JP2008026168A - Fetセンサ - Google Patents
Fetセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008026168A JP2008026168A JP2006199462A JP2006199462A JP2008026168A JP 2008026168 A JP2008026168 A JP 2008026168A JP 2006199462 A JP2006199462 A JP 2006199462A JP 2006199462 A JP2006199462 A JP 2006199462A JP 2008026168 A JP2008026168 A JP 2008026168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- fet
- isfet
- comparison electrode
- type fet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
【解決手段】 相補的な特性をもつp型ISFET11とn型ISFET12並びに擬似比較電極13を、ワンチップ基板2上に横並び配置関係に形成されてなり、p型ISFET11及びn型ISFET12のゲート部を被測定対象に同時に接触させたときの擬似比較電極13と各ISFET11,12との間の電位をそれぞれ検出し、それら検出電位の差を演算処理してイオン濃度を出力するように構成している。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明に係るFETセンサをイオンセンサに適用した場合の要部構造を示す縦断面図である。このイオンセンサ1は、高絶縁性のワンチップ基板であるシリコン(Si)ウエハ2にp型領域3とn型領域4を作製するとともに、これらp型領域3、n型領域4にn型チャンネルFET5,p型チャンネルFET6を作り込み、各ドレインとソース間に亘ってアルミ配線7,8した後、全体をSiO2 などの酸化膜9で覆い、かつ、五酸化タンタル(Ta2O5 )などのイオン感応膜10を前記両FET5,6のゲート部に堆積し成膜することにより、コンプリメンタリィー(相補的)な特性を持つp型ISFET11とn型ISFET12を、ワンチップのシリコンウェハ2上に横並び配置して形成してなる。
2 シリコンウェハ(基板の例)
11 p型ISFET
12 n型ISFET
13 擬似比較電極
17 差動アンプ
Claims (5)
- p型FETとn型FET並びに比較電極を備え、前記p型FET及びn型FETのゲート部を被測定対象に同時に接触させたときの前記比較電極と前記各FETとの間の電位をそれぞれ検出し、それら検出電位の差を演算処理して出力するように構成していることを特徴とするFETセンサ。
- 前記比較電極が、固体比較電極または擬似比較電極である請求項1に記載のFETセンサ。
- 前記p型FETとn型FETもしくはp型FETとn型FET並びに比較電極が、ワンチップ基板上に成形されている請求項1または2に記載のFETセンサ。
- 前記p型FETとn型FETもしくはp型FETとn型FET並びに比較電極が、各々またはその一部が分離されてチップ状に成形されたものを一つの基板上に組み合わせて形成されている請求項1または2に記載のFETセンサ。
- 前記p型FETとn型FETが、基板上に横並び配置され、この横並び配置されたp型FETとn型FETの中間位置に前記比較電極が配置されている請求項3または4に記載のFETセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006199462A JP4653703B2 (ja) | 2006-07-21 | 2006-07-21 | Fetセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006199462A JP4653703B2 (ja) | 2006-07-21 | 2006-07-21 | Fetセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008026168A true JP2008026168A (ja) | 2008-02-07 |
JP4653703B2 JP4653703B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=39116941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006199462A Expired - Fee Related JP4653703B2 (ja) | 2006-07-21 | 2006-07-21 | Fetセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4653703B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5994432A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-05-31 | アボツト・ラボラトリ−ズ | 半導体検知装置 |
JPH04258756A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | イオンセンサ |
JPH06249826A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Tokyo Gas Co Ltd | Fetセンサ |
JPH06249825A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Tokyo Gas Co Ltd | Fetセンサ |
JPH06288971A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | イオンセンサ |
JPH09210955A (ja) * | 1996-01-29 | 1997-08-15 | Nec Corp | タンパク質センサ |
-
2006
- 2006-07-21 JP JP2006199462A patent/JP4653703B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5994432A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-05-31 | アボツト・ラボラトリ−ズ | 半導体検知装置 |
JPH04258756A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | イオンセンサ |
JPH06249826A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Tokyo Gas Co Ltd | Fetセンサ |
JPH06249825A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Tokyo Gas Co Ltd | Fetセンサ |
JPH06288971A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | イオンセンサ |
JPH09210955A (ja) * | 1996-01-29 | 1997-08-15 | Nec Corp | タンパク質センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4653703B2 (ja) | 2011-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI422818B (zh) | 氫離子感測場效電晶體及其製造方法 | |
US7794584B2 (en) | pH-change sensor and method | |
Chin et al. | A novel SnO2/Al discrete gate ISFET pH sensor with CMOS standard process | |
TWI697669B (zh) | 感測電路、感測系統及用於感測系統的臨界失配校正的方法 | |
US7582500B2 (en) | Reference pH sensor, preparation and application thereof | |
US7435610B2 (en) | Fabrication of array pH sensitive EGFET and its readout circuit | |
KR101616560B1 (ko) | 나노프로브 융합 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서 | |
WO2009144878A1 (ja) | センサ及びその製造方法 | |
Seo et al. | ISFET glucose sensor based on a new principle using the electrolysis of hydrogen peroxide | |
TWI619941B (zh) | 生物感測器裝置 | |
US20170168008A1 (en) | Method for Producing a pH Half-Cell, and a pH Half-Cell | |
TWI517466B (zh) | 電阻式記憶體感測元件 | |
JP7336983B2 (ja) | イオンセンサ装置 | |
JP4653703B2 (ja) | Fetセンサ | |
Hüller et al. | Thin layer copper ISE for fluidic microsystem | |
TWI435078B (zh) | 離子感測裝置及其製造方法 | |
US8410530B2 (en) | Sensitive field effect transistor apparatus | |
JP3167022B2 (ja) | ガスセンサ | |
TWI454695B (zh) | 金氧半場效電晶體感測器結構 | |
JP2011133234A (ja) | センサ及びその測定方法 | |
JP2009025124A (ja) | Isfetセンサ用電極 | |
JPH05312778A (ja) | イオン濃度センサ | |
JPH06288972A (ja) | イオンセンサ及びイオン測定方法 | |
US20050147741A1 (en) | Fabrication of array PH sensitive EGFET and its readout circuit | |
Prathap et al. | A differential p-ISFET based on-chip pH sensor with substrate based drift reset capability |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081224 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101130 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101217 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |