CN107887265A - 抛光设备的抛光方法 - Google Patents

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王同庆
李昆
路新春
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Abstract

本发明公开了一种抛光设备的抛光方法，抛光方法为调节抛光头和抛光盘的中心距以调节晶圆抛光形貌。在对晶圆进行抛光操作时，抛光设备可以将抛光头和晶圆放置在抛光盘的适宜位置，这样可以有效调节晶圆抛光形貌。

Description

抛光设备的抛光方法
技术领域
本发明涉及抛光技术领域，尤其涉及一种抛光设备的抛光方法。
背景技术
相关技术中，在抛光设备对晶圆进行抛光操作时，抛光设备大多是通过改变压力、转速、抛光液滴落位置及抛光头摆动幅度来调节晶圆抛光形貌。但是对没有分区不能摆动抛光头的抛光设备，此种方法可实施性欠佳，无法有效调节晶圆抛光形貌。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明提出一种抛光设备的抛光方法，该抛光方法可以在抛光头没有分区和无法摆动的情况有效调节晶圆抛光形貌。
根据本发明的抛光设备的抛光方法，调节抛光头和抛光盘的中心距以调节晶圆抛光形貌。
根据本发明的抛光设备的抛光方法，在对晶圆进行抛光操作时，抛光设备可以将抛光头和晶圆放置在抛光盘的适宜位置，这样可以有效调节晶圆抛光形貌。
另外，根据本发明的抛光设备的抛光方法还可以具有以下附加技术特征：
在本发明的一些示例中，晶圆边缘的线速度为V0，晶圆运动轨迹最内侧对应的抛光盘线速度为V1，晶圆运动轨迹最外侧对应的抛光盘线速度为V2，在V1<V0<V2时，晶圆的中心区域去除快。
在本发明的一些示例中，在V0<V1<V2时，晶圆的边缘区域快。
在本发明的一些示例中，所述抛光盘和所述抛光头的转速可调。
在本发明的一些示例中，所述抛光头的转速和所述抛光盘的转速接近。
在本发明的一些示例中，所述抛光头的转速大于所述抛光盘的转速。
附图说明
图1是晶圆的结构示意图；
图2是抛光盘的结构示意图。
附图标记：
晶圆10；抛光盘20。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面参考附图详细描述根据本发明实施例的抛光设备的抛光方法。其中，抛光设备可以为抛光机。
根据本发明实施例的抛光设备的抛光方法为调节抛光头和抛光盘20的中心距以调节晶圆抛光形貌。在对晶圆进行抛光操作时，抛光设备可以将抛光头和晶圆10放置在抛光盘20的适宜位置，这样可以有效调节晶圆10抛光形貌。下面内容将详细描述。
如图1和图2所示，晶圆边缘的线速度为V0，晶圆10运动轨迹最内侧对应的抛光盘20线速度为V1，晶圆10运动轨迹最外侧对应的抛光盘20线速度为V2，在V1<V0<V2时，晶圆的中心区域去除快，在V0<V1<V2时，晶圆的边缘区域去除快。
根据线速度公式：V＝2πr·n/60可知，影响线速度的因素主要是半径和转速，晶圆边缘的线速度V0对应的半径为晶圆10的半径，而且晶圆边缘的线速度V0对应的转速为抛光头的转速。其中，抛光头可以没有分区，而且抛光头也可以不进行摆动。
晶圆10运动轨迹最内侧对应的抛光盘20线速度V1和晶圆10运动轨迹最外侧对应的抛光盘20线速度V2对应的半径分别为晶圆10的内外边缘到抛光盘20的中心的距离，而且V1和V2对应的转速均为抛光盘20的转速。
由此，影响V0、V1和V2的大小的因素主要是抛光盘20的转速、抛光头的转速和晶圆10的半径与晶圆10的内边缘到抛光盘20的中心的距离之间的关系。所以通过调节抛光头到抛光盘20的中心距可以调节V0、V1和V2，从而可以改变晶圆抛光形貌。
在抛光头和抛光盘20的转速固定时，可以通过调节晶圆10在抛光盘20上的位置来有效调节晶圆10抛光形貌。
当然，抛光盘20和抛光头的转速可以调节。通过调节抛光盘20和抛光头的转速，可以使得晶圆10在抛光盘20上抛光更可靠，而且可以使得晶圆10抛光形貌发生变化。优选地，抛光头的转速和抛光盘20的转速接近。这样可以使得抛光机对晶圆10抛光可靠，以及可以避免晶圆10碎片。可选地，抛光头的转速可以大于抛光盘20的转速。这样可以使得晶圆10的速度适宜，可以保证抛光质量和效果。
下面结合两个具体实施例详细描述根据本发明实施例的抛光设备的抛光方法。
例如，在抛光机上抛光2英寸(50.8毫米)的氧化硅膜。此款抛光机抛光头可以摆动，抛光头上没有分区。将抛光头调整至中心距为45mm的位置抛光。抛光压力5kg，抛光头转速60rpm，抛光盘20转速57rpm。计算
VO＝2π×25.4×60/60＝159.6mm/s；
V1＝2π×19.6×57/60＝117mm/s；
V2＝2π×70.4×57/60＝420.2mm/s。
满足V1<V0<V2，中心区域去除快。
又如，在与上述同款的抛光机上，抛光2英寸(50.8毫米)的氧化硅膜。此款抛光机抛光头可以摆动，抛光头上没有分区。将抛光头调整至中心距为100mm的位置抛光。抛光压力5kg，抛光头转速60rpm，抛光盘20转速57rpm。计算
VO＝2π×25.4×60/60＝159.6mm/s；
V1＝2π×74.6×57/60＝445.3mm/s；
V2＝2π×125.4×57/60＝748.5mm/s。
满足V0<V1<V2，边缘区域去除快，中心区域去除慢。
由此，通过调节抛光头和抛光盘20之间的中心距可以调节晶圆10抛光形貌。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (6)

1.一种抛光设备的抛光方法，其特征在于，调节抛光头和抛光盘的中心距以调节晶圆抛光形貌。
2.根据权利要求1所述的抛光设备的抛光方法，其特征在于，晶圆边缘的线速度为V0，晶圆运动轨迹最内侧对应的抛光盘线速度为V1，晶圆运动轨迹最外侧对应的抛光盘线速度为V2，在V1<V0<V2时，晶圆的中心区域去除快。
3.根据权利要求1所述的抛光设备的抛光方法，其特征在于，在V0<V1<V2时，晶圆的边缘区域快。
4.根据权利要求1所述的抛光设备的抛光方法，其特征在于，所述抛光盘和所述抛光头的转速可调。
5.根据权利要求1所述的抛光设备的抛光方法，其特征在于，所述抛光头的转速和所述抛光盘的转速接近。
6.根据权利要求5所述的抛光设备的抛光方法，其特征在于，所述抛光头的转速大于所述抛光盘的转速。
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