JP2008022557A - 複数のメモリのための信号バッファリングおよびリタイミング回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のメモリ素子のための信号バッファリングおよびリタイミング(SBR)回路である。PLLをベースとするクロック発生器によって、受け取ったホスト・クロック信号から1組の位相シフト・クロック信号セットが生成される。複数の位相選択器の各々によって、前記1組の位相シフト・クロック信号セットからサブセットの連続クロック信号が個々に選択される。個々のサブセットの連続クロック信号が、異なる組の1つまたは複数のバーニヤに印加され、個々のバーニヤによって、複数の連続クロック信号の中から1つのクロック信号が個々に選択される。SBR回路は、スキューおよび遅延に関連する比較的厳格な信号タイミング要求事項を満足するように設計することができる。
【選択図】図1
Description
本出願の主題は、参照によりその教示が本明細書に組み込まれている、弁理士事件整理番号Parikh 7として2005年9月30日に出願された米国特許出願第11/240,290号に関する。
〇 16ビット・アドレス信号(Address[15:0])
〇 3ビット・チップ・セレクト信号(CS[2:0])
〇 3ビット・オン・デバイス・ターミネーション信号(ODT[2:0])
〇 1ビット・ライト・イネーブル信号(WE)
〇 3ビット・バンク・アドレス信号(BA[2:0])
〇 1ビット列アドレス・セレクト信号(CAS)
〇 1ビット行アドレス・セレクト信号(RAS)
また、ホスト・コントローラ102によって、(1)SBR回路104にリセット制御信号(reset_n)が送信され、また、(2)I2Cバス112を介してSBR回路104に以下に示す集積回路間(I2C)信号が送信される。
〇 1ビット・シリアル・データ信号(SDA)
〇 1ビット・シリアル・クロック信号(SCL)
〇 SDAおよびSCLの両方をサンプリングするために使用される25MHzサンプリング・クロック信号(clk_i2c)
(1)DDRメモリ・ブロック106のポートAに、Address[15:0]、BA[2:0]、WE、CAS、RAS
(2)DDRメモリ・ブロック106のポートBに、Address[15:0]、BA[2:0]、WE、CAS、RAS
(3)DDRメモリ・ブロック106のポートCに、Address[15:0]、BA[2:0]、WE、CAS、RAS
(4)DDRメモリ・ブロック106のポートDに、Address[15:0]、BA[2:0]、WE、CAS、RAS
(5)8つの1ビット・クロック・イネーブル信号(CKE[7:0])
(6)8つの1ビット・チップ・セレクト信号(CS[7:0])および8つの1ビット・オン・デバイス・ターミネーション信号(ODT[7:0])
(7)12個の差動クロック信号(CK[11:0])
図4は、図1に示す個々の非クロック・バーニヤ134のブロック図を示したものである。非クロック・バーニヤ134は、(1)(a)復号化されたアドレス・データまたは制御データの対応するビットをバス140から受け取り(Signal_Inとして)、かつ、(b)図1に示す対応する位相選択器126によって選択された16個の連続クロック信号128を受け取り、(2)これらの16個のクロックの中から、受け取ったデータ・ビットをリタイミング化し、リタイミング化されたデータ・ビットをSignal_Out(つまり図1に示す信号142)として、図1に示す対応する出力ドライバ144に提供するために使用するクロックを1つ選択する。
コントローラ414は、デマルチプレクサ・クロックCK_DEMUK(つまり図1に示すクロック116)およびマルチプレクサ・クロックCK_MUX(開始/停止ブロック410から)を受け取り、デマルチプレクサ/マルチプレクサ・セクションを同期化するためにそれぞれ1対4デマルチプレクサ416および4対1マルチプレクサ418に印加される2ビット・グレイ・コード制御信号GRAY_DEMUX[1:0]およびGRAY_MUX[1:0]を生成する。2ビット遅延制御信号DEL[1:0]は、図1に示す333MHzホスト・クロック信号108の1サイクル毎の64個の異なる位相から256個の異なる位相へ、4ホスト・クロック・サイクルでバーニヤ毎にプログラム可能位相を拡張する。DELの値によって、デマルチプレクサ/マルチプレクサ・セクションをイネーブルする前に遅延させるホスト・クロック・サイクルの数が決まる。
以上、本発明について、図1に示す、SBR回路104が存在するコンピュータ・システム100のコンテキストの中で説明した。本発明は、一般に、
〇 ホスト・クロック信号の周波数が333MHz以外の周波数であり、かつ/またはホスト・クロック信号が差動ではなくシングル・エンドである
〇 PLLをベースとするクロック発生回路(たとえば図1に示すPLL118および位相発生器122)が、64個の位相オフセット・クロック信号以外の信号を生成し、かつ/または333MHz以外の周波数で信号を生成する
〇 PLLをベースとするクロック発生回路が、16個の位相オフセット中間クロック信号(たとえば図1に示すクロック信号120)以外の信号を生成し、かつ/または1.333MHz以外の周波数で信号を生成する
〇 4つのポートA〜D以外のポートを有する異なる数のメモリ・ブロックが存在する
〇 異なる数のバーニヤ・セットが存在する
〇 異なる信号セットが存在し、かつ/または様々なバーニヤ・セットに異なる数のバーニヤが存在する
〇 異なる数および/またはタイプのアドレス信号および制御信号がSBR回路によって処理される
コンピュータ・システムのためのSBR回路のコンテキストの中で実施することができる。
また、本発明の性質を説明するために上で説明し、かつ、図に示した詳細、材料および部品の配置には、特許請求の範囲に明示されている本発明の範囲を逸脱することなく様々な変更を加えることができることは当業者には理解されよう。
Claims (10)
- 信号(たとえば110)を複数のメモリ素子(たとえば106)に並列に印加するためにバッファリングし、かつ、リタイミング化するための信号バッファリングおよびリタイミング(SBR)回路(たとえば104)であって、
入力クロック信号(たとえば116)から1組の位相シフト・クロック信号セット(たとえば124)を生成するように適合された、PLLをベースとするクロック発生器(たとえば118、122)と、
複数の位相選択器(たとえば126)であって、個々の位相選択器が、前記1組の位相シフト・クロック信号セットからサブセットの連続クロック信号(たとえば128)を個々に選択するように適合された複数の位相選択器と、
1組の1つまたは複数の出力クロック・バーニヤ・セット(たとえば130)であって、個々の出力クロック・バーニヤが、(1)対応する位相選択器から対応するサブセットの連続クロック信号を受け取り、(2)前記複数の連続クロック信号のうちの1つをそのリタイミング・クロック(たとえば604)として選択し、また、(3)そのリタイミング・クロックを使用して、前記複数のメモリ素子のうちの少なくとも1つに対する出力クロック信号(たとえばCK[i])を生成するように適合された出力クロック・バーニヤ・セットと、
1組の1つまたは複数のフィードバック・クロック・バーニヤ・セット(たとえば132)であって、個々のフィードバック・クロック・バーニヤが、(1)対応する位相選択器から対応するサブセットの連続クロック信号を受け取り、(2)前記複数の連続クロック信号のうちの1つをそのリタイミング・クロック(たとえば604)として選択し、また、(3)そのリタイミング・クロックを使用して、前記PLLをベースとするクロック発生器に提供されるフィードバック・クロック信号(たとえば136)を生成するように適合されたフィードバック・クロック・バーニヤ・セットと、
1組または複数組の非クロック・バーニヤ・セット(たとえば134)であって、個々の非クロック・バーニヤが、(1)対応する位相選択器から対応するサブセットの連続クロック信号を受け取り、(2)前記複数の連続クロック信号のうちの1つをそのリタイミング・クロック(たとえば404)として選択し、(3)1ビットのアドレス・データまたは制御データ(たとえば140)を受け取り、また、(4)そのリタイミング・クロックを使用して、前記1ビットのアドレス・データまたは制御データから、前記複数のメモリ素子のうちの少なくとも1つに対するリタイミング化されたビット信号(たとえば142)を生成するように適合された非クロック・バーニヤ・セットと
を備えたSBR回路。 - 前記PLLをベースとするクロック発生器が、前記入力クロック信号から前記1組の位相シフト・クロック信号セットを生成するために使用する1つまたは複数のフィードバック・クロック信号のうちの任意の1つを選択するように構成された、請求項1に記載のSBR回路。
- 個々の位相選択器を、他のすべての位相選択器には無関係に、その対応するサブセットの連続クロック信号を選択するように構成することができ、また、
個々のバーニヤを、他のすべてのバーニヤには無関係に、そのリタイミング・クロック信号を選択するように構成することができる、請求項1に記載のSBR回路。 - 前記PLLをベースとするクロック発生器が、
前記入力クロック信号および1つまたは複数のフィードバック・クロック信号のうちの1つから、1組(たとえば120)の位相シフト高レート・クロック信号セットを生成するように適合されたPLL(たとえば118)と、
前記1組の位相シフト高レート・クロック信号セットから前記1組の位相シフト・クロック信号セットを生成するように適合された位相発生器(たとえば122)と
を備え、
前記位相シフト・クロック信号が、前記入力クロック信号のクロック・レートと同じクロック・レートを有し、
前記位相シフト高レート・クロック信号が、前記位相シフト・クロック信号のクロック・レートより速いクロック・レートを有し、
位相シフト・クロック信号の数が位相シフト高レート・クロック信号の数より多い、請求項1に記載のSBR回路。 - 前記メモリ素子がDDRメモリであり、
前記PLLをベースとするクロック発生器が、受け取った差動クロック信号(たとえば108)から前記入力クロック信号を生成するように適合された差動バッファ(たとえば114)をさらに備えた、請求項4に記載のSBR回路。 - 個々の位相選択器が異なる組のバーニヤに対応し、
前記複数のバーニヤ・セットが、複数の専用バーニヤ・セットおよび1つまたは複数の共有バーニヤ・セットを備え、
個々のメモリ素子が、少なくとも1つの対応する専用バーニヤ・セットを有し、
少なくとも1つの共有バーニヤ・セットが、すべてのメモリ素子によって共有される、請求項1に記載のSBR回路。 - 復号化された複数のアドレス・ビットおよび制御ビット(たとえば140)を生成するために、受け取ったアドレス信号および制御信号(たとえば110)を復号化するように適合された信号復号器(たとえば138)をさらに備え、復号化された個々のアドレス・ビットまたは制御ビットが少なくとも1つの非クロック・バーニヤに提供される、請求項1に記載のSBR回路。
- 復号化された少なくとも1つのアドレス・ビットまたは制御ビットが、異なるバーニヤ・セットに配置された複数の異なる非クロック・バーニヤに提供される、請求項7に記載のSBR回路。
- 個々の非クロック・バーニヤが、(i)パラレル・データ・ストリームを生成するために、受け取ったアドレス・データまたは制御データのビットを逆多重化し(たとえば416)、かつ、(ii)リタイミング化されたビット信号を生成するために、そのリタイミング・クロックに基づいて前記パラレル・データ・ストリームを多重化する(たとえば418)ように適合された、請求項1に記載のSBR回路。
- 信号(たとえば110)を複数のメモリ素子(たとえば106)に並列に印加するためにバッファリングし、かつ、リタイミング化するための方法(たとえば104)であって、
入力クロック信号(たとえば116)から1組の位相シフト・クロック信号セット(たとえば124)を生成するステップ(たとえば118、122)と、
前記1組の位相シフト・クロック信号セットから、複数のサブセットの連続クロック信号(たとえば128)を個々に選択するステップ(たとえば126)と、
第1のサブセットの連続クロック信号に対して、前記複数の連続クロック信号のうちの1つを第1のリタイミング・クロック(たとえば604)として選択し(たとえば130)、かつ、前記第1のリタイミング・クロックを使用して、前記複数のメモリ素子のうちの少なくとも1つに対する出力クロック信号(たとえばCK[i])を生成するステップと、
第2のサブセットの連続クロック信号に対して、前記複数の連続クロック信号のうちの1つを第2のリタイミング・クロック(たとえば604)として選択し(たとえば132)、かつ、前記第2のリタイミング・クロックを使用して、前記1組の位相シフト・クロック信号セットを生成するために使用するフィードバック・クロック信号(たとえば136)を生成するステップと、
他の個々のサブセットの連続クロック信号に対して、前記複数の連続クロック信号のうちの1つを他のリタイミング・クロック(たとえば404)として選択し(たとえば134)、かつ、前記他のリタイミング・クロックを使用して、受け取った1ビットのアドレス・データまたは制御データ(たとえば140)から、前記複数のメモリ素子のうちの少なくとも1つに対するリタイミング化されたビット信号(たとえば142)を生成するステップと
を含む方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US83018706P | 2006-07-12 | 2006-07-12 | |
US60/830187 | 2006-07-12 | ||
US11/601998 | 2006-11-20 | ||
US11/601,998 US7685454B2 (en) | 2006-07-12 | 2006-11-20 | Signal buffering and retiming circuit for multiple memories |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008022557A true JP2008022557A (ja) | 2008-01-31 |
JP5037246B2 JP5037246B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=38949237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007182856A Active JP5037246B2 (ja) | 2006-07-12 | 2007-07-12 | 複数のメモリのための信号バッファリングおよびリタイミング回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7685454B2 (ja) |
JP (1) | JP5037246B2 (ja) |
KR (1) | KR101372336B1 (ja) |
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US20080013663A1 (en) | 2008-01-17 |
KR20080006499A (ko) | 2008-01-16 |
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