JP2007534176A - 投影結像システムにおける高解像度原位置照明源測定用の装置及び方法 - Google Patents
投影結像システムにおける高解像度原位置照明源測定用の装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007534176A JP2007534176A JP2007509517A JP2007509517A JP2007534176A JP 2007534176 A JP2007534176 A JP 2007534176A JP 2007509517 A JP2007509517 A JP 2007509517A JP 2007509517 A JP2007509517 A JP 2007509517A JP 2007534176 A JP2007534176 A JP 2007534176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imaging
- reticle
- projection
- field
- support substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
を取得すべく処理され得る。
図1は、第1の主要な実施形態に係るハードウェアの一例を示す。複数フィールドの原位置結像対物レンズ(MFISIO)は、レンズプレートLPが取り付けられたレチクルRと、複数のレンズLと、開口プレートAP用のスタンドオフ及びエッジサポートとして作用するスペーサSPとを有している。図1では、MFISIOを構成する各原位置結像対物レンズ(ISIO)に関した、各1つのレンズLと、1つの開口絞りASと、孔部とが存在している。(光学的に無限遠に配置された)光源からの入射光ILは、レチクル面RF上のクロム開口部CO上に結像される。
が、Δn=0.008レベルで分解されることを可能にする。もし公称の開口数NAS=0.3での光源について言えば、レチクル面RF上に、また、最終的には、最終の像記録を行うウエハWに対して投影されるような光源の像にわたり、NAS/Δn=0.3/0.008=75分解能要素が存在するであろう。比較のために、175μmのピンホール直径、及び、5mmの開口プレートのスタンドオフ間隔を備えた上記米国特許第6356345号のピンホール方法は、因子17xまでのより小さい解像度を有する。
第2の主要な実施形態は、レンズ底面(図1のLB)が、高回折効率のコンピュータ作成ホログラム(CGH)又は非球面を含むべく加工されることを除いて、第1の主要な実施形態と実質的に同じである。λ=248.5μmのSiO2における3つの特定の設計例が、表3に示される。ここでは、第2の主要な実施形態についての設計例が示される。非球面係数(a1,a2,a3)は、CGH又は非球面に必須である(ミクロン単位の)位相シフトを、次式としてあらわす。
MFISIOの第3の装置の実施形態(図8)は、レチクル面RG上に光源を画像化するコンピュータ作成ホログラム(CGH)である個々のISIOを含んでいる。CGHは、レチクルR上に標準的な方法によって組み立てられる。例えば「バイナリ光学技術;マルチレベル回折光学素子の理論及び設計」,G.スワンソン(G.Swanson),リンカーンラボラトリテクニカルリポート(Lincoln Laboratory Technical Report 854),1989年8月、参照。典型的には、8又はそれ以上の別個の位相レベルが採用されることとなる(図8では、2つのみが示される)。
図9に示される実施形態では、レンズ上面LT及びレンズ底面LBが、光源分解能を最大にすべく設計された略非球面又はCGH素子である。
この実施形態では、MFISIOが、レチクルRに取り付けられたレンズプレートLPに取り付けられる多素子マイクロ結像対物レンズ(MIO)であるISIOを有している。前述した実施形態よりも複雑でありながら、MIOは、より優れた分解能及びより高いISIOの開口数(NA_ISIO)を実現する。図11は、マシンの射出瞳(exit pupil)上へのISIOの射出瞳のマッピングを示す。低開口数ISIO(=NA_ISIO_1)及び高開口数ISIO(=NA_ISIO_2)により画像化されるような方向コサインn=nSに対応した光源の一部が、マシンの射出瞳上に重ねて示される(=NA)。ISIOの開口数が、次式によりマシンの射出瞳へマップ付けられる。
Mag=マシン縮小倍率(典型的には4又は5)
に依存しないこととなる。そのため、本質的に補正は必要とされない。低開口数の場合(NA_ISIO_1)、
は、
に一層強く依存することとなる。そのため、(数式5により付与されるほど必ずしも大きくないものの)より大きいISIOの開口数で得られる利点は、放射強度を再構成する上での射出瞳及び透過率(transmission)の非干渉化を向上させることであろう(下記参照)。
図12に示されるように、この実施形態は、マイクロ結像対物レンズ(MIO)をレチクルに設置する代わりに、それらが、より長いMIOのチューブ長さを可能とする支持プレートSPに取り付けられ、それにより、一層大きいMIOの設計のフレキシビリティを可能とする点を除き、第5の実施形態に非常に類似している。
この実施形態は、反射マスクを採用するマシン、特に極紫外線(EUV)システムに適用される。例えば「多層被覆光学構成を用いる14nmでの縮小結像:0.1ミクロンより小さい外形の印刷」,J.ボーコーム(J.Bjorkholm)等,ジャーナルバキュームサイエンスアンドテクノロジー(Journal Vacuum Science and Technology),B8(6),1509:1513,1990年11月/12月,「60−80nmでのXUV投影リソグラフィの開発」B.ニューナム(B.Newnam)等,SPIE,1671巻,419:436,1992年,「EUVリソグラフィ−−光学リソグラフィの後継技術」,J.ボーコーム(J.Bjorkholm),「4ミラー極紫外線(EUV)リソグラフィ投影システム」S.コーエン(S.Cohen),米国特許第6142641号,2000年。概略的な反射ビームトレイン(図13)において、照明ビームトレイン(不図示)からの最重要な光線CH1及びCH2は、照明ビームトレインの一部である折り曲げ式のミラー(fold mirror)FMに入射し、その後、反射コーティングRCを備えた反射レチクルRRに入射する。反射レチクルRRの反射率は、所望の回路パターンを生成すべく調整される。RRからの反射後、光は、投影結像対物レンズ(PIO)及びウエハW(いずれも不図示)に入射する。図14を参照すれば、フォルドミラーFMが、それぞれレチクルRの反射コーティングRC上に光源を結像するコンピュータ作成ホログラム(CGH1,CGH2)であるISIOから成るMFISIOに置き換えられると、また、CGH間の領域が暗くされると、光源は、名目上直接にウエハ上に結像される。上記「高エネルギービーム感知ガラスグレイレベルマスクを用いた、光学リソグラフィにより構成される略非球面の屈折マイクロ光学」の方法で構成される非球面は、また、必要なISIOを生成するためにも利用され得る。
MFISIOがレチクル/被膜(pellicle)構成要素内に適合しない構成について説明したが、以下、他の形態について説明を行う。図15を参照すれば、一般的な照明ビームトレインIBの一部の略図が、レチクル複合(conjugate)像平面RCIPに配置された開口ブレードABを示している。RCIPは、光源リレー光学構成体SROにより、レチクルRを通じて、レチクル面RF上に結合される。AB及びSROの機能は、レチクル面RFの一部のサイズ及び配置のマシンユーザによる選択を可能とすることであり、それにより、露光が必要される。
この実施形態は、第1,第2又は第4の実施形態に関連して説明されたタイプのMFISIOを使用するものであるが、ここでは、レチクル面上に光源を結像する代わりに、レチクル面を越えて結像される。図17では、MFISIOが、光源がRFからΔZの間隔で結像される共通面であるISIO結像面を有する個々のISIOを有する。投影結像光学構成体PIOは、ウエハ上面が名目上配置される名目上のウエハ面WPにレチクル面RFを結像する。PIOは、WPの下位にて、
これは、概して、第9の実施形態における場合の動作及び使用パターンと同じであるが、ここでは、MFISIOが、ISIOが、レチクル面RF上に書き込まれた複数レベルのCGHであり、RFの下位における平面に光源を結像するレチクルである。非球面は、CGHの位置にて使用され得る。例えば「高エネルギービーム感知ガラスグレイレベルマスクを用いた、光学リソグラフィにより構成される略非球面の屈折マイクロ光学」,W.ダシュナー(W.Dashner),ジャーナルバキュームサイエンステクノロジー(Journal Vacuum Science Technology),B(14)6,3730:3733,1996年11月/12月、参照。
このMFISIOは、光源像が、レチクル面RFを越えた面に位置する点を除き、第7の実施形態に類似するものである。ウエハチャックに埋め込まれた電子センサアレイは、第9の実施形態と同様に、像を記録する。それにより、また、図14から分かるように、MFISIOのCGH1及びCGH2は、光学的にレチクル面RFの後の結像面RF’上に、光源を結像することとなる。
図22は、第1の実施形態の別の変形例を示す。ここで、開口絞りASは、レンズプレートLPにおいて、レンズLとレチクルRとの間に配置される。これは、レンズ中央厚CL及びレンズ半径曲率RLがほぼ等しければ、有利に構成される。そのとき、開口絞りが、レンズLと同心上に配置され、コマ収差は最小化され、凸状のレンズ上面LTにより引き起こされる球面収差は、入力光線(光源又は対象物)角度で一定となる。この一定の球面収差は、レンズ厚CLを僅かに調整することにより補正され得る。一例として、λ=248.4nm,溶融石英レンズ及びレチクル材料に関する設計パラメータは、RL=2.12mm,CL=2.1mm,AG=0.18mm,直径0.2mmの開口絞りでのRT=3.81mmである。
n=レンズ/レチクルの屈折率
RL=レンズの曲率半径
AG=エアギャップ厚
RT=レチクル厚
に伴い変化せず、それにより、考慮される必要がなくなることとなる。より有意なことに、テレセントリックな結像対物レンズが、マシンの射出瞳サイズNAよりも大きいサイズNAの光源が測定されることを可能とされる(例えばシグマ>1である光源が解析され得る)。
ウエハ上のフォトレジストに光源像を記録する場合に、図19のプロセスの流れが用いられる。まず、ここに述べられるようなMFISIOが提供され、特徴付けられたマシン上に搭載される。次に、レジスト被覆された支持基板(ウエハ)が提供され、マシン上に搭載される。続いて、支持基板が、ウエハ上の別個に分離された像フィールドにおける照射線量を増やすように、複数箇所で露光される。例えば「結像性能における照明源効果の例」,A.J.デ・ルイタ(A.J.deRuyter)等,アーチケミカルズ(Arch Chemicals)マイクロリソグラフィシンポジウム,2003年、参照。その後、支持基板は現像され、露光された像が、1つずつ写真として仕上げられる。これらの像及び照射線量の手順の知識から、
の「粗野な(raw)」強度の輪郭が得られる。続いて、これらの強度の輪郭が計算的にオーバラップされ、放射分析(radiometric)のまた射出瞳の透過補正因子(数式4)が、正規化された放射強度を再構成するために適用される(図21)。
もし像が、フォトレジストによる代わりに、電子的に(例えばCCDアレイ上に)記録されれば、図20に概説されるステップが継続される。先の方法との主要な差異は、記録されたセンサの出力が、「粗野な(raw)」強度又は放射強度についての信号をダイレクトにもたらす。ゲインオフセット又はマッピング,放射分析(例えば角度に依存する補正)及び射出瞳透過因子補正(数式4)の適用が、正規化された放射強度(数式10,11及び図21参照)を取得するために実行される。
前述した実施形態の変形例が、種々可能である。
MFISIOの設計の全てにおいて、像の歪みは、(設計値に関して)それが知られる限りでは、当業者に知られるように、補正可能であるため、大きな設計上の制約ではない。
Claims (47)
- フォトリソグラフィ投影結像システムにおけるフォトリソグラフィ照明源の放射強度を測定する装置において、
それぞれ対応するフィールドポイントに対して結像可能であり、それにより複数のフィールドポイントを結像する複数の別個の結像対物レンズと、
上記複数のフィールドポイントの各々がその上に結像される、上記複数の別個の結像対物レンズに関する共通の結像面と、を備えており、
上記別個の結像対物レンズは、照明源の放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能を有していることを特徴とする装置。 - 上記放射強度プロフィールが、上記フィールドポイントにおける放射強度から再構成されることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 1つ又はそれ以上の上記別個の結像対物レンズが、平凸レンズを有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 1つ又はそれ以上の上記別個の結像対物レンズが、コンピュータ作成ホログラムの素子を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 1つ又はそれ以上の上記別個の結像対物レンズが、非球面的に補正されたレンズを有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 1つ又はそれ以上の上記別個の結像対物レンズが、レチクル上面と一体になったコンピュータ作成ホログラムを有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 1つ又はそれ以上の上記別個の結像対物レンズが、マイクロ結像対物レンズを有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 1つ又はそれ以上の上記別個の結像対物レンズが、マルチ要素の結像レンズ(multi-element imaging objective)を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 1つ又はそれ以上の上記別個の結像対物レンズが、反射式コンピュータ作成ホログラフィックプレートを有する、ことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記共通の結像面が、レチクル面を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記共通の結像面が、レチクル面を越えて配置された平面を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記共通の結像面が、レチクル面前に配置された平面を有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記別個の結像対物レンズが、レチクル/被膜(pellicle)のエンベロープ内に適合することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記別個の結像対物レンズが、上記共通の結像面がレチクル複合結像面に位置するように、照明ビームトレインにおいて配置可能であることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 更に、上記複数の結像対物レンズ要の共通のマウンティングを有することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 上記共通のマウンティングが、投影結像ツールを有することを特徴とする請求項15記載の装置。
- 上記共通のマウンティングが、支持プレートを有することを特徴とする請求項15記載の装置。
- 上記別個の結像対物レンズが、上記共通の結像面がレチクル複合結像面に位置するように、照明ビームトレインにおいて配置可能であることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 放射強度プロフィールを生成し、照明ビームトレインを生成する光源を備えた照明器と、
上記光源と光学的に接続した複数フィールド結像対物レンズと、
上記複数フィールド結像対物レンズより遠位の投影結像光学構成体と、
電子センサアレイと、を備えており、
上記複数フィールド結像対物レンズは、上記放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能で、上記投影結像光学構成体を介して、上記電子センサアレイと光学的に複合した平面上に、該放射強度プロフィールを結像することを特徴とする投影結像システム。 - 更に、上記投影結像光学構成体からレチクルを分離するレチクルテーブルを有することを特徴とする請求項19記載の装置。
- 上記電子センサアレイは、センサアレイに対して上記平面をリレーする結像光学構成体を有することを特徴とする請求項19記載の装置。
- 上記複数フィールド結像対物レンズは、その面上に書き込まれた1つ又はそれ以上のコンピュータ作成ホログラムを備えたレチクルを有することを特徴とする請求項19記載の装置。
- 光源,反射支持基板、及び、反射レチクルを有する照明器であって、該光源が複数の光線を該反射支持基板に向かって投影し、該反射支持基板が該光線を反射レチクルに向かって反射する、照明器と、
上記反射レチクルと光学的に接続した複数フィールド結像対物レンズであって、複数の光線が複数フィールド結像対物レンズ上に入射する、複数フィールド結像対物レンズと、を備えており、
上記複数フィールド結像対物レンズが、上記照明器の放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能を有していることを特徴とする投影結像システム。 - 上記光源の像が、上記レチクルの遠位にある平面に位置することを特徴とする請求項23記載の投影結像システム。
- 上記反射支持基板が、折り曲げ式ミラーを有することを特徴とする請求項23記載の投影結像システム。
- 上記反射支持基板が、1つ又はそれ以上のコンピュータ作成ホログラムを有することを特徴とする請求項23記載の投影結像システム。
- 上記反射支持基板が、1つ又はそれ以上の非反射領域により分離された少なくとも2つのコンピュータ作成ホログラムを有することを特徴とする請求項23記載の投影結像システム。
- 上記反射レチクルが、変調された反射率を備えた反射コーティングを有することを特徴とする請求項23記載の投影結像システム。
- 光源,反射支持基板、及び、反射レチクルを有する照明器であって、照明ビームトレインが、複数の原位置結像対物レンズを備えた反射支持基板に向かって投影され、該反射レチクルに向かって反射される、照明器と、
上記ビームトレインの放射強度が複数のフィールドポイントで記録される共通の結像面と、を備えており、
上記複数の原位置結像対物レンズが、上記照明器の放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能を有していることを特徴とする投影結像システム。 - 上記原位置結像対物レンズが、コンピュータ作成ホログラムであることを特徴とする請求項29記載の投影結像システム。
- 上記原位置結像対物レンズが、非球面であることを特徴とする請求項29記載の投影結像システム。
- 複数フィールド結像対物レンズと、
上記複数フィールド結像対物レンズと結合されたレチクル複合結像面と一致する距離で配置された開口ブレードと、
上記複数フィールド結像対物レンズと光学的に接続した光源リレーと、
レチクルと、を備えており、
上記光源リレー光学構成体が、照明器の放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能で、上記レチクル複合結像面にて構成された複数フィールド対物レンズの像を、上記レチクル上に結像することを特徴とする投影結像システム。 - 上記複数フィールド結像対物レンズが、複数の要素を有することを特徴とする請求項32記載の投影結像システム。
- 複数フィールド結像対物レンズであって、該複数フィールド結像対物レンズの結像面が、レチクルの複合結像面と一致するように配置された複数フィールド結像対物レンズと、
上記レチクル複合結像面に配置された開口ブレードと、
照明器の放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能で、支持基板上に、レチクル複合結像面にて構成された複数フィールド結像対物レンズの像をリレーするために、上記レチクルと光学的に接続した光源リレー光学構成体と、を備えていることを特徴とする投影結像システム。 - 上記複数フィールド結像対物レンズが、複数の要素を有することを特徴とする請求項34記載の投影結像システム。
- 投影リソグラフィツールにおける照明ビームトレインの放射強度を測定するための方法であり、該方法は、
上記投影リソグラフィツール内に、照明器の放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能で、複数フィールド原位置結像対物レンズを搭載させるステップと、
上記原位置結像対物レンズを通じて、記録用支持基板を複線量の光に対し露光させるステップと、
上記支持基板を現像し、線量に対する露光領域を決定すべく該支持基板を測定するステップと、
上記測定の結果を用いて上記照明器の放射強度プロフィールを再構成するステップと、を含んでいることを特徴とする方法。 - 上記投影リソグラフィツールが、ステッパ,1次元スキャナ,2次元スキャナ,EUVスキャナ,EPLマシン、若しくは、像側の液浸レンズを有することを特徴とする請求項36記載の方法。
- 上記記録用支持基板が、シリコンウエハ,フラットパネル,回路基板、若しくは、ウエハ実装電子センサを有することを特徴とする請求項36記載の方法。
- 投影リソグラフィツールにおける照明器の放射強度を測定するための方法であり、該方法は、
照明器の放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能で、複数フィールド原位置結像対物レンズを用いて、記録用支持基板を露光させるステップと、
上記露光させられた支持基板の測定の結果を用いて、上記照明器の放射強度プロフィールを再構成するステップと、を含んでいることを特徴とする方法。 - 上記支持基板が、シリコンウエハであることを特徴とする請求項39記載の方法。
- 投影リソグラフィツールにおける照明ビームトレインの放射強度を測定するための方法であり、該方法は、
上記投影リソグラフィツール内に、照明器の放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能で、複数フィールド原位置結像対物レンズを搭載させるステップと、
電子センサアレイを、上記結像対物レンズと光学的に接続するように付与するステップと、
上記結像対物レンズを通じて、上記電子センサアレイを、照明ビームトレインに対し露光させるステップと、
上記電子センサアレイの出力を記録するステップと、
上記電子センサアレイの測定の結果を用いて、上記照明ビームトレインの放射強度プロフィールを再構成するステップと、を含んでいることを特徴とする方法。 - フォトリソグラフィ投影結像システムからのフォトリソグラフィックチップマスクワークを製作する方法であり、該方法は、
上記投影結像システムにおいて、所望のマスクワークのレチクルを投影するステップと、
上記投影リソグラフィシステムにおいて、上記投影結像システムの投影リソグラフィツール内に、照明ビームトレインの放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能で、複数フィールド原位置結像対物レンズを搭載させ、上記原位置結像対物レンズを通じて、記録用支持基板を複線量の光に対し露光させ、上記支持基板を現像し、線量に対する露光領域を決定するために該支持基板を測定し、そして、上記測定の結果を用いて、上記照明ビームトレインの放射強度プロフィールを再構成することを含む動作を実行することにより、該照明ビームトレインの放射強度を測定するステップと、
上記照明ビームトレインの再構成された放射強度プロフィールに関連した投影結像システムの調整を通じて、チップマスクワークの製作を制御するステップと、を含んでいることを特徴とする方法。 - 上記投影リソグラフィツールが、ステッパ,1次元スキャナ,2次元スキャナ,EUVスキャナ,EPLマシン、若しくは、像側の液浸レンズを有することを特徴とする請求項42記載の方法。
- 上記記録用支持基板は、シリコンウエハ,フラットパネル,回路基板、又は、ウエハ実装電子センサを有することを特徴とする請求項42記載の方法。
- マイクロ電子チップ製作システムであって、
上記システムを動作させる製作システムコントローラと、
上記投影結像システムのスキャナを制御する走査コントローラと、それぞれ対応するフィールドポイントを結像し、それにより、複数のフィールドポイントを結像し得る複数の別個の結像対物レンズであって、照明器の放射強度プロフィールの再構成を可能とするために十分な分解能を有する、結像対物レンズと、該複数の別個の結像対物レンズ用の共通の結像面であって、複数のフィールドポイントの各々が共通の結像面上に結像される、共通の結像面と、上記複数の結像対物レンズ用の共通のマウンティングと、上記フォトリソグラフィ投影結像システムにおいて、フォトリソグラフィック照明源の放射強度を測定し、測定された放射強度に関連して、上記投影結像システムの動作を調整するプロセスコントローラと、を備えたフォトリソグラフィック投影結像システムと、を有していることを特徴とするマイクロ電子チップ製作システム。 - フォトグラフィック投影スキャナを制御する方法であって、該方法は、
複数フィールド原位置結像対物レンズで、記録用支持基板を露光させるステップであって、複数フィールド原位置結像対物レンズは、照明器の放射強度の再構成を可能とするために十分な分解能を有する、ステップと、
上記露光させられた支持基板の測定の結果を用いて、上記照明器の放射強度プロフィールを再構成するステップと、
上記スキャナの放射強度プロフィールにおける変化を最小化するために、再構成された放射強度プロフィールに関連して、上記スキャナを調整するステップと、を含んでいることを特徴とする方法。 - 上記支持基板が、半導体ウエハを有することを特徴とする請求項46記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/828,579 US7088427B2 (en) | 2004-04-20 | 2004-04-20 | Apparatus and method for high resolution in-situ illumination source measurement in projection imaging systems |
PCT/US2005/012498 WO2005106592A2 (en) | 2004-04-20 | 2005-04-12 | High resolution in-situ illumination source measurement in projection imaging systems |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007534176A true JP2007534176A (ja) | 2007-11-22 |
Family
ID=34965550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007509517A Pending JP2007534176A (ja) | 2004-04-20 | 2005-04-12 | 投影結像システムにおける高解像度原位置照明源測定用の装置及び方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7088427B2 (ja) |
JP (1) | JP2007534176A (ja) |
WO (1) | WO2005106592A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013501348A (ja) * | 2009-07-31 | 2013-01-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学ビーム偏向要素及び調節方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7027130B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Device and method for determining an illumination intensity profile of an illuminator for a lithography system |
JP2008527756A (ja) * | 2005-01-19 | 2008-07-24 | ライテル・インストルメンツ | 光源コヒーレンスマトリクスの測定方法および装置 |
US20060164618A1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Smith Adlai H | Method and apparatus for measurement of exit pupil telecentricity and source boresighting |
DE102008003916A1 (de) * | 2007-01-23 | 2008-07-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Messvorrichtung sowie Verfahren zum Messen einer Bestrahlungsstärkeverteilung |
US7952799B2 (en) * | 2009-06-19 | 2011-05-31 | Corning Incorporated | Extreme broadband compact optical system with multiple fields of view |
CN103744269B (zh) * | 2014-01-03 | 2015-07-29 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光刻投影物镜波像差和成像最佳焦面的检测方法 |
TWI584080B (zh) * | 2015-10-05 | 2017-05-21 | A large area static focusing leveling device and method for optical etching machine |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07153683A (ja) * | 1993-10-06 | 1995-06-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61210627A (ja) | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Canon Inc | 有効光源測定用ピンホ−ル板 |
EP0237041B1 (en) * | 1986-03-12 | 1993-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Projection optical system for use in precise copy |
US5285236A (en) * | 1992-09-30 | 1994-02-08 | Kanti Jain | Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system |
US5581075A (en) * | 1993-10-06 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Multi-beam scanning projection exposure apparatus and method with beam monitoring and control for uniform exposure of large area |
JP2001500628A (ja) * | 1996-02-28 | 2001-01-16 | ケニス シー ジョンソン | マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡 |
US5808814A (en) * | 1996-07-18 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Short wavelength projection optical system |
US6356345B1 (en) * | 1998-02-11 | 2002-03-12 | Litel Instruments | In-situ source metrology instrument and method of use |
US6142641A (en) * | 1998-06-18 | 2000-11-07 | Ultratech Stepper, Inc. | Four-mirror extreme ultraviolet (EUV) lithography projection system |
US6096461A (en) * | 1999-01-06 | 2000-08-01 | Creo Srl | Laser exposure utilizing secondary mask capable of concentrating exposure light onto primary mask |
US6741338B2 (en) * | 1999-02-10 | 2004-05-25 | Litel Instruments | In-situ source metrology instrument and method of use |
US20020071472A1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-06-13 | Metrologic Instruments, Inc. | DOE-based systems and devices for producing laser beams having modified beam characteristics |
-
2004
- 2004-04-20 US US10/828,579 patent/US7088427B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-12 JP JP2007509517A patent/JP2007534176A/ja active Pending
- 2005-04-12 WO PCT/US2005/012498 patent/WO2005106592A2/en active Application Filing
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07153683A (ja) * | 1993-10-06 | 1995-06-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013501348A (ja) * | 2009-07-31 | 2013-01-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学ビーム偏向要素及び調節方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005106592A2 (en) | 2005-11-10 |
US7088427B2 (en) | 2006-08-08 |
WO2005106592A3 (en) | 2006-06-01 |
US20050231705A1 (en) | 2005-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7800732B2 (en) | Projection exposure method and projection exposure apparatus for microlithography | |
US7580113B2 (en) | Method of reducing a wave front aberration, and computer program product | |
KR100599932B1 (ko) | 광학 결상 시스템에서의 수차 측정 방법 | |
JP4974972B2 (ja) | 照明源最適化によってレンズ収差補償を行う方法および装置 | |
WO2007000984A1 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JPH0729808A (ja) | 投影露光装置 | |
JP2007534176A (ja) | 投影結像システムにおける高解像度原位置照明源測定用の装置及び方法 | |
US6972836B2 (en) | Measuring method of illuminance unevenness of exposure apparatus, correcting method of illuminance unevenness, manufacturing method of semiconductor device, and exposure apparatus | |
JP4034286B2 (ja) | デバイス製造方法、その方法で使用するためのマスク・セット、プログラム可能なパターン形成装置を制御するためのデータ・セット、マスク・パターンを作成する方法、およびコンピュータ・プログラム | |
US7518707B2 (en) | Exposure apparatus | |
JP3774590B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP2011187597A (ja) | 照明光源評価方法、照明光源設定方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びにプログラム | |
TW200809919A (en) | Exposure apparatus | |
KR20100106351A (ko) | 리소그래피 투영 장치 및 섭동 인자들을 보상하는 방법 | |
JP2004289119A (ja) | 迷放射を決定する方法、リソグラフィ投影装置 | |
US7623219B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method | |
JPWO2004066371A1 (ja) | 露光装置 | |
JP2006080444A (ja) | 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2000021761A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
US20060141375A1 (en) | Exposure apparatus, a tilting device method for performing a tilted focus test, and a device manufactured accordingly | |
WO2018194975A2 (en) | Figoptical objective for operation in euv spectral region | |
US11934105B2 (en) | Optical objective for operation in EUV spectral region | |
US8194231B2 (en) | Lithographic apparatus and method | |
JP3337983B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP2003045794A (ja) | 光学特性計測方法、投影光学系の調整方法、露光方法、及び露光装置の製造方法、並びにマスク検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100824 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100831 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100924 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101001 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101022 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101125 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110531 |