JP2007336643A - パワーモジュール - Google Patents
パワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007336643A JP2007336643A JP2006163593A JP2006163593A JP2007336643A JP 2007336643 A JP2007336643 A JP 2007336643A JP 2006163593 A JP2006163593 A JP 2006163593A JP 2006163593 A JP2006163593 A JP 2006163593A JP 2007336643 A JP2007336643 A JP 2007336643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- diode
- electrode
- inverter
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
- Y02T10/72—Electric energy management in electromobility
Abstract
【課題】小型化および高い生産性を実現可能なパワーモジュールを提供する。
【解決手段】インバータモジュール150Aにおいて、インバータ151および152を構成する電力スイッチQ3〜Q8およびダイオードD3〜D8が規則的に配列される。インバータ151において、各電力スイッチQ3〜Q8が2個ずつのIGBT素子の並列接続によって構成される一方で、各ダイオードD3〜D8は1個のダイオード素子によって構成される。また、インバータ152においては、各電力スイッチQ3〜Q8が3個ずつのIGBT素子の並列接続によって構成される一方で、各ダイオードD3〜D8は1個のダイオード素子によって構成される。各IGBT素子とダイオード素子とは、絶縁基板210上に搭載され、絶縁基板210上に形成されたP電極220、N電極230および出力電極240とワイヤボンディングによって電気的に接続される。
【選択図】図4
【解決手段】インバータモジュール150Aにおいて、インバータ151および152を構成する電力スイッチQ3〜Q8およびダイオードD3〜D8が規則的に配列される。インバータ151において、各電力スイッチQ3〜Q8が2個ずつのIGBT素子の並列接続によって構成される一方で、各ダイオードD3〜D8は1個のダイオード素子によって構成される。また、インバータ152においては、各電力スイッチQ3〜Q8が3個ずつのIGBT素子の並列接続によって構成される一方で、各ダイオードD3〜D8は1個のダイオード素子によって構成される。各IGBT素子とダイオード素子とは、絶縁基板210上に搭載され、絶縁基板210上に形成されたP電極220、N電極230および出力電極240とワイヤボンディングによって電気的に接続される。
【選択図】図4
Description
この発明は、パワーモジュールに関し、より特定的には、電力変換を行なうためのパワーモジュールに関する。
最近、環境に配慮した自動車として、ハイブリッド自動車(Hybrid Vehicle)および電気自動車(Electric Vehicle)が注目されている。ハイブリッド自動車は、従来のエンジンに加え、インバータを介して直流電源により駆動されるモータを動力源とする自動車である。つまり、エンジンを駆動することにより動力源を得るとともに、直流電源からの直流電圧をインバータによって交流電圧に変換し、その変換した交流電圧によりモータを回転することによって動力源を得るものである。また、電気自動車は、インバータを介して直流電源によって駆動されるモータを動力源とする自動車である。
このようなハイブリッド自動車または電気自動車に搭載されるインテリジェントパワーモジュール(IPM)は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の半導体スイッチング素子(パワー半導体素子)を高速スイッチングすることにより、直流電源から供給される直流電力を交流電力に変換してモータを駆動するものである。
たとえば特許文献1は、正母線と負母線との間に直列接続された上アーム群としたアーム群とを備えるインバータ装置を開示する。これによれば、上アーム群は、正母線と中点との間に並列接続されたIGBTQ1,Q3,Q5と、ダイオードD1,D3,D5とからなる。ダイオードD1,D3,D5は、IGBTQ1,Q3,Q5のエミッタ−コレクタ間に、エミッタ側からコレクタ側に電流を流すようにそれぞれ接続される。下アーム群についても同様に、中点と負母線との間に並列接続されたIGBTQ2,Q4,Q6と、IGBTQ2,Q4,Q6のエミッタ−コレクタ間に接続されたダイオードD2,D4,D6とからなる。
特開2005−229669号公報
ここで、IPMにおいては、モータの高出力化の要求を受けて、インバータ装置に含まれる半導体スイッチング素子の各々をIGBT素子の3並列接続、または2並列接続とする構成が広く採用されている。
かかる構成は、同一定格のIGBT素子の並列接続個数を変えることにより、各半導体スイッチング素子の電流容量の違いを実現する趣旨である。これによれば、半導体スイッチング素子の設計そのものを都度変更する必要がないので、製造コストを低減できる。
しかしながら、その一方で、IGBT素子と対をなすように設けられるダイオード素子についても、IGBT素子の並列接続個数の変更に伴ない、その並列接続個数が変えられる。そのため、実際のIPMのレイアウトにおいては、インバータ装置の占有面積が、単純にIGBT素子およびダイオード素子の並列接続個数に比例して増大することとなる。これは、実装時のスペース制約からIPMに課されている小型化の要求に相反するものである。
また、上記の構成では、素子の並列接続個数を増やすことによって容易に所望の電流容量を実現できる一方で、基板に搭載される部品点数が並列接続個数に比例して増加する。そのため、ワイヤボンダによるボンディング作業が複雑化し、生産性の向上を困難なものとしていた。
それゆえ、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、小型化および高い生産性を実現可能なパワーモジュールを提供することである。
この発明によれば、パワーモジュールは、電力変換を行なうためのパワーモジュールである。パワーモジュールは、第1電極と第2電極との間に並列接続され、制御電極への電気的入力に応答して第1電極から第2電極への電流経路を形成するための複数の半導体スイッチング素子と、複数の半導体スイッチング素子に共通に接続され、第2電極から第1電極への電流経路を形成するための単一のダイオード素子とを備える。
上記のパワーモジュールによれば、同一の電力スイッチを構成する複数の半導体スイッチング素子に逆並列接続されるダイオードを単一のダイオード素子で共用することにより、これまで半導体スイッチング素子と同数個のダイオード素子を配列するのに確保されていた搭載スペースが不要となる。この結果、パワーモジュールの実装面積を縮小でき、パワーモジュールの小型化が実現される。また、部品点数の削減に応じてボンディング作業が簡素化されるため、生産性の向上を図ることができる。
好ましくは、パワーモジュールは、車両に電力変換器として搭載される。
上記のパワーモジュールによれば、パワーモジュールの小型化が可能であるため、実装時のスペース制約が厳しい車両への搭載に適している。
上記のパワーモジュールによれば、パワーモジュールの小型化が可能であるため、実装時のスペース制約が厳しい車両への搭載に適している。
この発明によれば、小型化に適し、かつ、高い生産性を有するパワーモジュールを実現することができる。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図1は、この発明に従うパワーモジュールの搭載例として示されるハイブリッド自動車の全体構成を示す概略ブロック図である。
図1を参照して、ハイブリッド自動車5は、バッテリ10と、PCU(Power Control Unit)20と、動力出力装置30と、ディファレンシャルギア(DG:Differential Gear)40と、前輪50L,50Rと、後輪60L,60Rと、フロントシート70L,70Rと、リアシート80とを備える。
バッテリ10は、リアシート80の後方部に配置される。そして、バッテリ10は、PCU20に電気的に接続される。PCU20は、たとえば、フロントシート70L,70Rの下部領域、すなわちフロア下領域を利用して配置される。動力出力装置30は、ダッシュボード90よりも前側のエンジンルームに配置される。PCU20は、動力出力装置30と電気的に接続される。動力出力装置30は、DG40と連結される。
直流電源であるバッテリ10は、たとえば、ニッケル水素またはリチウムイオン等の二次電池から成り、直流電圧をPCU20へ供給するとともに、PCU20からの直流電圧によって充電される。
PCU20は、バッテリ10からの直流電圧を昇圧し、その昇圧した直流電圧を交流電圧に変換して動力出力装置30に含まれるモータジェネレータを駆動制御する。また、PCU20は、動力出力装置30に含まれるモータジェネレータが発電した交流電圧を直流電圧に変換してバッテリ10を充電する。
動力出力装置30は、エンジンおよび/またはモータジェネレータによる動力をDG40を介して前輪50L,50Rに伝達して前輪50L,50Rを駆動する。また、動力出力装置30は、前輪50L,50Rの回転力によって発電し、その発電した電力をPCU20へ供給する。
DG40は、動力出力装置30からの動力を前輪50L,50Rに伝達するとともに、前輪50L,50Rの回転力を動力出力装置30へ伝達する。
図2は、図1に示されたPCU20の主要部を示す電気回路図である。
図2を参照して、PCU20は、昇圧コンバータ100と、コンデンサ140と、インバータモジュール150とを含む。
図2を参照して、PCU20は、昇圧コンバータ100と、コンデンサ140と、インバータモジュール150とを含む。
非絶縁型の昇圧チョッパを構成する昇圧コンバータ100は、リアクトル120および昇圧パワーモジュール130を含む。昇圧パワーモジュール130は、電力スイッチQ1,Q2とダイオードD1,D2とを含む。この実施の形態において、電力スイッチとしては、代表的にはIGBTが適用される。
電力スイッチQ1,Q2は、電源ライン103とアースライン102との間に直列に接続される。電力スイッチQ1は、コレクタが電源ライン103に接続され、エミッタが電力スイッチQ2のコレクタに接続される。また、電力スイッチQ2のエミッタはアースライン102に接続される。また、ダイオードD1,D2は、各電力スイッチQ1,Q2の逆並列ダイオードとして設けられる。
リアクトル120は、一方端が電源ライン101に接続され、他方端が各電力スイッチQ1およびQ2の接続ノードに接続される。コンデンサ140は、電源ライン103とアースライン102との間に接続される。
インバータモジュール150は、2つのインバータ151,152から構成される。インバータ151は、U相アーム153、V相アーム154およびW相アーム155からなる。U相アーム153、V相アーム154およびW相アーム155は、電源ライン103とアースライン102との間に並列に接続される。
U相アーム153は、直列に接続された電力スイッチQ3,Q4からなり、V相アーム154は、直列に接続された電力スイッチQ5,Q6からなり、W相アーム155は、直列に接続された電力スイッチQ7,Q8からなる。また、各電力スイッチQ3〜Q8には、逆並列ダイオードD3〜D8がそれぞれ接続されている。
各相アームの中間点に相当する出力導体160u,160v,160wは、モータジェネレータMG1の各相コイルの各相端に接続されている。すなわち、モータジェネレータMG1は、3相の永久磁石モータであり、U,V,W相の3つのコイルの一端が中点に共通接続されて構成され、U相コイルの他端が出力導体160uに、V相コイルの他端が出力導体160vに、W相コイルの他端が出力導体160wにそれぞれ接続されている。
インバータ152は、インバータ151と同じ構成からなる。そして、インバータ152の各相アームの中間点に相当する出力導体165u,165v,165wは、モータジェネレータMG2の各相コイルの各相端に接続されている。すなわち、モータジェネレータMG2も、3相の永久磁石モータであり、U,V,W相の3つのコイルの一端が中点に共通接続されて構成され、U相コイルの他端が出力導体165uに、V相コイルの他端が出力導体165vに、W相コイルの他端が出力導体165wにそれぞれ接続されている。
昇圧コンバータ100は、電源ライン101とアースライン102との間にバッテリ10から供給された直流電圧を受け、電力スイッチQ1,Q2がスイッチング制御されることにより直流電圧を昇圧してコンデンサ140に供給する。
コンデンサ140は、昇圧コンバータ100からの直流電圧を平滑化してインバータ151,152へ供給する。インバータ151は、コンデンサ140からの直流電圧を交流電圧に変換してモータジェネレータMG1を駆動する。インバータ152は、コンデンサ140からの直流電圧を交流電圧に変換してモータジェネレータMG2を駆動する。
また、インバータ151は、モータジェネレータMG1が発電した交流電圧を直流電圧に変換してコンデンサ140に供給する。インバータ152は、モータジェネレータMG2が発電した交流電圧を直流電圧に変換してコンデンサ140に供給する。
コンデンサ140は、モータジェネレータMG1またはMG2からの直流電圧を平滑化して昇圧コンバータ100へ供給する。昇圧コンバータ100は、コンデンサ140からの直流電圧を降圧してバッテリ10または図示しないDC/DCコンバータへ供給する。
電力スイッチで構成される半導体モジュールである昇圧パワーモジュール130およびインバータモジュール150について、以下に説明するこの発明によるパワーモジュールを適用することができる。
[この発明によるパワーモジュールの構成]
この発明によるパワーモジュールの全体構成を説明するにあたり、最初に比較のために、従来より広く採用されているパワーモジュールの構成例について説明する。
この発明によるパワーモジュールの全体構成を説明するにあたり、最初に比較のために、従来より広く採用されているパワーモジュールの構成例について説明する。
図3は、図2におけるインバータモジュール150の一般的なレイアウトを説明するための図である。
図3を参照して、インバータモジュール150では、インバータ151および152を構成する電力スイッチQ3〜Q8およびダイオードD3〜D8が規則的に配列される。
インバータ151の各電力スイッチQ3〜Q8および各ダイオードD3〜D8は、2個ずつの半導体スイッチング素子およびダイオード素子の並列接続によって構成される。なお、電力スイッチとしてIGBTが適用されるので、以下において各半導体スイッチング素子をIGBT素子とも称する。
たとえば、V相上アームの電力スイッチQ5は、2つのIGBT素子181および182の並列接続によって構成され、ダイオードD5は、ダイオード素子191および192の並列接続によって構成されている。
一方、インバータ152の各電力スイッチQ3〜Q8および各ダイオードD3〜D8は、3個ずつのIGBT素子およびダイオード素子の並列接続によって構成される。たとえば、V相上アームの電力スイッチQ5は、3つのIGBT素子183〜185の並列接続によって構成され、ダイオードD5は、ダイオード素子193〜195の並列接続によって構成されている。
これらのIGBT素子およびダイオード素子は、絶縁基板210上に搭載される。絶縁基板210上には、金属電極220,230,240が形成される。
金属電極220は、図2における電源ライン103に対応するP電極であり、金属電極230は、図2におけるアースライン102に相当するN電極である。また、金属電極240は、図2に示した出力導体160u〜160v,165u〜165vとそれぞれ電気的に接続される出力電極である。これらのP電極220、N電極230および出力電極240は、インバータ151および152の各々について、U相、V相およびW相にそれぞれ対応して3個ずつ繰返し配置されている。
各IGBT素子およびダイオード素子は、図2に示した電気的接続を実現するように、P電極220、N電極230および出力電極240と、ワイヤボンディング等によって電気的に接続される。絶縁基板210は、下部アルミ電極(図示せず)を介して放熱板200へ半田付けされる。
たとえば、インバータ152の電力スイッチQ5を構成するIGBT素子183〜185は、出力導体165vへ接続される出力電極240とP電極220との間に、ワイヤボンディングによって並列接続されている。
ここで、モータジェネレータMG1は主に発電用途に用いられ、モータジェネレータMG2は主に車輪駆動力発生用に用いられるため、インバータ151を構成する各電力スイッチは、インバータ152を構成する各電力スイッチよりも、その電流容量を大きく設定することが求められる。
そこで、従来のインバータモジュール(パワーモジュール)では、図3に示すように、共通化された同一定格のIGBT素子の並列接続個数を変えることにより、各電力スイッチの電流容量の違いを実現している。このようなモジュール構成は、電力スイッチの設計そのものを都度変更する必要がないので、製造コストを低減できるという利点を有する。
しかしながら、その一方で、IGBT素子と対をなすように設けられたダイオード素子についても、IGBT素子の並列接続個数の変更に伴ない、その並列接続個数が変えられる。これは、電力スイッチおよびダイオードが搭載される絶縁基板210の占有面積を増大させることとなり、インバータモジュール150の小型化を阻む要因となる。
すなわち、図3のインバータモジュール150では、インバータ151を構成する各電力スイッチは、インバータ152を構成する各電力スイッチと比較して、IGBT素子の並列接続個数が増えたのと同時に、これらに並列接続されるダイオード素子の並列接続個数も増加する。そのため、電力スイッチおよびダイオードの占有面積は、単純にIGBT素子およびダイオード素子の並列接続個数の増加に比例して増大する。これは、インバータモジュール150全体の実装面積の増大に繋がる。
さらに、従来のモジュール構成は、生産性の面においても、部品点数の増加により配線工程が複雑化するという問題を有する。
詳細には、図3を参照して、たとえば、インバータ152の電力スイッチQ5を構成するIGBT素子183〜185は、それぞれ、エミッタ電極がボンディングワイヤによってダイオード素子193〜195のカソード電極と電気的に接続される。さらに、ダイオード素子193〜195は、カソード電極がボンディングワイヤによって出力導体165vへ接続される出力電極240とそれぞれ電気的に接続される。
これによれば、電力スイッチの電流容量が所望の大きさとなるようにIGBT素子およびダイオード素子の並列接続個数を増加させると、その増加に応じてボンディングワイヤの本数も増えることとなり、ボンディング作業が複雑化する。パワーモジュールの生産性を向上するためには、IGBT素子およびダイオード素子の並列接続個数の大小に拘らずボンディング作業を簡素化できることが望ましい。
そこで、この発明によるパワーモジュールは、図4に示すように、1つの電力スイッチに並列接続される複数のダイオード素子を単一のダイオード素子で共通化することを特徴的な構成とする。
なお、この発明において、ダイオードを複数のダイオード素子で構成するとは、並列接続される複数のIGBT素子のエミッタがそれぞれ互いにアイソレートされるように設けられた複数のP型領域に電気的に接続されていることを意味する。これに対し、ダイオードを単一のダイオード素子で構成するとは、当該複数のIGBT素子のエミッタが共通して単一のP型領域に電気的に接続されていることを意味する。
このような構成とすることにより、1つの電力スイッチに逆並列接続されるダイオードを、当該電力スイッチを構成する複数個のIGBT素子と同数のダイオード素子で構成する従来のパワーモジュールに対して、ダイオードと電極との間の電気的接続を確保するためのボンディング作業を簡素化できるため、パワーモジュールの生産性を向上することができる。
さらには、パワーモジュール全体の実装面積を縮小できるため、パワーモジュールを小型化することができる。
図4は、この発明によるパワーモジュールの代表例であるインバータモジュール150Aのレイアウト図である。
図4を参照して、インバータモジュール150Aでは、図3のインバータモジュール150と同様に、インバータ151および152を構成する電力スイッチQ3〜Q8およびダイオードD3〜D8が規則的に配列される。
インバータ151において、各電力スイッチQ3〜Q8は2個ずつのIGBT素子の並列接続によって構成される。これに対し、各ダイオードD3〜D8は、1個のダイオード素子によって構成される。たとえば、V相上アームの電力スイッチQ5は、2つのIGBT素子181および182の並列接続によって構成され、ダイオードD5は、1個のダイオード素子191によって構成されている。
また、インバータ152においては、各電力スイッチQ3〜Q8が3個ずつのIGBT素子の並列接続によって構成されるのに対し、各ダイオードD3〜D8は1個のダイオード素子によって構成される。たとえば、V相上アームの電力スイッチQ5は、3つのIGBT素子183〜185の並列接続によって構成され、ダイオードD5は、1個のダイオード素子193によって構成されている。
各IGBT素子とダイオード素子とは、絶縁基板210上に搭載される。絶縁基板210上には、図3と同様に金属電極220,230,240が形成される。また、絶縁基板210は、下部アルミ電極(図示せず)を介して放熱板200へ半田付けされる。
すなわち、金属電極220は、P電極に相当するともに、電力スイッチQ3,Q5,Q7の「第1電極」に相当する。また、金属電極230は、出力電極に相当するとともに、電力スイッチQ3,Q5,Q7の「第2電極」に相当し、かつ、電力スイッチQ4,Q6,Q7の「第1電極」に相当する。さらに、金属電極240は、N電極に相当するとともに、電力スイッチQ4,Q6,Q8の「第2電極」に相当する。
そして、各IGBT素子およびダイオード素子は、図2に示した電気的接続を実現するように、P電極220、N電極230および出力電極240と、ワイヤボンディングによって電気的に接続される。
ここで、この発明によるインバータモジュール150Aは、電力スイッチに並列接続されるダイオードが1個のダイオード素子で構成されるため、ダイオードと電極との間を接続するために行なわれるボンディング作業を簡素化することが可能となる。
たとえば、インバータ152の電力スイッチQ5を構成するIGBT素子183〜185は、エミッタ電極がボンディングワイヤによってダイオード素子193のカソード電極と電気的に接続される。さらに、ダイオード素子193は、カソード電極がボンディングワイヤによって出力導体165vへ接続される出力電極240と電気的に接続される。
かかる配線構造を、図3におけるインバータ152の電力スイッチQ5およびダイオードD5の配線構造と比較すると、ダイオードD5と出力電極240との間を接続するためのボンディングワイヤが一箇所に集約されていることが分かる。これにより、ボンディング作業が簡素化されるため、インバータモジュール150Aの生産性を向上することができる。
[変更例]
図5は、この発明によるインバータモジュールのレイアウトの変更例を示す図である。なお、図5は、簡単のため、インバータモジュール150Bからインバータ151,152のW相上下アームのみを抽出して図示するとともに、これと同様の構成からなるV相上下アームおよびU相上下アームについてはその図示および説明を省略する。
図5は、この発明によるインバータモジュールのレイアウトの変更例を示す図である。なお、図5は、簡単のため、インバータモジュール150Bからインバータ151,152のW相上下アームのみを抽出して図示するとともに、これと同様の構成からなるV相上下アームおよびU相上下アームについてはその図示および説明を省略する。
図5を参照して、インバータモジュール150Bでは、インバータモジュール150Aと同様に、インバータ151の各電力スイッチは3個ずつのIGBT素子の並列接続によって構成される。また、インバータ151の各ダイオードは1個のダイオード素子によって構成される。
ここで、1個のダイオード素子に並列接続される3個のIGBT素子は、ダイオード素子の周囲を囲むように配置される。たとえば、インバータ152の電力スイッチQ8を構成するIGBT素子183〜185は、ダイオードD8を構成するダイオード素子193の周囲を囲むように配置される。
また、インバータ152においては、インバータ152の各電力スイッチを構成する2個のIGBT素子は、各ダイオードを構成する1個のダイオード素子を挟んで両側に配置される。たとえば、インバータ151の電力スイッチQ7を構成するIGBT素子181,182は、ダイオードD7を構成するダイオード素子191を挟んで両側に配置される。
本変更例によるインバータモジュール150Bは、ダイオード素子を囲むようにIGBT素子を配置したことにより、従来のインバータモジュール150に対してダイオードの占有面積を縮小することが可能となる。
これは、従来のインバータモジュール150において複数個のダイオード素子を配列するのに確保されていた搭載スペースが不要となったことに加えて、これまで定型化されていたIGBT素子およびダイオード素子の配置に自由度を持たせたことによって実現されたものである。なお、両者の配置は、これに限られるものでなく、IGBT素子の総数やIGBT素子およびダイオード素子1個あたりの占有面積などに応じて適宜変更可能であることは明らかである。
すなわち、従来のインバータモジュール150では、同一定格のIGBT素子およびダイオード素子の並列接続個数を変えることによって各電力スイッチの電流容量の違いを実現していたことを受けて、ダイオードの占有面積は、ダイオード素子1個あたりの搭載スペースに並列接続個数を乗じたものに略等しいものとなっていた。
これに対して、この発明によるインバータモジュール150Bは、ダイオードを1個のダイオード素子に集約したことによって、搭載スペースの無駄を省略することができ、ダイオードの占有面積を縮小することができる。この結果、インバータモジュール全体の実装面積を縮小でき、小型のインバータモジュールを実現することができる。
上述のように、この発明の実施の形態では、実装時のスペース制約からパワーモジュールの小型化の要求が強い用途の代表例として、ハイブリッド自動車の電源装置(PCU)にこの発明によるパワーモジュールが用いられる構成例を示した。しかしながら、この発明の適用は、このような構成に限定されるものではなく、同一の電力スイッチを構成するように並列接続された複数の半導体スイッチング素子と、これらの半導体スイッチング素子に共用されるように設けられた1個のダイオード素子とが備えられた構造のパワーモジュールにおいて、この発明を共通に適用することが可能である。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
この発明は、電力変換を行なうためのパワーモジュールに適用することができる。
5 ハイブリッド自動車、10 バッテリ、30 動力出力装置、50L,50R 前輪、60L,60R 後輪、70L,70R フロントシート、80 リアシート、90 ダッシュボード、100 昇圧コンバータ、101,103 電源ライン、102 アースライン、120 リアクトル、130 昇圧パワーモジュール、140 コンデンサ、150,150A,150B インバータモジュール、151,152 インバータ、153 U相アーム、154 V相アーム、155 W相アーム、160u,160v,160w,165u,165v,165w 出力導体、181〜185 IGBT素子、191〜195 ダイオード素子、200 放熱板、210 絶縁基板、220,230,240 金属電極、D1〜D8 ダイオード、MG1,MG2 モータジェネレータ、Q1〜Q8 電力スイッチ。
Claims (2)
- 電力変換を行なうためのパワーモジュールであって、
第1電極と第2電極との間に並列接続され、制御電極への電気的入力に応答して前記第1電極から前記第2電極への電流経路を形成するための複数の半導体スイッチング素子と、
前記複数の半導体スイッチング素子に共通に接続され、前記第2電極から前記第1電極への電流経路を形成するための単一のダイオード素子とを備える、パワーモジュール。 - 前記パワーモジュールは、車両に電力変換器として搭載される、請求項1に記載のパワーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006163593A JP2007336643A (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | パワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006163593A JP2007336643A (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | パワーモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007336643A true JP2007336643A (ja) | 2007-12-27 |
Family
ID=38935576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006163593A Withdrawn JP2007336643A (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | パワーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007336643A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2590309A1 (en) | 2011-11-02 | 2013-05-08 | Hitachi Ltd. | Semiconductor power module |
WO2020012936A1 (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | スイッチング素子ユニット及びスイッチング素子モジュール |
CN111133577A (zh) * | 2017-09-28 | 2020-05-08 | 三菱电机株式会社 | 2合1型斩波器模块 |
-
2006
- 2006-06-13 JP JP2006163593A patent/JP2007336643A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2590309A1 (en) | 2011-11-02 | 2013-05-08 | Hitachi Ltd. | Semiconductor power module |
CN111133577A (zh) * | 2017-09-28 | 2020-05-08 | 三菱电机株式会社 | 2合1型斩波器模块 |
CN111133577B (zh) * | 2017-09-28 | 2023-10-10 | 三菱电机株式会社 | 2合1型斩波器模块 |
WO2020012936A1 (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | スイッチング素子ユニット及びスイッチング素子モジュール |
JP2020009908A (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | スイッチング素子ユニット及びスイッチング素子モジュール |
CN112272867A (zh) * | 2018-07-09 | 2021-01-26 | 爱信艾达株式会社 | 开关元件单元以及开关元件模块 |
JP7119666B2 (ja) | 2018-07-09 | 2022-08-17 | 株式会社アイシン | スイッチング素子ユニット及びスイッチング素子モジュール |
US11431254B2 (en) | 2018-07-09 | 2022-08-30 | Aisin Corporation | Switching element unit and switching element module for use in an inverter circuit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8274807B2 (en) | Power conversion device | |
JP4581777B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP6172061B2 (ja) | 電力変換回路用の電源装置 | |
JP2008228398A (ja) | 電力変換装置 | |
JPWO2013065182A1 (ja) | パワーモジュール、電力変換装置および電動車両 | |
JP2005261035A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006049542A (ja) | パワーモジュール | |
JP2007336643A (ja) | パワーモジュール | |
JP5151257B2 (ja) | 電気機器およびその製造方法 | |
JP5273457B2 (ja) | 電力変換装置及び高圧検出用コネクタ付ワイヤハーネス | |
JP2017118776A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2005175439A (ja) | 半導体装置およびそれを備えた自動車 | |
JP5035626B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP4311199B2 (ja) | 電源システムおよびそれを備える自動車 | |
JP2005192328A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005341732A (ja) | 電圧変換装置ならびにそれを備えた負荷駆動装置および車両 | |
JP2005276946A (ja) | コンデンサ装置 | |
JP2013223384A (ja) | 電力変換装置及び車両 | |
JP6702852B2 (ja) | パワーコントロールユニット | |
JP4090410B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7110772B2 (ja) | 電力変換器 | |
JP2019110697A (ja) | 回転電機の駆動装置 | |
JP2024046046A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017042008A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2022109098A (ja) | 電源装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090901 |