JP2007523028A - 枝を広げたナノウィスカーが形成されたナノ構造とその製造方法 - Google Patents
枝を広げたナノウィスカーが形成されたナノ構造とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007523028A JP2007523028A JP2006540589A JP2006540589A JP2007523028A JP 2007523028 A JP2007523028 A JP 2007523028A JP 2006540589 A JP2006540589 A JP 2006540589A JP 2006540589 A JP2006540589 A JP 2006540589A JP 2007523028 A JP2007523028 A JP 2007523028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanowhiskers
- nanowhisker
- nanostructure
- substrate
- catalyst particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 142
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 92
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 53
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 49
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 23
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 5
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 22
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 13
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 5
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 4
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical group [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 210000000225 synapse Anatomy 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102220606888 Zinc finger protein Gfi-1b_E77C_mutation Human genes 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004871 chemical beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004660 morphological change Effects 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011949 solid catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000009331 sowing Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/62—Whiskers or needles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/0238—Impregnation, coating or precipitation via the gaseous phase-sublimation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
- C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/44—Gallium phosphide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02392—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02603—Nanowires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
- H01L21/02645—Seed materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02653—Vapour-liquid-solid growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/18—Carbon
- B01J21/185—Carbon nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
- H01L33/18—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/96—Porous semiconductor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/962—Quantum dots and lines
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/754—Dendrimer, i.e. serially branching or "tree-like" structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
- Y10S977/891—Vapor phase deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/904—Specified use of nanostructure for medical, immunological, body treatment, or diagnosis
- Y10S977/92—Detection of biochemical
- Y10S977/921—Of toxic chemical
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
Abstract
Description
本出願は2003年11月26日に出願されその全体が参照によりここに組み込まれた米国仮特許出願第60/524,890号および2004年4月9日に出願されその全体が参照によりここに組み込まれた米国仮特許出願第60/560、701号の優先権の利益を要求する。
本発明は、その主要な態様の1つにおいて、ナノウィスカーから形成された金属のツリーのような構成を有するナノ構造を提供する。一般に、ツリーのような構造は、ツリーの幹に類似するベースのナノウィスカーと、ベースのナノウィスカーの周囲の表面から外側に成長しツリーの枝に類似する1つ以上のナノウィスカーとを含む。追加のナノウィスカーの「枝」は、より複雑な「ツリー」の構造を生成しながら、1つ以上の以前に成長したナノウィスカーの枝の周囲に成長し得る。ベースのナノウィスカーは、所望の方法で形成し得るが、基板から直立するようにVLSメカニズムによって基板上に完全に成長する。枝のナノウィスカーもまた、好ましくは、ベースのナノウィスカーの長さに沿って中間点で、または、以前に成長した枝の上に成長したナノウィスカーの場合には、以前に成長した枝の長さに沿って中間点で、VLSメカニズムによって形成される。ナノウィスカーの構成材料と成長パラメータは、所望の形態と特性を有する構造を得るために制御され得る。自己集合技術は多数のツリーのようなナノ構造を組み込む新しい構造およびデバイスを形成するために使用される利点を有する。
枝を広げたナノツリーを有するナノ構造の成長は2ステップでなされる。第1は、「幹」として働く垂直のGaPナノワイヤの成長である。これらは、蒸気−液体−固体(VLS)機構によって成長される。金の種粒子は、基板の1平方μmあたり0.5粒子の密度で、エアロゾル堆積によって、GaP(111)B基板(〜10mm2)上に堆積された。これを達成するならば、金は、高温炉(1850℃)で蒸発され、次に、均一な電荷分布を得るためにチャージャに通された。次に、電気移動度はサイズと関連づけ得るので、粒子は微分移動度分析器(DMA)を使用してサイズが選択された。次に、粒子は、焼結するために(エアロゾルシステム中で)再加熱され(600℃)、その結果、緻密で球体形状となり、次にもう一度サイズが選択された。このように選択された粒子は、均一なサイズと単一に帯電されるので、全粒子濃度は電位計に衝突する粒子からの電流を測定することによって決定され得る。
Claims (126)
- ナノ構造を形成する方法であって、
基板表面上に少なくとも1つの第1触媒粒子を供給し、かつ、各第1触媒粒子を介してVLSプロセスで第1ナノウィスカーを成長させる工程を含む第1ステージと、
少なくとも1つの前記第1ナノウィスカーの周囲に少なくとも1つの第2触媒粒子を供給し、かつ各第2触媒粒子からVLSプロセスで、前記各第1ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第2ナノウィスカーを成長させる工程を含む第2ステージと、
を有することを特徴とする方法。 - 少なくとも1つの前記第2ナノウィスカーの周囲に、少なくとも1つの第3触媒粒子を供給する工程と、各第3触媒粒子からVLSプロセスで、前記各第2ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第3ナノウィスカーを成長する工程とを含む第3ステージを更に含むことを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 複数の前記第1触媒粒子が、ナノインプリント・リソグラフィック・プロセスで前記基板上に堆積されることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 複数の前記第1触媒粒子が、エーロゾル堆積によって前記基板上に堆積されることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 前記堆積の密度が、前記複数の第1触媒粒子の数を制御するために制御されていることを特徴とする請求項4に記載した方法。
- 前記エーロゾル堆積における前記複数の第1触媒粒子が均一な大きさを有することを特徴とする請求項4に記載した方法。
- 前記エーロゾル堆積における前記複数の第1触媒粒子が一価に帯電されていることを特徴とする請求項4に記載した方法。
- 電気集塵によって前記基板に複数の第1触媒粒子の堆積を促進するために前記基板に電圧が印加されることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 複数の第2触媒粒子がエーロゾル堆積によって複数の第1ナノウィスカー上に堆積されることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 電気集塵による前記複数の第1ナノウィスカー上に複数の第2触媒粒子の堆積を促進するために前記基板に電圧が印加されることを特徴とする請求項9に記載した方法。
- 前記エーロゾル堆積の密度が、各第1ナノウィスカー上の前記複数の第2触媒粒子の必要な数に対応するように制御されていることを特徴とする請求項9に記載した方法。
- 各第1ナノウィスカー上の前記複数の第2触媒粒子の数は、同じから±10%以内までであることを特徴とする請求項11に記載した方法。
- 各第1ナノウィスカーの周囲の前記複数の第2触媒粒子は、前記各第1ナノウィスカーの円周方向における周囲に概ね均等に分布していることを特徴とする請求項11に記載した方法。
- 前記第2触媒粒子は、各第1ナノウィスカーの周囲で前記各第1ナノウィスカーの長手方向に概ね均等に分布していることを特徴とする請求項9に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーの長さは成長時間の関数であることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーの長さは試薬濃度の関数であることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーの長さは成長温度の関数であることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーの長さは、同じから±5%以内に制御されていることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 前記複数の第1ナノウィスカーは、前記基板表面に対して所望の配向で成長することを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 前記所望の配向は、(111)基板表面に対して<111>であることを特徴とする請求項19に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーの配向が前記各第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定されることを特徴とする請求項19に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーは、前記各第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定される3つの成長方向を有することを特徴とする請求項21に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーは、前記各第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定される6つの成長方向を有することを特徴とする請求項21に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーは、前記各第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定される4つの成長方向を有することを特徴とする請求項21に記載した方法。
- 前記第2ナノウィスカーは、前記各第1ナノウィスカーの結晶の面によって決定される<111>配向を有することを特徴とする請求項21に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーと前記複数の第1ナノウィスカーとは異なる材料で作られていることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 前記複数の第1ナノウィスカーの長さに沿ってヘテロ接合を生成するために、前記複数の第1ナノウィスカーはその中に前記各第1ナノウィスカーの隣接する部分から異なる材料のセグメントを形成していることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- 前記複数の第2ナノウィスカーの長さに沿ってヘテロ接合を生成するために、前記複数の第2ナノウィスカーは前記各第2ナノウィスカーの隣接する部分から異なる材料のセグメントをその中に形成していることを特徴とする請求項1に記載した方法。
- ナノ構造を形成する方法であって、
基板表面上に少なくとも1つの第1触媒粒子を供給し、かつ、各第1触媒粒子を介してVLSプロセスで第1ナノウィスカーを成長させることを含む第1ステージと、
nが2または2より大きい整数であるnの続くステージであって、各々の続くステージが、前のステージで成長した少なくとも1つの以前のナノウィスカーの周囲に、少なくとも1つの更なる触媒粒子を供給し、かつ、各更なる触媒粒子からVLSプロセスで前記各以前のナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる更なるナノウィスカーを、成長させることを含む第nステージと、
を有することを特徴とする方法。 - 各々の続くステージにおいて、更なる複数の触媒粒子がエーロゾル堆積法によって前記以前のナノウィスカー上に堆積されることを特徴とする請求項29に記載した方法。
- 各々の続くステージにおいて、電気集塵による前記各以前のナノウィスカー上に更なる複数の触媒粒子の堆積を促進するために電圧が印加されることを特徴とする請求項29に記載した方法。
- 前記エーロゾル堆積の前記密度が各以前のナノウィスカー上の更なる複数の触媒粒子の必要な数に対応するように制御されていることを特徴とする請求項31に記載の方法。
- 各以前のナノウィスカー上の更なる複数の触媒粒子の数が、同じから±10%以内であることを特徴とする請求項32に記載した方法。
- 前記更なる複数の触媒粒子は、前記以前のナノウィスカーの円周方向で、各以前のナノウィスカーの周囲に概ね均等に分布していることを特徴とする請求項31に記載の方法。
- 前記更なる複数の触媒粒子は、前記以前のナノウィスカーの長さ方向で、各以前のナノウィスカーの周囲に概ね均等に分布していることを特徴とする請求項31に記載の方法。
- 前記更なるナノウィスカーの長さは成長時間の関数であることを特徴とする請求項29に記載した方法。
- 前記更なるナノウィスカーの長さは試薬濃度の関数であることを特徴とする請求項29に記載した方法。
- 前記更なるナノウィスカーの長さは成長温度の関数であることを特徴とする請求項29に記載した方法。
- 前記更なるナノウィスカーの長さは同じから±5%以内に制御されていることを特徴とする請求項29に記載した方法。
- 前記更なるナノウィスカーの配向は、前記以前のナノウィスカーの結晶方向によって決定されることを特徴とする請求項29に記載した方法。
- 少なくとも1つの続くステージの更なるナノウィスカーと前記以前のナノウィスカーが異なる材料で作られていることを特徴とする請求項29に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの続くステージの更なるナノウィスカーは、前記更なるナノウィスカーの長さに沿ってヘテロ接合を生成するために、前記更なるナノウィスカーのそれぞれの隣接する部分から異なる材料のセグメントをその中に形成していることを特徴とする請求項29に記載した方法。
- ナノ構造を形成する方法であって、
基板表面上に少なくとも1つの第1触媒粒子を供給し、かつ、前記第1触媒粒子のぞれぞれを介して第1の一次元のナノエレメントを形成する工程を含む第1ステージと、
少なくとも1つの前記第1の一次元のナノエレメントの周囲に、少なくとも1つの第2触媒粒子を供給し、前記第2触媒粒子から前記第1の一次元のナノエレメントのそれぞれの周囲から横方向に伸びる第2の一次元のナノエレメントを形成する工程を含む第2ステージと、
を有することを特徴とする方法。 - 少なくとも1つの前記第2の一次元のナノエレメントの周囲に少なくとも1つの第3触媒粒子を供給し、かつ、前記第3触媒粒子のぞれぞれから前記第2の一次元のナノエレメントのそれぞれの周囲から横方向に伸びる第3の一次元のナノエレメントをVLSプロセスで成長させることを含む第3ステージを有することを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 前記第1触媒粒子の複数が、ナノインプリント・リソグラフィック・プロセスで前記基板上に堆積されることを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 前記第1触媒粒子の複数が、エーロゾル堆積法によって前記基板上に堆積されることを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 前記堆積密度が前記複数における前記第1触媒粒子の数を制御するために制御されていることを特徴とする請求項46に記載した方法。
- 前記エーロゾル堆積法における前記第1触媒粒子の複数が均一な大きさを有することを特徴とする請求項46に記載の方法。
- 前記エーロゾル堆積法における前記第1触媒粒子の複数が一価に帯電されていることを特徴とする請求項46に記載した方法。
- 電気集塵法によって前記基板上に第1触媒粒子の複数の堆積を促進するために前記基板に電圧が印加されていることを特徴とする請求項43に記載した方法。
- 第2触媒粒子がエーロゾル堆積によって第1の一次元のナノエレメント上に堆積されることを特徴とする請求項43に記載した方法。
- 電気集塵法による前記第1の一次元のナノエレメント上に第2触媒粒子の堆積を促進するために前記基板に電圧が印加されることを特徴とする請求項51に記載した方法。
- 前記エーロゾル堆積の密度が各第1の一次元のナノエレメント上の第2触媒粒子の必要な数に対応するように制御されていることを特徴とする請求項51に記載した方法。
- 各第1の一次元のナノエレメント上の第2触媒粒子の数が前記数の±10%以内であることを特徴とする請求項53に記載した方法。
- 各第1の一次元のナノエレメントの周囲の前記第2触媒粒子は、前記周囲上で前記各第1の一次元のナノエレメントの円周方向に概ね均等に分布していることを特徴とする請求項51に記載した方法。
- 前記第2触媒粒子は、各第1の一次元のナノエレメントの周囲で前記各第1の一次元のナノエレメントの長手方向に概ね均等に分布していることを特徴とする請求項51に記載した方法。
- 前記第2の一次元のナノエレメントと前記第1の一次元のナノエレメントとは異なる材料で作られていることを特徴とする請求項43に記載した方法。
- 前記第1の一次元のナノエレメントの長さに沿ってヘテロ接合を生成するために、前記第1の一次元のナノエレメントはその中に前記各第1の一次元のナノエレメントの隣接する部分から異なる材料のセグメントを形成していることを特徴とする請求項43に記載した方法。
- 前記第2の一次元ナノエレメントは、前記第2の一次元ナノエレメントの長さに沿ってヘテロ接合を生成するために、前記各第2の一次元ナノエレメント隣接する部分から異なる材料のセグメントをその中に形成していることを特徴とする請求項43に記載した方法。
- 基板上に成長した第1ナノウィスカーと、前記第1ナノウィスカーの周囲に成長した、前記第1ナノウィスカーの横方向に伸びる少なくとも1つの第2ナノウィスカーとを有することを特徴とするナノ構造。
- 各第2ナノウィスカーの周囲に成長した、前記第各2のナノウィスカーに対して横方向に伸びる少なくとも1つの第3のナノウィスカーを含むことを特徴とする請求項60に記載のナノ構造。
- 前記第1ナノウィスカーの周囲に成長し、かつ、前記第1ナノウィスカーの円周方向で前記第1ナノウィスカーの周囲に概ね均一に分布している、複数の第2ナノウィスカーを含むことを特徴とする請求項60に記載のナノ構造。
- 前記第1ナノウィスカーの周囲に成長し、かつ、前記第1ナノウィスカーの長さ方向の周囲に概ね均一に分布している、複数の第2ナノウィスカーを含むことを特徴とする請求項60に記載のナノ構造。
- 前記第1ナノウィスカーの周囲に成長し複数の第2ナノウィスカーを含み、前記第2ナノウィスカーの長さが同じか±5%以内であることを特徴とする請求項60に記載のナノ構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは前記第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定された配向を有することを特徴とする請求項60に記載のナノ構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは前記第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定された3方向の1つを有することを特徴とする請求項65に記載のナノ構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは前記第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定された6方向の1つを有することを特徴とする請求項65に記載のナノ構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは前記第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定された4方向の1つを有することを特徴とする請求項65に記載のナノ構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは、前記第1ナノウィスカーの結晶の面によって決定された<111>配向を有することを特徴とする請求項65に記載のナノ構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは、前記第1ナノウィスカーとは異なる第2の材料で作られていることを特徴とする請求項60に記載のナノ構造。
- 前記第1ナのノウィスカーは、前記第1ナノウィスカーの長さに沿ってヘテロ接合を生成するために、前記各第1ナノウィスカーの隣接する部分から異なる材料でその中に作られたセグメントを有することを特徴とする請求項60に記載のナノ構造。
- 前記第2ナノウィスカーのぞれぞれは、前記第2ナノウィスカーの長さに沿ってヘテロ接合を生成するために、前記第2ナノウィスカーの隣接する部分から異なる材料でその中に作られたセグメントを有することを特徴とする請求項60に記載のナノ構造。
- 前記第1ナノウィスカーの少なくとも1部または第2ナノウィスカーは、光電性である材料から形成されていることを特徴とする請求項60に記載のナノ構造。
- 基板と、前記基板上に配置された複数のナノ構造とを有し、各ナノ構造は、前記基板上に成長した第1ナノウィスカーと、前記第1ナノウィスカーの周囲に成長してかつ横方向に伸びている少なくとも1つの第2ナノウィスカーを含むことを特徴とする構造。
- 前記第2ナノウィスカーの周囲に成長してかつ横方向に伸びている少なくとも1つの第3のナノウィスカーを含むことを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 前記複数のナノ構造は配列されたアレイ中に配置されていることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 前記第1ナノウィスカーは、均一な長さと直径から作られていることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 前記第2ナノウィスカーは、均一な長さと直径から作られていることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 各第1ナノウィスカー上の前記第2ナノウィスカーの数は、同数か±10%以内であることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 各第1ナノウィスカー上の前記第2ナノウィスカーの数は、同数か±10%以内であることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 各第2ナノウィスカーは、前記第1ナノウィスカーの長さの方向で、各第1ナノウィスカーの周囲に概ね均等に分布していることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 前記第2ナノウィスカーの長さは、同じか±5%以内であることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 前記第2ナノウィスカーの配向は、前記第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定されることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは、各第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定される3つの成長方向の1つを有することを特徴とする請求項83に記載の構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは、各第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定される6つの成長方向の1つを有することを特徴とする請求項83に記載の構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは、各第1ナノウィスカーの結晶方向によって決定される4つの成長方向の1つを有することを特徴とする請求項83に記載の構造。
- 前記第2ナノウィスカーのそれぞれは、各第1ナノウィスカーのそれぞれの結晶方向によって決定される<111>配向を有することを特徴とする請求項83に記載の構造。
- 前記第1ナノウィスカーと前記第のナノウィスカーは異なる材料で作られていることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 前記第1ナノウィスカーは、前記第1ナノウィスカーの長さに沿ってヘテロ接合を生成するために、前記第1ナノウィスカーのそれぞれの隣接する部分から異なる材料のセグメントをその中に形成していることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 前記第2ナノウィスカーは、前記第2ナノウィスカーの長さに沿ってヘテロ接合を生成するために、前記第2ナノウィスカーのそれぞれの隣接する部分から異なる材料のセグメントをその中に形成していることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 導電性の触媒粒子が前記第1および第2ナノウィスカーの自由端部に配置され、前記導電性の触媒粒子と前記基板との間に電圧を印加するために配置された接触構造を有しており、前記第1および第2ナノウィスカーが電気的に前記接触構造から絶縁されていることを特徴とする請求項74に記載の構造。
- 各ナノウィスカーが電気的に絶縁性被覆物によって取り囲まれており、透高性の導電材料が前記絶縁性被覆物の周囲に形成されて、触媒粒子との電気的接触を作ることを特徴とする請求項91に記載の構造。
- 前記被覆物は酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項92に記載の構造。
- 前記第1および第2ナノウィスカーは、入射光の異なる波長に反応する異なるからなる領域を含んでいることを特徴とする請求項91に記載の構造。
- 基板と、
前記基板上に配置された複数のナノ構造であって、ぞれぞれが、前記基板上に成長した第1ナノウィスカーと、前記第1ナノウィスカー上に成長し前記第1ナノウィスカーの周囲の横方向伸びる少なくとも1つの第2ナノウィスカーと、前記第1および第2ナノウィスカーの自由端部に配置された導電性の触媒とを有する複数のナノ構造と、
前記導電性触媒と前記基板との間に電圧を印加するために配置された接触構造と、
を有し、
前記第1および第2ナノウィスカーは、前記接触構造と電気的に絶縁されており、前記複数のナノ構造の選択されたナノウィスカーは、発光ダイオードを生成するために、その中に光学活性材料で作られたセグメントを有することを特徴とする光放射パネル構造。 - 基板と、
前記基板上に配置された複数のナノ構造であって、ぞれぞれが、前記基板上に成長した第1ナノウィスカーと、前記第1ナノウィスカー上に成長し前記第1ナノウィスカーの周囲の横方向伸びる少なくとも1つの第2ナノウィスカーと、を有し、
前記第1ナノウィスカーが互いに十分に近くに配置されており、
前記第2ナノウィスカーは、ナノ構造に隣接するナノウィスカーの間に電気的な接触が作られるように十分に長く成長していることを特徴とする神経のネットワーク構造。 - 各第2ナノウィスカーが、各第2ナノウィスカー中にトンネルバリアを形成するように、前記各第2ナノウィスカーの隣接部分から異なるバンドギャップを有する材料のセグメントをその中に形成することを特徴とする請求項96に記載の神経のネットワーク構造。
- 少なくともいくつかの第2ナノウィスカーが、ナノ構造に隣接する各第1ナノウィスカーと電気的に接触することを特徴とする請求項96に記載の神経のネットワーク構造。
- 基板上に成長した第1の一次元のナノエレメントと、前記第1の一次元のナノエレメントの周囲から成長し横方向に伸びる第2の一次元のナノエレメントとを有することを特徴とする請求項96に記載の神経のネットワーク構造。
- 基板上に第1ナノウィスカーを成長させる工程と、
第2ナノウィスカーが前記第1ナノウィスカーに対して横方向に伸びるように、前記第1ナノウィスカーの周囲から前記第2ナノウィスカーを成長させる工程と、
を有することを特徴とするナノ構造を形成する方法。 - 基板上に第1ナノウィスカーを成長させる工程と、
前記第3のナノウィスカーが前記第2ナノウィスカーに対して横方向に伸びるように、前記第2ナノウィスカーの周囲から第3のナノウィスカーを成長させる工程を更に有することを特徴とする請求項100に記載のナノ構造を形成する方法。 - 基板上に第1の一次元のナノエレメントを成長させる工程と、
第2の一次元のナノエレメントが前記第1の一次元のナノエレメントに対して横方向に伸びるように、前記第1の一次元のナノエレメントの複数から第2の一次元のナノエレメントを成長させる工程と、
を有することを特徴とするナノ構造を形成する方法。 - 第3の一次元のナノエレメントが前記第2の一次元のナノエレメントの横方向に伸びるように前記第2の一次元のナノエレメントの周囲から第3の一次元のナノエレメントを成長させる工程を有することを特徴とする請求項102に記載のナノ構造を形成する方法。
- 第1ナノウィスカーと、前記第1ナノウィスカーの周囲から成長し横方向に伸びる第2ナノウィスカーと、前記第2ナノウィスカーの周囲から成長し横方向に伸びる第3のナノウィスカーとを有することを特徴とするナノ構造。
- 第1の一次元のナノエレメントと、前記第1の一次元のナノエレメントの周囲から成長し横方向に伸びる第2の一次元のナノエレメントと、前記第2の一次元のナノエレメントの周囲から成長して横方向に伸びる第3の一次元のナノエレメントとを有することを特徴とするナノ構造。
- 基板と、
前記基板上に配置された複数のナノ構造と、を有し、
各ナノ構造は前記基板上に成長した第1の一次元のナノエレメントと、前記第1の一次元のナノエレメントの周囲から成長し横方向に伸びる第2の一次元のナノエレメントとを含んでいることを特徴とするナノ構造。 - 少なくとも1つの前記複数のナノ構造は、それぞれの第2の一次元のナノエレメントの周囲から成長して横方向に伸びている第3の一次元のナノエレメントを含んでいることを特徴とする請求項106に記載のナノ構造。
- 基板と、
前記基板上に配置された複数のナノ構造と、を有し、
各ナノ構造は、前記基板上に成長した第1の一次元のナノエレメントをそれぞれ1つと、前記ナノ構造の別のものと接触するための1部を有する少なくとも1つの前記ナノ構造と、を含み、
前記1つのナノ構造の一部は、前記1つのナノ構造の前記第1の一次元のナノエレメントの周囲から成長し横方向に伸びる第2の一次元のナノエレメントを含んでいることを特徴とするナノ構造。 - 前記第1のナノ構造の前記第2の一次元のナノエレメントが、前記別のナノ構造の前記第1の一次元のナノエレメントと接触することを特徴とする請求項108に記載の構造。
- 基板と、
前記基板上に配置された複数のナノ構造と、を有し、
各ナノ構造は、前記基板上に成長した第1ナノウィスカーをそれぞれ1つと、前記ナノ構造の別のものと接触するための1部を有する少なくとも1つの前記ナノ構造と、を含み、
前記1つのナノ構造の前記一部は、前記1つのナノ構造の前記第1ナノウィスカーの周囲から成長し横方向に伸びる第2ナノウィスカーを含んでいることを特徴とするナノ構造。 - 前記1つのナノ構造の前記第2ナノウィスカーは、前記別のナノ構造の前記第1ナノウィスカーと接触することを特徴とする請求項110に記載の構造。
- 複数のナノ構造を形成する方法であって、
基板上に複数のナノ構造のそれぞれに対して第1の一次元のナノエレメントをそれぞれ成長させる工程と、
少なくとも1つの前記ナノ構造の前記それぞれ第1の一次元のナノエレメント上に、別の前記ナノ構造を接触させる1部を形成する工程と、
を有し、
前記1つのナノ構造の1部は、前記1つのナノ構造の前記第1の一次元のナノエレメントの周囲から成長し横方向に伸びる第2の一次元のナノエレメントを含むことを特徴とする複数のナノ構造を形成する方法。 - 前記1つのナノ構造の前記第2の一次元のナノエレメントは、前記別のナノ構造の前記第1の一次元のナノエレメントと接触するために成長していることを特徴とする請求項112に記載の複数のナノ構造を形成する方法。
- 複数のナノ構造を形成する方法であって、
基板上に複数のナノ構造のそれぞれに対して第1ナノウィスカーをそれぞれ成長させる工程と、
少なくとも1つの前記ナノ構造の前記第1ナノウィスカー上に、別の前記ナノ構造を接触させる1部を形成する工程と、
を有し、
前記1つのナノ構造の1部は、前記1つのナノ構造の前記第1ナノウィスカーの周囲から成長し横方向に伸びる第2ナノウィスカーを含むことを特徴とする複数のナノ構造を形成する方法。 - 前記1つのナノ構造の前記第2の一次元のナノウィスカーは、前記別のナノ構造の前記第1ナノウィスカーと接触するために成長していることを特徴とする請求項114に記載の複数のナノ構造を形成する方法。
- 予め決められた期間、第1ナノウィスカーを成長させる工程と、
前記予め決められた期間の完了後、前記第1ナノウィスカーの周囲に触媒粒子を供給し前記触媒粒子からVLSプロセスで前記触媒粒子の周囲から横方向に伸びる第2ナノウィスカーを成長させる工程と、
を有することを特徴とするナノ構造を形成する方法。 - 粒子堆積装置に第1ナノウィスカーを供給する工程と、
前記粒子堆積装置を用いて前記第1ナノウィスカーの周囲に少なくとも第1触媒粒子を堆積する工程と、
前記粒子堆積装置から触媒粒子を有する前記ナノウィスカーを除去する工程と、
前記第1ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第2ナノウィスカーを、前記触媒粒子からVLSプロセスで成長させる工程と、
を有することを特徴とするナノ構造を形成する方法。 - ナノ構造を形成する方法であって、
前記方法が、第1ナノウィスカーがVLSプロセスによって成長させられる第1の操作と、第2ナノウィスカーが、前記第1ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びるように、VLSプロセスによって前記第1ナノウィスカーの周囲に成長させられる第2の操作とを含む、複数の別個の操作を有することを特徴とする方法。 - 基板と、
前記基板上に配置された複数のナノ構造であって、それぞれが、前記基板上に成長した第1ナノウィスカーと、複数の前記第1ナノウィスカーから成長して横方向に伸びている少なくとも1つの第2ナノウィスカーと、前記第1および第2ナノウィスカーの自由端部に配置された導電性の触媒粒子とを含む、複数のナノ構造と、
前記導電性の触媒粒子と前記基板との間に電圧を印加するために配置された接触構造と、を有し、
前記第1および第2ナノウィスカーが前記接触構造から電気的に絶縁されていることを特徴とする太陽電池アレイ。 - それぞれのナノウィスカーが電気的に絶縁性の被覆物によって取り囲まれており、前記絶縁性の被覆物の周りに前記触媒粒子との電気的接触を作るために導電性の伝導材料が形成されていることを特徴とする請求項119に記載の太陽電池アレイ。
- 前記被覆物は酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項120に記載の太陽電池アレイ。
- 前記第1および第2ナノウィスカーは、入射甲の異なる波長に応答する異なる材料の領域を含むことを特徴とする請求項119に記載の太陽電池アレイ。
- PN接合が前記それぞれのナノ構造の少なくとも1つの前記第1および第2ナノウィスカーの中に形成されていることを特徴とする請求項119に記載の太陽電池アレイ。
- PN接合が前記それぞれのナノ構造内の前記第1および第2ナノウィスカーの間に形成されていることを特徴とする請求項119に記載の太陽電池アレイ。
- 第2ナノウィスカーが第1ナノウィスカーの周囲から横に伸びるように前記第1ナノウィスカーの周囲に前記第2ナノウィスカーを成長させる工程と、
前記第2ナノウィスカーの周囲から第3のナノウィスカーが横に伸びるように、前記第2ナノウィスカーの周囲に前記第3のナノウィスカーを成長させる工程と、
を有することを特徴とするナノ構造を形成する方法。 - 第2の一次元のナノエレメントが第1の一次元のナノエレメントの周囲から横に伸びるように前記第1の一次元のナノエレメントの周囲に前記第2の一次元のナノエレメントを成長させる工程と、
前記第2の一次元のナノエレメントの周囲から第3の一次元のナノエレメントが横に伸びるように、前記第2の一次元のナノエレメントの周囲に前記第3の一次元のナノエレメントを成長させる工程と、
を有することを特徴とするナノ構造を形成する方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US52489003P | 2003-11-26 | 2003-11-26 | |
US60/524,890 | 2003-11-26 | ||
US56070104P | 2004-04-09 | 2004-04-09 | |
US60/560,701 | 2004-04-09 | ||
PCT/GB2004/004866 WO2005054121A2 (en) | 2003-11-26 | 2004-11-18 | Nanostructures formed of branched nanowhiskers and methods of producing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007523028A true JP2007523028A (ja) | 2007-08-16 |
JP5210520B2 JP5210520B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=34657166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006540589A Expired - Fee Related JP5210520B2 (ja) | 2003-11-26 | 2004-11-18 | 枝を広げたナノウィスカーが形成されたナノ構造とその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7662706B2 (ja) |
EP (2) | EP1689668A2 (ja) |
JP (1) | JP5210520B2 (ja) |
KR (1) | KR101190983B1 (ja) |
CN (1) | CN101124152B (ja) |
WO (1) | WO2005054121A2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007118112A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | National Institute For Materials Science | ナノ樹木/ナノ微粒子複合構造物の作製方法とナノ樹木/ナノ微粒子複合構造物 |
JP2010089249A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 分枝状ナノワイヤーおよびその製造方法 |
JP2012069940A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 触媒成長によって成長したワイヤの表面上の金属触媒残渣を取り除く方法 |
JP2013234115A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-11-21 | Qinghua Univ | カーボンナノチューブ構造体の製造方法 |
JP2016058531A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 国立大学法人 筑波大学 | 光電変換素子、太陽電池及び光センサー |
Families Citing this family (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060175601A1 (en) * | 2000-08-22 | 2006-08-10 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
EP2360298A3 (en) | 2000-08-22 | 2011-10-05 | President and Fellows of Harvard College | Method for depositing a semiconductor nanowire |
US7301199B2 (en) * | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
KR100991573B1 (ko) | 2000-12-11 | 2010-11-04 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 | 나노센서 |
US7335908B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-02-26 | Qunano Ab | Nanostructures and methods for manufacturing the same |
EP1634334A1 (en) | 2003-04-04 | 2006-03-15 | Startskottet 22286 AB | Nanowhiskers with pn junctions and methods of fabricating thereof |
US20090227107A9 (en) * | 2004-02-13 | 2009-09-10 | President And Fellows Of Havard College | Nanostructures Containing Metal Semiconductor Compounds |
US7785922B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-08-31 | Nanosys, Inc. | Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates |
US7528002B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-05-05 | Qunano Ab | Formation of nanowhiskers on a substrate of dissimilar material |
EP1831973A2 (en) * | 2004-12-06 | 2007-09-12 | The President and Fellows of Harvard College | Nanoscale wire-based data storage |
US20060225162A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Sungsoo Yi | Method of making a substrate structure with enhanced surface area |
US20100075130A1 (en) * | 2005-05-17 | 2010-03-25 | Rensselaer Polytechnic Institute | Controlled fabrication of hierarchically branched nanopores, nanotubes, and nanowires |
US20100227382A1 (en) * | 2005-05-25 | 2010-09-09 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale sensors |
WO2006132659A2 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | President And Fellows Of Harvard College | Nanowire heterostructures |
US7446024B2 (en) * | 2005-06-21 | 2008-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming nanowires with a narrow diameter distribution |
US8240190B2 (en) * | 2005-08-23 | 2012-08-14 | Uwm Research Foundation, Inc. | Ambient-temperature gas sensor |
US8268405B2 (en) * | 2005-08-23 | 2012-09-18 | Uwm Research Foundation, Inc. | Controlled decoration of carbon nanotubes with aerosol nanoparticles |
US7741197B1 (en) | 2005-12-29 | 2010-06-22 | Nanosys, Inc. | Systems and methods for harvesting and reducing contamination in nanowires |
AU2006343556B2 (en) * | 2005-12-29 | 2012-06-21 | Oned Material, Inc. | Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates |
US7826336B2 (en) * | 2006-02-23 | 2010-11-02 | Qunano Ab | Data storage nanostructures |
US20080006319A1 (en) * | 2006-06-05 | 2008-01-10 | Martin Bettge | Photovoltaic and photosensing devices based on arrays of aligned nanostructures |
US20080008844A1 (en) * | 2006-06-05 | 2008-01-10 | Martin Bettge | Method for growing arrays of aligned nanostructures on surfaces |
WO2008051316A2 (en) | 2006-06-12 | 2008-05-02 | President And Fellows Of Harvard College | Nanosensors and related technologies |
EP1892769A2 (en) * | 2006-08-25 | 2008-02-27 | General Electric Company | Single conformal junction nanowire photovoltaic devices |
US7893348B2 (en) * | 2006-08-25 | 2011-02-22 | General Electric Company | Nanowires in thin-film silicon solar cells |
US8058640B2 (en) | 2006-09-11 | 2011-11-15 | President And Fellows Of Harvard College | Branched nanoscale wires |
WO2008034823A1 (en) | 2006-09-18 | 2008-03-27 | Qunano Ab | Method of producing precision vertical and horizontal layers in a vertical semiconductor structure |
US8063450B2 (en) * | 2006-09-19 | 2011-11-22 | Qunano Ab | Assembly of nanoscaled field effect transistors |
US7638431B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-12-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Composite nanostructure apparatus and method |
JP2008108757A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
WO2008127314A1 (en) | 2006-11-22 | 2008-10-23 | President And Fellows Of Harvard College | High-sensitivity nanoscale wire sensors |
EP2092577A2 (en) * | 2006-12-05 | 2009-08-26 | Nano Terra Inc. | Edge-emitting light-emitting diode arrays and methods of making and using the same |
WO2008079078A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Qunano Ab | Elevated led and method of producing such |
US8049203B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-11-01 | Qunano Ab | Nanoelectronic structure and method of producing such |
US8183587B2 (en) * | 2006-12-22 | 2012-05-22 | Qunano Ab | LED with upstanding nanowire structure and method of producing such |
CN101669219B (zh) * | 2006-12-22 | 2011-10-05 | 昆南诺股份有限公司 | 带有直立式纳米线结构的led及其制作方法 |
US7629532B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-12-08 | Sundiode, Inc. | Solar cell having active region with nanostructures having energy wells |
US7608854B2 (en) * | 2007-01-29 | 2009-10-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic device and method of making the same |
US7719688B2 (en) * | 2007-04-24 | 2010-05-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical device and method of making the same |
KR20090109980A (ko) * | 2008-04-17 | 2009-10-21 | 한국과학기술연구원 | 가시광 대역 반도체 나노선 광센서 및 이의 제조 방법 |
SE533090C2 (sv) * | 2008-07-09 | 2010-06-22 | Qunano Ab | Nanostrukturerad ljusdiod |
US8840863B2 (en) * | 2008-09-04 | 2014-09-23 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Method for synthesising a nano-product |
SE533531C2 (sv) | 2008-12-19 | 2010-10-19 | Glo Ab | Nanostrukturerad anordning |
US8389387B2 (en) * | 2009-01-06 | 2013-03-05 | Brookhaven Science Associates, Llc | Segmented nanowires displaying locally controllable properties |
US8890115B2 (en) * | 2009-01-06 | 2014-11-18 | Brookhaven Science Associates, Llc | Stable and metastable nanowires displaying locally controllable properties |
US8115190B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-02-14 | Nokia Corporation | Nanowires |
US8223331B2 (en) * | 2009-06-19 | 2012-07-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Signal-amplification device for surface enhanced raman spectroscopy |
US8623288B1 (en) | 2009-06-29 | 2014-01-07 | Nanosys, Inc. | Apparatus and methods for high density nanowire growth |
US8518526B2 (en) * | 2009-08-04 | 2013-08-27 | Ut-Battelle, Llc | Structures with three dimensional nanofences comprising single crystal segments |
US9297796B2 (en) | 2009-09-24 | 2016-03-29 | President And Fellows Of Harvard College | Bent nanowires and related probing of species |
US20110114169A1 (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-19 | Curtis Robert Fekety | Dye sensitized solar cells and methods of making |
TWI409963B (zh) * | 2010-05-07 | 2013-09-21 | Huang Chung Cheng | 同軸奈米線結構的太陽能電池 |
EP2595764A1 (en) * | 2010-07-19 | 2013-05-29 | President and Fellows of Harvard College | Hierarchically structured surfaces to control wetting characteristics |
CN102074429B (zh) * | 2010-12-27 | 2013-11-06 | 清华大学 | 场发射阴极结构及其制备方法 |
WO2012105901A1 (en) | 2011-02-01 | 2012-08-09 | Qunano Ab | Lithium-ion battery comprising nanowires |
KR101232299B1 (ko) * | 2011-06-29 | 2013-02-13 | 한국과학기술원 | 나노 구조체, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 태양 전지 |
AU2012318379B2 (en) | 2011-10-07 | 2016-03-17 | Nedim SAHIN | Infrastructure for solar power installations |
US8877072B2 (en) | 2011-10-10 | 2014-11-04 | Ranjana Sahai | Three-dimensional fractal graduated-branching hierarchical structures and fabrication method thereof |
US9425254B1 (en) * | 2012-04-04 | 2016-08-23 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Hybrid integrated nanotube and nanostructure substrate systems and methods |
US9493890B2 (en) * | 2013-02-19 | 2016-11-15 | Technische Universiteit Eindhoven | Direct band gap wurtzite semiconductor nanowires |
DE112013007246T5 (de) | 2013-07-18 | 2016-04-07 | Halliburton Energy Services, Inc. | Verbindungen, die Kohlenstoffnanowälder umfassen |
FR3061607B1 (fr) * | 2016-12-29 | 2019-05-31 | Aledia | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes |
CN106981531B (zh) * | 2017-04-13 | 2018-09-07 | 商丘师范学院 | 一种三维纳米结构阵列、制备方法及其应用 |
US20220361489A1 (en) * | 2019-10-10 | 2022-11-17 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Nanopatterned Antimicrobial Surface |
CN117092149B (zh) * | 2023-10-19 | 2024-01-09 | 大连高佳化工有限公司 | 一种溶析结晶在线监测系统 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10106960A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-24 | Sony Corp | 量子細線の製造方法 |
US6855202B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-02-15 | The Regents Of The University Of California | Shaped nanocrystal particles and methods for making the same |
AU784574B2 (en) * | 2000-05-04 | 2006-05-04 | Qunano Ab | Nanostructures |
US7182812B2 (en) * | 2002-09-16 | 2007-02-27 | University Of Louisville | Direct synthesis of oxide nanostructures of low-melting metals |
US7335908B2 (en) * | 2002-07-08 | 2008-02-26 | Qunano Ab | Nanostructures and methods for manufacturing the same |
US7294417B2 (en) * | 2002-09-12 | 2007-11-13 | The Trustees Of Boston College | Metal oxide nanostructures with hierarchical morphology |
US7336266B2 (en) | 2003-02-20 | 2008-02-26 | Immersion Corproation | Haptic pads for use with user-interface devices |
EP1634334A1 (en) * | 2003-04-04 | 2006-03-15 | Startskottet 22286 AB | Nanowhiskers with pn junctions and methods of fabricating thereof |
KR101108998B1 (ko) * | 2003-04-04 | 2012-02-09 | 큐나노에이비 | 정밀하게 위치된 나노위스커, 나노위스커 어레이 및 그제조 방법 |
KR20060058085A (ko) * | 2003-07-08 | 2006-05-29 | 큐나노 에이비 | 나노위스커를 통합하는 프로브 구조체, 그 제조 방법, 및나노위스커를 형성하는 방법 |
US7354850B2 (en) * | 2004-02-06 | 2008-04-08 | Qunano Ab | Directionally controlled growth of nanowhiskers |
US7528002B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-05-05 | Qunano Ab | Formation of nanowhiskers on a substrate of dissimilar material |
-
2004
- 2004-11-12 US US10/986,438 patent/US7662706B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-18 WO PCT/GB2004/004866 patent/WO2005054121A2/en active Application Filing
- 2004-11-18 EP EP04798581A patent/EP1689668A2/en not_active Withdrawn
- 2004-11-18 KR KR1020067012811A patent/KR101190983B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-11-18 EP EP11162410A patent/EP2347994A1/en not_active Withdrawn
- 2004-11-18 JP JP2006540589A patent/JP5210520B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-18 CN CN2004800409874A patent/CN101124152B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-12 US US12/704,754 patent/US7875536B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6011003154, Y. Q. ZHU et al., "Selective Co−catalysed growth of novel MgO fishbone fractal nanostructures", Chemical Physics Letters, 20011026, Vol. 347, p. 337−343 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007118112A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | National Institute For Materials Science | ナノ樹木/ナノ微粒子複合構造物の作製方法とナノ樹木/ナノ微粒子複合構造物 |
JP2010089249A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 分枝状ナノワイヤーおよびその製造方法 |
JP2012069940A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 触媒成長によって成長したワイヤの表面上の金属触媒残渣を取り除く方法 |
JP2013234115A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-11-21 | Qinghua Univ | カーボンナノチューブ構造体の製造方法 |
JP2016058531A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 国立大学法人 筑波大学 | 光電変換素子、太陽電池及び光センサー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005054121A8 (en) | 2005-10-27 |
US7662706B2 (en) | 2010-02-16 |
US7875536B2 (en) | 2011-01-25 |
CN101124152A (zh) | 2008-02-13 |
KR20060133542A (ko) | 2006-12-26 |
JP5210520B2 (ja) | 2013-06-12 |
KR101190983B1 (ko) | 2012-10-12 |
US20060057360A1 (en) | 2006-03-16 |
EP1689668A2 (en) | 2006-08-16 |
US20100151661A1 (en) | 2010-06-17 |
WO2005054121A2 (en) | 2005-06-16 |
EP2347994A1 (en) | 2011-07-27 |
CN101124152B (zh) | 2013-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5210520B2 (ja) | 枝を広げたナノウィスカーが形成されたナノ構造とその製造方法 | |
KR101147053B1 (ko) | 나노구조체 및 그 제조 방법 | |
Nikoobakht et al. | Scalable synthesis and device integration of self-registered one-dimensional zinc oxide nanostructures and related materials | |
Dick et al. | Synthesis of branched'nanotrees' by controlled seeding of multiple branching events | |
US9012887B2 (en) | Nanowire growth on dissimilar material | |
CN101443887B (zh) | Gan纳米线的脉冲式生长及在族ⅲ氮化物半导体衬底材料中的应用和器件 | |
CN104145340B (zh) | 具有石墨烯顶部电极和底部电极的纳米线装置以及制造该装置的方法 | |
JP2005532181A5 (ja) | ||
US8273983B2 (en) | Photonic device and method of making same using nanowires | |
US20090188557A1 (en) | Photonic Device And Method Of Making Same Using Nanowire Bramble Layer | |
US20220262978A1 (en) | Nanowire device | |
Radhakrishnan et al. | Epitaxial growth of III–V semiconductor vertical and tilted nanowires on silicon |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060727 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071109 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120123 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120410 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130225 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |