JP2007519783A5 - - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 33
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 claims description 23
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229920000962 poly(amidoamine) Polymers 0.000 claims description 7
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 241001264766 Callistemon Species 0.000 claims description 4
- 229920001451 Polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 claims 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 claims 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims 1
- 230000003115 biocidal Effects 0.000 claims 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 claims 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004433 nitrogen atoms Chemical group N* 0.000 claims 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical group 0.000 claims 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 229920000223 polyglycerol Polymers 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 claims 1
- 239000011780 sodium chloride Chemical group 0.000 claims 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical group 0.000 claims 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 1
- 229920002521 Macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229920000578 graft polymer Polymers 0.000 description 1
Description
高度に分岐したポリマーは、任意の適当なポリマー又はコポリマーであってよい。高度に分岐したポリマーには二つの一般的な種類がある：明確な構造を有する設計通りに作られた高分子（例えばデンドリマー、櫛型ポリマー、グラフトポリマー、ボトルブラシポリマー（bottle brush polymer））、及び不規則に（統計的に）分岐したポリマーである。ポリマーは、デンドリマー（例えばスターバーストデンドリマー）、櫛型ポリマー又は櫛型コポリマー（例えばカーテン型ポリマー）、ボトルブラシポリマー又はボトルブラシコポリマー、スターデンドリマーハイブリッドポリマー、直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマー（a linear-dendrimer diblock copolymer）、直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマー（a linear-dendrimer triblock copolymer）、不規則に分岐したポリマー又はこれらの組み合わせであってよい。
高度に分岐したポリマー（特にデンドリマー）は、必要に応じて、１以上のポリマー鎖（例えば直線状ポリマー鎖）により官能基化して、ハイブリッドポリマー構造を形成してもよい。例えば、デンドリマーは１以上の直線状ポリマーにより官能基化でき、ＰＡＭＡＭ−ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）・ジブロック・コポリマーのような直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマー、ポリエチレンオキサイド−ポリプロピレンオキサイド−ポリアミドアミン（ＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＡＭＡＭ）・トリブロック・コポリマーのような直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマー、又はスターデンドリマーハイブリッドコポリマーを形成する。
Claims (23)
- （ａ）液体キャリア、
（ｂ）５０％以上の分岐度を有するポリマー、及び
（ｃ）研磨パッド、研磨材、又はこれらの組み合わせを含む研磨システム。 - 分岐度が６０％以上である、請求項１に記載の研磨システム。
- 分岐度が７０％以上である、請求項２に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーが、デンドリマー、櫛型ポリマー、ボトルブラシポリマー、直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマー、直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマー、不規則に分岐したポリマー及びこれらのコポリマー、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーが直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマーである、請求項４に記載の研磨システム。
- 前記直鎖−デンドリマー・ジブロック・コポリマーが、ポリエチレンオキサイド−ポリアミドアミン（ＰＥＯ−ＰＡＭＡＭ）・ジブロック・コポリマーである、請求項５に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーが直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマーである、請求項４に記載の研磨システム。
- 前記直鎖−デンドリマー・トリブロック・コポリマーが、ポリエチレンオキサイド−ポリプロピレンオキサイド−ポリアミドアミン・トリブロック・コポリマーである、請求項７に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーがデンドリマーである、請求項４に記載の研磨システム。
- 前記デンドリマーが、Ｃ1-8複素環、Ｃ1-8炭素環、Ｃ1-8アルカン及びＣ1-8アミノアルカンからなる群から選択されるコアモノマーを含む、請求項９に記載の研磨システム。
- 前記デンドリマーが窒素原子から分岐している、請求項９に記載の研磨システム。
- 前記デンドリマーが２〜１０世代のものを含む、請求項９に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーがポリアミドアミン（ＰＡＭＡＭ）ポリマーである、請求項１に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーがポリグリセロールである、請求項１に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーが、アミン、アミド、カルボン酸、スルホン酸、ホスホン酸、ヒドロキシル基及びこれらの塩、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される表面官能基を含む、請求項１に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーの分子量が１，０００〜１，０００，０００ｇ／ｍｏｌである、請求項１に記載の研磨システム。
- 前記分子量が２，０００〜５００，０００ｇ／ｍｏｌである、請求項１６に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーが、モノマーを含む高度に分岐したコアを含み、該高度に分岐したコアの中の該モノマーの５０％以上が分岐している、請求項１に記載の研磨システム。
- 前記ポリマーの粘度が、同条件下において、同じモノマー組成及び分子量の直線状ポリマーの粘度の７０％以下である、請求項１に記載の研磨システム。
- 前記システムが、前記液体キャリア中に懸濁した研磨材を含む、請求項１に記載の研磨システム。
- 前記システムが、研磨パッドに固定された研磨材を含む、請求項１に記載の研磨システム。
- キレート剤又は錯形成剤、酸化剤、界面活性剤、消泡剤、殺生剤及びこれらの組み合わせからなる群から選択される１種以上の研磨添加剤をさらに含む、請求項１に記載の研磨システム。
- （ｉ）基板を請求項１に記載の研磨システムと接触させ、及び
（ｉｉ）該基板を研磨するために、該基板の少なくとも一部を薄く削ることを含む、基板を研磨する方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/755,154 US7255810B2 (en) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | Polishing system comprising a highly branched polymer |
| US10/755,154 | 2004-01-09 | ||
| PCT/US2005/000187 WO2005071031A1 (en) | 2004-01-09 | 2005-01-05 | Polishing system comprising a highly branched polymer |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007519783A JP2007519783A (ja) | 2007-07-19 |
| JP2007519783A5 true JP2007519783A5 (ja) | 2007-12-20 |
| JP5006048B2 JP5006048B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=34739520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006549362A Active JP5006048B2 (ja) | 2004-01-09 | 2005-01-05 | 高度に分岐したポリマーを含む研磨システム |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7255810B2 (ja) |
| EP (1) | EP1702015B1 (ja) |
| JP (1) | JP5006048B2 (ja) |
| KR (1) | KR101049981B1 (ja) |
| CN (1) | CN1906260A (ja) |
| AT (1) | ATE444342T1 (ja) |
| DE (1) | DE602005016887D1 (ja) |
| IL (1) | IL176312A (ja) |
| MY (1) | MY142089A (ja) |
| TW (1) | TWI268199B (ja) |
| WO (1) | WO2005071031A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7563383B2 (en) * | 2004-10-12 | 2009-07-21 | Cabot Mircroelectronics Corporation | CMP composition with a polymer additive for polishing noble metals |
| US20060090692A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Dominguez Juan E | Generating nano-particles for chemical mechanical planarization |
| US20070077865A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
| US8741008B2 (en) * | 2008-02-18 | 2014-06-03 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method |
| JP5576409B2 (ja) | 2009-03-13 | 2014-08-20 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | ナノダイヤモンドを用いた化学機械平坦化 |
| JP5563269B2 (ja) * | 2009-10-09 | 2014-07-30 | 四日市合成株式会社 | ガラスポリッシング加工用組成物 |
| JP6101421B2 (ja) * | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
| US10407594B2 (en) | 2011-03-22 | 2019-09-10 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a polymeric polyamine |
| EP2518120A1 (en) | 2011-04-28 | 2012-10-31 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a polymeric polyamine |
| JP5710353B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-04-30 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
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| MY178806A (en) * | 2013-05-15 | 2020-10-20 | Basf Se | Chemical-mechanical polishing compositions comprising polyethylene imine |
| EP2826827B1 (en) * | 2013-07-18 | 2019-06-12 | Basf Se | CMP composition comprising abrasive particles containing ceria |
| US20150104940A1 (en) | 2013-10-11 | 2015-04-16 | Air Products And Chemicals Inc. | Barrier chemical mechanical planarization composition and method thereof |
| JP6435689B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2018-12-12 | Ａｇｃ株式会社 | 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液 |
| KR102371795B1 (ko) | 2016-09-23 | 2022-03-08 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 화학적 기계적 평탄화 슬러리 및 이를 형성하는 방법 |
| JP2018074048A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| PE20211806A1 (es) | 2018-07-04 | 2021-09-14 | Basf Se | Agentes quelantes de hierro como activadores en circuitos de flotacion alcalina |
| KR20210142582A (ko) * | 2019-03-22 | 2021-11-25 | 주식회사 다이셀 | 반도체 배선 연마용 조성물 |
| KR20220130544A (ko) * | 2021-03-18 | 2022-09-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 |
| KR20220130543A (ko) * | 2021-03-18 | 2022-09-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 |
| KR20230028826A (ko) * | 2021-08-23 | 2023-03-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 |
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-
2004
- 2004-01-09 US US10/755,154 patent/US7255810B2/en active Active
- 2004-12-29 TW TW093141179A patent/TWI268199B/zh active
-
2005
- 2005-01-05 WO PCT/US2005/000187 patent/WO2005071031A1/en active Application Filing
- 2005-01-05 AT AT05705006T patent/ATE444342T1/de active
- 2005-01-05 KR KR1020067013684A patent/KR101049981B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-05 DE DE602005016887T patent/DE602005016887D1/de active Active
- 2005-01-05 EP EP05705006A patent/EP1702015B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-05 JP JP2006549362A patent/JP5006048B2/ja active Active
- 2005-01-05 CN CNA2005800017764A patent/CN1906260A/zh active Pending
- 2005-01-06 MY MYPI20050037A patent/MY142089A/en unknown
-
2006
- 2006-06-14 IL IL176312A patent/IL176312A/en not_active IP Right Cessation
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| JP2019502803A5 (ja) | ||
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