JP2008010151A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】絶縁材料製試料の種類等に応じて完全な中和が出来るようにした荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡に備えられた除電機構は、ガスボンベに繋がったガス流量調整弁18、開閉弁17、コロナ放電器19、ガス導入管15及びメモリ20を備える。ガス流量調整弁18は、回転羽18Dを取り付けた回転軸18Eがその中心軸方向に設けられた円筒体18Aと、回転軸18Eに対して円筒体18A壁の対向する位置に開けられた一方の孔に繋がった接続管18Bと、他方の孔に繋がった接続管18Cから成る。メモリ20は、絶縁材料製試料の種類及び観察条件によって変わる試料表面の帯電状況に応じた導入ガス量に関するデータが格納されている
【選択図】図2

Description

本発明は除電装置を備えた荷電粒子ビーム装置に関する。
走査型電子顕微鏡は解像度の高い画像を得ることが可能であるが、観察される試料によって帯電現象に基づく画質の低下という問題を抱えている。即ち、試料が絶縁性材料から成る場合、電子線照射により試料表面が帯電してしまう。この様な帯電により、試料の二次電子放出が低下し、結果的に二次電子像の画質が低下してしまう。
このような問題に対処するために、観察すべき試料表面近傍にガスを導入し、試料表面に照射される一次電子ビームによりこのガスをイオン化させ、このイオンにより試料表面に帯電した電子を中和させる除電機構を備えた走査型電子顕微鏡が開示(特開2002−134057号公報参照)されている。
図1は、この様な走査電子顕微鏡の一概略例を示したものである。
図中1は電子銃、2,3は、前記電子銃1からの電子ビーム4を試料5上に集束させるための集束レンズ、対物レンズである。
図中6は、走査信号発生器7からの二次元的走査信号により、電子ビームで前記試料5表面上を二次元的に走査させる偏向器である。尚、偏向器は1個しか示さなかったが、実際には、X方向偏向用のものと,Y方向偏向用の偏向器が備えられている。
図中8は前記試料5から発生した二次電子9を検出する二次電子検出器で、該二次電子検出器の出力は増幅器10を介して制御装置11に送られる。
該制御装置11は、送られて来た二次電子信号に所定の信号処理を施して陰極線管12に送り、その画面上に前記試料5の二次電子像を表示させたり、前記走査信号発生回路7に走査指令を送る等、各種処理や各種指令を行うものである。
尚、前記電子銃1,集束レンズ2,対物レンズ3,偏向器6等は電子光学鏡筒100内に設けられている。
図中13は前記試料5を載置するための試料台で、該試料台13はステージ14上に取り付けられている。
図中15は前記試料5表面近傍にガス(例えば、窒素ガス)を送るためのガス導入管で、その先端は試料表面近傍に位置し、反対側端部は試料室101の外部に設けられたガスボンベ(図示せず)に繋がれており、前記試料室101壁に取り付けられた支持体16に支持されている。このガス導入管の試料室外部側には、ガスボンベ(図示せず)に繋がる開閉弁17が設けられており、この開閉弁17とガスボンベ(図示せず)との間にはガス導入圧力調整用のニードルバルブ(図示せず)が配置されている。
尚、前記試料5,二次電子検出器8、試料台13,及びステージ14は前記試料室101内に設けられており、前記鏡筒100は前記試料室101上に載置されている。
上記の様に構成された走査型電子顕微鏡は以下の様に動作する。
電子銃1から発生した電子ビーム4は集束レンズ2と対物レンズ3により試料5上に集束される。この電子ビーム4は偏向器6により試料表面上を二次元的に走査する。
この走査により、前記試料5から発生した二次電子9は二次電子検出器8で検出され、該検出器の出力信号は増幅器10を介して制御装置11に送られる。
該制御装置11は送られて来た二次電子信号に所定の信号処理を施し、陰極線管12に送るので、該陰極線管12の画面上には前記試料5の二次電子像が表示させる。
さて、前記試料5が絶縁材料から成る場合には、該試料5表面近傍にガス導入管15を介してガスが導入される。その為、前記試料5上に照射される電子ビーム4は、試料表面近傍において前記ガスと衝突する。この衝突によりガス分子は、外殻電子が外に弾き出されて正イオン化する。従って、試料表面上に電子が照射されると、該試料表面は負に帯電する筈であるが、この正イオン化したガス分子により、前記試料5表面が電荷的に中和の状態となる。
この中和と試料表面での電子ビーム走査が同時に行われているので、試料が絶縁材料から成る場合、帯電による二次電子像の画質の低下はない。
特開2002−134057号公報
所で、試料が絶縁材料から成る場合、その絶縁材料の種類や試料観察条件等により絶縁試料表面の帯電状態が変化するので、前記絶縁材料の種類や観察条件等に拘わらず一定量のガスを供給すると、中和が充分に行われずに、試料表面が負の帯電の状態になったり、逆に、正に帯電の状態になったりする。
その為、試料を成す絶縁材料試料の種類や観察条件等に応じて適切な量のガスが導入されなければならないのであるが、この様なガス導入流量の調整は、ニードルバルブ(図示せず)を人手によりコントロールして行っていた。
しかし、この様な調整では中和のためのガス導入量のコントロールを正確に行うのが難しく、絶縁材料製試料表面の中和を充分に行うことが困難であった。
本発明は、この様な問題点を解決するために成されたもので、絶縁材料製試料の種類や観察条件等に応じて試料が充分に中和され且つを応答性良く中和可能な新規な除電機構を備えた荷電粒子ビーム装置を提供することを目的とするものである。
本発明の荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビーム発生手段、該荷電粒子ビーム発生手段からの荷電粒子ビームを被ビーム照射物質表面の所定箇所に照射する照射手段、イオン化用ガス発生手段、及び、該イオン化用ガス発生手段からのガスを前記被ビーム照射物質表面近傍に導くガス導入管を備えた荷電粒子ビーム装置において、前記イオン化用ガス発生手段とガス導入管の間に、予め絶縁材料製被ビーム照射物質の材質及び/若しくは形状及び/若しくは加速電圧等の観察条件に応じて設定されたガス流量に基づいてガス流量をコントロールするガス流量調整手段、及び、前記イオン化用ガス発生手段からのガスをイオン化するイオン化手段を設けたことを特徴とする。
本発明の荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビーム発生手段、該荷電粒子ビーム発生手段からの荷電粒子ビームを被ビーム照射物質表面に集束する集束手段、該荷電粒子ビームで該被ビーム照射物質表面の所定領域を走査させるための偏向手段、該走査により被ビーム照射物質表面から発生した二次的荷電粒子を検出する検出手段、該検出手段の出力信号に基づいて二次的荷電粒子像を表示する表示手段、イオン化用ガス発生手段、及び、該イオン化用ガス発生手段からのガスを前記被ビーム照射物質表面近傍に導くガス導入管を備えた荷電粒子ビーム装置において、前記イオン化用ガス発生手段とガス導入管の間に、予め絶縁材料製被ビーム照射物質の材質及び/若しくは形状及び/若しくは加速電圧等の観察条件に応じて設定されたガス流量に基づいてガス流量をコントロールするガス流量調整手段、及び、前記イオン化用ガス発生手段からのガスをイオン化するイオン化手段を設けたことを特徴とする
本発明によれば、絶縁材料製被ビーム照射物質の種類や観察条件に応じて被ビーム照射物質表面を充分に中和を行うためのガス量を正確に且つ、応答性良く被ビーム照射物質に送ることが出来るので、絶縁材料製被ビーム照射物質の種類や観察条件に拘わらず、絶縁材料製被ビーム照射物質の被ビーム面を充分に中和することが出来る。
以下、図面に従って本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図2は、本発明の荷電粒子ビーム装置の一実施形態に係わる走査電子顕微鏡の1概略例を示したものである。図中、図1にて使用した記号と同一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
図2に示す走査電子顕微鏡が図1に示す走査電子顕微鏡に対して構成上異なる点は除電機構の構成にある。
図2に示す例においては、前記図1に示す除電機構で使用されていたガス導入圧力調整用のニードルバルブは使用せず、ガスボンベ(図示せず)からのガス(例えば、窒素ガス)の流量を自動的に調整して開閉弁17に送るガス流量調整弁18を使用する。
このガス流量調整弁18は、中央部の本体は円筒体18Aを成し、その対向する左右部の壁面にそれぞれ接続管18B,18Cに繋がる孔が開けられている。図3は、前記円筒体18Aの中心軸に垂直な前記ガス流量調整弁18の断面を表したものである。
前記円筒体18Aには、その中心軸に重なる様に回転羽18Dが取り付けられた回転軸18Eが設けられている。
前記接続管18Bの反円筒体側にはガスボンベ(図示せず)が繋がれており、前記接続管18Cの反円筒体側には開閉弁17が繋がっている。尚、この例では回転羽として2枚のものを上げたが、3枚羽のものでも、それ以上の羽から成るものでも良い。又、中心部の本体は円筒体18Aで成したが、球体で成しても良い。
前記図2において、19は、前記ガス流量調整弁18及び開閉弁17を介して送られてくるガスをイオン化するコロナ放電器である。
前記ガス流量調整弁18,開閉弁17及びコロナ放電器19は、何れも、制御装置11の指令に従って作動する。
前記図2において、20は、絶縁材料製試料の種類(試料の材質や形状等)、及び/若しくは、一次電子の加速電圧及び走査速度等に基づく観察条件によって変わる試料表面の帯電状況に応じたガス流量に関するデータが格納されたメモリ20である。実際には、ガス流量は、前記ガス流量調整弁18の回転軸18Eの回転数で決まるので、該回転軸の駆動用モーター(図示せず)の回転数と回転時間等のデータが格納されており、前記制御装置11の指令により絶縁材料製試料の種類や観察条件に合った回転数などのデータが読み出され、駆動モーター(図示せず)に与えられる様に成っている。
この様な構成の装置において、電子銃1から発生した電子ビーム4は集束レンズ2と対物レンズ3により試料5上に集束される。この電子ビーム4は、偏向器6により試料5表面上を二次元的に走査する。
この走査により、前記試料5から発生した二次電子9は二次電子検出器8で検出され、この二次電子検出器8の出力信号は、増幅器10を介して制御装置11に送られる。
制御装置11は送られて来た二次電子信号に所定の信号処理を施し、陰極線管12に送る。該陰極線管12は画面上に試料の二次電子像を表示する。
さて、絶縁材料製試料を観察する場合、制御装置11は、開閉弁17とコロナ放電器19に作動指令を発する。
又、同時に、前記制御装置11は、ガス流量調整弁18を作動させる指令、即ち、観察すべき絶縁材料製試料の種類や観察条件に対応した駆動モータ(図示せず)の回転数と動作時間を設定するデータをメモリ20から読み出し、このデータをガス流調整弁18の駆動モータ(図示せず)に与える。
すると、ガスボンベ(図示せず)からのガス(例えば、窒素ガス)が接続管18Bを通じて円筒体18A内に流入する。この際、前記ガス流量調整弁18の回転軸18Eは、前記設定された回転数で回転するので、観察すべき絶縁材料製試料の充分な中和に適するガス量が接続管18Cを通じて開閉弁17に供給される。
この様に該開閉弁17に送られてきたガスは、コロナ放電器19に流入し、ここでイオン化される。該イオン化されたガスは、ガス導入管15を通じて絶縁材料製試料5上に噴射される。
この時、該試料5表面上の所定領域が電子ビーム4で走査される、該走査された試料表面領域は負に帯電しょうとするが、前記試料5上にイオン化ガスが噴射されているので、前記試料表面領域は負に帯電することなく、電荷的に中和の状態となる。従って、電子ビームは帯電のない状態の絶縁材料製試料の表面を走査することになり、該走査に基づいて得られる二次電子像に帯電に基づく画質の低下は発生しない。
絶縁材料製試料の観察が終了したら、前記回転時間に基づいて前記駆動用モータ(図示せず)は作動停止するので、該流量調整弁18の回転羽18Dは停止し、更に、前記制御装置11からの指令により前記開閉弁17及びコロナ放電器19も作動停止する。
尚、前記ガス導入管15内壁を導電性の材料で形成すると、前記コロナ放電器19でイオン化したガスの一部が該ガス導入管15内壁に付着し、試料表面に送るべきガス量が減少する恐れがあるので、前記ガス導入管15の内壁を非導電性材料でコーティング処理したり、該ガス導入管15自体を非導電性材料することが好ましい。
尚、前記例ではガスをイオン化する手段としてコロナ放電器を挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、アーク放電器,グロー放電器,或いは、マイクロ波発振器等をイオン化手段として使用しても良い。
又、前記例では、ガスとして窒素を使用する場合を挙げて説明したが、他のガス、例えば、酸素ガス等を使用しても良い。
又、前記例では、ガスボンベ(図示せず)からのガスをガス流量調整弁18,開閉弁17,コロナ放電器19の順に配設し、前記ガス導入管15にイオン化したガスを導く様に成したが、前記ガス流量調整弁18,開閉弁17,コロナ放電器19の配置順序をどの様に変えても構わない。
又、本発明は走査型電子顕微鏡に応用した例を挙げて説明したが、本発明は他の荷電粒子ビーム装置、例えば、電子ビーム描画装置や集束イオンビーム装置等にも応用可能であることは言うまでもない。
除電機構を備えた走査電子顕微鏡の一概略例を示したものである。 本発明の荷電粒子ビーム装置の一実施形態に係わる走査電子顕微鏡の1概略例を示したものである。 図2に示す走査電子顕微鏡の一部詳細図である。
符号の説明
1…電子銃
2…集束レンズ
3…対物レンズ
4…電子ビーム
5…試料
6…偏向器
7…走査信号発生器
8…二次電子検出器
9…二次電子
10…増幅器
11…制御装置
12…陰極線管
13…試料台
14…ステージ
16…ガス導入管
16…支持体
17…開閉弁
18…ガス流量調整弁
18A…円筒体
18B…接続管
18C…接続管
18D…回転羽
18E…回転軸
19…コロナ放電器
20…メモリ
100…電子光学鏡筒
101…試料室

Claims (7)

  1. 荷電粒子ビーム発生手段、該荷電粒子ビーム発生手段からの荷電粒子ビームを被ビーム照射物質表面の所定箇所に照射する照射手段、イオン化用ガス発生手段、及び、該イオン化用ガス発生手段からのガスを前記被ビーム照射物質表面近傍に導くガス導入管を備えた荷電粒子ビーム装置において、前記イオン化用ガス発生手段とガス導入管の間に、予め絶縁材料製被ビーム照射物質の材質及び/若しくは形状及び/若しくは加速電圧等の観察条件に応じて設定されたガス流量に基づいてガス流量をコントロールするガス流量調整手段、及び、前記イオン化用ガス発生手段からのガスをイオン化するイオン化手段を設けた荷電粒子ビーム装置。
  2. 荷電粒子ビーム発生手段、該荷電粒子ビーム発生手段からの荷電粒子ビームを被ビーム照射物質表面に集束する集束手段、該荷電粒子ビームで該被ビーム照射物質表面の所定領域を走査させるための偏向手段、該走査により被ビーム照射物質表面から発生した二次的荷電粒子を検出する検出手段、該検出手段の出力信号に基づいて二次的荷電粒子像を表示する表示手段、イオン化用ガス発生手段、及び、該イオン化用ガス発生手段からのガスを前記被ビーム照射物質表面近傍に導くガス導入管を備えた荷電粒子ビーム装置において、前記イオン化用ガス発生手段とガス導入管の間に、予め絶縁材料製被ビーム照射物質の材質及び/若しくは形状及び/若しくは加速電圧等の観察条件に応じて設定されたガス流量に基づいてガス流量をコントロールするガス流量調整手段、及び、前記イオン化用ガス発生手段からのガスをイオン化するイオン化手段を設けた荷電粒子ビーム装置。
  3. ガス流量調整手段は、対向する位置にそれぞれイオン化用ガス流入用接続管とイオン化ガス流出用接続管が繋がれた円筒体から成り、該円筒体の中心軸に平行に回転羽を取り付けた回転軸が設けられている請求項1若しくは2記載の荷電粒子ビーム装置。
  4. ガス流量調整手段は、対向する位置にそれぞれイオン化用ガス流入用接続管とイオン化ガス流出用接続管が繋がれた球筒体から成り、該球筒体の中心軸に平行に回転羽を取り付けた回転軸が設けられている請求項1若しくは2記載の荷電粒子ビーム装置。
  5. 前記回転軸の回転数を調整することによりガス流量をコントロールする様に成した請求項3若しくは4記載の荷電粒子ビーム装置。
  6. 前記絶縁材料製被ビーム照射物質の材質及び/若しくは形状及び/若しくは加速電圧等の観察条件に応じたガス流量データは、予め、テーブル化して記憶手段に記憶されており、該記憶手段から被ビーム照射物質の材質及び/若しくは形状及び/若しくは加速電圧等の観察条件に応じたガス流量データは読み出されて、前記ガス流量調整手段が制御されるように成した請求項1若しくは2記載の荷電粒子ビーム装置。
  7. 前記ガス導入管の少なくとも内壁が非導電性材料から成る請求項1若しくは2の記載の荷電粒子ビーム装置。
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