JP2008016226A - 電子源、画像表示装置、画像再生装置、配線基板、及び電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】ワイヤーなどの断面積の比較的大きな配線を基板表面に設けた溝内に配置した場合に、熱工程時における配線と基板の膨張・収縮を吸収し、基板や配線へのダメージを抑制する配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】配線基板は、表面に溝を備える基板と、該溝に沿って、該溝内に配置された第1の導体と、前記第1の導体と交差して前記第1の導体上に配置された第2の導体と、前記第1の導体と接続される第1の電極と、前記第2の導体と接続される第2の電極と、を備え、前記第1の導体と前記溝の内壁との間に粒子が配置されている。
【選択図】図1
【解決手段】配線基板は、表面に溝を備える基板と、該溝に沿って、該溝内に配置された第1の導体と、前記第1の導体と交差して前記第1の導体上に配置された第2の導体と、前記第1の導体と接続される第1の電極と、前記第2の導体と接続される第2の電極と、を備え、前記第1の導体と前記溝の内壁との間に粒子が配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子源、画像表示装置、画像再生装置、配線基板、及び電子デバイスに関する。
LCDやPDPなどの平板型画像表示装置(フラットパネルディスプレイ)は複数の画素を平面状に配置した表示装置である。電子放出素子を用いたフラットパネルディスプレイでは、マトリクス状に配列された複数の配線(マトリクス配線)の各交差部またはその近傍に位置する電子放出素子に選択的に電圧をかけることにより、各電子放出素子からの電子放出を制御し、画像を表示する。
マトリクス配線は、走査信号が印加される走査配線と、変調信号が印加される信号線とで構成される。近年、より高精細な画像を表示することのできるディスプレイの需要が大きい。そのため、配線はより細線化する必要がある一方で、細線化による配線の抵抗の増加を避けるために配線の膜厚を大きくする必要があった。また、より簡易に作成することのできるディスプレイが求められている。
このような要求に対する解決策の一つとして、基板表面に設けた溝内に、断面積が大きく低抵抗な、予め用意した金属のワイヤーを埋め込み、これを配線に用いることが特許文献1、2に開示されている。
特開2005−216639号公報
特開2004−342547号公報
基板の溝内に大きな断面積を備えた配線や非常に低抵抗な配線(バルク金属並の構造を備えるワイヤーなどの配線)を設けると、基板の熱膨張係数と配線の熱膨張係数の差により、熱工程などにおいて、配線の剥れや、配線の断線が生じる場合や、基板にマイクロクラックが発生する場合があった。
本発明は、ワイヤーなどの断面積の比較的大きな配線を基板表面に設けた溝内に配置した場合に、その後の熱工程時などにおける配線と基板の膨張・収縮を吸収し、基板や配線へのダメージを抑制した配線基板、電子源を提供することを目的とする。
(1)本発明の電子源は上記目的を達成するため、表面に溝を備える基板と、該溝に沿って、該溝内に配置された第1の導体と、第1の導体と交差して第1の導体上に配置された第2の導体と、を備えた配線基板と、該配線基板上に配置され、前記第1の導体及び第2の導体と電気的に接続された複数の電子放出素子と、を備え、第1の導体と溝の内壁との間に粒子が配置されている、ことを特徴とする。
(2)また、本発明の画像表示装置は、電子源と、該電子源から放出された電子が照射されることで発光する発光体とを備え、電子源が(1)に記載の電子源であることを特徴とする。
(3)また、本発明の画像再生装置は、放送信号および電気通信回線を経由した信号の少なくとも一方を受信する受信装置と該受信装置に接続した画像表示装置とを少なくとも
備え、画像表示装置が(2)に記載の画像表示装置であることを特徴とする。
備え、画像表示装置が(2)に記載の画像表示装置であることを特徴とする。
(4)また、本発明の配線基板は、表面に溝を備える基板と、該溝に沿って、該溝内に配置された第1の導体と、を備え、第1の導体と溝の内壁との間に粒子が配置されている、ことを特徴とする。
本発明によれば、ワイヤーなどの断面積の比較的大きな配線を基板表面に設けた溝内に配置した場合に、熱工程時における配線と基板の膨張・収縮を吸収し、基板や配線へのダメージを抑制できる。
以下に図面を参照して、本発明に好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、本実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
以下に記す実施形態では、配線基板上に電子放出素子として表面伝導型電子放出素子を配置した例(電子源基板の例)を挙げて、本発明について説明する。表面伝導型電子放出素子は、間隙を備える導電性膜と当該導電性膜の両端に接続された一対の電極とから構成される。しかしながら、本実施形態の電子源に用いる電子放出素子としては、電界放出型電子放出素子、MIM型電子放出素子など、少なくとも2つの電極を備える電子放出素子であれば好ましく適用することができる。また、本発明の配線基板(配線を備えた基板)は、液晶ディスプレイや、有機ELディスプレイやプラズマディスプレイなど、様々なディスプレイの基板に用いることができる。また、本実施形態の配線基板上に、上述した電子放出素子や、EL素子や、TFTなどの機能素子を配置し、第1の導体と接続すれば、ディスプレイや回路などの様々な電子デバイスを構成することができる。
<<実施形態1>>
図1〜図4を用いて、本実施形態の配線基板の形態の一例を示す。ここでは、本実施形態の配線基板に電子放出素子(電子源)を用いた例を示すが、上述したように、本実施形態の配線基板は他の電子デバイスにも適用可能である。
図1〜図4を用いて、本実施形態の配線基板の形態の一例を示す。ここでは、本実施形態の配線基板に電子放出素子(電子源)を用いた例を示すが、上述したように、本実施形態の配線基板は他の電子デバイスにも適用可能である。
図1は、本実施形態の配線基板の一部の平面模式図であり、図2は、図1のA−A線における断面模式図であり、図3は、図1のB−B線における断面模式図である。図4は、図3における第1の導体3近傍の拡大模式図である。
<配線基板>
本発明の配線基板は、少なくとも、溝2を備えた基板1と、溝2に沿って溝2内に少なくともその一部が配置された第1の導体3と、第1の導体3上に第1の導体と交差するように配置された第2の導体7とを備え、第1の導体3と溝2の内壁との間に粒子5を備えている。図1を用いて以下で説明する例においては、配線基板は更に、第1の導体3上の露出部4と、露出部4上に設けられた第1の電極8と、第2の導体7を接続するための第2の電極10とを備えている。
本発明の配線基板は、少なくとも、溝2を備えた基板1と、溝2に沿って溝2内に少なくともその一部が配置された第1の導体3と、第1の導体3上に第1の導体と交差するように配置された第2の導体7とを備え、第1の導体3と溝2の内壁との間に粒子5を備えている。図1を用いて以下で説明する例においては、配線基板は更に、第1の導体3上の露出部4と、露出部4上に設けられた第1の電極8と、第2の導体7を接続するための第2の電極10とを備えている。
本実施形態の配線基板は、特には、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイや電子放出素子を用いたディスプレイなどの電子デバイスに用いられる、配線基板として利用可能である。
<基板1>
基板1の材料は、ガラスが好ましい。
基板1の材料は、ガラスが好ましい。
<第1の導体3>
第1の導体3は、好ましくは、金属を含むワイヤー3からなる。金属としては、Cu、Al、Niのいずれかから選択される。更に好ましくは、第1の導体3は、いわゆる無酸素銅で構成される。無酸素銅であれば、酸化度合いを制御することができる。第1の導体3は、配線であり、一対の電極である第2の電極10の一方と第1の電極8により接続される。金属を含むワイヤー3の形状は、断面が円形や矩形のものが用いられるが、特に限定されない。断面が円形のワイヤーは、入手が容易で、一般的にICなどのボンディング材料として市販されている線材や、エナメル線用のものを使用することができるので特に好ましく適用することができる。所定の寸法のワイヤーを用いたい場合には、公知の延伸機によって作製されたワイヤーを用いればよい。
第1の導体3は、好ましくは、金属を含むワイヤー3からなる。金属としては、Cu、Al、Niのいずれかから選択される。更に好ましくは、第1の導体3は、いわゆる無酸素銅で構成される。無酸素銅であれば、酸化度合いを制御することができる。第1の導体3は、配線であり、一対の電極である第2の電極10の一方と第1の電極8により接続される。金属を含むワイヤー3の形状は、断面が円形や矩形のものが用いられるが、特に限定されない。断面が円形のワイヤーは、入手が容易で、一般的にICなどのボンディング材料として市販されている線材や、エナメル線用のものを使用することができるので特に好ましく適用することができる。所定の寸法のワイヤーを用いたい場合には、公知の延伸機によって作製されたワイヤーを用いればよい。
第1の導体3は、若干、溝2内から第1の導体3の上端が突出した形態(即ち、基板表面よりも第1の導体3の上端が高い位置にある形態)であってもよい。換言すれば、第1の導体3の直径が、溝2の深さよりも若干大きくてもよい。しかしながら、溝2内に第1の導体3が完全に埋め込まれた形態(即ち、基板1表面と第1の導体3の上端が揃っている形態あるいは基板1表面よりも第1の導体3の上端が低い位置にある形態)であることが好ましい。換言すれば、第1の導体3の直径が、溝2の深さ以下であることが好ましい。
<第2の導体7>
第2の導体7は第1の導体3と交差して第1の導体3上に配置される。第2の導体7は、配線であり、一対の電極である第2の電極10の他方と接続される。そして、第2の導体7は、基板1の表面上に配置された第2の電極10の他方の一部を覆うことで、第2の電極10と接続することができる。第2の導体7は、好ましくは導電性ペースト(多数の金属粒子を含むペースト)を印刷し焼成することで形成することが好ましい。
第2の導体7は第1の導体3と交差して第1の導体3上に配置される。第2の導体7は、配線であり、一対の電極である第2の電極10の他方と接続される。そして、第2の導体7は、基板1の表面上に配置された第2の電極10の他方の一部を覆うことで、第2の電極10と接続することができる。第2の導体7は、好ましくは導電性ペースト(多数の金属粒子を含むペースト)を印刷し焼成することで形成することが好ましい。
<粒子5>
粒子5は、第1の導体3と溝2の内壁との間に多数配置される。溝2内に設ける第1の導体3を点で支える役目を果たすことができる。粒子5の材料としては、熱膨張係数の値が、基板1(例えば、ガラスなら83×10−7/K)の熱膨張係数の値と第1の導体3(例えば、銅ワイヤーなら16.8×10−6/K)の熱膨張係数の値と間の値である材
料が用いられる。粒子5は、ワイヤーより導電性が低い材料が好ましく、特に好ましくは絶縁体である。このような材料としては酸化シリコン(典型的にはシリカ)やアルミナが好適に用いられる。粒子5としては、真球状、あるいは、球形状、多角形状の粒子5を用いることができる。また、その粒径は、第1の導体3の幅や直径よりも小さく、第1の導体3の形状や溝2の形状にもよるが、実用的な範囲としては、0.01ミクロン以上5ミ
クロン以下の直径を備えることが好ましい。このような粒子5を多数、溝2の内壁と第1の導体3との間に設けることにより、多数の粒子5のうちの少なくとも幾つかが第1の導体3と接触する形態となる。その結果、第1の導体3と基板1(溝2の内壁)とが広範囲に渡って直接接触することを抑制できる。即ち、溝2の内壁と第1の導体3とが離間される箇所(領域)を形成することができる。そのため、第1の導体3の熱膨張率と基板1の熱膨張率とが大きく異なっていても、基板1と第1の導体3の熱膨張や収縮に伴う変形による、第1の導体3の溝2内からの剥離や、溝2の内壁におけるマイクロクラックの発生などを抑制することができる。粒子5は、溝2内に接着剤などで固定されることが好ましい。例えば、溝内に粒子を多数配置して接着材を塗布して粒子の上から粒子を溝内に固定することもできる。このような場合には、粒子が接着材で覆われ、接着材の層中に粒子が存在しているような形態になる場合もある。しかしながら、接着材の層の表面が粒子の形状(粒径)に対応した凹凸を備えていれば第1の導体3と基板1(溝2の内壁)とが広範囲に渡って直接接触することを抑制できる。一方で、第1の導体3と粒子5とは接着剤な
どで固着されないことが好ましい。
粒子5は、第1の導体3と溝2の内壁との間に多数配置される。溝2内に設ける第1の導体3を点で支える役目を果たすことができる。粒子5の材料としては、熱膨張係数の値が、基板1(例えば、ガラスなら83×10−7/K)の熱膨張係数の値と第1の導体3(例えば、銅ワイヤーなら16.8×10−6/K)の熱膨張係数の値と間の値である材
料が用いられる。粒子5は、ワイヤーより導電性が低い材料が好ましく、特に好ましくは絶縁体である。このような材料としては酸化シリコン(典型的にはシリカ)やアルミナが好適に用いられる。粒子5としては、真球状、あるいは、球形状、多角形状の粒子5を用いることができる。また、その粒径は、第1の導体3の幅や直径よりも小さく、第1の導体3の形状や溝2の形状にもよるが、実用的な範囲としては、0.01ミクロン以上5ミ
クロン以下の直径を備えることが好ましい。このような粒子5を多数、溝2の内壁と第1の導体3との間に設けることにより、多数の粒子5のうちの少なくとも幾つかが第1の導体3と接触する形態となる。その結果、第1の導体3と基板1(溝2の内壁)とが広範囲に渡って直接接触することを抑制できる。即ち、溝2の内壁と第1の導体3とが離間される箇所(領域)を形成することができる。そのため、第1の導体3の熱膨張率と基板1の熱膨張率とが大きく異なっていても、基板1と第1の導体3の熱膨張や収縮に伴う変形による、第1の導体3の溝2内からの剥離や、溝2の内壁におけるマイクロクラックの発生などを抑制することができる。粒子5は、溝2内に接着剤などで固定されることが好ましい。例えば、溝内に粒子を多数配置して接着材を塗布して粒子の上から粒子を溝内に固定することもできる。このような場合には、粒子が接着材で覆われ、接着材の層中に粒子が存在しているような形態になる場合もある。しかしながら、接着材の層の表面が粒子の形状(粒径)に対応した凹凸を備えていれば第1の導体3と基板1(溝2の内壁)とが広範囲に渡って直接接触することを抑制できる。一方で、第1の導体3と粒子5とは接着剤な
どで固着されないことが好ましい。
粒子5は、溝2内に配線を設けた後に行われる焼成工程などの加熱工程における、ガラス等の基板1とワイヤー等の第1の導体3との熱膨張係数の差による、基板1のクラック、割れや、第1の導体の配線の断線、剥がれを緩和する緩衝材としての機能をも備える。
<絶縁層6>
絶縁層6は、第1の導体3と第2の導体7との間に設けられる絶縁層である。絶縁層6は第1の導体3と交差するように、第1の導体3上に第2の導体7を設ける際(マトリクス配線を形成する際)に、少なくとも第1の導体3と第2の導体7との間に設けられる。図1〜図4で示す形態では、第1の導体3を覆うように、第1の導体3に沿って、設けられている。しかしながら、絶縁層6は、少なくとも、第1の導体3上であって、第2の導体7との交差部に設けられればよい。即ち、絶縁層6は、第1の導体3と第2の導体7とが短絡しないように設けられればよい。絶縁層6は、第1の導体3を設けるプロセスとは別のプロセスで設けたものであってもよいし、予め第1の導体3の表面を酸化することで形成したものであってもよい。絶縁層6の材料としては酸化シリコンや、第1の導体3を構成する金属の酸化物も用いることができる。図5〜7を用いて後述する例にあるように、絶縁層6は、例えば、金属を含む導電性のワイヤーである第1の導体3の表面を酸化することで形成した酸化膜(酸化被膜)からなることもできる。また、表面酸化被膜を有するワイヤーを用いることに加えて絶縁層6を設けることもできる。尚、酸化被膜で覆われたワイヤーは、ワイヤーとは別の部材としての酸化被膜を表面に備えたワイヤーや、表面を酸化したワイヤー(ワイヤー自身が表面酸化被膜を備えるワイヤー)を適用することができる。尚、ワイヤーの表面を酸化することで構成したワイヤーでは、ワイヤーの表面からワイヤーの中心に向かってその酸化度合いが徐々に変化した形態となり易い。そのため、ワイヤー自身が表面酸化被膜を備える形態では、「ワイヤーと酸化被膜とが明確な境界を備えていない形態」あるいは「表面酸化膜を備えたワイヤー」をも含むものである。尚、「ワイヤー」とは、基板上に配線材料をスパッタ法や塗布法などで堆積させて、直接、基板上で形作る(成型する)配線ではなく、予め、別のところ(基板上以外の場所)で既に成型された配線を指し、典型的には針金のような部材を指す。絶縁層6を、第1の導体3と別途設ける場合には、絶縁性ペーストを印刷し焼成することで絶縁層6を形成することが好ましい。
絶縁層6は、第1の導体3と第2の導体7との間に設けられる絶縁層である。絶縁層6は第1の導体3と交差するように、第1の導体3上に第2の導体7を設ける際(マトリクス配線を形成する際)に、少なくとも第1の導体3と第2の導体7との間に設けられる。図1〜図4で示す形態では、第1の導体3を覆うように、第1の導体3に沿って、設けられている。しかしながら、絶縁層6は、少なくとも、第1の導体3上であって、第2の導体7との交差部に設けられればよい。即ち、絶縁層6は、第1の導体3と第2の導体7とが短絡しないように設けられればよい。絶縁層6は、第1の導体3を設けるプロセスとは別のプロセスで設けたものであってもよいし、予め第1の導体3の表面を酸化することで形成したものであってもよい。絶縁層6の材料としては酸化シリコンや、第1の導体3を構成する金属の酸化物も用いることができる。図5〜7を用いて後述する例にあるように、絶縁層6は、例えば、金属を含む導電性のワイヤーである第1の導体3の表面を酸化することで形成した酸化膜(酸化被膜)からなることもできる。また、表面酸化被膜を有するワイヤーを用いることに加えて絶縁層6を設けることもできる。尚、酸化被膜で覆われたワイヤーは、ワイヤーとは別の部材としての酸化被膜を表面に備えたワイヤーや、表面を酸化したワイヤー(ワイヤー自身が表面酸化被膜を備えるワイヤー)を適用することができる。尚、ワイヤーの表面を酸化することで構成したワイヤーでは、ワイヤーの表面からワイヤーの中心に向かってその酸化度合いが徐々に変化した形態となり易い。そのため、ワイヤー自身が表面酸化被膜を備える形態では、「ワイヤーと酸化被膜とが明確な境界を備えていない形態」あるいは「表面酸化膜を備えたワイヤー」をも含むものである。尚、「ワイヤー」とは、基板上に配線材料をスパッタ法や塗布法などで堆積させて、直接、基板上で形作る(成型する)配線ではなく、予め、別のところ(基板上以外の場所)で既に成型された配線を指し、典型的には針金のような部材を指す。絶縁層6を、第1の導体3と別途設ける場合には、絶縁性ペーストを印刷し焼成することで絶縁層6を形成することが好ましい。
<第1の電極8、第2の電極10>
第1の電極8は第1の導体3と第2の電極10の一方とを接続するための接続電極であり、第1の導体3の表面であって、絶縁層6で覆われていない部分(接続部としての「露出部4」と呼ぶ)と接続している。尚、絶縁層6が、第1の導体3の酸化被膜で構成される場合には、上記露出部4は、酸化被膜(絶縁層6)の一部を研磨などによって除去することで設けることができる。酸化被膜の一部を除去する方法としては、上記研磨に限らず、公知のエッチング方法を用いることができる。
第1の電極8は第1の導体3と第2の電極10の一方とを接続するための接続電極であり、第1の導体3の表面であって、絶縁層6で覆われていない部分(接続部としての「露出部4」と呼ぶ)と接続している。尚、絶縁層6が、第1の導体3の酸化被膜で構成される場合には、上記露出部4は、酸化被膜(絶縁層6)の一部を研磨などによって除去することで設けることができる。酸化被膜の一部を除去する方法としては、上記研磨に限らず、公知のエッチング方法を用いることができる。
第2の電極10は一対の電極である。第2の電極10は、溝2の近傍に位置する基板1の表面上に配置されている。
<導電性膜11>
導電性膜11は間隙12を備えている。ここで説明する例では、電子放出素子として表面伝導型電子放出素子を用いた例を説明するため、間隙12を備える導電性膜11を用いた。電界放出型電子放出素子の最小構成要素はカソード電極とゲート電極であるので、本実施形態の配線基板を、電子源に用いる場合、導電性膜11は必ずしも必要とはしない。
導電性膜11は間隙12を備えている。ここで説明する例では、電子放出素子として表面伝導型電子放出素子を用いた例を説明するため、間隙12を備える導電性膜11を用いた。電界放出型電子放出素子の最小構成要素はカソード電極とゲート電極であるので、本実施形態の配線基板を、電子源に用いる場合、導電性膜11は必ずしも必要とはしない。
<<変形例1>>
<酸化シリコン層9>
図5〜図7で示す形態のように、第2の導体7と第1の導体3との間には、絶縁層6を設けて、第2の導体7と第1の導体3との絶縁を保つことができる。図5〜図7で示す形態では、更に、絶縁耐圧を向上するために、第2の絶縁層として酸化シリコン層9を第1の導体3と第2の導体7との間に設けている。酸化シリコン層9は、絶縁層6と同様に、絶縁性ペーストを印刷した後に焼成することで形成することが好ましい。第2の絶縁層の材料と絶縁層6の材料は同一材料で形成することができる。また、絶縁層6は、酸化シリコンで構成することが好ましいが、他の絶縁材料を用いてもよい。尚、第1の導体3の表面を酸化させた酸化被膜として絶縁層6を形成してもよい。
<酸化シリコン層9>
図5〜図7で示す形態のように、第2の導体7と第1の導体3との間には、絶縁層6を設けて、第2の導体7と第1の導体3との絶縁を保つことができる。図5〜図7で示す形態では、更に、絶縁耐圧を向上するために、第2の絶縁層として酸化シリコン層9を第1の導体3と第2の導体7との間に設けている。酸化シリコン層9は、絶縁層6と同様に、絶縁性ペーストを印刷した後に焼成することで形成することが好ましい。第2の絶縁層の材料と絶縁層6の材料は同一材料で形成することができる。また、絶縁層6は、酸化シリコンで構成することが好ましいが、他の絶縁材料を用いてもよい。尚、第1の導体3の表面を酸化させた酸化被膜として絶縁層6を形成してもよい。
酸化シリコン層9が、溝2の周囲の基板1の表面に配置された形態であり、表面伝導型電子放出素子(特に間隙12を備える導電性膜11)が酸化シリコン層9の上に配置された形態とすることもできる。このような形態であれば、表面伝導型電子放出素子の電子放出特性への基板1の構成物質(例えばNaなど)の拡散による影響の緩和も兼ねることができる。
<<変形例2>>
尚、ここで示した形態では、1つの第1の導体3の左右に電子放出素子を配置した形態を示したが、電子放出素子は片側にのみ配置する形態とすることもできる。
尚、ここで示した形態では、1つの第1の導体3の左右に電子放出素子を配置した形態を示したが、電子放出素子は片側にのみ配置する形態とすることもできる。
<電子源>
また、図1、図5に示すユニットを、複数、基板1上に行列状に設けることで、マトリクス状に配列された複数の電子放出素子を備えた電子源を構成することができる。
また、図1、図5に示すユニットを、複数、基板1上に行列状に設けることで、マトリクス状に配列された複数の電子放出素子を備えた電子源を構成することができる。
<画像表示装置>
図8は、マトリクス状に電子放出素子を配列した電子源を備えた画像表示装置であるフラットパネルディスプレイの一例である。X方向第2の導体72が第1の導体3に相当し、Y方向第2の導体73が上述した第2の導体7に相当する。一対の電極102、103が、上述した電子放出素子を構成する第2の電極10に相当する。また105は、上述した間隙12を備える導電性膜11である。一対の電極102、103と間隙12を備える導電性膜105とで、電子放出素子が構成される。リアプレート71が上述した基板1に相当する。86はフェースプレートであり、ガラス基板83の表面には電子線が照射されることで発光する発光体膜84(本発明の「発光体」に相当)と、アノード電極85とが設けられている。リアプレート71とフェースプレート86との間に支持枠82が設けられている。リアプレート71とフェースプレート86と支持枠82とで、内部が真空に保持された容器88が構成される。X方向第2の導体72のそれぞれには端子(Dox1〜Doxm)が接続され、同様にY方向第2の導体73のそれぞれには端子(Doy1〜Doym)が接続されている。アノード電極85には高圧電源と接続される端子87が接続されている。図9に示す外囲器(ディスプレイパネル88)と駆動回路とでフラットパネルディスプレイ101が構成される。
図8は、マトリクス状に電子放出素子を配列した電子源を備えた画像表示装置であるフラットパネルディスプレイの一例である。X方向第2の導体72が第1の導体3に相当し、Y方向第2の導体73が上述した第2の導体7に相当する。一対の電極102、103が、上述した電子放出素子を構成する第2の電極10に相当する。また105は、上述した間隙12を備える導電性膜11である。一対の電極102、103と間隙12を備える導電性膜105とで、電子放出素子が構成される。リアプレート71が上述した基板1に相当する。86はフェースプレートであり、ガラス基板83の表面には電子線が照射されることで発光する発光体膜84(本発明の「発光体」に相当)と、アノード電極85とが設けられている。リアプレート71とフェースプレート86との間に支持枠82が設けられている。リアプレート71とフェースプレート86と支持枠82とで、内部が真空に保持された容器88が構成される。X方向第2の導体72のそれぞれには端子(Dox1〜Doxm)が接続され、同様にY方向第2の導体73のそれぞれには端子(Doy1〜Doym)が接続されている。アノード電極85には高圧電源と接続される端子87が接続されている。図9に示す外囲器(ディスプレイパネル88)と駆動回路とでフラットパネルディスプレイ101が構成される。
<画像再生装置>
また、図8を用いて説明した本実施形態のフラットパネルディスプレイ101(例えば、図9のC10)と放送信号および電気通信回線を経由した信号の少なくとも一方を受信する受信装置(例えば、図9のC20)とを用いて画像再生装置を構成することができる。
また、図8を用いて説明した本実施形態のフラットパネルディスプレイ101(例えば、図9のC10)と放送信号および電気通信回線を経由した信号の少なくとも一方を受信する受信装置(例えば、図9のC20)とを用いて画像再生装置を構成することができる。
具体的には、受信装置(受信した信号を選局するチューナーを含む)と、選局した信号に含まれる信号を、ディスプレイパネル88に出力してスクリーンに表示または再生させる。上記受信装置は、テレビジョン放送などの放送信号を受信することができる。また、
上記選曲した信号に含まれる信号としては、映像情報、文字情報および音声情報の少なくとも1つを指す。尚、「スクリーン」は、図8で示したディスプレイパネル88においては、発光体膜84に相当すると言うことができる。この構成によりテレビジョンなどの画像再生装置を構成することができる。勿論、放送信号がエンコードされている場合には、本実施形態の画像再生装置はデコーダーも含むことができる。また、音声信号については、別途設けたスピーカーなどの音声再生手段に出力して、ディスプレイパネル88に表示される映像情報や文字情報と同期させて再生する。
上記選曲した信号に含まれる信号としては、映像情報、文字情報および音声情報の少なくとも1つを指す。尚、「スクリーン」は、図8で示したディスプレイパネル88においては、発光体膜84に相当すると言うことができる。この構成によりテレビジョンなどの画像再生装置を構成することができる。勿論、放送信号がエンコードされている場合には、本実施形態の画像再生装置はデコーダーも含むことができる。また、音声信号については、別途設けたスピーカーなどの音声再生手段に出力して、ディスプレイパネル88に表示される映像情報や文字情報と同期させて再生する。
また、映像情報または文字情報をディスプレイパネル88に出力してスクリーンに表示および/あるいは再生させる方法としては、例えば以下のように行うことができる。まず、受信した映像情報や文字情報から、ディスプレイパネル88の各画素に対応した画像信号を生成する。そして生成した画像信号を、ディスプレイパネル88(図9のC11)の駆動回路(図9のC12)に入力する。そして、駆動回路に入力された画像信号に基づいて、駆動回路からディスプレイパネル88内の各電子放出素子に印加する電圧を制御して、画像を表示する。
<テレビジョン装置>
図9は、画像再生装置の一例であるテレビジョン装置のブロック図である。受信回路(C20)は、チューナーやデコーダ等からなり、衛星放送や地上波等のテレビ信号や、無線回線網、電話回線網、ディジタル回線網、アナログ回線網、TCP/IPプロトコルで結ばれたインターネット等の電気通信回線を介したデータ放送等を受信し、復号化した映像データをI/F部(インターフェース部)(C30)に出力する。I/F部(C30)は、映像データを表示装置の表示フォーマットに変換して上記ディスプレイパネル(C11)に画像データを出力する。画像表示装置(C10)は、ディスプレイパネル(C11)、駆動回路(C12)及び制御回路(C13)を含む。制御回路は、入力した画像データに表示パネルに適した補正処理等の画像処理を施すともに、駆動回路(C12)に画像データ及び各種制御信号を出力する。駆動回路(C12)は、入力された画像データに基づいて、ディスプレイパネル(C11)の第1の導体3及び第2の導体7(図8のDox1〜Doxm、Doy1〜Doyn参照)に駆動信号を出力し、テレビ映像が表示される。受信回路(C20)とI/F部(C30)は、セットトップボックス(STB)として画像表示装置(C10)とは別の筐体に収められていてもよいし、また画像表示装置(C10)と同一の筐体に収められていてもよい。
図9は、画像再生装置の一例であるテレビジョン装置のブロック図である。受信回路(C20)は、チューナーやデコーダ等からなり、衛星放送や地上波等のテレビ信号や、無線回線網、電話回線網、ディジタル回線網、アナログ回線網、TCP/IPプロトコルで結ばれたインターネット等の電気通信回線を介したデータ放送等を受信し、復号化した映像データをI/F部(インターフェース部)(C30)に出力する。I/F部(C30)は、映像データを表示装置の表示フォーマットに変換して上記ディスプレイパネル(C11)に画像データを出力する。画像表示装置(C10)は、ディスプレイパネル(C11)、駆動回路(C12)及び制御回路(C13)を含む。制御回路は、入力した画像データに表示パネルに適した補正処理等の画像処理を施すともに、駆動回路(C12)に画像データ及び各種制御信号を出力する。駆動回路(C12)は、入力された画像データに基づいて、ディスプレイパネル(C11)の第1の導体3及び第2の導体7(図8のDox1〜Doxm、Doy1〜Doyn参照)に駆動信号を出力し、テレビ映像が表示される。受信回路(C20)とI/F部(C30)は、セットトップボックス(STB)として画像表示装置(C10)とは別の筐体に収められていてもよいし、また画像表示装置(C10)と同一の筐体に収められていてもよい。
また、インターフェースには、プリンター、デジタルビデオカメラ、デジタルカメラ、ハードディスクドライブ(HDD)、デジタルビデオディスク(DVD)などの画像記録装置や画像出力装置に接続することができる構成とすることもできる。そして、このようにすれば、画像記録装置に記録された画像をディスプレイパネル(C11)に表示させることもできる。また、ディスプレイパネル(C11)に表示させた画像を、必要に応じて加工し、画像出力装置に出力させることもできる画像再生装置(例えば、テレビジョン)を構成することができる。
ここで述べた画像再生装置の構成は、一例であり、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能である。また、本実施形態の画像再生装置は、テレビ会議システムやコンピュータ等のシステムと接続することで、様々な画像再生装置を構成することができる。
<配線基板と電子源の製造方法>
次に、本実施形態の配線基板と配線基板を用いた電子源の製造方法について、図10を用いてその一例を以下に説明する。以下、基板1をガラス基板1として、第1の導体3をワイヤー3として説明する。
次に、本実施形態の配線基板と配線基板を用いた電子源の製造方法について、図10を用いてその一例を以下に説明する。以下、基板1をガラス基板1として、第1の導体3をワイヤー3として説明する。
(工程1)
まず、ガラス基板1を用意し、ガラス基板1の表面上に感光性のレジスト21を積層する(図10(A)、図10(B))。
まず、ガラス基板1を用意し、ガラス基板1の表面上に感光性のレジスト21を積層する(図10(A)、図10(B))。
レジスト21としては、ドライフィルムレジスト(DFR)、あるいは、液体レジストを
用いる。特にはドライフィルムレジストを用いるのが好ましい。
用いる。特にはドライフィルムレジストを用いるのが好ましい。
(工程2)
ついで、ガラス基板1の表面の一部であって、溝2を形成する部分のみが露出するように、フォトグラフィー法により、レジストを露光、現像する(図10(C)、図10(D))。
ついで、ガラス基板1の表面の一部であって、溝2を形成する部分のみが露出するように、フォトグラフィー法により、レジストを露光、現像する(図10(C)、図10(D))。
(工程3)
そして、露出したガラス基板1の表面(溝2を形成する部分)に溝2を形成する(図10(E))。
そして、露出したガラス基板1の表面(溝2を形成する部分)に溝2を形成する(図10(E))。
溝2の形成方法としては、ウエットエッチングやドライエッチングなど公知の手法を用いることができるが、サンドブラスト法を用いることが好ましい。サンドブラストで形成した溝2の内壁は適度に凹凸を備えるため、上述した粒子5による効果(例えば、緩衝材としての機能)をより向上することができるので好ましい。
(工程4)
次いで、レジスト21を除去した後に、溝2内に、多数の粒子5を配置する(図10(F))。
次いで、レジスト21を除去した後に、溝2内に、多数の粒子5を配置する(図10(F))。
粒子5としては、酸化シリコンの粒子5を好ましく用いることができるが、粒子5の材料は前述したように、酸化シリコンに限定されるものではない。尚、ここでは、粒子5はガラス基板1の表面の全面に渡って配置することもできるが、溝2内のみに配置することでも対応できる。
(工程5)
次いで、溝2内に、第1の導体3として、溝2の幅よりも小さい直径を備える、金属を含む導電性のワイヤー3を配設する。そして、ワイヤー3を覆うように、絶縁層6を形成する(図10(G))。
次いで、溝2内に、第1の導体3として、溝2の幅よりも小さい直径を備える、金属を含む導電性のワイヤー3を配設する。そして、ワイヤー3を覆うように、絶縁層6を形成する(図10(G))。
ワイヤー3としては、金属を主成分とするワイヤーを用いることができ、金属としては好ましくはAl、Cu、Niのいずれかを用いる。Cuワイヤーとしては酸化度合いが制御できる無酸素銅ワイヤーを用いるのが好ましい。ここでは金属ワイヤーを用いた例を説明するが、第1の導体3は金属ワイヤーに限られるものではなく、別途予め成型された導体(配線)であって、溝2内に設けることのできる導体であれば用いることができる。
尚、絶縁層6は基板1の全面に形成することもできるが、後で形成する第2の導体7との交差部のみに配置することもできる。
絶縁層6の形成は、印刷法によって形成することができる。印刷法に用いる印刷ペーストとしては絶縁性ペーストや感光性の絶縁性ペーストを用いることができる。感光性の絶縁性ペーストをもちいれば、絶縁層6を所望のパターンに形成することができる。
絶縁層6を酸化シリコンで構成する場合は、例えば、シリカゾルをスリットコーターで塗布し、酸素雰囲気中で焼成することで形成することもできる(図11(F)、図11(G
))。
))。
(工程6)
次に絶縁層6が後述の第2の導体7との交差部のみに残るようにパターニングする(図10(H))。
次に絶縁層6が後述の第2の導体7との交差部のみに残るようにパターニングする(図10(H))。
尚、絶縁層6をパターニングする必要がなければ本工程は省略することができる。
絶縁層6をパターニングする方法としては、工程5(図10(G))で感光性の絶縁性ペーストを印刷した後乾燥させ、所定のパターンに露光し現像した後、焼成することで形成することができる。或いは、前述のレジストを工程4(図10(E))で除去せずに残しておけば、工程5で基板1の全面に絶縁層6を形成した後に、レジストを除去することで絶縁層6のパターニングを行うことができる。
また、絶縁層6を、第1の導体3の酸化被膜のみで構成する場合には、工程5と工程6は省略することができる。
また、図1や図5に示すように、絶縁層6を第1の導体3のほぼ全てを覆うように設ける場合には、図1や図5に示した第1の電極8と第1の導体3との接続の為の露出部4を絶縁層6に設ける。露出部4は絶縁層6の一部を研磨するなどで除去することで形成することができる。
(工程7)
次いで、第2の電極10を基板1の表面上であって、溝2の近傍に設ける。
次いで、第2の電極10を基板1の表面上であって、溝2の近傍に設ける。
一対の電極である第2の電極10は、例えば、第2の電極10を構成する金属を含む樹脂膜を所定のパターンでガラス基板1の表面上に設け、これを酸素雰囲気中で加熱焼成することで形成することができる。第2の電極10を構成する金属としては、例えば白金を用いることができる。
前述の絶縁層6としてワイヤー3の酸化被膜を用いる場合には、当該酸化被膜の形成を上記酸素雰囲気中での焼成工程で行うことができる。勿論、酸化被膜の形成は、本工程で行うものに限定されるものではない。即ち、別の工程で、ワイヤー3の表面に酸化被膜を設けることもできる。例えば、予め酸化被膜を供えたワイヤー3を用意しておき、これを、工程5で溝2内に配設してもよい。尚、本工程7は、工程6よりも前に行うこともできる。
(工程8)
次に、第2の電極10の一方と接続する第2の導体7と、第2の電極10の他方に接続する第1の電極8とを形成することで、マトリクス配線構造を備える配線基板を形成することができる(図10(I))。
次に、第2の電極10の一方と接続する第2の導体7と、第2の電極10の他方に接続する第1の電極8とを形成することで、マトリクス配線構造を備える配線基板を形成することができる(図10(I))。
第2の導体7および第1の電極8の製造方法は特に限定されるものではないが、安価に簡易に形成するには、例えば、導電性ペーストを印刷法により所定の箇所に印刷し、焼成する方法を採用することができる。
以上の工程により、第1の導体3と第2の導体7の交差部の絶縁性が確保され、簡易な構成であり、低抵抗で、安定なマトリクス配線を形成することができる。
この後、表面伝導型電子放出素子を形成するために、一対の電極である第2の電極10
間に導電性膜11を設け、その後、第2の導体7と第1の導体3とを介して公知のフォーミング工程や活性化工程などの通電工程を行う。このようにすることで、高精細で、特性バラツキが少なく、放出される電子軌道の変動が少ない良好な電子源を形成することができる。良好な電子源を形成できる要因の一つには、断面積が広く低抵抗なワイヤーなどの第1の導体3を溝2内に安定に設けることができるので、各電子放出素子に供給する電圧のバラツキを少なくすることができることが挙げられる。また、別の要因としては、基板1に予め設けた溝2内に低抵抗なワイヤーを配設することができるので、簡易に高精度な配線を作れ、また、配線の上端と基板1の表面との距離を抑制できるので、放出される電子の軌道に対する配線の影響を抑制することができる事が挙げられる。
間に導電性膜11を設け、その後、第2の導体7と第1の導体3とを介して公知のフォーミング工程や活性化工程などの通電工程を行う。このようにすることで、高精細で、特性バラツキが少なく、放出される電子軌道の変動が少ない良好な電子源を形成することができる。良好な電子源を形成できる要因の一つには、断面積が広く低抵抗なワイヤーなどの第1の導体3を溝2内に安定に設けることができるので、各電子放出素子に供給する電圧のバラツキを少なくすることができることが挙げられる。また、別の要因としては、基板1に予め設けた溝2内に低抵抗なワイヤーを配設することができるので、簡易に高精度な配線を作れ、また、配線の上端と基板1の表面との距離を抑制できるので、放出される電子の軌道に対する配線の影響を抑制することができる事が挙げられる。
尚、本発明に適用することのできる電子放出素子としては、カーボンナノチューブなどのカーボンファイバーを用いた電界放出型電子放出素子や、MIM型電子放出素子などを用いることができる。
<実施例>
以下に本発明の実施例を示す。
以下に本発明の実施例を示す。
<実施例1>
図1〜図4に示したワイヤー埋め込みマトリクス配線を図10のフロー図のプロセスで形成した。
図1〜図4に示したワイヤー埋め込みマトリクス配線を図10のフロー図のプロセスで形成した。
ガラス基板1にドライフィルムレジストを積層し、フォトグラフィー法により、溝2形成する部分のレジスト21を溶解し、サンドブラスト法を用いて溝2の幅を150ミクロン、溝深さを120ミクロンの溝2を形成した。
本実施例においては、溝2形成後に、ガラス基板1の溝2を形成した面の全面に、SiO2膜をスパッタリング法で形成した。係るSiO2膜の形成は、省略することもできるが、これを設けると表面放出型電子源に有害となる基板1からのアルカリの拡散を防ぐことに有効であるため、好ましい。
その後、ドライフィルムレジストを剥離し、次に、直径が1ミクロンのシリカの球状粒子5を有機溶媒液中に分散させ、スプレー法にてガラス基板1の溝2を形成した面の全面に散布し、1mm2あたりに100個以上500個以下(ここでは1mm2あたりに50個)配置した。
この球状粒子5は、溝2内に設けるワイヤー3を点で支える役目を備える。また、粒径は、溝2の内壁とワイヤー3との間に空間をつくるために、溝2及びワイヤー3の直径により適宜設定することができる。
次いで、溝2内に直径100ミクロンの無酸素銅のワイヤー3(走査配線)を配設した。ワイヤーは、抵抗率の小さい金属であれば、特に、無酸素銅に限定されるものではない。
次に、溝2及び配置されたワイヤー3を覆うように感光性材料を混入した絶縁性ペーストを全面形成し、フォトリソグラフィー法を用い、コンタクトホールを備えたパターンを形成し焼成を行い、幅140ミクロン、厚さ25ミクロンの絶縁層6を形成した。
尚、粒子5の粒径の選定にあたっては、溝2の内壁とワイヤー3との間のギャップを小さく(粒子5の粒径を小さく)することで、絶縁性ペーストが溝2の内壁とワイヤー3との間のギャップを完全に埋めない(溝2の内壁とワイヤー3間に空間が出来る)ように選
定する。
定する。
次いで、白金製の第2の電極10を形成し、次いで、ワイヤー3と電極10のコンタクト部分を作製するため、サンドブラスト法を用いて第2の電極10の一方とワイヤー3とが接続できるように絶縁層6の一部を除去した(接続部を形成した)。
次に、第2の導体7(信号配線)をAgペーストを用いて第2の電極10の一方と接続するように、幅30ミクロン膜厚30ミクロンで印刷法を用いて形成した。また、同時に、第2の電極10の他方とワイヤー3とを接続する第1の電極8も第2の導体7と同時にAgペーストを用いて印刷法を用いて形成した。
次に、一対の電極である第2の電極10の間にPdからなる導電性膜11をインクジェット法を用いて形成した。
その後、第1の導体3と第2の導体7との間に電圧を印加することで一対の電極である第2の電極10の間の導電性膜11に間隙12を形成した(フォーミング処理を行った)。
その後、炭素含有ガスを含む雰囲気中で、第1の導体3と第2の導体7との間に電圧を印加することで、導電性膜11の間隙12内およびその近傍に炭素膜を形成した(活性化処理を行った)。
以上の工程で表面伝導型電子放出素子を備える電子源を形成した。本実施例で作成したマトリクス配線をそなえる電子源は、製造プロセスにおける熱工程での応力発生による、ガラス基板1表面へのマイクロクラックの発生を抑制することができた。また、フォーミング工程や活性化工程さらには、駆動時においても、ワイヤー3のガラス基板1からの剥がれやガラス基板1のダメージも抑制することができ、長期に渡って良好な駆動を行うことができた。
<実施例2>
図5〜図7に示した配線構造を備えるガラス基板1を図11のフローで形成した。
図5〜図7に示した配線構造を備えるガラス基板1を図11のフローで形成した。
実施例1と同様に、溝2を備えるガラス基板1を形成し、その後、ガラス基板1の溝2を形成した面の全面に、シリカからなる直径が0.1ミクロンの球状粒子5を、1mm2あたりに500個で配置した(図11(A)〜図11(E))。
その後、走査配線としての無酸素銅のワイヤー3を溝2内に配置した。
次に、溝2及びワイヤー3を覆うようにシリカコート材をスリットコート法で成膜し、大気雰囲気中において仮焼成した(絶縁層6の形成)。尚、溝2の内壁とワイヤー3との間のギャップがシリカコート材では埋まらないことを確認した(溝2の内壁とワイヤー配線3との間に粒子5による隙間12が維持された)。
その後、ドライフィルムレジストを剥離し、第2の電極10とのコンタクト部分を作製するため、再度ドライフィルムレジストを積層した。露光・現像によりコンタクト部分のみのレジスト21を溶解し、サンドブラスト法を用いて露出部4となる接続部分のみワイヤー3の表面が露出するようににシリカ層である絶縁層6を一部除外した。
その後、ドライフィルムレジストの剥離を行い、次に、白金製の電極10を形成した。
次に、実施例1と同様に、第1の電極8と信号配線としての第2の導体7とをAgペーストを用いて形成し、さらに、導電性膜11を配置した後フォーミング処理及び活性化処理を行ってマトリクス状に多数電子放出素子が配列された電子源を形成した。
そして、このように作成した電子源に対向するように蛍光体膜84とアルミからなるメタルバック85を備えるフェースプレート86を配置し、図8に示す画像表示装置を形成した。そして、各信号第2の導体7と各走査配線3に適宜所定の電圧を印加することで画像を表示させたところ、長期に渡って安定な画像を得ることができた。また、製造時および駆動時に発生する熱に対しても、走査配線であるところのワイヤー3がガラス基板1から剥がれることや、ガラス基板1の表面に微細なクラックが入ることもなかった。
以上説明したように、本実施例によれば、ガラスなどの基板1表面に設けた溝2内に、低抵抗なワイヤーなどの断面積が大きいあるいはバルクの金属に近い配線を設けても、配線基板の熱工程時の膨張や収縮がおこっても、基板1や配線(第1の導体3、第2の導体7)のダメージを抑制することができる。その結果、材料、プロセス面からローコストで、かつ、高精細なマトリクス配線構造を形成することが可能であり、極めて良好なフラットパネルディスプレイを形成することが可能である。
1 基板(ガラス基板)
2 溝
3 第1の導体(導電性のワイヤー)
4 露出部
5 粒子
6 絶縁層
7 第2の導体(配線)
8 第1の電極
9 酸化シリコン層(絶縁層)
2 溝
3 第1の導体(導電性のワイヤー)
4 露出部
5 粒子
6 絶縁層
7 第2の導体(配線)
8 第1の電極
9 酸化シリコン層(絶縁層)
Claims (13)
- 表面に溝を備える基板と、
該溝に沿って、該溝内に配置された第1の導体と、
前記第1の導体と交差して前記第1の導体上に配置された第2の導体と、
を備えた配線基板と、
前記配線基板上に配置され、前記第1の導体及び第2の導体と電気的に接続された複数の電子放出素子と、
を備え、
前記第1の導体と前記溝の内壁との間に粒子が配置されている、
ことを特徴とする電子源。 - 前記粒子の熱膨張係数の値は、前記第1の導体の熱膨張係数の値と前記基板の熱膨張係数の値との間の値であることを特徴とする請求項1に記載の電子源。
- 前記粒子の粒径が、0.01ミクロン以上5ミクロン以下であることを特徴とする請求
項1または請求項2に記載の電子源。 - 前記第1の導体が、金属を含む導電性のワイヤーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子源。
- 前記金属が、Cu、Ni、Alのいずれかであることを特徴とする請求項4に記載の電子源。
- 電子源と、該電子源から放出された電子が照射されることで発光する発光体とを備える画像表示装置であって、前記電子源が請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子源であることを特徴とする画像表示装置。
- 放送信号および電気通信回線を経由した信号の少なくとも一方を受信する受信装置と該受信装置に接続した画像表示装置とを少なくとも備える画像再生装置であって、前記画像表示装置が請求項6に記載の画像表示装置であることを特徴とする画像再生装置。
- 表面に溝を備える基板と、
該溝に沿って、該溝内に配置された第1の導体と、
を備えた配線基板であって、
前記第1の導体と前記溝の内壁との間に粒子が配置されている、
ことを特徴とする配線基板。 - 前記粒子の熱膨張係数の値は、前記第1の導体の熱膨張係数の値と前記基板の熱膨張係数の値との間の値であることを特徴とする請求項8に記載の配線基板。
- 前記粒子の粒径が、0.01ミクロン以上5ミクロン以下であることを特徴とする請求
項8または請求項9に記載の配線基板。 - 前記第1の導体が、金属を含む導電性のワイヤーで構成されていることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記金属が、Cu、Ni、Alのいずれかであることを特徴とする請求項11に記載の配線基板。
- 請求項8乃至12のいずれか1項に記載の配線基板を備える電子デバイス。
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