JP2008016444A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板上に、第１の電極を形成し、
   前記基板及び前記第１の電極上に、熱硬化型樹脂材料を含む絶縁層を形成し、
   前記絶縁層にモールドを押圧しながら前記熱硬化型樹脂材料の硬化温度まで第１の加熱を行い、前記モールドを保持して前記熱硬化型樹脂材料を硬化させることで、前記第１の電極上の前記絶縁層中に開口部を形成し、
   前記開口部の形成された絶縁層から、前記モールドを取り外し、
   前記モールドを取り外した後、前記開口部の形成された絶縁層を第２の加熱を行って、硬化させて隔壁を形成し、
   前記第１の電極及び前記隔壁上に、発光層を形成し、
   前記発光層上に、第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に、第１の電極を形成し、
   前記基板及び前記第１の電極上に、光硬化型樹脂材料を含む絶縁層を形成し、
   前記絶縁層にモールドを押圧し、その後、第１の光照射を行って前記絶縁層を硬化させて前記第１の電極上の前記絶縁層中に開口部を形成し、
   前記開口部の形成された絶縁層から、前記モールドを取り外し、
   前記モールドを取り外した後、前記開口部の形成された絶縁層に第２の光照射を行って硬化させて隔壁を形成し、
   前記第１の電極及び前記隔壁上に、発光層を形成し、
   前記発光層上に、第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上に、第１の電極を形成し、
   前記基板及び前記第１の電極上に、熱可塑型樹脂材料を含む絶縁層を形成し、
   前記絶縁層を前記熱可塑型樹脂材料のガラス転移点よりも高い温度まで加熱し、
   前記絶縁層にモールドを押圧し、前記第１の電極上の前記絶縁層中に開口部を形成し、
   前記開口部の形成された絶縁層から、前記モールドを取り外し、
   前記モールドを取り外した後、前記開口部の形成された絶縁層を硬化させて隔壁を形成し、
   前記第１の電極及び前記隔壁上に、発光層を形成し、
   前記発光層上に、第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記モールドを取り外す際に、前記絶縁層に超音波を用いて振動を加えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
   前記モールドは、金属材料または絶縁材料により形成されており、
   前記モールドの表面には凹凸が形成されているものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
   前記隔壁は、断面テーパー角が２０°以上５０°以下であり、かつ前記隔壁の底部及び頂部のエッジが曲面を有する形状を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。