JP2008027774A - Ic socket and its manufacturing method - Google Patents

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伸一 二階堂
Haruo Miyazawa
春夫 宮澤
Katsuya Yamagami
勝哉 山上
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an IC socket of which the contact can contact by metal to a land on the IC package side, and which can cope with multiple pins, fine pitch, large current, and high speed with high productivity. <P>SOLUTION: One end part side of a contact piece 10 is formed integrally at a contact fixing part 22 of a socket base body 20 and the portion other than one end part faces a through hole 21. The through hole part 30 is made of a plating layer 32 which is formed at the surrounding of the aperture part 11 of the contact piece 10 and the surrounding of the rear face side of the through hole 31 with the aperture part 11 of the contact piece 10 and the through hole 31 in a coincided state, through the inner wall of the through hole 31 penetrating the contact fixing part 22 in front and rear direction. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、CPUやLSIなどのICパッケージを例えばプリント基板に実装する際に使用するICソケットに関し、さらに詳しくは、例えば三次元回路形成技術を用いて立体回路が形成されたICソケットおよびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to an IC socket used when mounting an IC package such as a CPU or LSI on, for example, a printed circuit board, and more specifically, for example, an IC socket in which a three-dimensional circuit is formed using a three-dimensional circuit forming technique and its manufacture It is about the method.

従来から、CPUやLSIなどのICパッケージを、ICソケットを介してプリント基板に実装する技術が検討されている。パーソナルコンピュータやサーバのマザーボードの多くには、LGA(Land Grid array)パッケージや、BGA(Ball Grid Array)パッケージのCPUを装着するためのソケットが実装されている。   Conventionally, techniques for mounting an IC package such as a CPU or LSI on a printed circuit board via an IC socket have been studied. Many motherboards of personal computers and servers are mounted with sockets for mounting CPUs of LGA (Land Grid array) packages and BGA (Ball Grid Array) packages.

CPUは、その機能、性能の向上のため、年々多ピン化、高速化が進んでおり、パッケージの大型化やファインピッチ化によって対応がなされている。これに伴い、ICソケットも多ピン化への対応が必要になるとともに、パッケージのサイズアップに伴う撓み量増大への対応や、パッケージの接触ランドやボールの高さばらつきへの対応が必要になる。   The number of pins and the speed of CPUs are increasing year by year in order to improve the functions and performance of CPUs, and measures are being taken by increasing the size of packages and making fine pitches. Along with this, it is necessary to cope with the increase in the number of pins of the IC socket, and it is also necessary to cope with an increase in the amount of bending accompanying an increase in the size of the package and a variation in the contact land of the package and the height variation of the ball. .

したがって、ICソケットでは、ICパッケージの電極部との接触において撓み方向へのストロークを確保できる構造が求められる。   Therefore, the IC socket is required to have a structure that can ensure a stroke in the bending direction in contact with the electrode portion of the IC package.

また、ファインピッチ化に対する対応としては、極力簡単な構造で実現すべきであり、パッケージからプリント基板への接続を短い距離で行う構造が望ましい。   Further, as a countermeasure to the fine pitch, it should be realized with a simple structure as much as possible, and a structure in which the connection from the package to the printed board is performed at a short distance is desirable.

さらに、高速化に対する対応としては、ICソケットとパッケージとのコンタクトが低インダクタンスであることが重要であり、高速化による消費電流増大に対応して許容電流も高いことが求められる。   Furthermore, in order to cope with the high speed, it is important that the contact between the IC socket and the package has a low inductance, and the allowable current is required to be high in response to the increase in current consumption due to the high speed.

現在のLGAパッケージ用ソケットの主流は、約1mmピッチの400〜800ピンのものであり、金属板を複雑に折り曲げて所定のコンタクト片を作り、これをソケットハウジングにコンタクトを挿入した構造のICソケットが知られている(例えば、特許文献1、2参照)。しかし、これらのICソケットでは、ソケットハウジングに1ピンずつコンタクトを挿入して組み立てるため、ピン数が多くなると製造に必要なコンタクト挿入時間が増大し、生産性が悪化する。   The current mainstream of LGA package sockets is 400-800 pins with a pitch of about 1 mm. An IC socket having a structure in which a metal plate is bent in a complicated manner to form a predetermined contact piece and a contact is inserted into the socket housing. Is known (see, for example, Patent Documents 1 and 2). However, since these IC sockets are assembled by inserting contacts into the socket housing one pin at a time, as the number of pins increases, the contact insertion time required for manufacturing increases and productivity deteriorates.

このような問題の対策案として、コンタクトとして導電性エラストマーによるコラムを用いた構造のものが知られている(例えば、特許文献3参照)。しかし、このようにコンタクトとしてエラストマーを用いると、金属接触に比較して接触抵抗が高く、高電流化に対して発熱や電圧降下の増大の恐れがある。また、エラストマーを用いたICソケットでは、ICパッケージを装着するときに、エラストマーでなるコンタクト部が、ICパッケージ側のランド(電極部)の金属面をワイピング(擦過)しないため、ランドの酸化膜除去が期待できないという問題点がある。さらに、このICソケットは、ICパッケージ側の金属でなるランドに対してエラストマーの圧接で接触するため、経時的に接触抵抗が変化するなどの問題点がある。
特開2004−158430号公報 特開2005−19284号公報 米国特許第6,669,490号
As a countermeasure against such a problem, a structure using a column made of a conductive elastomer as a contact is known (for example, see Patent Document 3). However, when an elastomer is used as a contact in this way, the contact resistance is higher than that of metal contact, and there is a risk of heat generation and increase in voltage drop when the current is increased. Also, in the IC socket using elastomer, when the IC package is mounted, the contact part made of elastomer does not wipe the metal surface of the land (electrode part) on the IC package side, so that the oxide film on the land is removed. There is a problem that cannot be expected. Furthermore, since this IC socket comes into contact with the land made of metal on the IC package side by pressure contact with the elastomer, there is a problem that the contact resistance changes with time.
JP 2004-158430 A JP-A-2005-19284 US Pat. No. 6,669,490

そこで、本発明の目的は、ICパッケージ側のランドに対してコンタクトが金属接触でき、生産性が高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化に対応できるICソケットおよびその製造方法を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an IC socket that can make metal contact with a land on the IC package side, has high productivity, and can cope with high pin count, fine pitch, large current, and high speed, and a manufacturing method thereof. Is to provide.

本発明の第1の特徴は、ICソケットであって、ICパッケージを装着する表面側から裏面側に向けて形成された複数のコンタクト収納穴が配置され、前記コンタクト収納穴の周縁部にコンタクト固定部を有する、板状のソケット基体と、前記コンタクト収納穴に臨んだ状態で前記コンタクト固定部の表面側に一端部側が固定されたコンタクト片と、前記コンタクト片の前記一端部と前記コンタクト固定部とを貫いて前記コンタクト片を前記ソケット基体の裏面側への導通を可能にするスルーホール部と、を備えることを要旨とする。   A first feature of the present invention is an IC socket, in which a plurality of contact storage holes formed from the front surface side to the back surface side on which an IC package is mounted are arranged, and contacts are fixed to the peripheral portion of the contact storage hole. A plate-shaped socket base, a contact piece having one end side fixed to the surface side of the contact fixing part in a state facing the contact housing hole, the one end part of the contact piece, and the contact fixing part And a through-hole portion that allows the contact piece to conduct to the back side of the socket base.

本発明の第2の特徴は、ICソケット複合体であって、請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載された一対のICソケットが、裏面同士を合わせた状態で当接され、且つ前記裏面側の前記スルーホール部同士がはんだづけされていることを要旨とする。   A second feature of the present invention is an IC socket composite, wherein the pair of IC sockets according to any one of claims 1 to 9 are brought into contact with each other in a state where the back surfaces are aligned, The gist is that the through-hole portions on the back surface side are soldered to each other.

本発明の第3の特徴は、一端部にスルーホール用開口部を有する複数のコンタクト片を、金属板を加工して形成する工程と、前記コンタクト片を射出成形型にセットして、板状のソケット基体を射出成形を行って、ICパッケージを装着する表面側から裏面側に向けて凹んだ複数のコンタクト収納穴が配置され、且つ前記コンタクト収納穴の周縁部のコンタクト固定部に前記コンタクト片の一端部が固定され、前記スルーホール用開口部と連通するスルーホールを有する、板状のソケット基体を形成する工程と、前記スルーホールおよび前記コンタクト片の一部を露出させるように型にセットする工程と、前記スルーホールおよび前記コンタクト片の露出した部分にめっき層を形成するめっき工程と、を備えることを要旨とする。   A third feature of the present invention is that a plurality of contact pieces having through-hole openings at one end are formed by processing a metal plate, and the contact pieces are set in an injection mold to form a plate shape. A plurality of contact storage holes recessed from the front surface side to the back surface side where the IC package is mounted are disposed by injection molding, and the contact piece is formed on the contact fixing portion at the peripheral edge of the contact storage hole. A step of forming a plate-shaped socket base having a through hole communicating with the through hole opening, and setting the mold to expose a part of the through hole and the contact piece. And a plating step of forming a plating layer on the exposed portions of the through holes and the contact pieces.

本発明によれば、ICパッケージ側のランドに対してコンタクトが金属接触でき、生産性が高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化に対応できるICソケットを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an IC socket capable of making metal contact with a land on the IC package side, having high productivity, and capable of dealing with high pin count, fine pitch, high current, and high speed. .

以下、本発明に係るICソケット、ICソケット複合体、およびICソケットの製造方法を図面に示す実施の形態に基づいて説明する。   Hereinafter, an IC socket, an IC socket composite, and a method of manufacturing an IC socket according to the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.

[第1の実施の形態]
図1および図2は、第1の実施の形態に係るICソケットを示している。なお、図1は第1の実施の形態に係るICソケットの要部平面図、図2は図1のA−A断面図である。
[First Embodiment]
1 and 2 show an IC socket according to the first embodiment. 1 is a main part plan view of the IC socket according to the first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

本実施の形態のICソケット1は、複数のコンタクト片10と、これらコンタクト片10を所定の配列で配置するソケット基体20と、スルーホール部30と、から大略構成されている。   The IC socket 1 of the present embodiment is generally constituted by a plurality of contact pieces 10, a socket base 20 on which these contact pieces 10 are arranged in a predetermined arrangement, and a through hole portion 30.

コンタクト片10は、例えば、ベリリウム銅、燐青銅などの銅合金やステンレス合金などの、導電性ならびに反発性(ばね性)を有する金属板を外形加工してなる。このコンタクト片10は長方形状であり、一端部側には後述するスルーホール31と連通するための開口部11が形成されている。   The contact piece 10 is formed by externally processing a metal plate having conductivity and resilience (spring property), such as a copper alloy such as beryllium copper or phosphor bronze or a stainless alloy. The contact piece 10 has a rectangular shape, and an opening 11 for communicating with a through hole 31 described later is formed on one end side.

図2に示すように、コンタクト片10の他端部側には、装着されるICパッケージ(図示省略する。)側へ膨出するコンタクト突起12が形成されている。このコンタクト突起12は、コンタクト片10の上面に半球形状に形成された樹脂突起13、この樹脂突起13を封止するように形成されためっき層14とで構成されている。   As shown in FIG. 2, a contact protrusion 12 bulging toward the IC package (not shown) to be mounted is formed on the other end portion side of the contact piece 10. The contact protrusion 12 includes a resin protrusion 13 formed in a hemispherical shape on the upper surface of the contact piece 10 and a plating layer 14 formed so as to seal the resin protrusion 13.

ソケット基体20は、コンタクト収納穴としての貫通孔21が所定の配置で形成されている。本実施の形態では、貫通孔21の平面形状が長方形である。また、ソケット基体20における貫通孔21の一方側の周縁部近傍には、図示しないICパッケージ側に突出する支柱状のコンタクト固定部22が形成されている。図1および図2に示すように、このコンタクト固定部22は、貫通孔21の長手方向に沿って、貫通孔21同士の間に支柱状に形成されたものである。このコンタクト固定部22には、ソケット基体20の表裏方向に貫通するスルーホール31が形成されている。そして、このコンタクト固定部22の上部には、コンタクト片10の一端部側が固定され、コンタクト固定部22のスルーホール31と、このコンタクト片10の開口部11とが連通するように設定されている。   The socket base 20 is formed with through holes 21 as contact housing holes in a predetermined arrangement. In the present embodiment, the planar shape of the through hole 21 is a rectangle. Further, a columnar contact fixing portion 22 that protrudes toward the IC package (not shown) is formed in the vicinity of the peripheral edge portion on one side of the through hole 21 in the socket base 20. As shown in FIGS. 1 and 2, the contact fixing portion 22 is formed in a columnar shape between the through holes 21 along the longitudinal direction of the through holes 21. The contact fixing portion 22 is formed with a through hole 31 penetrating in the front and back direction of the socket base 20. Then, one end of the contact piece 10 is fixed to the upper part of the contact fixing portion 22 so that the through hole 31 of the contact fixing portion 22 and the opening 11 of the contact piece 10 communicate with each other. .

コンタクト片10は、上述するように、一端部側がこのコンタクト固定部22に固定され、一端部以外の部分は、貫通孔21に臨んだ状態となっている。   As described above, one end of the contact piece 10 is fixed to the contact fixing portion 22, and a portion other than the one end faces the through hole 21.

スルーホール部30は、コンタクト固定部22を表裏方向に貫通するスルーホール31の内壁を介して、コンタクト片10の開口部11とスルーホール31とが合致した状態でコンタクト片10の開口部11の周辺と、スルーホール31の裏面側の周辺とに亘って形成されためっき層32でなる。なお、めっき層14,32の下地としては、触媒層が形成されていてもよい。   The through-hole portion 30 is formed on the opening 11 of the contact piece 10 in a state where the opening 11 of the contact piece 10 and the through-hole 31 are aligned via the inner wall of the through-hole 31 that penetrates the contact fixing portion 22 in the front and back direction. It consists of a plating layer 32 formed over the periphery and the periphery on the back side of the through hole 31. A catalyst layer may be formed as a base for the plating layers 14 and 32.

本実施の形態に係るICソケット1では、ICパッケージ側のランドに対してコンタクト片10が金属接触できるため、接触抵抗を小さく設定できる。   In the IC socket 1 according to the present embodiment, since the contact piece 10 can make metal contact with the land on the IC package side, the contact resistance can be set small.

(ICパッケージの装着)
次に、図3〜図5を用いて、本実施の形態に係るICソケット1に、ICパッケージ40を装着する場合について説明する。
(Installation of IC package)
Next, the case where the IC package 40 is mounted on the IC socket 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図3は、ICパッケージ40をICソケット1に位置合わせした装着直前の状態を示す。このICパッケージ40はLGAパッケージであり、下面に複数のランド部41が配置されている。ICソケット1側のコンタクト片10の他端部に突設されたコンタクト突起12は、ICパッケージ40のランド部41の配列と同様に設けられている。図3に示すように、コンタクト突起12と当接するランド部41は、図中一点鎖線L1で示す位置である。   FIG. 3 shows a state immediately before the IC package 40 is aligned with the IC socket 1. The IC package 40 is an LGA package, and a plurality of land portions 41 are arranged on the lower surface. The contact protrusion 12 protruding from the other end of the contact piece 10 on the IC socket 1 side is provided in the same manner as the arrangement of the land portions 41 of the IC package 40. As shown in FIG. 3, the land portion 41 that comes into contact with the contact protrusion 12 is a position indicated by a one-dot chain line L <b> 1 in the drawing.

図4は、ICパッケージ40のランド部41をICソケット1のコンタクト突起12に当接させた後、さらに押し付けた状態を示す。このとき、図4に示すように、コンタクト突起12とランド部41とは、図中一点鎖線L2で示す位置で当接する。したがって、コンタクト突起12のめっき層14とランド部41とは一点鎖線L1からL2の位置に互いにズレながら擦られる。   FIG. 4 shows a state in which the land portion 41 of the IC package 40 is pressed against the contact protrusion 12 of the IC socket 1 and then pressed. At this time, as shown in FIG. 4, the contact protrusion 12 and the land portion 41 abut at a position indicated by a one-dot chain line L2 in the drawing. Therefore, the plating layer 14 and the land portion 41 of the contact protrusion 12 are rubbed while being displaced from each other at the position of the alternate long and short dash line L1 to L2.

図5は、ICパッケージ40のランド部41をICソケット1のコンタクト突起12へさらに押し付けた状態を示す。このとき、図5に示すように、コンタクト突起12とランド部41とは、図中一点鎖線L3で示す位置で当接する。したがって、コンタクト突起12のめっき層14とランド部41とは最初に当接した状態から当接点が距離dだけ互いにズレながら擦られて移動する。最終的には、ICパッケージ40が外れないように、図示しないリテンションロック機構で保持すればよい。   FIG. 5 shows a state in which the land portion 41 of the IC package 40 is further pressed against the contact protrusion 12 of the IC socket 1. At this time, as shown in FIG. 5, the contact protrusion 12 and the land portion 41 abut at a position indicated by a one-dot chain line L3 in the drawing. Accordingly, the plating layer 14 of the contact protrusion 12 and the land portion 41 are rubbed and moved while being displaced from each other by a distance d from the state of first contact. Eventually, a retention lock mechanism (not shown) may be held so that the IC package 40 does not come off.

このように接点が擦られながらずれることで、接点の酸化膜を除去するワイピング作用がある。したがって、めっき層14とランド部41とは、接触抵抗の小さい接続を確保することができる。   As described above, the contact is displaced while being rubbed, thereby having a wiping action for removing the oxide film on the contact. Therefore, the plating layer 14 and the land portion 41 can ensure a connection with a small contact resistance.

(ICソケットの実装)
本実施の形態に係るICソケット1の実装方法としては、はんだボールを用いることができる。以下、はんだボールの形成方法について図6(a)〜(c)を用いて説明する。
(IC socket mounting)
As a method for mounting the IC socket 1 according to the present embodiment, solder balls can be used. Hereinafter, a method for forming solder balls will be described with reference to FIGS.

この実装方法は、例えばパーソナルコンピュータのマザーボード(メインプリント基板)においてICソケット1を実装する場合に用いることができる。図6(a)、(b)に示すように、ICソケット1のスルーホール部30の裏面側のランド32Aに、はんだペースト50をスクリーン印刷する。   This mounting method can be used, for example, when the IC socket 1 is mounted on a motherboard (main printed circuit board) of a personal computer. As shown in FIGS. 6A and 6B, the solder paste 50 is screen-printed on the land 32 </ b> A on the back surface side of the through hole portion 30 of the IC socket 1.

次に、図6(c)に示すように、リフローなどの方法により加熱して、印刷したはんだペースト50をはんだボール51に変化させればよい。   Next, as shown in FIG. 6C, the printed solder paste 50 may be changed to solder balls 51 by heating by a method such as reflow.

このようにして製造されたICソケット1をマザーボードに実装するには、ICソケット1をマザーボード上に位置合わせして載置し、他の部品を実装する際に同時にリフローによるはんだ付けを行えばよい。   In order to mount the manufactured IC socket 1 on the mother board, the IC socket 1 is positioned and placed on the mother board, and soldering by reflow is performed at the same time when other components are mounted. .

(ICソケット複合体)
ICソケットのメンテナンス性が要求されるサーバ用ソケットでは、図7(b)に示すような、ICソケット複合体1Aを用いることが便利である。
(IC socket complex)
For a server socket that requires maintenance of an IC socket, it is convenient to use an IC socket complex 1A as shown in FIG.

このICソケット複合体1Aの製造方法は、図7(a)に示すように、スルーホール部33のランド32Aが上下に対称となるように設けられた、一対のICソケット1用意する。これらICソケット1の一方のランド32Aには、図7(a)に示すように、はんだペースト50を印刷しておく。そして、図7(a)に示すように、一対のICソケット1を互いにランド32A同士が対応するように位置合わせして接合させる。このとき、互いに対応するランド32A同士の間には、図7(a)に示すように、はんだペースト50が介在された状態となる。   As shown in FIG. 7A, the IC socket composite 1A is manufactured by preparing a pair of IC sockets 1 provided so that the lands 32A of the through-hole portion 33 are vertically symmetrical. A solder paste 50 is printed on one land 32A of the IC socket 1 as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 7A, the pair of IC sockets 1 are aligned and joined so that the lands 32A correspond to each other. At this time, as shown in FIG. 7A, the solder paste 50 is interposed between the lands 32A corresponding to each other.

次に、この状態を保ちながら、リフローなどの加熱を行って上下一対のICソケット1のランド32A同士をはんだ付けすることにより、ICソケット複合体1Aが完成する。   Next, while maintaining this state, heating such as reflow is performed to solder the lands 32A of the pair of upper and lower IC sockets 1 to complete the IC socket complex 1A.

このICソケット複合体1Aは、表裏面にそれぞれコンタクトを有するため、表裏面において交換可能なソケット構造体を実現できる。   Since this IC socket complex 1A has contacts on the front and back surfaces, a socket structure that can be exchanged on the front and back surfaces can be realized.

(ICソケットの製造方法)
次に、本実施の形態に係るICソケット1の製造方法についてMID(Molded Interconection Device)技術を適用して説明する。なお、この製造方法は、図11に示すようなフローチャートに沿って行われる。
(IC socket manufacturing method)
Next, a method for manufacturing the IC socket 1 according to the present embodiment will be described by applying MID (Molded Interconection Device) technology. In addition, this manufacturing method is performed along a flowchart as shown in FIG.

先ず、図8(a)に示すように、金属板10Aを用意し、例えばエッチングやプレスにより外形加工を行って、図8(b)に示すようなコンタクト片10を形成する。このコンタクト片10は、図1に示したように長方形状であり、一端部側に開口部11を形成しておく。   First, as shown in FIG. 8A, a metal plate 10A is prepared, and outer shape processing is performed, for example, by etching or pressing to form a contact piece 10 as shown in FIG. 8B. The contact piece 10 has a rectangular shape as shown in FIG. 1, and an opening 11 is formed on one end side.

コンタクト片10は、製造するICソケット1が必要とするコンタクトの数を用意する。これらコンタクト片10同士は、その後の工程が行い易いように、最終的なICソケット1のコンタクト片10の配列に並んだ形で、必要なコンタクト数分だけ外形加工して後述するランナー16を介して一体に設けておく。なお、必要に応じて、この一体化された加工済みのコンタクト片10は複数に分けてもよいが、工程での扱い易さとしては、全てのコンタクト片10が一体になったブロックとして加工されることが望ましい。図10は、ICソケット1の半完成品の平面図であり、コンタクト片10同士がランナー16で一体化されて繋がっている状態を示している。このようにコンタクト片10をランナー16で電気的に繋がっていればめっき工程で電解めっきを用いることが可能になる。   The contact piece 10 prepares the number of contacts required for the IC socket 1 to be manufactured. These contact pieces 10 are arranged in the arrangement of the contact pieces 10 of the final IC socket 1 so that the subsequent steps can be easily performed. To be integrated. If necessary, this integrated processed contact piece 10 may be divided into a plurality of parts. However, for ease of handling in the process, all contact pieces 10 are processed as an integrated block. It is desirable. FIG. 10 is a plan view of a semi-finished product of the IC socket 1 and shows a state in which the contact pieces 10 are integrated and connected by a runner 16. Thus, if the contact piece 10 is electrically connected by the runner 16, electrolytic plating can be used in the plating process.

次に、一体化された複数のコンタクト片10を型にセットして、一次射出成型を行う。この結果、図8(c)に示すように、コンタクト片10の一端部側がソケット基体20にインサート(本実施の形態では接合)され、且つコンタクト片10の他端部の表面上に樹脂突起13が形成された半製品が作製できる。   Next, a plurality of integrated contact pieces 10 are set in a mold and primary injection molding is performed. As a result, as shown in FIG. 8C, one end portion side of the contact piece 10 is inserted (joined in the present embodiment) into the socket base 20, and the resin protrusion 13 is formed on the surface of the other end portion of the contact piece 10. A semi-finished product can be produced.

その後、図8(c)の状態でエッチングにて表面処理を行う。   Thereafter, surface treatment is performed by etching in the state of FIG.

次に、めっきする部分を残して二次射出成型を行う。この二次射出成型用の型は、回路形成を行うための単なるマスクである。図9(a)においては、二次射出成型用の型を省略して示す。そして、図9(a)に示すように、図示しない二次射出成型用の型から露出した部分に触媒層15を付着させる。   Next, secondary injection molding is performed leaving a portion to be plated. This mold for secondary injection molding is merely a mask for performing circuit formation. In FIG. 9A, a secondary injection mold is omitted. Then, as shown in FIG. 9A, the catalyst layer 15 is attached to the portion exposed from the secondary injection mold (not shown).

続いて、図9(b)に示すように、コンタクト片10の開口部11の周囲部分と樹脂突起13上の触媒層15が残るように触媒層15のエッチングを行う。   Subsequently, as shown in FIG. 9B, the catalyst layer 15 is etched so that the peripheral portion of the opening 11 of the contact piece 10 and the catalyst layer 15 on the resin protrusion 13 remain.

その後、図示しない二次射出成型用の型を除去した後、電解めっきを行えば、図9(c)に示すような三次元回路形成を行うことができる。このめっき工程では、コンタクト突起12の表面のめっき層14と、スルーホール31内の触媒層15の表面のめっき層32とが、同時に形成される。なお、本実施の形態においては電解めっきを用いたが、無電解めっきを行ってもよい。   Then, after removing a mold for secondary injection molding (not shown) and performing electroplating, three-dimensional circuit formation as shown in FIG. 9C can be performed. In this plating step, the plating layer 14 on the surface of the contact protrusion 12 and the plating layer 32 on the surface of the catalyst layer 15 in the through hole 31 are simultaneously formed. Note that although electroplating is used in the present embodiment, electroless plating may be performed.

その後、ランナー16を適宜カットすることにより、本実施の形態に係るICソケット1の製造が完成する。また、図6(a)〜(c)に示したように、スルーホール部30のめっき層32のランド32Aにはんだボール51を形成してもよいし、その後リテンションロック機構部品を設けてもよい。   Thereafter, the runner 16 is appropriately cut to complete the manufacture of the IC socket 1 according to the present embodiment. Further, as shown in FIGS. 6A to 6C, the solder balls 51 may be formed on the lands 32A of the plated layer 32 of the through-hole portion 30, or a retention lock mechanism component may be provided thereafter. .

ここで、具体的なICソケット1の仕様の一例について説明する。   Here, an example of a specific specification of the IC socket 1 will be described.

回路幅 0.2mm〜
回路間隔 0.2mm〜
コンタクト片の板厚 0.3mm〜
スルーホール径 φ0.2mm
めっきの下地 Cu:4〜10μm
めっきの中間層 Ni:6〜20μm
めっきの仕上層 Au:0.1〜0.3μm
適用樹脂 LCP、SPS、PA、PPA、PPS、 PC−ABS、PEI
なお、上記仕様例においては、めっきとして、下地(Cu)、中間(Ni)、仕上げ(Au)の例を示したが、使用環境に応じて、中間を無くし、Cuに直にAuめっきをしてもよい。
Circuit width 0.2mm ~
Circuit interval 0.2mm ~
Contact piece thickness 0.3mm ~
Through hole diameter φ0.2mm
Plating base Cu: 4 to 10 μm
Plating intermediate layer Ni: 6 to 20 μm
Plating finish layer Au: 0.1 to 0.3 μm
Applicable resin LCP, SPS, PA, PPA, PPS, PC-ABS, PEI
In the above specification example, examples of the base (Cu), intermediate (Ni), and finish (Au) are shown as plating. However, depending on the usage environment, the intermediate is eliminated and Au is plated directly on Cu. May be.

また、適用樹脂は必要な特性によって選択すればよいが、電気的特性を重視する場合、低誘電率である液晶ポリマー(LCP)は有効な材料である。LCPを用いる場合は、耐熱性を高くし易く、リフロー耐性も十分なものを実現しやすい上、強度も高いという利点がある。その反面、機械的強度に異方性があり、ウエルド強度が低いという欠点もある。しかし、近年はエンジニアリングプラスチックの技術は飛躍的に進歩しており、スーパーエンジニアリングプラスチックと呼ばれる、これまで相反した特徴であったものを両立する材料が次々に開発されてており、MDI技術では一般的に射出成型に使用できる材料であれば適用が可能であるため、今後目的にあった樹脂が選択できる可能性は益々高くなると考えられる。   The applied resin may be selected depending on the required characteristics. However, when electric characteristics are important, a liquid crystal polymer (LCP) having a low dielectric constant is an effective material. In the case of using LCP, there is an advantage that heat resistance is easily increased, a reflow resistance is sufficient, and that strength is high. On the other hand, the mechanical strength is anisotropic and the weld strength is low. However, in recent years, engineering plastics technology has made great strides, and materials called super engineering plastics, which have been compatible with each other, have been developed one after another. Since any material that can be used for injection molding can be applied, it is considered that the possibility of selecting a resin that meets the purpose will be increased.

本実施の形態に係るICソケット1では、MID技術を用いることにより、従来のICソケットよりも生産性が飛躍的に高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化にも対応できる。   In the IC socket 1 according to the present embodiment, by using the MID technology, productivity is remarkably higher than that of the conventional IC socket, and it is possible to cope with an increase in the number of pins, a fine pitch, a large current, and a high speed. .

[第2の実施の形態]
図12〜図14は、本発明の第2の実施の形態に係るICソケット2を示している。図12はICソケット2の要部平面図、図13(a)は図12のB−B断面図、図13(b)は図12のC−C断面図、図14(a)は図12のD−D断面図、図14(b)は図12のD−D断面図である。なお、第2の実施の形態のICソケット2の各部は、上記した第1の実施の形態と同様の部分には同一の符号もしくは類似の符号を付して詳細な説明は省略する。
[Second Embodiment]
12 to 14 show an IC socket 2 according to a second embodiment of the present invention. 12 is a plan view of the main part of the IC socket 2, FIG. 13A is a sectional view taken along line BB in FIG. 12, FIG. 13B is a sectional view taken along line CC in FIG. 12, and FIG. DD sectional view of FIG. 14, FIG. 14B is a DD sectional view of FIG. It should be noted that parts of the IC socket 2 of the second embodiment are denoted by the same or similar reference numerals to the same parts as those of the first embodiment, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態に係るICソケット2は、コンタクト固定部22の高さは、周囲の樹脂部分と同一の厚さに設定されたものである。すなわち、ソケット基体20は、コンタクト固定部22が表面側へ突出することがなく、コンタクト片10の台座となる樹脂には単に長方形のコンタクト収納穴としての貫通孔21Aが所定の配列で形成され、貫通孔21Aの周縁部のコンタクト固定部22にスルーホール31が形成された簡単な構造である。このため、一次射出成型に用いられる裏面側に配置される金型は単純な凸部のみの形状であり、表面側に配置される金型は樹脂突起13Aを形成するための凹部のみの形状で実現できる。   In the IC socket 2 according to the present embodiment, the height of the contact fixing portion 22 is set to the same thickness as the surrounding resin portion. That is, in the socket base 20, the contact fixing portion 22 does not protrude to the surface side, and the through holes 21A as the rectangular contact storage holes are formed in a predetermined arrangement in the resin serving as the base of the contact piece 10, This is a simple structure in which a through hole 31 is formed in the contact fixing portion 22 at the peripheral edge of the through hole 21A. For this reason, the metal mold | die arrange | positioned at the back side used for primary injection molding is the shape of only a simple convex part, and the metal mold | die arrange | positioned at the surface side is a shape only of the recessed part for forming the resin protrusion 13A. realizable.

このように、コンタクト片10を固定するコンタクト固定部22の高さを樹脂で制御できるため、コンタクト片10のストローク設計に自由度があり、求められるコンタクトピッチやピン数の仕様、ICパッケージの反り許容値によってはコンタクト片10の長さが短くてもよい場合が考えられる。   As described above, since the height of the contact fixing portion 22 for fixing the contact piece 10 can be controlled by resin, there is a degree of freedom in the stroke design of the contact piece 10, the required contact pitch and pin number specifications, and the warpage of the IC package. Depending on the allowable value, there may be a case where the length of the contact piece 10 may be short.

また、本実施の形態に係るICソケット2では、コンタクト片10が臨む貫通孔21Aの幅がコンタクト片10の幅よりも余裕を持って幅広に設定されている。   Further, in the IC socket 2 according to the present embodiment, the width of the through hole 21 </ b> A where the contact piece 10 faces is set wider with a margin than the width of the contact piece 10.

さらに、本実施の形態に係るICソケット2では、コンタクト片10の他端部に設けられる樹脂突起13Aの形状が半球状ではなく、略半円柱(蒲鉾)形状に設定されている。   Furthermore, in the IC socket 2 according to the present embodiment, the shape of the resin protrusion 13A provided at the other end of the contact piece 10 is not a hemispherical shape but is set to a substantially semi-cylindrical shape.

本実施の形態に係るICソケット2においても、上記した第1の実施の形態と同様の作用・効果を奏することができる。また、本実施の形態に係るICソケット2の製造方法は、上記した第1の実施の形態に係るICソケット1の製造方法と同様である。   Also in the IC socket 2 according to the present embodiment, the same operations and effects as those of the first embodiment described above can be achieved. The manufacturing method of the IC socket 2 according to the present embodiment is the same as the manufacturing method of the IC socket 1 according to the first embodiment described above.

[第3の実施の形態]
図15〜図17は、本発明の第3の実施の形態に係るICソケット3を示している。図15はICソケット3の要部平面図、図16(a)は図15のF−F断面図、図16(b)は図15のG−G断面図、図16(c)は図15のH−H断面図、図17(a)は図15のI−I断面図、図17(b)は図15のJ−J断面図、図17(c)は図15のK−K断面図である。なお、第3の実施の形態のICソケット3の各部は、上記した第1および第2の実施の形態に係るICソケット1もしくはICソケット2と同様の部分には同一の符号もしくは類似の符号を付して詳細な説明は省略する。
[Third Embodiment]
15 to 17 show an IC socket 3 according to a third embodiment of the present invention. 15 is a plan view of the main part of the IC socket 3, FIG. 16A is a cross-sectional view taken along the line FF in FIG. 15, FIG. 16B is a cross-sectional view taken along the line GG in FIG. 17A is a sectional view taken along the line II of FIG. 15, FIG. 17B is a sectional view taken along the line JJ of FIG. 15, and FIG. 17C is a sectional view taken along the line KK of FIG. FIG. In addition, each part of the IC socket 3 of the third embodiment has the same or similar reference numerals for the same parts as the IC socket 1 or the IC socket 2 according to the first and second embodiments. Detailed description will be omitted.

本実施の形態に係るICソケット3では、上記した第2の実施の形態に係るICソケット2と同様に、コンタクト固定部22の高さは、周囲の樹脂部分と同一の厚さに設定されたものである。すなわち、ソケット基体20は、コンタクト固定部22が表面側へ突出することがなく、コンタクト片10Aの台座となる樹脂には単に長方形のコンタクト収納穴としての貫通孔21Bが所定の配列で形成され、貫通孔21Bの周縁部のコンタクト固定部22にスルーホール31が形成された簡単な構造である。このため、一次射出成型に用いられる裏面側に配置される金型は単純な凸部のみの形状であり、表面側に配置される金型は樹脂突起13Aを形成するための凹部のみの形状で実現できる。   In the IC socket 3 according to the present embodiment, the height of the contact fixing portion 22 is set to the same thickness as the surrounding resin portion, similarly to the IC socket 2 according to the second embodiment described above. Is. That is, in the socket base 20, the contact fixing portion 22 does not protrude to the surface side, and the through holes 21B as simply rectangular contact storage holes are formed in a predetermined arrangement in the resin that becomes the base of the contact piece 10A. This is a simple structure in which a through hole 31 is formed in the contact fixing portion 22 at the peripheral edge of the through hole 21B. For this reason, the metal mold | die arrange | positioned at the back side used for primary injection molding is the shape of only a simple convex part, and the metal mold | die arrange | positioned at the surface side is a shape only of the recessed part for forming the resin protrusion 13A. realizable.

このように、コンタクト片10Aは、図15に示すように、クランク状に屈曲する形状であり、ストロークを長く設定している。コンタクト片10Aの設計は、多ピン化、ファインピッチ化に伴い、パッケージ反りの許容値、接圧との関係も重要であり、今後技術的な難易度は高くなる場合も予想される。したがって、このような形状として、コンタクト片10Aの板バネ長を長くし、あるいはストロークにおける荷重を低くすることができる構造は、バネ設計の自由度を広げる方法として有効である。本実施の形態に係るICソケット3は、成型に要する金型形状を簡単にし、コンタクトピッチが短いにも拘わらず板バネ長を実効的に長くとることができる。   Thus, as shown in FIG. 15, the contact piece 10A has a shape bent in a crank shape, and has a long stroke. In the design of the contact piece 10A, with the increase in the number of pins and the fine pitch, the relationship between the allowable value of the package warp and the contact pressure is important, and it is expected that the technical difficulty level will increase in the future. Therefore, a structure that can increase the leaf spring length of the contact piece 10A or reduce the load in the stroke as such a shape is effective as a method of expanding the degree of freedom in spring design. The IC socket 3 according to the present embodiment can simplify the mold shape required for molding, and can effectively increase the leaf spring length despite the short contact pitch.

このため、本実施の形態に係るICソケット3では、コンタクト片10Aが臨む貫通孔21Bは、板バネ長を稼げるように屈曲してコンタクト片10Aを斜めに配置できるようにしている。   For this reason, in the IC socket 3 according to the present embodiment, the through hole 21B facing the contact piece 10A is bent so as to increase the leaf spring length so that the contact piece 10A can be disposed obliquely.

本実施の形態に係るICソケット3においても、コンタクト片10Aの他端部に設けられる樹脂突起13Aの形状が半球状ではなく、略半円柱(蒲鉾)形状に設定されている。   Also in the IC socket 3 according to the present embodiment, the shape of the resin protrusion 13A provided at the other end of the contact piece 10A is not a hemispherical shape, but is set to a substantially semi-cylindrical shape.

本実施の形態に係るICソケット3においても、上記した第1および第2の実施の形態と同様の作用・効果を奏することができる。また、本実施の形態に係るICソケット3の製造方法は、上記した第1の実施の形態に係るICソケット1の製造方法と同様である。   Also in the IC socket 3 according to the present embodiment, the same operations and effects as the first and second embodiments described above can be achieved. The manufacturing method of the IC socket 3 according to the present embodiment is the same as the manufacturing method of the IC socket 1 according to the first embodiment described above.

[第4の実施の形態]
図18および図19は、本発明の第4の実施の形態に係るICソケット4を示している。
[Fourth Embodiment]
18 and 19 show an IC socket 4 according to a fourth embodiment of the present invention.

本実施の形態に係るICソケット4においても、コンタクト固定部22の高さは、周囲の樹脂部分と同一の厚さに設定されたものである。すなわち、ソケット基体20は、コンタクト固定部22が表面側へ突出することがなく、コンタクト片10の台座となる樹脂には単に長方形のコンタクト収納穴としての貫通孔21が所定の配列で形成され、貫通孔21の周縁部のコンタクト固定部22にスルーホールが形成された簡単な構造である。このため、一次射出成型に用いられる裏面側に配置される金型は単純な凸部のみの形状であり、表面側に配置される金型は樹脂突起13を形成するための凹部のみの形状で実現できる。   Also in the IC socket 4 according to the present embodiment, the height of the contact fixing portion 22 is set to the same thickness as the surrounding resin portion. That is, in the socket base 20, the contact fixing portion 22 does not protrude to the surface side, and the through holes 21 that are simply rectangular contact housing holes are formed in a predetermined arrangement in the resin that becomes the base of the contact piece 10, This is a simple structure in which a through hole is formed in the contact fixing portion 22 at the peripheral edge of the through hole 21. For this reason, the metal mold | die arrange | positioned at the back surface used for primary injection molding is the shape of only a simple convex part, and the metal mold | die arrange | positioned at the surface side is a shape only of the recessed part for forming the resin protrusion 13. realizable.

このように、コンタクト片10を固定するコンタクト固定部22の高さを樹脂で制御できるため、コンタクト片10のストローク設計に自由度があり、求められるコンタクトピッチやピン数の仕様、ICパッケージの反り許容値によってはコンタクト片10の長さが短くてもよい場合が考えられる。   As described above, since the height of the contact fixing portion 22 for fixing the contact piece 10 can be controlled by resin, there is a degree of freedom in the stroke design of the contact piece 10, the required contact pitch and pin number specifications, and the warpage of the IC package. Depending on the allowable value, there may be a case where the length of the contact piece 10 may be short.

また、本実施の形態に係る貫通孔21内には、コンタクト片10の接圧調整ならびにコンタクト片10を変形に伴う接圧の減少を抑えるために、弾力性を有するエラストマー60が配置されている。   Further, in the through hole 21 according to the present embodiment, an elastic elastomer 60 is disposed in order to adjust the contact pressure of the contact piece 10 and to suppress a decrease in the contact pressure due to deformation of the contact piece 10. .

本実施の形態に係るICソケット4においても、上記した第1の実施の形態と同様の作用・効果を奏することができる。また、本実施の形態に係るICソケット4の製造方法は、上記した第1の実施の形態に係るICソケット1の製造方法と同様であるが、図20に示すように、ソケット基体(ソケットハウジング)20を成形した後に、貫通孔21内にエラストマー60を成形する工程が組み込まれている。   Also in the IC socket 4 according to the present embodiment, the same operations and effects as those in the first embodiment described above can be achieved. Further, the manufacturing method of the IC socket 4 according to the present embodiment is the same as the manufacturing method of the IC socket 1 according to the first embodiment described above. However, as shown in FIG. ) After forming 20, a process of forming the elastomer 60 in the through hole 21 is incorporated.

[第5の実施の形態]
図20および図21は、本発明の第5の実施の形態に係るICソケット5を示している。図20は、ICソケット5の要部断面図、図21は図20のM−M断面図である。
[Fifth Embodiment]
20 and 21 show an IC socket 5 according to a fifth embodiment of the present invention. 20 is a cross-sectional view of the main part of the IC socket 5, and FIG. 21 is a cross-sectional view taken along line MM in FIG.

本実施の形態に係るICソケット5は、図21に示すように、コンタクト固定部22にコンタクト片10をインサート成形したときに、コンタクト片10の上にも樹脂層22Aが形成されて、コンタクト片10が樹脂で挟まれる構造となっている。このため、コンタクト片10がコンタクト固定部22に確実に保持されており、コンタクト片10に負荷がかかった場合の耐久性を向上している。   In the IC socket 5 according to the present embodiment, as shown in FIG. 21, when the contact piece 10 is insert-molded in the contact fixing portion 22, a resin layer 22A is also formed on the contact piece 10, and the contact piece 10 is sandwiched between resins. For this reason, the contact piece 10 is reliably held by the contact fixing portion 22, and durability when a load is applied to the contact piece 10 is improved.

本実施の形態における他の構成は、上記した各実施の形態に近似するものであるため、図面に同様の符号を付して説明を省略する。   Other configurations in the present embodiment are similar to those in the above-described embodiments, and thus the same reference numerals are given to the drawings and description thereof is omitted.

[その他の実施の形態]
上述した実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
[Other embodiments]
It should not be understood that the descriptions and drawings which form part of the disclosure of the above-described embodiments limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

例えば、上記した各実施の形態では、めっき層の下に触媒層を形成した例であるが、触媒層を形成せずにめっき層を形成しても勿論よい。   For example, each of the above embodiments is an example in which the catalyst layer is formed under the plating layer, but it is needless to say that the plating layer may be formed without forming the catalyst layer.

また、上記した各実施の形態では、コンタクト収納穴としての貫通孔21,21A,21Bを形成したが、有底の凹溝であってもよい。   Further, in each of the embodiments described above, the through holes 21, 21A, and 21B as the contact housing holes are formed, but a bottomed concave groove may be used.

さらに、上記した各実施の形態では、コンタクト片10の他端部に樹脂突起13,13Aを形成して、この樹脂突起13,13Aの表面にめっきを施したが、金属板でなるコンタクト片10の他端部にプレス加工により表面側へ膨出した突部を形成しても勿論よい。   Further, in each of the embodiments described above, the resin protrusions 13 and 13A are formed on the other end of the contact piece 10 and the surface of the resin protrusions 13 and 13A is plated. However, the contact piece 10 made of a metal plate is used. Of course, a protrusion bulging to the surface side by press working may be formed at the other end of the plate.

本発明の第1の実施の形態に係るICソケットの要部平面図である。It is a principal part top view of the IC socket which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 第1の実施の形態に係るICソケットへICパッケージを装着する前の状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state before mounting | wearing with an IC package to the IC socket which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るICソケットへICパッケージを装着している途中の状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state in the middle of mounting | wearing with the IC package to the IC socket which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るICソケットへICパッケージを装着した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state which mounted | wore the IC package to the IC socket which concerns on 1st Embodiment. (a)〜(c)は、ICソケットの裏面のランドへはんだボールを形成する工程を示す要部断面図である。(A)-(c) is principal part sectional drawing which shows the process of forming a solder ball in the land of the back surface of an IC socket. (a)第1の実施の形態に係る一対のICソケットを互いに裏面側のランド同士をはんだペーストを介して当接させた状態を示す要部断面図であり、(b)はリフローを行って製造したICソケット複合体の要部断面図である。(A) It is principal part sectional drawing which shows the state which made the pair of IC socket which concerns on 1st Embodiment mutually contact the lands of the back surface side via a solder paste, (b) performs reflow It is principal part sectional drawing of the manufactured IC socket composite. (a)〜(c)は、第1の実施の形態に係るICソケットの製造工程を示し、コンタクト片となる金属板、金属板を外形加工して作製したコンタクト片、一次成型品を示す断面図である。(A)-(c) shows the manufacturing process of the IC socket which concerns on 1st Embodiment, The cross section which shows the contact piece produced by carrying out the external shape process of the metal plate used as a contact piece, and a metal plate, and a primary molded article FIG. (a)〜(c)は、第1の実施の形態に係るICソケットの製造工程を示し、触媒層を形成した状態、触媒層をエッチングした状態、めっき層を形成した状態を示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows the manufacturing process of the IC socket which concerns on 1st Embodiment, and shows the state which formed the catalyst layer, the state which etched the catalyst layer, and the state which formed the plating layer. is there. 第1の実施の形態に係るICソケットのランナーを切断する前の状態を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the state before cut | disconnecting the runner of the IC socket which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るICソケットの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of IC socket which concerns on 1st Embodiment. 本発明の第2の実施の形態に係るICソケットの要部平面図である。It is a principal part top view of the IC socket which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. (a)は図12のB−B断面図、(b)は図12のC−C断面図である。(A) is BB sectional drawing of FIG. 12, (b) is CC sectional drawing of FIG. (a)は図12のD−D断面図、(b)はE−E断面図である。(A) is DD sectional drawing of FIG. 12, (b) is EE sectional drawing. 本発明の第3の実施の形態に係るICソケットの要部平面図である。It is a principal part top view of the IC socket which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. (a)は図15のF−F断面図、(b)は図14のG−G断面図、(c)は図15のH−H断面図である。(A) is FF sectional drawing of FIG. 15, (b) is GG sectional drawing of FIG. 14, (c) is HH sectional drawing of FIG. (a)は図15のI−I断面図、(b)は図15のJ−J断面図、(c)は図15のK−K断面図である。(A) is II sectional drawing of FIG. 15, (b) is JJ sectional drawing of FIG. 15, (c) is KK sectional drawing of FIG. 本発明の第4の実施の形態に係るICソケットの要部平面図である。It is a principal part top view of the IC socket which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 図18のL−L断面図である。It is LL sectional drawing of FIG. 本発明の第5の実施の形態に係るICソケットの要部平面図である。It is a principal part top view of the IC socket which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 図20のM−M断面図である。It is MM sectional drawing of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1,2,3,4,5 ICソケット
1A ICソケット複合体
10 コンタクト片
10A コンタクト片
11 開口部
12 コンタクト突起
13,13A 樹脂突起
14,32 めっき層
15 触媒層
16 ランナー
20 ソケット基体
21,21A,21B 貫通孔
22 コンタクト固定部
22A 樹脂層
30 スルーホール部
31 スルーホール
32A ランド
40 ICパッケージ
41 ランド部
50 はんだペースト
51 はんだボール
60 エラストマー
1, 2, 3, 4, 5 IC socket 1A IC socket composite 10 Contact piece 10A Contact piece 11 Opening 12 Contact protrusion 13, 13A Resin protrusion 14, 32 Plating layer 15 Catalyst layer 16 Runner 20 Socket base 21, 21A, 21B Through hole 22 Contact fixing portion 22A Resin layer 30 Through hole portion 31 Through hole 32A Land 40 IC package 41 Land portion 50 Solder paste 51 Solder ball 60 Elastomer

Claims (13)

ICパッケージを装着する表面側から裏面側に向けて形成された複数のコンタクト収納穴が配置され、前記コンタクト収納穴の周縁部にコンタクト固定部を有する、板状のソケット基体と、
前記コンタクト収納穴に臨んだ状態で前記コンタクト固定部の表面側に一端部側が固定されたコンタクト片と、
前記コンタクト片の前記一端部と前記コンタクト固定部とを貫いて前記コンタクト片を前記ソケット基体の裏面側への導通を可能にするスルーホール部と、
を備えることを特徴とするICソケット。
A plurality of contact storage holes formed from the front surface side to the back surface side to which the IC package is mounted, and a plate-shaped socket base having a contact fixing portion at the peripheral edge of the contact storage hole;
A contact piece whose one end is fixed to the surface side of the contact fixing portion in a state of facing the contact storing hole;
A through-hole portion that allows the contact piece to pass through the one end portion of the contact piece and the contact fixing portion to the back side of the socket base;
An IC socket comprising:
前記ソケット基体は、電気絶縁性を有する合成樹脂で形成されていることを特徴とする請求項1に記載されたICソケット。   2. The IC socket according to claim 1, wherein the socket base is formed of a synthetic resin having electrical insulation. 前記コンタクト収納穴は、前記ソケット基体の表裏方向に貫通して形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載されたICソケット。   The IC socket according to claim 1, wherein the contact housing hole is formed so as to penetrate in a front and back direction of the socket base. 前記コンタクト片の他端部には、装着されるICパッケージ側へ膨出するコンタクト突起が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載されたICソケット。   4. The IC socket according to claim 1, wherein a contact protrusion that bulges toward the IC package to be mounted is formed at the other end of the contact piece. 5. . 前記コンタクト突起は、前記コンタクト片の他端部に設けられた樹脂突起の表面を金属層で被覆されていることを特徴とする請求項4に記載されたICソケット。   5. The IC socket according to claim 4, wherein the contact protrusion has a metal layer covering a surface of a resin protrusion provided on the other end of the contact piece. 前記コンタクト収納穴には、反発性を有する部材が収容されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載されたICソケット。   The IC socket according to claim 1, wherein a member having resilience is accommodated in the contact accommodation hole. 前記コンタクト片の他端部は、当該コンタクト片が固定された前記コンタクト固定部に隣接するコンタクト固定部と重ならないように設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載されたICソケット。   The other end portion of the contact piece is provided so as not to overlap a contact fixing portion adjacent to the contact fixing portion to which the contact piece is fixed. IC socket described in one item. 前記コンタクト片は、クランク上に屈曲した平面形状を有することを特徴とする請求項7に記載されたICソケット。   8. The IC socket according to claim 7, wherein the contact piece has a planar shape bent on a crank. 前記ソケット基体の裏面側に露出するスルーホール部には、はんだボールが設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載されたICソケット。   The IC socket according to any one of claims 1 to 8, wherein a solder ball is provided in a through-hole portion exposed on a back surface side of the socket base. 請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載された、一対のICソケットが裏面同士を合わせた状態で当接され、且つ前記裏面側の前記スルーホール部同士がはんだづけされていることを特徴とするICソケット複合体。   The pair of IC sockets according to any one of claims 1 to 9, wherein the pair of IC sockets are in contact with each other in a state where the back surfaces are aligned, and the through-hole portions on the back surface side are soldered together. IC socket composite characterized. 一端部にスルーホール用開口部を有する複数のコンタクト片を、金属板を加工して形成する工程と、
前記コンタクト片を射出成形型にセットして、板状のソケット基体を射出成形を行って、ICパッケージを装着する表面側から裏面側に向けて凹んだ複数のコンタクト収納穴が配置され、且つ前記コンタクト収納穴の周縁部のコンタクト固定部に前記コンタクト片の一端部が固定され、前記スルーホール用開口部と連通するスルーホールを有する、板状のソケット基体を形成する工程と、
前記スルーホールおよび前記コンタクト片の一部を露出させるように型にセットする工程と、
前記スルーホールおよび前記コンタクト片の露出した部分にめっき層を形成するめっき工程と、
を備えることを特徴とするICソケットの製造方法。
A step of forming a plurality of contact pieces having through-hole openings at one end by processing a metal plate;
The contact piece is set in an injection mold, a plate-shaped socket base is injection-molded, and a plurality of contact housing holes recessed from the front surface side to the back surface side on which the IC package is mounted are arranged, and A step of forming a plate-shaped socket base having one end of the contact piece fixed to a contact fixing portion at a peripheral edge of a contact housing hole and having a through hole communicating with the through hole opening;
Setting the mold so as to expose a part of the through hole and the contact piece;
A plating step of forming a plating layer on the exposed portion of the through hole and the contact piece;
A method for manufacturing an IC socket, comprising:
前記コンタクト収納穴は、前記ソケット基体の表裏方向に貫通して形成することを特徴とする請求項11に記載されたICソケットの製造方法。   12. The method of manufacturing an IC socket according to claim 11, wherein the contact housing hole is formed so as to penetrate in a front-back direction of the socket base. 前記射出成形では、前記コンタクト片の他端部表面に盛り上がった形状の樹脂突起を形成し、前記めっき工程では、前記コンタクト片の他端部上に前記樹脂突起を封止するめっき層を形成することを特徴とする請求項11又は請求項12に記載されたICソケットの製造方法。   In the injection molding, a raised resin protrusion is formed on the surface of the other end of the contact piece, and in the plating step, a plating layer for sealing the resin protrusion is formed on the other end of the contact piece. The method of manufacturing an IC socket according to claim 11 or 12, wherein
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