JP2008026870A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1絶縁基板と、第1絶縁基板上に形成され、第1方向に延長されたゲート配線と、ゲート配線と電気絶縁状態で交差し、第2方向に延長されたデータ配線と、データ配線から相異なるデータ電圧が印加される第1及び第2副画素電極を備える画素電極であって、第2副画素電極の少なくとも一部は、データ配線と重畳する画素電極を備える液晶表示装置。
【選択図】図1
Description
その中でも電界が印加されていない状態で液晶分子の主方向子が上下表示板に対して垂直に配列した垂直配向モード液晶表示装置は、コントラスト比(contrast ratio)が大きく、広い基準視野角の具現が容易なので、脚光を浴びている。このような垂直配向方式の液晶表示装置は、前面視認性に比べて側面視認性が劣る問題点があるが、このような問題点を改善するために、1つの画素を1対の副画素(sub−pixel)に分割して各副画素にスイッチング素子を形成して、各副画素ごとに別途の電圧を印加する方法が提案された。
また、このような構造の液晶表示装置において相対的に高いデータ電圧が印加される副画素電極とその両側に位置する1対のデータ線とのカップリングキャパシタンスが一致していない場合、表示特性が低下する。したがって、このような副画素とこれに隣接するデータ線とのカップリングキャパシタンスを減らす必要がある。
本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていない他の課題は下の記載から当業者に明確に理解されうる。
また第1及び第2副画素電極間の間隙をストレージ電極で遮蔽して光漏れ現象を防止しうる。
本発明の利点及び特徴、そしてこれを達成する方法は添付された図面に基づいて詳細に後述されている実施例を参照すれば明確になる。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されず、この実施例から外れて多様な形に具現でき、本明細書で説明する実施例は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で当業者に発明の範ちゅうを完全に報せるために提供されるものであり、本発明は請求項及び発明の詳細な説明によってのみ定義される。図面において、層及び領域のサイズ及び相対的なサイズは、説明の明瞭性のために誇張して表現している場合がある。
図1は、本発明の第1実施形態による液晶表示装置の画素アレイを概略的に示す図面であり、図2は、図1の液晶表示装置の一画素についての等価回路図である。
本発明の第1実施形態による液晶表示装置は、液晶パネルアセンブリ(liquid crystal panel assembly)と、これに接続されたゲート駆動部及びデータ駆動部と、データ駆動部に接続された階調電圧生成部と、これらを制御する信号制御部とを備える。
図1及び図2に示すように、表示信号線は、下部表示板に設けられており、ゲート信号を伝達する複数のゲート線Gとデータ信号を伝達するデータ線Da、Dbを含む。ゲート線Gは、ほぼ行方向に延長されて互いにほぼ平行に形成されており、データ線Da、Dbはほぼ列方向に延長されて互いにほぼ平行に形成されている。
階調電圧生成部は、画素の透過率と関連した2つの階調電圧集合(または基準階調電圧集合)を生成し、データ駆動部に提供しうる。すなわち、2つの階調電圧集合は、1つの画素をなす1対の副画素に独立して提供しうる。但し、本発明はこれに限定されず、2つの階調電圧集合の代わりに1つの階調電圧集合のみを生成することもできる。
このようなゲート駆動部またはデータ駆動部は、複数の駆動集積回路チップ状に液晶パネルアセンブリ上に直接装着されるか、可撓性印刷回路フィルム(flexible printed circuit film)上に装着されてテープキャリアパッケージの形で液晶パネルアセンブリに付着することもできる。これとは異なって、ゲート駆動部またはデータ駆動部は、表示信号線G、Da、Dbと薄膜トランジスタスイッチング素子Qa、Qbと共に液晶パネルアセンブリに集積(integration)することもできる。
さらに図1に示すように、1つの画素は、2つのスイッチング素子と、各スイッチング素子に接続された副画素電極Pa、Pbを含む。ここで、第1副画素電極Paに相対的に高いデータ電圧が印加され、第2副画素電極Pbに相対的に低いデータ電圧が印加される場合を仮定する。以下、データ電圧の高低は、共通電圧とデータ電圧との差の高低を意味する。また、第1データ線Daを通じて第1副画素電極Paにデータ電圧が印加される画素をA型画素といい、第2データ線Dbを通じて第1副画素電極Paにデータ電圧が印加される画素をB型画素という。
もし、あらゆる画素に対して第1データ線Daを通じて第1副画素電極Paにデータ電圧が印加される場合、すなわち、画素アレイがいずれもA型画素からなる場合、液晶表示装置がカラム反転(column inversion)により駆動すれば、フレーム当り1画素だけ水平方向に移動する検査パターンに対して水平方向に移動する縦縞が視認されうる。
まず、図3A〜図3Cを参照して本発明の第1実施形態による液晶表示装置の下部表示板について詳細に説明する。ここで、図3Aは、本発明の第1実施形態による図1のA型画素を含む下部表示板の配置図であり、図3Bは、図3Aの下部表示板をIIIb−IIIb’線に沿って切った断面図であり、図3Cは、図3Aの下部表示板をIIIc−IIIc’線に沿って切った断面図である。
ゲート絶縁膜30上には、水素化非晶質ケイ素または多結晶ケイ素からなる一対の半導体層40a、40bが形成されている。半導体層40a、40bは、島形、線形など多様な形状を有することができ、例えば、本実施形態のように島形で形成されうる。
オーミックコンタクト層55a、56a及びゲート絶縁膜30上には、一対の第1及び第2データ線62a、62bと、第1及び第2データ線62a、62bに各々対応する1対の第1及び第2ドレイン電極66a、66bが形成されている。
データ配線62a、62b、65a、65b、66a、66bは、クロム、モリブデン系の金属、タンタル及びチタンなど耐火性金属で構成することが望ましく、耐火性金属などの下部膜(図示せず)とその上に位置した低抵抗物質上部膜(図示せず)からなる多層膜構造に構成することができる。多層膜構造の例としては、前述したクロム下部膜とアルミニウム上部膜またはアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜の二重膜以外にも、モリブデン膜−アルミニウム膜−モリブデン膜の三重膜を挙げることができる。
第1及び第2副画素電極82a、82bは、各々第1及び第2コンタクトホール76a、76bを介して第1及び第2ドレイン電極66a、66bと電気的に接続されて第1及び第2ドレイン電極66a、66bから相異なるデータ電圧を印加される。
また、前述したように図2及び図3Aを参照すれば、各副画素電極82a、82bと共通電極は、液晶キャパシタClca、Clcbをなして薄膜トランジスタQa、Qbがターンオフした後にも、印加された電圧を維持する。電圧維持能力を強化するために液晶キャパシタClca、Clcbと並列に接続されたストレージキャパシタCsta、Cstbは、第1及び第2副画素電極82a、82bまたはこれに接続されている第1及び第2ドレイン電極66a、66bに対してストレージ配線27、28を重畳させて作ることができる。
図示していないが、第1副画素電極82a及び第2副画素電極82bには、ゲート線22と約45°または−45°をなすドメイン分割手段(図示せず)、例えば、切開部(cut out)または突出部(protrusion)を形成することができる。画素電極82の表示領域は、液晶層に含まれた液晶分子の主方向子が電界印加時に配列される方向によって複数のドメインに分割される。間隙83及びドメイン分割手段は、画素電極82を多くのドメインに分割する役割を果たす。ここで、ドメインとは、画素電極82と共通電極(図4の図面符号90参照)との間に形成された電界により液晶分子の方向子が特定方向に集中して傾斜する液晶分子からなる領域を意味する。
次いで、図4及び図5を参照して、上部表示板及び液晶表示装置について説明する。ここで、図4は、図3Aの下部表示板と結合する上部表示板の配置図であり、図5は、図3Aの下部表示板と図4の上部表示板とを含む液晶表示装置の配置図である。
このようなカラーフィルタ上には、これらの段差を平坦化するためのオーバコート層(図示せず)を形成することができる。
オーバコート層上には、ITOまたはIZOなどの透明な導電物質でなる共通電極90が形成されている。共通電極90は、第1及び第2副画素電極82a、82bと対向し、ゲート線22に対して約45°または−45°をなすドメイン分割手段92、例えば、切開部または突出部を設けることができる。
このような構造の下部表示板と上部表示板とを整列して結合し、その間に液晶物質を注入して垂直配向すれば、本発明の第1実施形態による液晶表示装置の基本構造を構成することができる。
液晶表示装置は、このような基本構造に偏光板、バックライトなどの要素を配置してなされる。この際、偏光板は、基本構造の両側に各々1つずつ配され、その透過軸は、ゲート線22に対して、1つは平行であり、残りの1つは、それに垂直に配置する。
本実施形態の液晶分子は、負の誘電率異方性を有するので、液晶分子に電界が印加される場合、各ドメイン内の液晶分子は、ドメインを区画する間隙83またはドメイン分割手段92に対して垂直な方向に傾く。したがって、間隙83またはドメイン分割手段92を中心に両側で液晶分子の傾斜方向が逆となり、間隙83の斜線部またはドメイン分割手段92の斜線部が画素の中心に対して対称的に形成されているので、液晶分子は、ゲート線22と実質的に45°または−45°をなして4方向に傾く。このように4方向に傾く液晶分子により光学的特性が互いに補償されて視野角が広くなる。
第1データ線62aと接続された第1副画素電極82aに相対的に高いデータ電圧を印加し、第2データ線62bと接続された第2副画素電極82bに相対的に低いデータ電圧を印加することによって、液晶表示装置の側面視認性を向上することができる。
第1及び第2追加ストレージ電極29a、29bは、第1副画素電極82aと第2副画素電極82bとを分離する間隙83と一部重畳して形成することができる。ここで、間隙83は、ゲート線22と約45°または−45°をなす斜線部と、斜線部の間を接続し、第1及び第2データ線62a、62bに沿って配列された縦部とを備える。したがって、第1及び第2追加ストレージ電極29a、29bは、第1及び第2データ線62a、62bと隣接した間隙83の縦部と一部重畳して形成することが望ましい。
さらに、図7Bに示されたように、第1及び第2追加ストレージ電極29a、29bの少なくとも一部を第1副画素電極82aと重畳させる場合、第1副画素電極82aと第1及び第2データ線62a、62bとのカップリングキャパシタンスをさらに減らすことができる。第1及び第2追加ストレージ電極29a、29bと第1副画素電極82aとが重畳された幅Lは、例えば、約1−3μmとすることができる。
まず、図10には、表示信号線と画素の等価回路を示している。ここで、10は、本発明の第3実施形態による液晶表示装置の一画素についての等価回路図である。
また、各画素PXは、一対の副画素、例えば、第1及び第2副画素PH、PLを含む。ここで、各副画素PH、PLは、ゲート線GL及びデータ線DLに接続されているスイッチング素子Q1、Q2と、これに接続された液晶キャパシタClca、Clcbと、スイッチング素子Q1、Q2及びストレージ線SL1、SL2に接続されたストレージキャパシタCsta、Cstbを含む。
第1及び第2副画素PH、PLの各第1及び第2スイッチング素子Q1、Q2は、1つのゲート線GLから分岐されており、薄膜トランジスタとして具現することができる。ここで、第1及び第2スイッチング素子Q1、Q2は、各々ゲート線GLに接続された制御端子(以下、ゲート電極)、データ線DLに接続された入力端子(以下、ソース電極)、そして第1及び第2液晶キャパシタClca、Clcb及び第1及び第2ストレージキャパシタCsta、Cstbに接続された出力端子(以下、ドレイン電極)を備える三端子素子とすることができる。
具体的に説明すれば、初期に同じデータ電圧をデータ線DLから第1及び第2スイッチング素子Q1、Q2を通じて第1副画素電極と第2副画素電極とに印加する。ここで、第1副画素電極は、第1ストレージ線SL1とカップリングされているので、第1副画素電極に印加されたデータ電圧は、第1ストレージ線SL1に印加された第1ストレージ電圧とカップリングされて、その値が変わる。同様に、第2副画素電極は、第2ストレージ線SL2とカップリングされているので、第2副画素電極に印加されたデータ電圧は、第2ストレージ線SL2に印加された第2ストレージ電圧とカップリングされてその値が変わる。前述したように第1及び第2ストレージ電圧が相異なる値を有する場合、結果的に、第1及び第2副画素電極に形成されたデータ電圧は相異なる値を有する。
以下、図11A〜図11Cを参照して本発明の第3実施形態による液晶表示装置の下部表示板について詳細に説明する。ここで、図11Aは、本発明の第3実施形態による液晶表示装置の下部表示板の配置図であり、図11Bは、図11Aの下部表示板をXIb−XIb’線に沿って切った断面図であり、図11Cは、図11Aの下部表示板をXIc−XIc’線に沿って切った断面図である。
ゲート線122は、第1方向、例えば、横方向に複数個延長されており、物理的・電気的に互いに分離されており、ゲート信号を伝達する。また、ゲート線122には、突起形態からなるゲート電極126が形成されている。このようなゲート線122及びゲート電極126をゲート配線という。
ゲート配線122、126とストレージ配線128a、128b、129a、129bの上部には、窒化ケイ素(SiNx)からなるゲート絶縁膜30が形成されている。
半導体層140の上部には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度でドーピングされたn+水素化非晶質ケイ素などの物質からなるオーミックコンタクト層155、156が各々形成されている。
データ線162は、第2方向、例えば、縦方向に延長されてゲート線122及びストレージ線128a、128bと交差してデータ電圧を伝達する。データ線162には、第1及び第2ドレイン電極166a、166bに向かって延長されたソース電極165が形成されている。図11Aに示されたように、データ線162からソース電極165に印加されたデータ電圧は、第1及び第2ドレイン電極166a、166bを通じて各々第1及び第2副画素電極182a、182bに伝達される。
データ線162からブランチ状に分岐したソース電極165は、半導体層140と一部が重畳し、第1及び第2ドレイン電極166a、166bは、ゲート電極126を中心にソース電極165と対向して半導体層140と少なくとも一部が重畳する。ここで、前述したオーミックコンタクト層155、156は、半導体層140とソース電極165との間、または半導体層140と第1及び第2ドレイン電極166a、166bとの間に存在して接触抵抗を下げる役割を果たす。
保護膜70上に形成された画素電極182は、互いに分離された第1及び第2副画素電極182a、182bから構成されている。ここで、第1及び第2副画素電極182a、182bは、ITOまたはIZOなどの透明導電体またはアルミニウムなどの反射性導電体から形成することができる。
データ電圧が印加された第1及び第2副画素電極182a、182bは、上部表示板の共通電極と共に電場を生成することによって、第1及び第2副画素電極182a、182bと共通電極との間の液晶分子の配列を決定する。
第1及び第2副画素電極182a、182bは、各々第1及び第2ストレージ線128a、128bとカップリングされているので、第1副画素電極182aに印加されたデータ電圧と第2副画素電極182bに印加されたデータ電圧は、各々第1及び第2ストレージ電圧とカップリングされてその値が変わる。
第1副画素電極182aは、データ線162と重畳しないように画素領域内に形成することが望ましい。例えば、第1副画素電極182aは、四角形状とすることができるが、本発明はこのような形状に限定されるものではない。
初期に第1及び第2副画素電極182a、182bに同じデータ電圧を印加するが、第1及び第2ストレージ線128a、128bと第1及び第2副画素電極182a、182bのカップリングによって第1副画素電極182aに相対的に高いデータ電圧が形成され、第2副画素電極182bに相対的に低いデータ電圧が形成されることによって、液晶表示装置の側面視認性を向上することができる。
特に低い階調で液晶表示装置が動作する場合、相対的に高い電圧が印加される第1副画素電極182aによって液晶が実質的に動作するために、第1副画素電極182aとデータ線162とのカップリングを抑制することによって、効率よく垂直クロストークを防止しうる。
以下、図12A及び図12Bを参照して本発明の第4実施形態による液晶表示装置の下部表示板について詳細に説明する。ここで、図12Aは、本発明の第4実施形態による液晶表示装置の下部表示板の配置図であり、図12Bは、図12Aの下部表示板をXIIb−XIIb’線に沿って切った断面図である。説明の便宜上、第3実施形態の図面(図10ないし図11C)に示す各部材と同一機能を有する部材は同一符号で表し、その説明は省略し、以下その差異を中心に説明する。
以下、図13〜図16を参照して本発明の第5実施形態による液晶表示装置について説明する。
図13は、本発明の第5実施形態による液晶表示装置の下部表示板の一部を示す図面である。
複数の画素電極PXは、マトリックス状に配列された複数の画素領域PA上に各々設けられ、各画素電極PXは、第2方向D2に順に形成された第1副画素電極PXaと第2副画素電極PXbとを備える。そして、画素領域上には、画素電極と共に第1薄膜トランジスタT1と第2薄膜トランジスタT2とがさらに含まれる。
図14に示すように、画素電極PXは、第1副画素電極PXaと第2副画素電極PXbとで構成される。画素電極PXは、中心がゲート線GL3に平行である左側方向に折り曲げられ、折り曲げられた中心に対して相互に対称となる。そして、折り曲げられた中心に対して画素電極PXの両端部が画素電極の中心が折り曲げられた方向と逆となる右側方向に各々折り曲げられる。
第1薄膜トランジスタT1は、ゲート線GL3とデータ線DL4から形成され、第1副画素電極PXaは、第1薄膜トランジスタT1と電気的に接続される。第1薄膜トランジスタT1は、ゲート線GL3から分岐された第1ゲート電極G1、データ線DL4から分岐された第1ソース電極S1、及び第1ソース電極S1から離間し、第1コンタクトホールH1を介して第1副画素電極PXaに電気的に接続される第1ドレイン電極D1を含む。
第2薄膜トランジスタT2は、ゲート線GL3から分岐された第2ゲート電極G2、隣接した画素電極PX2に対応して配線されたデータ線DL5から分岐された第2ソース電極S2、及び第2ソース電極S2から離間し、第2コンタクトホールH2を介して第2副画素電極PXbに電気的に接続される第2ドレイン電極D2を含む。
第1及び第2副画素電極PXa、PXbは、互いに同じ画素領域に属し、各副画素電極PXa、PXbには、同じ映像情報に対応するが、相互間に補完されて高画質の映像が表示されるように相異なるデータ電圧が各々印加される。例えば、第1副画素電極PXaに印加されるデータ電圧の電圧レベル(共通電圧を基準に)のスイング幅は、第2副画素電極PXbに印加されるデータ電圧のレベル(共通電圧を基準に)のスイング幅より大きいか、または小さい。また、第1副画素電極PXaに印加されるデータ電圧と第2副画素電極PXbに印加されるデータ電圧は互いに反転した位相差を有しうる。図14では、第1副画素電極PXaの面積が第2副画素電極PXbの面積より大きく設計された例が示される。
一方、第1副画素電極PXaと第2副画素電極PXbとからなる画素電極PXは、図14に示すように、ゲート線GL3の長手方向に対して相互対称であるM字形状に形成される。そして、隣接したデータ線DL3、DL4は、画素電極PXに対応する形状を有し、第1副画素電極PXaに重畳する。望ましくは、隣接したデータ線DL3、DL4が第1副画素電極PXaに完全に重畳して形成される。
したがって、本発明の一実施形態による下部表示板では、データ線を画素電極に完全に重畳させることによって、データ線対と画素電極との間の不均一な間隔によって発生するカップリング偏差を除去しうる。
図15に示された液晶表示装置300は、液晶表示パネル310、タイミングコントローラ320、階調電圧生成部330、データ駆動部340、及びゲート駆動部350を備える。
タイミングコントローラ320は、データ駆動部340及びゲート駆動部350で要求されるタイミングに合わせて映像データ信号R、G、Bを調節して出力する。また、タイミングコントローラ320は、データ駆動部340及びゲート駆動部350を制御する第1及び第2制御信号CNTL1、CNTL2を出力する。第1制御信号CNTL1には、水平同期開始信号STH、データ出力信号TPなどがある。第2制御信号CNTL2には、走査開始信号STV、ゲートクロック信号CPV、出力イネーブル信号OEなどがある。
データ駆動部340は、タイミングコントローラ320から印加される第1制御信号CNTL1と、階調電圧生成部330から印加される階調電圧に応答し、液晶表示パネル310のデータ線対DL1/DL2、DL3/DL4〜DLm−1/DLmを駆動する。
図16に示すように、DL3の電圧波形は、データ駆動部340から第1副画素電極(図13のPXa)に印加される電圧波形であり、DL4の電圧波形は、データ駆動部340から第2副画素電極(図13のPXb)に印加される電圧波形である。
22 ゲート線
26a、26b ゲート電極
27 ストレージ電極
28 ストレージ線
29a、29b 追加ストレージ電極
30 ゲート絶縁膜
40a、40b 半導体層
55a、56a オーミックコンタクト層
62a、62b データ線
65a、65b ソース電極
66a、66b ドレイン電極
70 保護膜
76a、76b コンタクトホール
82 画素電極
82a、82b 副画素電極
83 間隙
90 共通電極
92 ドメイン分割手段
94 ブラックマトリックス
Claims (28)
- 第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板上に形成され、第1方向に延長されたゲート配線と、
前記ゲート配線と電気絶縁状態で交差し、第2方向に延長されたデータ配線と、
前記データ配線から相異なるデータ電圧が印加される第1及び第2副画素電極を備える画素電極であって、前記第2副画素電極の少なくとも一部は前記データ配線と重畳する画素電極と、
を備える液晶表示装置。 - 前記第1副画素電極には高いデータ電圧が印加され、前記第2副画素電極には低いデータ電圧が印加される請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記データ配線は、幅方向に前記第2副画素電極と完全に重畳する請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1副画素電極はV字形状であり、前記第2副画素電極は、画素内で前記第1副画素電極以外の領域に形成されている、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2副画素電極は、前記第1副画素電極を取り囲むように形成された請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2副画素電極は、前記ゲート配線と実質的に45°または−45°をなすメイン領域と、前記データ配線に沿って配列されて前記メイン領域間を連結するブリッジ領域からなり、前記データ配線は、前記ブリッジ領域と重畳する請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記データ配線は、前記第1副画素電極と重畳しない請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記データ配線は、前記第1及び第2副画素電極に各々異なるデータ電圧を提供する第1及び第2データ配線を備える請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1データ配線から前記第1副画素電極にデータ電圧が印加される第1型画素と、
前記第2データ配線から前記第1副画素電極にデータ電圧が印加される第2型画素とが前記第1及び第2方向に交互に配置された請求項8に記載の液晶表示装置。 - 前記第1絶縁基板上に形成されて前記ゲート配線と実質的に平行に延長されたストレージ線と、前記ストレージ線に接続され、前記データ配線と実質的に平行に延長された追加ストレージ電極とをさらに備える請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記追加ストレージ電極は、前記第1及び第2副画素電極を分離する間隙と一部重畳する請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記追加ストレージ電極の少なくとも一部は、前記第1副画素電極と重畳する請求項11に記載の液晶表示装置。
- 前記追加ストレージ電極と前記第1副画素電極との重畳幅は、1〜3μmである請求項12に記載の液晶表示装置。
- 前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板上に形成された共通電極と、前記第1及び第2絶縁基板間に介在されて負の誘電率異方性を有する液晶分子からなる液晶層とをさらに備える請求項1に記載の液晶表示装置。
- 絶縁基板上に互いに電気絶縁状態で交差して配置されるゲート配線とデータ配線と、
前記ゲート配線と前記データ配線に接続された一対の第1及び第2薄膜トランジスタと、
前記第1薄膜トランジスタに接続された第1副画素電極と、
前記第1副画素電極を取り囲み、前記第1副画素電極と所定の間隙を介して分離され、前記第2薄膜トランジスタに接続された第2副画素電極と、
前記第1副画素電極と重畳し、第1ストレージ電圧が印加される第1ストレージ線と、
前記第2副画素電極と重畳し、前記第1ストレージ電圧と異なる第2ストレージ電圧が印加される第2ストレージ線と、
を備える液晶表示装置。 - 前記第2ストレージ電圧は、前記第1ストレージ電圧を反転した位相を有する請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記データ配線から前記第1副画素電極及び第2副画素電極に同一のデータ電圧が印加され、前記データ電圧がそれぞれ前記第1ストレージ電圧及び第2ストレージ電圧とのカップリングにより異なる電圧に変更される、請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記第1副画素電極は、前記データ配線と重畳せず、前記第2副画素電極の少なくとも一部は、前記データ配線と重畳する請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記第2副画素電極は、前記データ配線と2〜3μmの幅に重畳する請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記第1ストレージ線から分岐して前記間隙と重畳する追加ストレージ電極をさらに備える請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記追加ストレージ電極は、前記データ配線と実質的に平行に延びた請求項20に記載の液晶表示装置。
- ゲート線と前記ゲート線に電気絶縁状態で交差するように形成されるデータ線対と、
前記ゲート線と前記データ線対に電気的に各々接続される画素電極と、
を備え、前記画素電極は、第1副画素電極と、前記第1副画素電極より小さな面積を有する第2副画素電極とを備え、前記データ線対は前記第1副画素電極に重畳して形成されている液晶表示装置。 - 前記画素電極は、中心が前記ゲート線に平行である第1方向に折り曲げられ、前記折り曲げられた中心に対して相互対称であり、前記折り曲げられた中心に対して前記画素電極の両端部が前記第1方向に対して逆である第2方向に各々折り曲げられる請求項22に記載の液晶表示装置。
- 前記データ線対は、前記画素電極に対応する形状を有し、前記第1副画素電極に完全に重畳する請求項23に記載の液晶表示装置。
- 前記データ線対は、ジグザグ状に形成されて前記第1副画素電極に完全に重畳する請求項23に記載の液晶表示装置。
- 前記データ線対からの2つのデータ電圧を前記第1副画素電極及び第2副画素電極に各々提供する第1薄膜トランジスタ及び第2薄膜トランジスタをさらに備える請求項22に記載の液晶表示装置。
- 前記2つのデータ電圧は、互いに反転した位相を有する請求項26に記載の液晶表示装置。
- 前記2つのデータ電圧は、相異なる大きさの電圧レベルである請求項26に記載の液晶表示装置。
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