JP2007535131A - スラリーの還流を減少したケミカルメカニカルポリッシング方法 - Google Patents
スラリーの還流を減少したケミカルメカニカルポリッシング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007535131A JP2007535131A JP2006543881A JP2006543881A JP2007535131A JP 2007535131 A JP2007535131 A JP 2007535131A JP 2006543881 A JP2006543881 A JP 2006543881A JP 2006543881 A JP2006543881 A JP 2006543881A JP 2007535131 A JP2007535131 A JP 2007535131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- speed
- article
- backmixing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
- B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Abstract
Description
発明の概要
本発明の第一の態様は、研磨層と研磨媒体とを用いて物品の表面を研磨する方法であって、(a)物品の表面と研磨層との間の研磨媒体のバックミキシングのために物品の臨界回転速度を決定し、研磨媒体を物品の表面と研磨層との間に存在するように研磨媒体を提供する工程、(b)表面が第一の回転軸を中心に第一の回転速度で回転するように、物品を回転させる工程、(c)第一の回転軸に対する速度で研磨層を動かす工程、及び、(d)表面を第一の回転速度で回転させ、研磨層がその速度で動くとき、臨界回転速度より小さい速度で回転する物品に研磨が生じるように、第一の回転速度と研磨層の速度の少なくとも一つを選択する工程、を含む方法である。
図を参照して、図1は、本発明で使用するのに適した二軸式ケミカルメカニカルポリッシング(CMP)の研磨装置100を示す。研磨装置100は、スラリー116やその他の液体研磨媒体の存在下においてウェーハの被研磨面の研磨に効果があるようにするために、物体、例えば、(加工された、あるいは加工されていない)半導体ウェーハ112やその他の加工品、とりわけ、ガラス、フラットパネルディスプレイ及び磁気情報記憶ディスクのような物品を係止するのに適切な形状をした研磨層108を有する研磨パッド104を含む。便宜的に、「ウェーハ」と「スラリー」という用語は、一般性を欠かずに以下の説明に用いられる。加えて、特許請求の範囲を含む本明細書の目的のため、「ウェーハ」と「スラリー」という用語は、砥粒を含まない反応性液体研磨溶液を除外するものではない。以下で詳細に議論するように、本発明は、一般的にウェーハの回転方向が研磨パッドの回転方向と反対であるパッドとウェーハの間の領域中の、スラリー116中に存在するバックミキシングの発生と広がりを制御するために、研磨パッド104とウェーハ112の回転速度を選択する方法を含む。
のときには生じないことがわかった。ここで、Ωwafercriticalは、それより下ではバックミキシングが発生しないウェーハ112の臨界回転速度;Ωpadは、研磨パッド104の回転速度;Sはウェーハの回転軸136とパッドの回転軸124の間の離間距離;及びRwaferは研磨されるウェーハの被研磨面120(図1参照)の半径である。離間距離Sは、離間距離Sの中には典型的には10%未満の変化量のウェーハ112の端から端への小さな揺動がしばしば存在するが、多くの典型的なCMP研磨装置では実質的に一定にされていることに留意されたい。しかし、言うまでも無く、本発明を利用する研磨装置に可変性を組み込むことはできない。このような揺動が存在すると、揺動の二つの極端な場合の離間距離Sの値を交互に用いて、式(1)から得られる値の間でウェーハ112の臨界回転速度は揺動する。それに加え、ウェーハ112の被研磨面、すなわち、研磨される物品が、円として表され、したがって真の半径を有することに留意されたい。被研磨面は、その他の形、例えば、とりわけ楕円形や多角形であることができる。この場合には、そのような表面は真の半径を有しないが、有効半径を有すると考えられるだろう。一般的に、有効半径は、研磨される物品の表面の回転軸から、その回転軸から最も遠いこの表面の点までの距離として定義される。
ここで、Ωwaferは、ウェーハ112の回転速度であり、その他の変数は式{1}に関して上記と同様である。バックミキシング領域のサイズを調整するため、例えば、バックミキシングが好ましいCMPプロセスを最適化するため、又はCMP技術の当業者にはありふれた「エッジ効果」を制御するために、距離Dで表されるようなバックミキシング領域152の広がりを知ることは有用であることができる。更に、バックミキシング領域152は、一般的に、破線の円164とウェーハ112の外縁160とで囲まれる領域によって近似される。破線の円164の式は、
ここで、変数は、式{1}と{2}に関連して上記で定義されたとおりである。
ここで、Kchemは、化学的作用による材料の除去に関する定数であり;Kmechは機械的作用による材料の除去に関する定数であり;Pはウェーハとパッドとの間に印加する圧力であり;及びVpad−waferはパッドとウェーハとの速度の差である。バックミキシングが存在するとき、化学作用定数Kchemの値は、バックミキシングが存在するパッドとウェーハの間の場所とバックミキシングが存在しない場所とでは異なる。プレストン式からわかるように、この差は除去速度の不均一性を導く。もし研磨くず自体が研磨媒体として作用するならば、又はもし使用済み砥粒の粒子が、存在するときに新鮮な粒子より実質的に低い機械的作用を有するならば、機械的作用定数Kmechの値もまた、バックミキシングと非バックミキシング領域の間で異なるかもしれない。
二軸式研磨装置100(図1−3)に関連して、ウェーハの半径Rwaferについて上で議論したように、もしウェーハ212の被研磨面又は他の物品が円ではないならば、R′waferのために用いられた値は実効半径であっても良い。また、上述の二軸式研磨装置100と同様に、バックミキシングモード又は非バックミキシングモードのいずれかでベルト研磨装置220を運転するように、研磨ベルト速度Ubelt若しくはウェーハ回転速度Ω′wafer、又は両方を変えることができる。特定の用途のためにどちらの運転モードがより好ましいかを選択する理由は、二軸式研磨装置100に関連して上で議論したことと同様である。
Claims (10)
- 研磨層と研磨媒体とを用いて物品の表面をケミカルメカニカルポリッシングする方法であって、
(a)物品の表面と研磨層との間の研磨媒体のバックミキシングのために物品の臨界回転速度を決定し、研磨媒体が物品の表面と研磨層との間に存在するように研磨媒体を提供する工程、
(b)表面が第一の回転軸を中心に第一の回転速度で回転するように、物品を回転させる工程、
(c)第一の回転軸に対する速度で研磨層を動かす工程、及び、
(d)表面を第一の回転速度で回転させ、研磨層がその速度で動くとき、臨界回転速度より小さい速度で回転する物品に研磨が生じるように、第一の回転速度と研磨層の速度の少なくとも一つを選択する工程、
を含む方法。 - 工程(c)が、第二の回転軸を中心に研磨層を回転させることを含む、請求項1記載の方法。
- 第二の回転軸が、離間距離だけ第一の回転軸から離間し、工程(d)が、離間距離の関数として、第二の回転速度と第一の回転速度の少なくとも一つを決定すること含む、請求項2記載の方法。
- 物品の表面が実効半径を有し、工程(d)が、離間距離の関数として、第二の回転速度と第一の回転速度の少なくとも一つを決定することを更に含む、請求項3記載の方法。
- バックミキシングが溝の中で生じないように、研磨媒体の少なくとも一部を研磨層中の溝を通して流す、請求項1記載の方法。
- 工程(c)が、研磨層を線形速度で直線的に動かすことを含む、請求項1記載の方法。
- 物品の表面が実効半径を有し、工程(d)が、実効半径の関数として、第一の回転速度と線形速度の少なくとも一つを決定することを含む、請求項6記載の方法。
- 第一の回転軸を中心に第一の回転速度で物品を回転させ、研磨層をある速度で第一の回転軸に対して動かしながら、研磨層を用いて物品の表面をケミカルメカニカルポリッシングする方法であって、
(a)自己維持化学のためのバックミキシングモードと、非自己維持化学のための非バックミキシングモードとのうちの一つを選択する工程、及び、
(b)工程(a)で選択したバックミキシングモードと非バックミキシングモードのうちの一つに基づいて、物品の第一の回転速度と研磨層の速度との少なくとも一つを選択する工程、
を含む方法。 - 研磨層が、離間距離だけ第一の回転軸から離間した第二の回転軸の中心に研磨層が回転し、工程(b)が、離間距離の関数として、第二の回転速度と第一の回転速度の少なくとも一つを決定することを含む、請求項8記載の方法。
- 欠陥を減少するために非バックミキシングモードを含む、請求項8記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/734,945 US6843709B1 (en) | 2003-12-11 | 2003-12-11 | Chemical mechanical polishing method for reducing slurry reflux |
US10/734,945 | 2003-12-11 | ||
PCT/US2004/040219 WO2005061178A1 (en) | 2003-12-11 | 2004-12-02 | Chemical mechanical polishing method for reducing slurry reflux |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007535131A true JP2007535131A (ja) | 2007-11-29 |
JP4996924B2 JP4996924B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=33565392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006543881A Active JP4996924B2 (ja) | 2003-12-11 | 2004-12-02 | スラリーの還流を減少したケミカルメカニカルポリッシング方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6843709B1 (ja) |
EP (1) | EP1699596B1 (ja) |
JP (1) | JP4996924B2 (ja) |
KR (1) | KR101108724B1 (ja) |
CN (1) | CN1890055B (ja) |
DE (1) | DE602004016885D1 (ja) |
TW (1) | TWI335257B (ja) |
WO (1) | WO2005061178A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050164603A1 (en) * | 2004-01-22 | 2005-07-28 | House Colby J. | Pivotable slurry arm |
US6974372B1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad having grooves configured to promote mixing wakes during polishing |
US6958002B1 (en) * | 2004-07-19 | 2005-10-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with flow modifying groove network |
US7131895B2 (en) * | 2005-01-13 | 2006-11-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP pad having a radially alternating groove segment configuration |
US7311590B1 (en) | 2007-01-31 | 2007-12-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to retain slurry on the pad texture |
US7520798B2 (en) * | 2007-01-31 | 2009-04-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption |
US9108293B2 (en) * | 2012-07-30 | 2015-08-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing layer pretexturing |
CN103213062B (zh) * | 2013-03-15 | 2015-12-09 | 上海华力微电子有限公司 | 化学机械研磨设备 |
CN107887265A (zh) * | 2016-09-23 | 2018-04-06 | 清华大学 | 抛光设备的抛光方法 |
CN108098564B (zh) * | 2017-12-20 | 2019-10-01 | 何银亚 | 一种半导体晶圆用化学机械抛光设备 |
CN110116340A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-08-13 | 湖南大合新材料有限公司 | 一种碲锌镉晶片的抛光工艺 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250455A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-09-27 | Texas Instr Inc <Ti> | 化学機械的に研磨される半導体ウェーハ面から汚染粒子を除去する方法および装置 |
JPH09150367A (ja) * | 1995-04-26 | 1997-06-10 | Fujitsu Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
JPH09298176A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Canon Inc | 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 |
JP2000288927A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Sony Corp | 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法 |
JP2002343753A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Nikon Corp | シミュレーション方法及び装置、加工装置、加工システム、並びに半導体デバイス製造方法 |
JP2003071708A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-12 | Sony Corp | 研磨方法および研磨装置 |
JP2003077870A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-03-14 | Wacker Siltronic Ag | 半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5020283A (en) * | 1990-01-22 | 1991-06-04 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with uniform abrasion |
US5486129A (en) * | 1993-08-25 | 1996-01-23 | Micron Technology, Inc. | System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head |
ATE186001T1 (de) * | 1994-08-09 | 1999-11-15 | Ontrak Systems Inc | Linear poliergerät und wafer planarisierungsverfahren |
US5674109A (en) * | 1995-09-13 | 1997-10-07 | Ebara Corporation | Apparatus and method for polishing workpiece |
US5645469A (en) | 1996-09-06 | 1997-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing pad with radially extending tapered channels |
US6309560B1 (en) | 1996-12-09 | 2001-10-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US5921855A (en) | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
US6273806B1 (en) | 1997-05-15 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus |
US6107203A (en) * | 1997-11-03 | 2000-08-22 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing system and method therefor |
US5990012A (en) | 1998-01-27 | 1999-11-23 | Micron Technology, Inc. | Chemical-mechanical polishing of hydrophobic materials by use of incorporated-particle polishing pads |
JPH11216663A (ja) | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JP2968784B1 (ja) * | 1998-06-19 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 研磨方法およびそれに用いる装置 |
US6328632B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies |
JP2004506337A (ja) | 2000-08-11 | 2004-02-26 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 金属基板の化学機械平坦化 |
-
2003
- 2003-12-11 US US10/734,945 patent/US6843709B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-11-25 TW TW093136329A patent/TWI335257B/zh active
- 2004-12-02 CN CN2004800365908A patent/CN1890055B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-02 JP JP2006543881A patent/JP4996924B2/ja active Active
- 2004-12-02 EP EP04812671A patent/EP1699596B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-02 WO PCT/US2004/040219 patent/WO2005061178A1/en active Application Filing
- 2004-12-02 DE DE602004016885T patent/DE602004016885D1/de active Active
-
2006
- 2006-06-09 KR KR1020067011304A patent/KR101108724B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250455A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-09-27 | Texas Instr Inc <Ti> | 化学機械的に研磨される半導体ウェーハ面から汚染粒子を除去する方法および装置 |
JPH09150367A (ja) * | 1995-04-26 | 1997-06-10 | Fujitsu Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
JPH09298176A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Canon Inc | 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 |
JP2000288927A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Sony Corp | 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法 |
JP2002343753A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Nikon Corp | シミュレーション方法及び装置、加工装置、加工システム、並びに半導体デバイス製造方法 |
JP2003077870A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-03-14 | Wacker Siltronic Ag | 半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法 |
JP2003071708A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-12 | Sony Corp | 研磨方法および研磨装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE602004016885D1 (de) | 2008-11-13 |
TW200528235A (en) | 2005-09-01 |
CN1890055B (zh) | 2010-05-26 |
TWI335257B (en) | 2011-01-01 |
KR101108724B1 (ko) | 2012-02-29 |
CN1890055A (zh) | 2007-01-03 |
EP1699596B1 (en) | 2008-10-01 |
JP4996924B2 (ja) | 2012-08-08 |
KR20060112665A (ko) | 2006-11-01 |
US6843709B1 (en) | 2005-01-18 |
WO2005061178A1 (en) | 2005-07-07 |
EP1699596A1 (en) | 2006-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4916657B2 (ja) | プロセスに依存した溝構造を有するケミカルメカニカル研磨パッド | |
US7108597B2 (en) | Polishing pad having grooves configured to promote mixing wakes during polishing | |
US6955587B2 (en) | Grooved polishing pad and method | |
KR101108724B1 (ko) | 슬러리 역류를 감소시키기 위한 화학기계적 연마 방법 | |
US7156721B2 (en) | Polishing pad with flow modifying groove network | |
JP5091410B2 (ja) | 半径方向に交互に位置する溝セグメント配置形態を有するcmpパッド | |
EP1533076A1 (en) | Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption | |
KR20100074046A (ko) | 고속 연마 방법 | |
JP2008207322A (ja) | パッドテクスチャー上にスラリーを保持するための溝を有する研磨パッド | |
WO2005118223A1 (en) | Polishing pad with oscillating path groove network | |
US6652366B2 (en) | Dynamic slurry distribution control for CMP | |
KR20070032020A (ko) | 유동 조절 홈 그물구조를 갖는 연마 패드 | |
KR20070022054A (ko) | 진동 경로를 갖는 그루브 망상조직을 포함하는 연마 패드 | |
JP2000301438A (ja) | 平坦化加工方法および平坦化加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071130 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20071130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110414 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120507 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120514 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4996924 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |