JP2007336006A - 光電変換装置、イメージセンサ、光学読み取り装置及び光電変換装置の駆動方法 - Google Patents

光電変換装置、イメージセンサ、光学読み取り装置及び光電変換装置の駆動方法 Download PDF

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Abstract

【課題】光電変換装置の受光面に付着した導電性異物の影響を低減して、正確な画像読み取りを可能にする。
【解決手段】光電変換素子と、光電変換素子に初期化電位を供給しリセット状態とする光電変換素子リセット手段と、光電変換素子の電圧を転送する転送手段とからなる光電変換ブロックを複数備えた光電変換装置であって、光電変換素子リセット手段は、読み取り期間において前記光電変換素子の電圧を転送する毎と、スタンバイ期間とに光電変換素子をリセット状態とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、入射光を電気信号に変換する光電変換装置に関し、例えばファクシミリやイメージスキャナ等における画像の読み取り装置に関する。
ファクシミリやイメージスキャナ等の画像読み取り装置には、密着型ライン状のイメージセンサが用いられているが(例えば、特許文献1参照)、そのイメージセンサに用いられる光電変換装置の光電変換ブロック15の回路図を図4に示す。
光電変換ブロック15は、フォトダイオード1と、フォトダイオード1をリセット電位Vrstに初期化するリセットスイッチ2と、フォトダイオード1の出力電圧を増幅するアンプ3と、アンプ3の出力電圧を容量5に転送する転送スイッチ4と、読出し用MOSトランジスタ6及びチャンネル選択スイッチ7から構成されている。
図4に示す光電変換ブロック15は、光電変換装置に設けられた複数の光電変換ブロックのうちの一つを示している。光電変換ブロック15は、画素数分設けられており各光電変換ブロック15のチャンネル選択スイッチ7を介して共通信号線に接続されている。
上述したような光電変換装置は、以下のように駆動され画像の読み取りを行う。
リセット信号ΦRでリセットスイッチ2がオンすることによって、フォトダイオード1のカソードはリセット電位Vrstに初期化される。そのときの受光前のリセット電位Vrstはアンプ3で増幅され、転送スイッチ4がオンして容量5に蓄積される。
転送スイッチ4は、容量5にリセット電位Vrstを蓄積した後にオフする。
リセット電位Vrstに初期化されたフォトダイオード1は、受光すると受光した光量に応じてカソードの電位が低下する。
フォトダイオード1で一定期間受光したのち、チャンネル選択スイッチ7をオンして容量5に蓄積した受光前のリセット電位Vrstを共通信号線に読み出し、さらに転送スイッチ4をオンして受光後のフォトダイオード1のカソードの電位を共通信号線に読み出す。
このようにして、受光前のリセット電位Vrstと受光後のフォトダイオード1のカソードの電位の差を検出することで画像の読み取りを行う。
特開2004−282716号公報
しかしながら、上述したような従来のイメージセンサでは、以下に説明するような現象で画像読み取り開始時に画像が正確に読み取ることが出来ないという課題があった。
図5に、従来の光電変換装置の駆動信号のタイミングチャートを示す。イメージセンサは、電源が投入された状態で起動操作をされると、スタート信号ΦSTRによって画像の読み取り動作を行う。
このとき、図4のフォトダイオード1のカソード、ノードCはリセット電位Vrstに初期化された後に読み取りを開始する必要がある。
ノードCは、電源投入後のスタンバイ状態ではフローティングになっており、例えばP基板の場合ではフォトダイオードのリークによって概ね基板電位VSSになっている。このため、図5にあるように、ノードCの電位が十分にリセット電位Vrstに初期化されるように、10回程度の空サイクルを実行する必要がある。
ここで、光電変換装置の受光面は樹脂封止出来ないというイメージセンサの構造上、受光面への異物の付着は避けられない。
受光面に付着した導電性異物8は、図4に示すような等価回路で現される。電源投入後のスタンバイ状態では、ノードDの電位はノードCの電位と同電位、概ね基板電位VSSになっている。
従って、図5に示すようにノードDの電位は、ノードCの電位がリセット電位Vrstに初期化されたときに同時にリセット電位Vrstとなり、その後に数秒かけて基板電位VSSに安定する。
従って、読み取り期間において、ノードDの電位が基板電位VSSに安定するまでの数秒間はノードCの電位に影響を与え、残像現象を引き起こすという問題があった。
図6は、従来の光電変換装置の残像現象を示す図である。図に示すような白黒の原稿を、イメージセンサ20を用いて読み取ったデータが読み取り画像であるが、イメージセンサ20の光電変換素子表面に導電性異物21が付着したときの図を示した。
イメージセンサ20の光電変換素子表面に付着した導電性異物21の影響によって、黒のデータとなるところが、直前の白のデータの残像が現れて、残像現象となっている。
そこで、本発明の目的は、光電変換装置の受光面に付着した導電性異物の影響を低減して正確な画像読み取りをすることである。
従来のこのような問題点を解決するために、本発明のイメージセンサに用いられる光電変換装置は以下のような構成及び駆動方法とした。
(1)請求項1に記載した発明では、光電変換素子と、前記光電変換素子に初期化電位を供給しリセット状態とする光電変換素子リセット手段と、前記光電変換素子の電圧を転送する転送手段とからなる光電変換ブロックを複数備えた光電変換装置であって、前記光電変換素子リセット手段は、読み取り期間において前記光電変換素子の電圧を転送する毎と、スタンバイ期間とに前記光電変換素子をリセット状態とする、ことを特徴とする。
(2)請求項2に記載した発明では、請求項1に記載の光電変換装置において、前記光電変換素子リセット手段は、前期初期化電位に接続されたスイッチ手段と、前記スイッチ手段のオンオフを制御するリセット信号出力手段で構成され、前記リセット信号出力手段は、読み取り期間に前記光電変換素子の電圧を転送する毎に前記光電変換素子をリセットするリセット信号と、スタンバイ期間に前記光電変換素子をリセットする第二のリセット信号を出力する、ことを特徴とする。
(3)請求項3に記載した発明では、請求項2に記載の光電変換装置において、前記第二のリセット信号を供給する第二のリセット信号発生回路は、電源の投入によって前記第二のリセット信号を出力し、前記読み取り期間に発生するスタート信号が入力されることによって前記第二のリセット信号を一定期間だけ停止する、ことを特徴とする。
(4)請求項4に記載した発明では、請求項3に記載の光電変換装置において、前記第二のリセット信号発生回路は、前記第二のリセット信号を出力する波形形成手段と、前記波形形成手段の入力に接続され、前記波形形成手段の入力に前記第二のリセット信号の電位を供給する電圧供給手段と、前記波形形成手段の入力に接続され、前記スタート信号によって、前記波形形成手段の入力の電位を前記第二のリセット信号を停止する電位にするスイッチ手段と、前記波形形成手段の入力に接続され、前記スイッチ手段がオフしたときに前記波形形成手段の入力の電位を前記第二のリセット信号を停止する電位に保持する電圧保持手段とで構成されることを特徴とする。
(5)請求項5に記載した発明では、請求項1から4のいずれかに記載の光電変換装置を複数備える、ことを特徴とするイメージセンサ。
(6)請求項6に記載した発明では、請求項5に記載のイメージセンサを備える、ことを特徴とする光学読み取り装置。
(7)請求項7に記載した発明では、光電変換素子のスタンバイ期間に前記光電変換素子をリセット状態とし、前記光電変換素子で画像読み取り期間に発生するスタート信号で前記光電変換素子のリセットを解除し、その後に前記光電変換素子で画像読み取りをする、ことを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
(8)請求項8に記載した発明では、請求項7に記載の光電変換装置の駆動方法において、電源が投入されたときから前記光電変換素子をリセット状態とすることを特徴とする。
本発明のイメージセンサに用いられる光電変換装置及び駆動方法によれば、光電変換素子のスタンバイ期間に光電変換素子をリセット状態とすることによって、光電変換装置の受光面に付着した導電性異物の影響を低減して正確な画像読み取りが可能となり、高精度な密着型イメージセンサを提供することが出来る。
図1は、本実施形態のイメージセンサに用いられる光電変換装置の光電変換ブロック15の回路図である。
光電変換ブロック15は、以下に示すような構成となっている。
フォトダイオード1のアノードは接地電位に接続され、フォトダイオード1のカソードには、初期化電位であるリセット電位Vrstがリセットスイッチ2を介して接続され、さらにアンプ3の入力端子が接続されている。
アンプ3の出力端子には、転送スイッチ4を介してフォトダイオード1のリセット電位Vrstを蓄積する容量5と、読出し用MOSトランジスタ6のゲートが接続されている。読出し用MOSトランジスタ6のドレインは、チャンネル選択スイッチ7に接続されている。
本実施形態の光電変換ブロック15は、さらにリセットスイッチ2の制御端子に、リセットスイッチ2のオンオフを制御するリセット信号出力回路であるOR回路9が接続されている。
OR回路9は、データを読み出すごとに光電変換素子をリセットするリセット信号と、電源投入後のスタンバイ状態に光電変換素子をリセットする第二のリセット信号とを入力し、リセットスイッチ2の制御端子に出力する。
図1に示す光電変換ブロック15は、光電変換装置に設けられた複数の光電変換ブロックのうちの一つを示している。光電変換ブロック15は画素数分設けられており、各光電変換ブロック15のチャンネル選択スイッチ7を介して共通信号線に接続されている。
OR回路9に第二のリセット信号を供給する第二のリセット信号出力回路10は、各光電変換ブロック15共通に光電変換装置の内部に設けられている。
第二のリセット信号出力回路10は、光電変換装置の外部に設けられても良い。
上述したような光電変換装置は、以下のように駆動され画像の読み取りを行う。
図2は、本実施形態の光電変換ブロック15の駆動信号のタイミングチャートである。
イメージセンサに電源が投入されると、第二のリセット信号出力回路10は第二のリセット信号ΦR2を各光電変換ブロック15に出力する。各光電変換ブロック15において、第二のリセット信号ΦR2はOR回路9を介してリセットスイッチ2に供給され、リセットスイッチ2がオンする。
従って、フォトダイオード1のカソード、すなわちノードCはリセット電位Vrstに初期化され、同時に導電性異物8のノードDの電位もリセット電位Vrstとなる。
導電性異物8のノードDの電位は、一旦リセット電位Vrstとなった後に、容量成分から抵抗成分を介して徐々に放電していくため、ゆっくりと基板電位VSSに近づいていく。このとき、従来の駆動方法の空サイクルによるパルス状のリセット電位Vrstの供給よりも、短時間でノードCをリセット電位Vrstに初期化することが出来る。
ここで、イメージセンサに電源が投入された状態で起動操作されるまでの間と、起動操作の読み取り期間終了後から起動操作されるまでの間を、スタンバイ期間と称する。
スタンバイ期間では、第二のリセット信号ΦR2によってリセットスイッチ2は常にオンしており、フォトダイオード1のカソード、すなわちノードCにはリセット電位Vrstが供給され続けている。
スタンバイ期間でイメージセンサが起動操作されると、第二のリセット信号出力回路10にスタート信号ΦSTRが入力されて第二のリセット信号ΦR2はオフされ、各光電変換ブロック15にスタート信号ΦSTRが入力されて読み取り動作が開始し、読み取り期間となる。
リセット信号ΦRでリセットスイッチ2がオンすることによって、フォトダイオード1のカソードはリセット電位Vrstに初期化される。そのときの受光前のリセット電位Vrstはアンプ3で増幅され、転送スイッチ4がオンして容量5に蓄積される。
転送スイッチ4は、容量5にリセット電位Vrstを蓄積した後にオフする。リセット電位Vrstに初期化されたフォトダイオード1は、受光すると受光した光量に応じてカソードの電位が低下する。フォトダイオード1で一定期間受光したのち、チャンネル選択スイッチ7をオンして容量5に蓄積した受光前のリセット電位Vrstを共通信号線に読み出し、さらに転送スイッチ4をオンして受光後のフォトダイオード1のカソードの電位を共通信号線に読み出す。
このようにして、受光前のリセット電位Vrstと受光後のフォトダイオード1のカソードの電位の差を検出することで画像の読み取りを行う。
図3に、本実施形態の第二のリセット信号出力回路10の一例を示す。
第二のリセット信号出力回路10は、第二のリセット信号ΦR2を出力するバッファ14と、バッファ14の入力と電源電圧VDDの間に接続され第二のリセット信号ΦR2の電位をバッファ14に供給する抵抗12と、バッファ14の入力と基板電位VSSの間に接続されスタート信号ΦSTRによってバッファ14の入力の電位を基板電位VSSに短絡するスイッチ回路11と、バッファ14の入力と電源電圧VDDの間に接続されスイッチ回路11がオフになったときにバッファ14の入力を一定期間基板電位VSSに保持する容量13とで構成される。
このような構成とすることで、第二のリセット信号出力回路10は、電源が投入されスタート信号ΦSTRがスイッチ回路11に入力されるまでの間、すなわちスタンバイ期間は、バッファ14の入力は抵抗12によって電源電圧VDDとなり、バッファ14から第二のリセット信号ΦR2が出力される。
次に、イメージセンサが起動操作されることによって、スタート信号ΦSTRが発生すると、スイッチ回路11にスタート信号ΦSTRが入力され、バッファ14の入力は基板電位VSSになり、第二のリセット信号ΦR2は停止する。
また、スタート信号ΦSTRの入力がなくなるとスイッチ回路11がオフするが、抵抗12と容量13の時定数によって定まる期間Trcはバッファ14の入力は基板電位VSSに保持されるので、第二のリセット信号ΦR2は出力されない。
従って、スタート信号ΦSTRの間隔をT1とすると、T1<Trcと設定して、読み取り期間であれば第二のリセット信号ΦR2が出力されない構成とする。
上述したような本実施形態のイメージセンサにおいては、リセット信号ΦR2は、イメージセンサを起動するときに入力されるスタート信号ΦSTRが入力されるまでONを維持するので、ノードCはスタンバイ期間において短期間でリセット電位Vrstに初期化され、常にリセット電位Vrstを保持することが出来る。
従って、電源投入後にノードCがリセット電位Vrstに初期化されるのと同時に導電性異物8のノードDの電位もリセット電位Vrstとなるので、電源投入後のスタンバイ期間が数秒あればノードDの電位は十分に基板電位VSSに安定する。
すなわち、読み取り期間においてノードDの電位変動はなくなり、従来のイメージセンサで起こっていたような起動時の画像データの残像現象を防止することが可能となる。
さらに、一連の読み取り動作が終了してスタート信号ΦSTRが入力されなくなると、第二のリセット信号出力回路10は第二のリセット信号ΦR2を各光電変換ブロック15に出力する。
光電変換ブロック15のフォトダイオード1のカソード、すなわちノードCの電位は、読み取り動作が終了してリセット信号ΦRによるリセット電位Vrstの供給がされなくなると、フォトダイオード1のリークによって基板電位VSSになろうとするが、スタンバイ期間において常に第二のリセット信号ΦR2によってリセット電位Vrstに保たれるので、以降の読み取り動作においても確実に起動時の画像データの残像現象を防止することが可能となる。
第二のリセット信号出力回路10は、一例として図3のような回路としたが、この回路に限るものではなく、電源の投入と同時に第二のリセット信号ΦR2が出力されて、スタンバイ期間において出力が維持されるような回路であればよい。
また、信号の論理もリセットスイッチ2の構成に併せて変更することも可能である。
以上に説明したように、本実施形態のイメージセンサに用いられる光電変換装置及び駆動方法によれば、光電変換装置の受光面に付着した導電性異物の影響を低減して正確な画像読み取りが可能となり、高精度な密着型イメージセンサを提供することが出来る。
さらに、その密着型イメージセンサを用いたイメージスキャナやファクシミリのような高精度な光学読取装置を提供することが出来る。
また、スタンバイ期間において、ノードC及びノードDの電位を初期化及び安定させることが出来るので、従来必要としていた空サイクル期間は、回路の初期化のための必要最小限にとどめることが可能となり、イメージセンサの起動時の立ち上がり期間の短縮になるという効果もある。
本実施形態のイメージセンサに用いられる光電変換装置の光電変換ブロックの回路図である。 本実施形態の光電変換ブロックの駆動信号のタイミングチャートである。 本実施形態の第二のリセット信号出力回路の一例を示す回路図である。 従来のイメージセンサに用いられる光電変換装置の光電変換ブロックの回路図である。 従来の光電変換装置の駆動信号のタイミングチャートである。 従来の光電変換装置の残像現象を示す図である。
符号の説明
1 フォトダイオード
2 リセットスイッチ
3 アンプ
4 転送スイッチ
5 容量
6 MOSトランジスタ
7 チャンネル選択スイッチ
8 導電性異物の等価回路
9 OR回路
10 第二のリセット信号出力回路
11 MOSトランジスタ
12 抵抗
13 容量
14 バッファ
15 光電変換ブロック
20 イメージセンサ
21 導電性異物

Claims (8)

  1. 光電変換素子と、
    前記光電変換素子に初期化電位を供給しリセット状態とする光電変換素子リセット手段と、
    前記光電変換素子の電圧を転送する転送手段とからなる光電変換ブロックを複数備えた光電変換装置であって、
    前記光電変換素子リセット手段は、読み取り期間において前記光電変換素子の電圧を転送する毎と、スタンバイ期間とに前記光電変換素子をリセット状態とする、
    ことを特徴とする光電変換装置。
  2. 前記光電変換素子リセット手段は、
    前期初期化電位に接続されたスイッチ手段と、
    前記スイッチ手段のオンオフを制御するリセット信号出力手段で構成され、
    前記リセット信号出力手段は、読み取り期間に前記光電変換素子の電圧を転送する毎に前記光電変換素子をリセットするリセット信号と、
    スタンバイ期間に前記光電変換素子をリセットする第二のリセット信号を出力する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
  3. 前記第二のリセット信号を供給する第二のリセット信号発生回路は、
    電源の投入によって前記第二のリセット信号を出力し、
    前記読み取り期間に発生するスタート信号が入力されることによって前記第二のリセット信号を一定期間だけ停止する、
    ことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
  4. 前記第二のリセット信号発生回路は、
    前記第二のリセット信号を出力する波形形成手段と、
    前記波形形成手段の入力に接続され、前記波形形成手段の入力に前記第二のリセット信号の電位を供給する電圧供給手段と、
    前記波形形成手段の入力に接続され、前記スタート信号によって、前記波形形成手段の入力の電位を前記第二のリセット信号を停止する電位にするスイッチ手段と、
    前記波形形成手段の入力に接続され、前記スイッチ手段がオフしたときに前記波形形成手段の入力の電位を前記第二のリセット信号を停止する電位に保持する電圧保持手段とで構成されることを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。
  5. 請求項1から4のいずれかに記載の光電変換装置を複数備える、
    ことを特徴とするイメージセンサ。
  6. 請求項5に記載のイメージセンサを備える、
    ことを特徴とする光学読み取り装置。
  7. 光電変換素子のスタンバイ期間に前記光電変換素子をリセット状態とし、
    前記光電変換素子で画像読み取り期間に発生するスタート信号で前記光電変換素子のリセットを解除し、
    その後に前記光電変換素子で画像読み取りをする、
    ことを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
  8. 電源が投入されたときから前記光電変換素子をリセット状態とする、
    ことを特徴とする請求項7に記載の光電変換装置の駆動方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4946849B2 (ja) * 2007-12-17 2012-06-06 株式会社島津製作所 撮像素子の駆動方法および撮像装置
US20100252717A1 (en) * 2008-09-29 2010-10-07 Benoit Dupont Active-pixel sensor
JP5230402B2 (ja) * 2008-12-19 2013-07-10 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08172505A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Fuji Xerox Co Ltd 画像読取装置
JPH1032673A (ja) * 1996-07-16 1998-02-03 Mitsubishi Electric Corp 電荷蓄積型受光部を有した撮像装置
JPH10126697A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Sony Corp 固体撮像素子およびその信号処理方法並びにカメラ
JP2001103235A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Ricoh Co Ltd 画像読取装置
JP2002185702A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd イメージセンサおよびイメージセンサユニット
JP2005191844A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Canon Inc 光電変換装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5771070A (en) * 1985-11-15 1998-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus removing noise from the photoelectric converted signal
US5933188A (en) * 1994-10-19 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus and method with reset
US6697111B1 (en) * 1998-04-08 2004-02-24 Ess Technology, Inc. Compact low-noise active pixel sensor with progressive row reset
US6493030B1 (en) * 1998-04-08 2002-12-10 Pictos Technologies, Inc. Low-noise active pixel sensor for imaging arrays with global reset
US6940551B2 (en) * 2000-09-25 2005-09-06 Foveon, Inc. Active pixel sensor with noise cancellation
JP4187502B2 (ja) * 2002-07-25 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 画質を向上させたイメージセンサ
JP4146365B2 (ja) * 2003-02-26 2008-09-10 セイコーインスツル株式会社 光電変換装置及び駆動方法
US7012238B2 (en) * 2003-07-02 2006-03-14 Sharp Kabushiki Kaisha Amplification-type solid-state image pickup device incorporating plurality of arrayed pixels with amplification function
JP4425809B2 (ja) * 2005-02-03 2010-03-03 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 撮像装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08172505A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Fuji Xerox Co Ltd 画像読取装置
JPH1032673A (ja) * 1996-07-16 1998-02-03 Mitsubishi Electric Corp 電荷蓄積型受光部を有した撮像装置
JPH10126697A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Sony Corp 固体撮像素子およびその信号処理方法並びにカメラ
JP2001103235A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Ricoh Co Ltd 画像読取装置
JP2002185702A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd イメージセンサおよびイメージセンサユニット
JP2005191844A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Canon Inc 光電変換装置

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