the through hole forming portion are soldered.

本発明の第3の特徴は、ICソケットの製造方法であって、表裏方向に貫通する複数のコンタクト収納穴が形成され、前記コンタクト収納穴の周縁部に、表裏方向に貫通するスルーホールが形成されたスルーホール形成部を有し、板状のコンタクト片が前記コンタクト収納穴に臨んだ状態で、該コンタクト片の基部が前記スルーホール形成部の表面側の側壁部に一体的に設けられた、板状のソケット基体を、合成樹脂で一体的に成形する工程と、前記スルーホール内壁および前記スルーホール形成部の表裏面および前記コンタクト片の表面に連続するようにめっき層を形成する工程と、を備えることを要旨とする。   A third feature of the present invention is a method of manufacturing an IC socket, wherein a plurality of contact storage holes penetrating in the front and back direction are formed, and a through hole penetrating in the front and back direction is formed in a peripheral portion of the contact storage hole. The base of the contact piece is integrally provided on the side wall portion on the surface side of the through-hole forming portion with the plate-like contact piece facing the contact receiving hole. A step of integrally molding the plate-shaped socket base with a synthetic resin, and a step of forming a plating layer so as to be continuous with the inner surface of the through hole, the front and back surfaces of the through hole forming portion, and the surface of the contact piece; The gist is to provide.

本発明によれば、ICパッケージ側のランドに対してコンタクトが金属接触でき、生産性が高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化に対応できるICソケットを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an IC socket capable of making metal contact with a land on the IC package side, having high productivity, and capable of dealing with high pin count, fine pitch, high current, and high speed. .

以下、本発明に係るICソケット、ICソケット複合体、およびICソケットの製造方法を図面に示す実施の形態に基づいて説明する。   Hereinafter, an IC socket, an IC socket composite, and a method of manufacturing an IC socket according to the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.

[第1の実施の形態]
図1および図2は、本実施の形態に係るICソケットを示している。なお、図1はICソケットの要部平面図、図2は図1のA−A断面図である。
[First Embodiment]
1 and 2 show an IC socket according to the present embodiment. 1 is a plan view of the main part of the IC socket, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.

本実施の形態のICソケット1は、合成樹脂で一体的に形成された略板状のソケット基体10と、このソケット基体10の要所に設けられためっき層20と、から大略構成されている。   The IC socket 1 according to the present embodiment is roughly constituted by a substantially plate-shaped socket base 10 integrally formed of a synthetic resin, and a plating layer 20 provided at an important point of the socket base 10. .

ソケット基体10は、コンタクト収納穴としての複数の貫通孔11が所定の配置で形成されている。本実施の形態では、貫通孔11の平面形状が長方形である。   The socket base 10 is formed with a plurality of through holes 11 as contact receiving holes in a predetermined arrangement. In the present embodiment, the planar shape of the through hole 11 is a rectangle.

また、ソケット基体10における貫通孔11の長手方向の一方の周縁部近傍には、図示しないICパッケージ側に突出する支柱状のスルーホール形成部12が形成されている。図1および図2に示すように、このスルーホール形成部12は、貫通孔11の長手方向に沿って、貫通孔11同士の間に支柱状に形成されたものである。このスルーホール形成部12には、ソケット基体10の表裏方向に貫通するスルーホール13が形成されている。   Further, a columnar through-hole forming portion 12 that protrudes toward the IC package (not shown) is formed in the vicinity of one peripheral portion in the longitudinal direction of the through hole 11 in the socket base 10. As shown in FIGS. 1 and 2, the through-hole forming portion 12 is formed in a columnar shape between the through holes 11 along the longitudinal direction of the through holes 11. A through hole 13 that penetrates the socket base 10 in the front and back direction is formed in the through hole forming portion 12.

そして、このスルーホール形成部12の上部側壁には、貫通孔11の表面側の開口部に臨むように板状のコンタクト片14が片持ち梁状に形成されている。すなわち、コンタクト片14は、貫通孔11の長手方向の一方の周縁部から他方の周縁部側へ向けて板面と平行に突出するように形成されている。このコンタクト片14は、所定の厚みに設定され、板状の表裏方向がソケット基体10の表裏方向と一致するようになっている。このコンタクト片14の自由端部側の表面の中央には、半球形状のコンタクト突起14Aが一体に形成されている。   A plate-like contact piece 14 is formed in a cantilever shape on the upper side wall of the through hole forming portion 12 so as to face the opening on the surface side of the through hole 11. That is, the contact piece 14 is formed so as to protrude in parallel with the plate surface from one peripheral portion in the longitudinal direction of the through hole 11 toward the other peripheral portion. The contact piece 14 is set to have a predetermined thickness, and the plate-like front and back direction coincides with the front and back direction of the socket base 10. A hemispherical contact protrusion 14A is integrally formed at the center of the surface of the contact piece 14 on the free end side.

スルーホール形成部12の表裏面およびスルーホール13の内側面およびコンタクト片14の表面側には、触媒層21が形成されている。そして、この触媒層21の表面には、めっき層20が形成されている。   A catalyst layer 21 is formed on the front and back surfaces of the through hole forming portion 12, the inner surface of the through hole 13, and the front surface side of the contact piece 14. A plating layer 20 is formed on the surface of the catalyst layer 21.

本実施の形態に係るICソケット1では、全てのコンタクト片14を樹脂成形により一括して形成できるため、ICソケット1の多ピン化によって製造時間が長くなるという問題点を解決できる。   In the IC socket 1 according to the present embodiment, since all the contact pieces 14 can be collectively formed by resin molding, it is possible to solve the problem that the manufacturing time is increased due to the increase in the number of pins of the IC socket 1.

本実施の形態では、ICパッケージ側のランドに対してコンタクト片10が金属接触できるため、接触抵抗を小さく設定でき、電圧降下の問題や、接触部の発熱の問題がない。さらに、金属同士が擦れるワイピング機能があるため、金属表面の酸化膜を除去してフレッシュな金属接触を実現できる。   In the present embodiment, since the contact piece 10 can make metal contact with the land on the IC package side, the contact resistance can be set small, and there is no problem of voltage drop or heat generation of the contact portion. Furthermore, since there is a wiping function for rubbing between metals, an oxide film on the metal surface can be removed to achieve a fresh metal contact.

(ICパッケージの装着)
次に、図3〜図5を用いて、本実施の形態に係るICソケット1に、ICパッケージ40を装着する場合について説明する。
(Installation of IC package)
Next, the case where the IC package 40 is mounted on the IC socket 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図3は、ICパッケージ30をICソケット1に位置合わせした装着直前の状態を示す。このICパッケージ30はLGAパッケージであり、下面に複数のランド部31が配置されている。ICソケット1側のコンタクト片14の他端部に突設されたコンタクト突起14Aは、ICパッケージ30のランド部31の配列と同様に設けられている。図3に示すように、コンタクト突起14Aと最初に当接するランド部31における位置は、図中一点鎖線L1で示す位置である。   FIG. 3 shows a state immediately before the IC package 30 is aligned with the IC socket 1. The IC package 30 is an LGA package, and a plurality of land portions 31 are arranged on the lower surface. The contact protrusions 14 </ b> A protruding from the other end of the contact piece 14 on the IC socket 1 side are provided in the same manner as the arrangement of the land portions 31 of the IC package 30. As shown in FIG. 3, the position in the land portion 31 that first contacts the contact protrusion 14A is the position indicated by the alternate long and short dash line L1 in the figure.

図4は、ICパッケージ30のランド部31をICソケット1のコンタクト突起14Aに当接させた後、さらに押し付けた状態を示す。このとき、図4に示すように、コンタクト突起14Aとランド部31とは、図中一点鎖線L2で示す位置で当接する。したがって、コンタクト突起14Aの表面のめっき層20とランド部31とは一点鎖線L1からL2の位置に互いにズレながら擦られる。   FIG. 4 shows a state in which the land portion 31 of the IC package 30 is pressed against the contact protrusion 14 </ b> A of the IC socket 1 and then pressed. At this time, as shown in FIG. 4, the contact protrusion 14 </ b> A and the land portion 31 abut at a position indicated by a one-dot chain line L <b> 2 in the drawing. Therefore, the plating layer 20 and the land portion 31 on the surface of the contact protrusion 14A are rubbed while being displaced from each other at the position of the alternate long and short dash line L1 to L2.

図5は、ICパッケージ30のランド部31をICソケット1のコンタクト突起14Aへさらに押し付けた状態を示す。このとき、図5に示すように、コンタクト突起14Aとランド部31とは、図中一点鎖線L3で示す位置で当接する。したがって、コンタクト突起14A上のめっき層20とランド部31とは最初に当接した位置から当接点が距離dだけ互いにズレながら擦られて移動する。最終的には、ICパッケージ30が外れないように、図示しないリテンションロック機構で保持すればよい。   FIG. 5 shows a state where the land portion 31 of the IC package 30 is further pressed against the contact protrusion 14 </ b> A of the IC socket 1. At this time, as shown in FIG. 5, the contact protrusion 14 </ b> A and the land portion 31 abut at a position indicated by a one-dot chain line L <b> 3 in the drawing. Accordingly, the plating layer 20 on the contact protrusion 14A and the land portion 31 are rubbed and moved from the position where they first contact each other while being displaced from each other by a distance d. Eventually, a retention lock mechanism (not shown) may be held so that the IC package 30 does not come off.

このように接点が擦られながらずれることで、接点の酸化膜を除去するワイピング作用がある。したがって、めっき層20とランド部31とは、接触抵抗の小さい接続を確保することができる。   As described above, the contact is displaced while being rubbed, thereby having a wiping action for removing the oxide film on the contact. Therefore, the plating layer 20 and the land portion 31 can ensure a connection with a small contact resistance.

コンタクト片14が下方に撓んだときに、めっき層20とランド部31との接触点が移動しつつ接触が確保できる理由は、コンタクト突起14Aが半球形状であり、このコンタクト突起14Aが斜めに姿勢を傾けても半球形状の曲面は常にランド部31と当接するからである。   When the contact piece 14 bends downward, the contact point between the plating layer 20 and the land portion 31 can be moved and the contact can be ensured because the contact protrusion 14A is hemispherical, and the contact protrusion 14A is inclined. This is because the hemispherical curved surface is always in contact with the land portion 31 even if the posture is inclined.

(ICソケットの実装)
本実施の形態に係るICソケット1の実装方法としては、はんだボールを用いることができる。以下、はんだボールの形成方法について図6(a)〜(c)を用いて説明する。
(IC socket mounting)
As a method for mounting the IC socket 1 according to the present embodiment, solder balls can be used. Hereinafter, a method for forming solder balls will be described with reference to FIGS.

この実装方法は、例えばパーソナルコンピュータのマザーボード(メインプリント基板)においてICソケット1を実装する場合に用いることができる。図6(a)、(b)に示すように、ICソケット1のスルーホール13に形成した裏面側のランド20Aに、はんだペースト40をスクリーン印刷する。   This mounting method can be used, for example, when the IC socket 1 is mounted on a motherboard (main printed circuit board) of a personal computer. As shown in FIGS. 6A and 6B, the solder paste 40 is screen-printed on the land 20A on the back surface side formed in the through hole 13 of the IC socket 1.

次に、図6(c)に示すように、リフローなどの方法により加熱して、印刷したはんだペースト40をはんだボール41に変化させればよい。   Next, as shown in FIG. 6C, the printed solder paste 40 may be changed to solder balls 41 by heating by a method such as reflow.

このようにして製造されたICソケット1をマザーボードに実装するには、ICソケット1をマザーボード上に位置合わせして載置し、他の部品を実装する際に同時にリフローによるはんだ付けを行えばよい。   In order to mount the manufactured IC socket 1 on the mother board, the IC socket 1 is positioned and placed on the mother board, and soldering by reflow is performed at the same time when other components are mounted. .

(ICソケット複合体)
ICソケットのメンテナンス性が要求されるサーバ用ソケットでは、図7に示すような、ICソケット複合体1Aを用いることが便利である。
(IC socket complex)
For server sockets that require IC socket maintenance, it is convenient to use an IC socket complex 1A as shown in FIG.

このICソケット複合体1Aの製造方法は、図7に示すように、スルーホール形成部12の裏面側のランド20Aが上下に対称となるように設けられた、一対のICソケット1を用意する。これらICソケット1の一方のランド20Aには、図示しないはんだペーストを印刷しておく。そして、図7に示すように、一対のICソケット1を互いにランド20A同士が対応するように位置合わせして接合させる。このとき、互いに対応するランド20A同士の間には、はんだペーストが介在された状態となる。   As shown in FIG. 7, the IC socket complex 1 </ b> A manufacturing method prepares a pair of IC sockets 1 provided so that the lands 20 </ b> A on the back surface side of the through-hole forming portion 12 are vertically symmetrical. A solder paste (not shown) is printed on one land 20 </ b> A of the IC socket 1. Then, as shown in FIG. 7, the pair of IC sockets 1 are aligned and joined so that the lands 20A correspond to each other. At this time, the solder paste is interposed between the lands 20A corresponding to each other.

次に、この状態を保ちながら、リフローなどの加熱を行って上下一対のICソケット1のランド20A同士をはんだ42ではんだ付けすることにより、ICソケット複合体1Aが完成する。   Next, while maintaining this state, heating such as reflow is performed to solder the lands 20A of the pair of upper and lower IC sockets 1 with the solder 42, thereby completing the IC socket complex 1A.

このICソケット複合体1Aは、表裏面にそれぞれコンタクトを有するため、表裏面において交換可能なソケット構造体を実現できる。   Since this IC socket complex 1A has contacts on the front and back surfaces, a socket structure that can be exchanged on the front and back surfaces can be realized.

(ICソケットの製造方法)
次に、本実施の形態に係るICソケット1の製造方法についてMID(Molded Interconection Device)技術を適用して説明する。
(IC socket manufacturing method)
Next, a method for manufacturing the IC socket 1 according to the present embodiment will be described by applying MID (Molded Interconection Device) technology.

先ず、図8(a)に示すようなソケット基体10を形成する一次射出成型を行う。このように形成されたソケット基体10の表面をエッチングして表面処理を行う。   First, primary injection molding for forming the socket base 10 as shown in FIG. Surface treatment is performed by etching the surface of the socket base 10 thus formed.

次に、めっきする部分を残して二次射出成型を行う。図8(b)に示すように、この二次射出成型用の型50は、回路形成を行うための単なるマスクである。そして、図8(c)に示すように、二次射出成型用の型50から露出した部分に触媒層21を付着させる。   Next, secondary injection molding is performed leaving a portion to be plated. As shown in FIG. 8B, the secondary injection mold 50 is a simple mask for forming a circuit. And as shown in FIG.8 (c), the catalyst layer 21 is made to adhere to the part exposed from the type | mold 50 for secondary injection molding.

その後、図9(a)に示すように、二次射出成型用の型50を除去した後、めっき処理を行えば、図9(b)に示すようにめっき層20で三次元回路形成を行うことができる。このめっき工程では、触媒層21の上にめっき層20が形成される。なお、めっき処理としては、無電解めっき、電解めっきのどちらを行ってもよい。   Thereafter, as shown in FIG. 9A, after removing the secondary injection molding die 50, if a plating process is performed, a three-dimensional circuit is formed with the plating layer 20 as shown in FIG. 9B. be able to. In this plating step, the plating layer 20 is formed on the catalyst layer 21. As the plating treatment, either electroless plating or electrolytic plating may be performed.

また、図6(a)〜(c)に示したように、スルーホール形成部12裏面のめっき層20のランド20Aにはんだボール41を形成してもよいし、その後リテンションロック機構部品を設けてもよい。   Further, as shown in FIGS. 6A to 6C, solder balls 41 may be formed on the lands 20A of the plating layer 20 on the back surface of the through-hole forming portion 12, and then a retention lock mechanism component is provided. Also good.

ここで、具体的なICソケット1の仕様の一例について説明する。   Here, an example of a specific specification of the IC socket 1 will be described.

回路幅 0.2mm〜
回路間隔 0.2mm〜
コンタクト片の板厚 0.3mm〜
スルーホール径 φ0.2mm
めっきの下地 Cu:4〜10μm
めっきの中間層 Ni:6〜20μm
めっきの仕上層 Au:0.1〜0.3μm
適用樹脂 LCP、SPS、PA、PPA、PPS、 PC−ABS、PEI
なお、上記仕様例においては、めっきとして、下地(Cu)、中間(Ni)、仕上げ(Au)の例を示したが、仕様環境に応じて、中間を無くし、Cuに直にAuめっきをしてもよい。
Circuit width 0.2mm ~
Circuit interval 0.2mm ~
Contact piece thickness 0.3mm ~
Through hole diameter φ0.2mm
Plating base Cu: 4 to 10 μm
Plating intermediate layer Ni: 6 to 20 μm
Plating finish layer Au: 0.1 to 0.3 μm
Applicable resin LCP, SPS, PA, PPA, PPS, PC-ABS, PEI
In the above specification example, examples of the base (Cu), intermediate (Ni), and finish (Au) are shown as plating. However, depending on the specification environment, the intermediate is eliminated and Au is plated directly on Cu. May be.

また、適用樹脂は必要な特性によって選択すればよいが、電気的特性を重視する場合、低誘電率である液晶ポリマー(LCP)は有効な材料である。LCPを用いる場合は、耐熱性を高くし易く、リフロー耐性も十分なものを実現しやすい上、強度も高いという利点がある。その反面、機械的強度に異方性があり、ウエルド強度が低いという欠点もある。しかし、近年はエンジニアリングプラスチックの技術は飛躍的に進歩しており、スーパーエンジニアリングプラスチックと呼ばれる、これまで相反した特徴であったものを両立する材料が次々に開発されてており、MDI技術では一般的に射出成型に使用できる材料であれば適用が可能であるため、今後目的にあった樹脂が選択できる可能性は益々高くなると考えられる。   The applied resin may be selected depending on the required characteristics. However, when electric characteristics are important, a liquid crystal polymer (LCP) having a low dielectric constant is an effective material. In the case of using LCP, there is an advantage that heat resistance is easily increased, a reflow resistance is sufficient, and that strength is high. On the other hand, the mechanical strength is anisotropic and the weld strength is low. However, in recent years, engineering plastics technology has advanced dramatically, and materials called super engineering plastics, which have been compatible with each other, have been developed one after another. Since any material that can be used for injection molding can be applied, it is considered that the possibility of selecting a resin that meets the purpose will be increased.

本実施の形態に係るICソケット1では、MID技術を用いることにより、従来のICソケットよりも生産性が飛躍的に高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化にも対応できる。   In the IC socket 1 according to the present embodiment, by using the MID technology, productivity is remarkably higher than that of the conventional IC socket, and it is possible to cope with an increase in the number of pins, a fine pitch, a large current, and a high speed. .

特に、本実施の形態では、ソケット基体10に形成する複数のコンタクト収納穴が貫通孔11であるため、ソケット基体10を樹脂成型する際に、金型の構造が単純な構造となり、成型が容易且つ低コストで行えるという利点がある。   In particular, in the present embodiment, since the plurality of contact housing holes formed in the socket base 10 are the through holes 11, when the socket base 10 is resin-molded, the mold structure is simple and easy to mold. In addition, there is an advantage that it can be performed at a low cost.

[第2の実施の形態]
図10および図11は、本発明の第2の実施の形態に係るICソケット2を示している。図10はICソケットの要部平面図、図11は図10のB−B断面図である。
[Second Embodiment]
10 and 11 show an IC socket 2 according to a second embodiment of the present invention. FIG. 10 is a plan view of the main part of the IC socket, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.

本実施の形態のICソケット2は、第1の実施の形態に係るICソケット1に後述するエラストマー60を備えた構成であり、他の構成は第1の実施の形態と同様である。したがって、ICソケット2において、第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して説明を省略する。   The IC socket 2 of the present embodiment has a configuration in which the later-described elastomer 60 is provided in the IC socket 1 according to the first embodiment, and other configurations are the same as those of the first embodiment. Accordingly, in the IC socket 2, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図10および図11に示すように、本実施の形態に係るICソケット2の貫通孔11内に、コンタクト片14の接圧調整ならびにコンタクト片14の変形に伴う接圧の減少を抑えるための弾力性(反発性)を有する材料としてのエラストマー60が配置されている。なお、反発性を有する材料としては、フッ素系のエラストマーのように耐熱性、耐薬品性、クリープ耐性が良好であり、例えば230℃以上の耐熱性を有するものであれば、リフローに耐えることができるからである。   As shown in FIG. 10 and FIG. 11, elasticity for suppressing contact pressure adjustment of the contact piece 14 and reduction of contact pressure due to deformation of the contact piece 14 in the through hole 11 of the IC socket 2 according to the present embodiment. An elastomer 60 is disposed as a material having properties (rebound properties). In addition, as a material having resilience, heat resistance, chemical resistance, and creep resistance are good like a fluorine-based elastomer. For example, a material having heat resistance of 230 ° C. or more can withstand reflow. Because it can.

本実施の形態に係るICソケット2においても、上記した第1の実施の形態と同様の作用・効果を奏することができる。また、本実施の形態に係るICソケット2の製造方法は、上記した第1の実施の形態に係るICソケット1の製造方法と同様であり、ソケット基体(ソケットハウジング)10を成形した後に、貫通孔11内にエラストマー60を成形する工程が組み込まれている。   Also in the IC socket 2 according to the present embodiment, the same operations and effects as those of the first embodiment described above can be achieved. Further, the manufacturing method of the IC socket 2 according to the present embodiment is the same as the manufacturing method of the IC socket 1 according to the first embodiment described above. After the socket base (socket housing) 10 is molded, the IC socket 2 is penetrated. A step of forming the elastomer 60 in the hole 11 is incorporated.

[その他の実施の形態]
上述した実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
[Other embodiments]
It should not be understood that the descriptions and drawings which form part of the disclosure of the above-described embodiments limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

例えば、上記した各実施の形態では、めっき層の下に触媒層を形成した例であるが、触媒層を形成せずにめっき層を形成しても勿論よい。   For example, each of the above embodiments is an example in which the catalyst layer is formed under the plating layer, but it is needless to say that the plating layer may be formed without forming the catalyst layer.

本発明の第1の実施の形態に係るICソケットの要部平面図である。It is a principal part top view of the IC socket which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 第1の実施の形態に係るICソケットへICパッケージを装着する前の状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state before mounting | wearing with an IC package to the IC socket which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るICソケットへICパッケージを装着している途中の状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state in the middle of mounting | wearing with the IC package to the IC socket which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るICソケットへICパッケージを装着した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state which mounted | wore the IC package to the IC socket which concerns on 1st Embodiment. (a)〜(c)は、ICソケットの裏面のランドへはんだボールを形成する工程を示す要部断面図である。(A)-(c) is principal part sectional drawing which shows the process of forming a solder ball in the land of the back surface of an IC socket. 第1の実施の形態に係る一対のICソケットを互いに裏面側のランド同士をはんだペーストを介して当接させリフローを行って製造したICソケット複合体の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the IC socket composite_body | complex which manufactured the pair of IC socket which concerns on 1st Embodiment, and made the back side land contact each other via a solder paste, and performed reflow. (a)〜(c)は、第1の実施の形態に係るICソケットの製造工程を示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows the manufacturing process of the IC socket which concerns on 1st Embodiment. (a)および(b)は、第1の実施の形態に係るICソケットの製造工程を示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows the manufacturing process of the IC socket which concerns on 1st Embodiment. 第2の実施の形態に係るICソケットの示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the IC socket which concerns on 2nd Embodiment. 図10のB−B断面図である。It is BB sectional drawing of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1,2
1A ICソケット複合体
10 ソケット基体
11 貫通孔
12 スルーホール形成部
13 スルーホール
14 コンタクト片
14A コンタクト突起
20 めっき層
20A ランド
21 触媒層
30 ICパッケージ
31 ランド部
40 はんだペースト
41 はんだボール
42 はんだ
60 エラストマー
1, 2
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1A IC socket complex 10 Socket base | substrate 11 Through-hole 12 Through-hole formation part 13 Through-hole 14 Contact piece 14A Contact protrusion 20 Plating layer 20A Land 21 Catalyst layer 30 IC package 31 Land part 40 Solder paste 41 Solder ball 42 Solder 60 Elastomer

Claims (8)

表裏方向に貫通する複数のコンタクト収納穴が形成され、前記コンタクト収納穴の周縁部に、表裏方向に貫通するスルーホールが形成されたスルーホール形成部を有し、板状のコンタクト片が前記コンタクト収納穴に臨んだ状態で、該コンタクト片の基部が前記スルーホール形成部の表面側の側壁部に一体的に設けられた、板状のソケット基体と、
前記スルーホール内壁および前記スルーホール形成部の表裏面および前記コンタクト片の表面に連続するように形成されためっき層と、
を備えることを特徴とするICソケット。
A plurality of contact housing holes penetrating in the front and back directions are formed, and a through hole forming portion in which a through hole penetrating in the front and back directions is formed in a peripheral portion of the contact housing hole, and the plate-shaped contact piece is the contact A plate-shaped socket base body in which the base portion of the contact piece is integrally provided on the side wall portion on the surface side of the through-hole forming portion in a state facing the storage hole;
A plating layer formed so as to be continuous with the inner surface of the through hole and the front and back surfaces of the through hole forming portion and the surface of the contact piece;
An IC socket comprising:
前記ソケット基体は、電気絶縁性を有する合成樹脂で一体的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載されたICソケット。   2. The IC socket according to claim 1, wherein the socket base is integrally formed of a synthetic resin having electrical insulation. 前記コンタクト片の自由端部の表面には、膨出するコンタクト突起が形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載されたICソケット。   3. The IC socket according to claim 1, wherein a bulging contact protrusion is formed on a surface of the free end portion of the contact piece. 前記コンタクト収納穴には、反発性を有する部材が収容されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載されたICソケット。   The IC socket according to claim 1, wherein a member having resilience is accommodated in the contact accommodation hole. 前記反発性を有する部材は、リフローに対して耐久性を有する材料でなることを特徴とする請求項4に記載されたICソケット。   The IC socket according to claim 4, wherein the repulsive member is made of a material having durability against reflow. 前記スルーホール形成部の裏面側に露出するように形成されためっき層には、はんだボールが設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載されたICソケット。   6. The IC according to claim 1, wherein a solder ball is provided on a plating layer formed so as to be exposed on a back surface side of the through hole forming portion. socket. 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載された、一対のICソケットが裏面同士を合わせた状態で当接され、且つ前記スルーホール形成部の裏面側の前記めっき層同士がはんだづけされていることを特徴とするICソケット複合体。   The pair of IC sockets according to any one of claims 1 to 6, wherein the pair of IC sockets are in contact with each other in a back surface state, and the plating layers on the back surface side of the through hole forming portion are soldered together. An IC socket composite characterized by the above. 表裏方向に貫通する複数のコンタクト収納穴が形成され、前記コンタクト収納穴の周縁部に、表裏方向に貫通するスルーホールが形成されたスルーホール形成部を有し、板状のコンタクト片が前記コンタクト収納穴に臨んだ状態で、該コンタクト片の基部が前記スルーホール形成部の表面側の側壁部に一体的に設けられた、板状のソケット基体を、合成樹脂で一体的に成形する工程と、
前記スルーホール内壁および前記スルーホール形成部の表裏面および前記コンタクト片の表面に連続するようにめっき層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするICソケットの製造方法。
A plurality of contact housing holes penetrating in the front and back directions are formed, and a through hole forming portion in which a through hole penetrating in the front and back directions is formed in a peripheral portion of the contact housing hole, and the plate-shaped contact piece is the contact A step of integrally molding a plate-shaped socket base body with a synthetic resin in which the base portion of the contact piece is integrally provided on the side wall portion on the surface side of the through-hole forming portion in a state facing the storage hole; ,
Forming a plating layer so as to be continuous with the inner surface of the through hole and the front and back surfaces of the through hole forming portion and the surface of the contact piece;
A method for manufacturing an IC socket, comprising:
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