JP2007329498A

JP2007329498A - 半導体装置

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Publication number: JP2007329498A
Application number: JP2007207664A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Tomita; 昌明冨田
Original assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2007-08-09
Filing date: 2007-08-09
Publication date: 2007-12-20
Anticipated expiration: 2022-11-20
Also published as: JP4744491B2

Abstract

【課題】シリコン基板上に導電材を安定的に配置される半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板表面から裏面に亘って設けた第２導電型第１導電領域８１と、半導体基板表面に、第１導電領域を挟んだ一方の位置の第２導電型第２導電領域２と、半導体基板裏面に、第１導電領域を挟んだ他方の位置の第２導電型第３導電領域３と、該領域の露出面上で電極端子を接続する第３導電材２２と、半導体基板裏面において、第２導電領域に対向する一方の位置で露出する面上の電極端子を接続する第２導電材２１と、半導体基板表面で、第２導電領域の露出面上及び第１導電領域を挟んだ他方の位置で露出する面上に、第１導電領域と絶縁された状態で延在する第１導電材１４２と、絶縁状態を保つべく第１導電領域の露出面を覆う絶縁性の第１支持体１０３とを備える。
【選択図】図１０

Description

本発明は、半導体装置に係り、特に双方向型バリスタ、一方向型バリスタ、サージ吸収素子、又は、ダイオード等として使用される面実装型半導体装置に関するものである。

従来技術に係るバリスタを示す断面図を図２と図３に示す。図２は、従来技術に係る双方向型バリスタを示す断面図であり、電極端子がシリコン基板に正しく設けられた半導体装置の断面図である。図３は、従来技術に係る双方向型バリスタを示す断面図であり、電極端子がシリコン基板に接触して設けられた半導体装置の断面図である。図中、１００は半導体基板、１はＮ型導電領域、２、３はＰ型導電領域、１１、１２、１３、１４は絶縁膜で、半導体基板がシリコンであれば、シリコン酸化膜であることが多い。２１、２２はハンダ（導電材）、３１、３２は電極端子、２００は樹脂モールド部である。

図２に示すバリスタは、Ｎ型の導電型を有するシリコン基板１００の内部にＰ型導電領域２、３を設けて形成されている。シリコン酸化膜からなる絶縁膜１１、１２、１３、１４がＰ型導電領域２、３と基板との境界を覆うように設けられている。半導体基板１００の表側に露出したＰ型導電領域２、３はハンダ２１、２２を介して電極端子３１、３２と電気的に接続されている。

さらに、上記構造において、電極端子３１、３２の一部を除く全体を絶縁樹脂により封止して樹脂モールド部２００として、双方向型の面実装型半導体装置、すなわち面実装型のバリスタを形成する。電極端子３１、３２は、樹脂封鎖の前には真っ直ぐであるが、樹脂封鎖の後で機械加工によって捻じ曲げられて実装面積が出来るだけ小さくなるようにする。

以上の構成において、半導体基板１００内部にＮ型導電領域１とＰ型導電領域２からなる一対のダイオードと、Ｎ型導電領域１とＰ型導電領域３からなるもう一対のダイオードが逆極性で直列接続され、電気的に双方向型の素子が出来る。Ｎ型導電領域１は双方のダイオードの共通の導電領域となる。

このような従来型の面実装型半導体措置においては、小型化、特に高さを低くすること、即ち薄型にすることが出来るという利点があるが、図３に示すように電極端子を半導体基板に載置する際に、いずれかの方向に位置ずれした状態で載置される場合がある。位置ずれした状態のままハンダ２１、２２をリフロー炉で溶融させると、電極端子３２が傾き半導体基板１００と接触したまま、後工程へ移る。その後工程の最後では電極端子が捻じ曲げら最終形状が決定してしまうが、樹脂モールド内部の様子に係わらず電極の加工は大きな力を加えて行なれるため、最終形状は正常品と殆ど変わらない。そのため正常品と異常品を区別するのは非常に困難である。

図３に示すように、電極端子３２が半導体基板１００と傾いて接触すると、電流の流れに偏りが生じるなとの不具合が生じる。場合によっては大きな内部応力が発生し不良の原因にもなることがある。

このような問題は、電極端子３１、３２をハンダ（導電材）２１、２２に精確に載置すれば解消するが、高価な製造装置を必要とするので、半導体装置の製造コストを押し上げる原因となる。また、電気的な接続を行うためのハンダ（導電材）、特にシリコン基板上の導電材が安定的に配置されないことが問題となっていた。

本発明は、上述の課題を解決するために、シリコン基板上の導電材を安定的に配置することができないことが問題となっており、その改善が望まれていた。従って、本発明の目的は、シリコン基板上に導電材を安定的に配置される半導体装置を提供することなる。

上記課題を解決するための手段として、本発明は、第１導電型の半導体基板の表面から裏面に亘って設けられた第１導電型と反対の第２導電型の第１導電領域と、前記半導体基板の表面において、前記第１導電領域を挟んだ一方の位置に設けられた第２導電型の第２導電領域と、前記半導体基板の裏面において、前記第１導電領域を挟んだ他方の位置に設けられた第２導電型の第３導電領域と、前記第３導電領域の露出面上で電極端子を接続するための第３導電材と、前記半導体基板の裏面において、前記第２導電領域に対向する一方の位置において露出する面上で電極端子を接続するための第２導電材と、前記半導体基板の表面において、前記第２導電領域の露出面上及び前記第１導電領域を挟んだ他方の位置において露出する面上に、前記第１導電領域と絶縁された状態で延在する第１導電材と、前記絶縁状態を保つべく、前記第１の導電領域の露出面を覆う絶縁性の第１支持体とを備えることを特徴とする。
更に、前記第２導電領域の露出面上及び前記第１導電領域を挟んだ他方の位置において露出している面上で突出する第２支持体を備えることを特徴とする。

更に、第１導電型の半導体基板と、該半導体基板の表面から裏面に亘って設けられた第１導電型と反対の第２導電型の第１導電領域と、前記半導体基板の表面において、前記第１導電領域を挟んだ一方の位置に設けられた第２導電型の第２導電領域と、前記半導体基板の表面において、前記第１導電領域を挟んだ他方の位置において露出した第１露出領域と、前記半導体基板の裏面において、前記第１導電領域を挟んだ他方の位置に設けられた第２導電型の第３導電領域と、前記半導体基板の裏面において、前記第１導電領域を挟んだ一方の位置において露出した第２露出領域と、から成る構成をそれぞれ有する第１半導体基板構成および第２半導体基板構成と、第１半導体基板構成上に第２半導体基板構成が搭載されるべく、前記第１半導体基板構成における前記第２導電領域の露出面上と前記第２半導体基板構成における前記第２露出面上との対向する間に設けられた第４導電材と、前記第１半導体基板構成における前記第１露出面上と前記第２半導体基板構成における前記第３導電領域の露出面上との対向する間に設けられた第５導電材と、前記第１半導体基板構成における前記第２露出面上に設けられた電極端子を接続するための第２導電材と、前記第１半導体基板構成における前記第３導電領域の露出面上に設けられた電極端子を接続するための第３導電材と、前記第２半導体基板構成における前記第２導電領域の露出面上及び前記第１露出領域の露出する面上に、前記第１導電領域と絶縁された状態で延在する第１導電材と、前記第１半導体基板構成における前記第２導電領域の露出面上及び前記第１露出領域の露出する面上で突出する第２支持体と、前記第２半導体基板構成における前記第３導電領域の露出面上及び前記第２露出領域の露出している面上で突出する第３支持体と、前記第２半導体基板構成における前記絶縁状態を保つべく、前記第１の導電領域の露出面を覆う絶縁性の第１支持体とを備えることを特徴とする半導体装置。

以上のように、本発明は、シリコン基板上に第１支持体を設けたことにより、該支持体によって導電材の動きが抑制されることから、シリコン基板上に導電材を安定的に配置することができる。

以下に本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す説明図である。図中、１００は半導体基板、１はＮ型導電領域、２と３はＰ型導電領域、１１、１２、１３、１４は絶縁膜で、本実施例ではシリコン酸化膜である。２１、２２はハンダ、３１、３２は電極端子、２００は樹脂モールド部である。なお、半導体基板１００は、本実施例ではシリコンである。

図１に示すように、Ｎ型の半導体基板１００の内部に、Ｐ型導電領域２、３を形成しており、これら２つの層を形成していない残余の部分を半導体基板１００の元来の導電型と同じＮ型導電領域１としている。Ｐ型導電領域２、３は、半導体基板１００にＰ型の不純物を添加して高温熱拡散によって形成されており、半導体基板１００の一方の面から内奥に向けて拡がっている。

また、半導体基板１００の一方の面に、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６を設けている。支持体４１、４３、４４、４６はＮ型導電領域と基板のＮ型導電領域の境界、即ちＰＮ接合の露出面の近傍に設けられ、支持体４２、４５は、Ｐ型導電領域２、３の露出面の略中央に設けられている。支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６は、ガラスによって形成されている。

支持体４１、４３、４４、４６は、絶縁膜１１、１２、１３、１４の上に形成されているが、ガラスそのものにも絶縁効果があるため、酸化膜１１、１２、１３、１４を形成しなくてもよいし、絶縁膜１１、１２、１３、１４の露出面全体を覆うように支持体４１、４３、４４、４６を配置してもよいし、その一部が絶縁膜１１、１２、１３、１４を覆うように支持体４１、４３、４４、４６を配置してもよい。また、絶縁層１１、１２、１３、１４は例えば窒化膜とシリコン酸化膜から構成されるような多層膜であってもよいし、同様に支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６は複数のガラスを多層構造にして構成されるものであってもよい。

絶縁層１１、１２、１３、１４となる酸化膜や窒化膜は、通常最大でも数μｍの厚みしか形成することは出来ず、殆どの場合１μｍ未満であるため、ガラスのような材料で支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６を形成することが必要である。この実施の形態では厚みを１５μｍとしたが、もっと厚くすることも出来る。支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６の厚みとしては１０μｍ以上が望ましく、２０μｍ以上とすることが望ましい。また、支持体に用いるガラス材料は、半導体基板に近い熱膨張係数を有しているものが望ましく、耐熱衝撃性、被覆封着温度、電気的特性、ガラス中の電荷、密着性の点で優れるものが望ましく、加えて、半導体表面に悪影響を与えるアルカリ成分等の不純物を含まないものが好ましい。また、引っ張り強度、量産性、クラックの発生しにくさの点で優れているものが望ましい。さらに、支持体は環境に優しい材料としてもよく、鉛フリーガラス等も望ましい。

なお、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６は、絶縁膜１１、１２、１３、１４よりも高く（厚く）、かつハンダ２１、２２よりも（低く）薄く形成し、さらに好ましくはハンダ２１、２２よりもわずかに低くなるようにする。これは、後述するように、電極端子３１、３２が傾いて半導体基板１００に接触して設けられることを防止するために、電極端子３１、３２下方から支持可能な高さ（厚さ）、すなわち絶縁膜１１、１２、１３、１４よりも高く（厚く）することが好ましいからである。くわえて、ハンダ２１、２２の上面から突き出した支持体４２、４５が、電極端子３１、３２にハンダ２１、２２が付着することを阻害しないように、ハンダ２１、２２を低く（薄く）することが好ましいことによる。

ハンダ２１、２２は、Ｐ型導電領域２、３を形成した領域上に、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６を覆うようにほぼ平坦に形成されている。なお、ハンダ２１、２２を半導体基板１００の表面に印刷して設ける際には、上述の理由により、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６がその内部に隠れる程度の厚さとなるようにする。

なお、以上の実施の形態において、ハンダ以外の導電材、例えば、導電性接着剤等を用いて電極端子を接合してもよい。導電性接着剤等を用いた場合、導電剤において応力吸収が可能になることに加え、低温で接合することが可能になる。また、支持体を接着剤で半導体に接合してもよい。ここで用いる接着剤としては、等方導電性接着剤、異方導電性接着剤、耐熱性接着剤、リサイクル性接着剤等が望ましい。

以上の構成を有する半導体装置の動作は、支持体４２、４５が電流の流れを阻害することはないように小さく設けられるため、従来構造と比較して略同等の電気的特性を実現出来る。

また、電極端子３１、３２を半導体基板１００に設ける手順は、概ね以下のようになる。すなわち、最初に半導体基板１００の表面にあらかじめ支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６およびハンダ２１、２２を設けておく。次に、ハンダ２１、２２上に電極端子３１、３２を載置する。そして、半導体基板１００をリフロー炉に入れ、ハンダ２１、２２を溶融して電極端子３１、３２に付着させる。その後、モールド樹脂で封止して、電極端子の捻じ曲げ加工を行って全体の大きさを小さくする。

ところで、ハンダ２１、２２上に電極端子３１、３２を載置する際に、いずれかの方向に位置ずれした状態で載置される場合がある。しかし、半導体装置においては、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６をあらかじめ設けているので、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６がこれらの電極端子を下方から支持して、電極端子が大きく傾いて電極端子と半導体基板１００が接触することを防止出来る。

以上のように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置は、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６を設けたことによって、電極端子３１、３２を半導体基板１００に設ける際に、これらの電極端子が大きく傾いて半導体基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止出来る。また、支持体４２、４５は、半導体基板１００の表面の小さな領域に設けたので、半導体装置の電気的特性に大きな影響を与えることがない。場合によっては、支持体４２、４５は形成しなくてもよい。また、板状の電極端子に代えて、例えばプリンタ基板上にそのまま半導体基板１００を実装することも出来る。

さらに、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。図中の符号は、図１で用いたものと同じである。１は半導体基板１００の導電領域でＮ型導電領域、２と３はＰ型導電領域、１１、１２、１３、１４は絶縁膜で、本実施例ではシリコン酸化膜である。２１、２２、６１、６２はハンダ、３１、３２は電極端子、４１、４２、４３、４４、４５、４６は支持体、５１、５２は金属板、２００は樹脂モールド部である。

本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置は、図４に示すように、金属板５１、５２がＰ型導電領域２、３と電極端子３１、３２との中間にハンダを介して設けられている。この金属板５１、５２に半導体基板の熱膨張率に近いモリブデンあるいはタングステンを用いることにより、半導体基板の熱膨張率と大きく異なる電極端子３１、３２の影響を低減し、信頼性の向上を図ることが出来る。この実施例でも、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６があることで、これらの金属板５１、５２が大きく傾いて半導体基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止出来る。

以上のように、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置によれば、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６を設けることで、電極端子３１、３２より位置ずれを生じやすい金属板５１、５２が半導体基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止することが出来る。なお、金属板５１、５２は、導電率の大きな半導体基板片としてもよいが、薄いために強度が低下することがあるので取り扱いには注意が必要である。

くわえて、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図５は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。図中の符号は、図１のものと同じである。１は半導体基板１００の導電領域でＮ型導電領域、２、３、４はＰ型導電領域、１１、１２、１３、１４、７１は絶縁膜である。２１、２２はハンダ、３１、３２は電極端子、４１、４２、４３、４４、４５、４６は支持体、２００は樹脂モールド部である。

本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置は、図５に示すように、Ｐ型導電領域４を追加してＰＮ接合を直列に並べ耐圧を大きくするものである。

上記の本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置によれば、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６を設けることで、電極端子３１、３２が半導体基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止することが出来る。

くわえて、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図６は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。図中の符号は、図１のものと同じである。１は半導体基板１００の導電領域でＮ型導電領域、２、３はＰ型導電領域、１１、１２、１３、１４は絶縁膜、７１、７２、７３は絶縁体である。２１、２２はハンダ、３１、３２は電極端子、４１、４２、４３、４４、４５、４６は支持体、２００は樹脂モールド部である。

本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置は、図６に示すように、ＰＮ接合面を平面に近づけ理想耐圧に近づけることが出来、その分、チップ面積を小さく出来るため接合容量をより小さく出来る。

上記の本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置によれば、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６を設けることで、電極端子３１、３２が半導体基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止することが出来る。

くわえて、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図７は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。図中の符号は、図１のものと同じである。１は半導体基板１００の導電領域でＮ型導電領域、２、３、７、８はＰ型導電領域、５、６はＮ型導電領域、１１、１２、１３、１４は絶縁膜、７１、７２、７３は絶縁体である。２１、２２はハンダ、３１、３２は電極端子、４１、４２、４３、４４、４５、４６は支持体、２００は樹脂モールド部である。

本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置は、図７に示すように、高耐圧でＰＮ接合面を平面に近づけ理想耐圧に近づけることが出来、その分チップ面積を小さく出来るため接合容量をより小さく出来る。

上記の本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置によれば、支持体４１、４２、４３、４４、４５、４６を設けることで、電極端子３１、３２が半導体基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止することが出来る。

くわえて、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図８は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。２１、２２、２３はハンダ、３１、３２は電極端子、２２２は半導体基板１００の導電領域でＮ型導電領域、２２１は半導体基板４００の導電領域でＮ型導電領域、２００は樹脂モールド部、２０１、２０２、２０３、２０４、２０５、２０６、２０７、２０８、２０９、２１０、２１１、２１２は支持体、２４１、２４２、２４３、２４４は絶縁膜である。

本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置は、第１の実施の形態に係る半導体装置と電気的には同じであるが、面積の小さな半導体基板を積層する点が異なっている。高さより面積を重要視する面実装型の半導体装置であり、基本的なところはこれまでと変わるところはない。

上記の本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置によれば、支持体２０１、２０２、２０３、２１０、２１１、２１２を設けることで、電極端子３１、３２が半導体基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止することが出来る。

くわえて、本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図９は、本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。１、５は半導体基板１００の導電領域でＮ型導電領域、２、３、８１、８２、１２２、１２３はＰ型導電領域、１２１、１２８は半導体基板３００の導電領域でＮ型導電領域、２１、２２、１３１、１３２、１４１はハンダ、３１、３２は電極端子、２００は樹脂モールド部、９１、９２、９３、９４、９５、９６、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６は支持体である。

本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置は、第１の実施の形態に係る半導体装置と異なり２つのＰＮ接合が同一極性で直列接続されている。半導体基板１００の露出面に支持体を形成する基本的なところはこれまでと変わるところはない。

上記の本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置によれば、支持体９１、９２、９３、９４、９５、９６を設けることで、電極端子３１、３２が半導体基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止することが出来る。

くわえて、本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図１０は、本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。１、５は半導体基板１００の導電領域でＮ型導電領域、２、３、８１はＰ型導電領域、２１、２２、１４２はハンダ、３１、３２は電極端子、２００は樹脂モールド部、９１、９２、９３、９４、９５、９６、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６は支持体である。

本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置は、第１の実施の形態に係る半導体装置と異なりＰＮ接合が同一極性で直列接続されている。半導体基板１００の露出面に支持体を形成する基本的なところはこれまでと変わるところはない。

上記の本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置によれば、支持体９１、９２、９３、９４、９５、９６を設けることで、電極端子３１、３２が半導体基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止することが出来る。

くわえて、本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図１１は、本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。１、５は半導体基板１００の導電領域でＮ型導電領域、１２１、１２８は半導体基板３００の導電領域でＮ型導電領域、２、３、８１、８２、１２２、１２３はＰ型導電領域、２１、２２、１３１、１３２、１４２はハンダ、３１、３２は電極端子、２００は樹脂モールド部、９１、９２、９３、９４、９５、９６、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１５１、１５２、１５３、１５４、１５５は支持体である。

本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置は、第８の実施の形態に係る半導体装置を複数積層しており、半導体基板１００の露出面に支持体を形成する基本的なところはこれまでと変わるところはない。

上記の本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置によれば、支持体９１、９２、９３、９４、９５、９６を設けることで、電極端子３１、３２がシリコン基板１００に接触した状態のままで設けられることを防止することが出来る。

また、電極端子３１、３２に支持体を設けるようにすることも可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す説明図である。従来技術に係る双方向型バリスタを示す断面図であり、電極端子がシリコン基板に正しく設けられた半導体装置の断面図である。従来技術に係る双方向型バリスタを示す断面図であり、電極端子がシリコン基板に接触して設けられた半導体装置の断面図である。本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。

符号の説明

１Ｎ型導電領域
２Ｐ型導電領域
３Ｐ型導電領域
４Ｐ型導電領域
５Ｎ型導電領域
６Ｎ型導電領域
７Ｐ型導電領域
８Ｐ型導電領域
１１絶縁膜
１２絶縁膜
１３絶縁膜
１４絶縁膜
２１ハンダ
２２ハンダ
２３ハンダ
３１電極端子
３２電極端子
４１支持体
４２支持体
４３支持体
４４支持体
４５支持体
４６支持体
５１金属板
５２金属板
６１ハンダ
６２ハンダ
７１絶縁体
７２絶縁体
７３絶縁体
８１Ｐ型導電領域
８２Ｐ型導電領域
９１支持体
９２支持体
９３支持体
９４支持体
９５支持体
９６支持体
１００半導体基板
１０１支持体
１０２支持体
１０３支持体
１０４支持体
１０５支持体
１０６支持体
１１１支持体
１１２支持体
１１３支持体
１１４支持体
１１５支持体
１１６支持体
１２１Ｎ型導電領域
１２２Ｐ型導電領域
１２３Ｐ型導電領域
１２８Ｎ型導電領域
１３１ハンダ
１３２ハンダ
１４１ハンダ
１４２ハンダ
１５１支持体
１５２支持体
１５３支持体
１５４支持体
１５５支持体
２００樹脂モールド部
２０１支持体
２０２支持体
２０３支持体
２０４支持体
２０５支持体
２０６支持体
２０７支持体
２０８支持体
２０９支持体
２１０支持体
２１１支持体
２１２支持体
２２１Ｎ型導電領域
２２２Ｎ型導電領域
２３１Ｐ型導電領域
２３２Ｐ型導電領域
２４１絶縁膜
２４２絶縁膜
２４３絶縁膜
２４４絶縁膜
３００半導体基板
４００半導体基板

Claims

第１導電型の半導体基板の表面から裏面に亘って設けられた第１導電型と反対の第２導電型の第１導電領域と、
前記半導体基板の表面において、前記第１導電領域を挟んだ一方の位置に設けられた第２導電型の第２導電領域と、
前記半導体基板の裏面において、前記第１導電領域を挟んだ他方の位置に設けられた第２導電型の第３導電領域と、
前記第３導電領域の露出面上で電極端子を接続するための第３導電材と、
前記半導体基板の裏面において、前記第２導電領域に対向する一方の位置において露出する面上で電極端子を接続するための第２導電材と、
前記半導体基板の表面において、前記第２導電領域の露出面上及び前記第１導電領域を挟んだ他方の位置において露出する面上に、前記第１導電領域と絶縁された状態で延在する第１導電材と、
前記絶縁状態を保つべく、前記第１導電領域の露出面を覆う絶縁性の第１支持体とを備えることを特徴とする半導体装置。
更に、前記第２導電領域の露出面上及び前記第１導電領域を挟んだ他方の位置において露出している面上で突出する第２支持体を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
第１導電型の半導体基板と、
該半導体基板の表面から裏面に亘って設けられた第１導電型と反対の第２導電型の第１導電領域と、
前記半導体基板の表面において、前記第１導電領域を挟んだ一方の位置に設けられた第２導電型の第２導電領域と、
前記半導体基板の表面において、前記第１導電領域を挟んだ他方の位置において露出した第１露出領域と、
前記半導体基板の裏面において、前記第１導電領域を挟んだ他方の位置に設けられた第２導電型の第３導電領域と、
前記半導体基板の裏面において、前記第１導電領域を挟んだ一方の位置において露出した第２露出領域と、から成る構成をそれぞれ有する第１半導体基板構成および第２半導体基板構成と、
第１半導体基板構成上に第２半導体基板構成が搭載されるべく、前記第１半導体基板構成における前記第２導電領域の露出面上と前記第２半導体基板構成における前記第２露出面上との対向する間に設けられた第４導電材と、
前記第１半導体基板構成における前記第１露出面上と前記第２半導体基板構成における前記第３導電領域の露出面上との対向する間に設けられた第５導電材と、
前記第１半導体基板構成における前記第２露出面上に設けられた電極端子を接続するための第２導電材と、
前記第１半導体基板構成における前記第３導電領域の露出面上に設けられた電極端子を接続するための第３導電材と、
前記第２半導体基板構成における前記第２導電領域の露出面上及び前記第１露出領域の露出する面上に、前記第１導電領域と絶縁された状態で延在する第１導電材と、
前記第１半導体基板構成における前記第２導電領域の露出面上及び前記第１露出領域の露出する面上で突出する第２支持体と、
前記第２半導体基板構成における前記第３導電領域の露出面上及び前記第２露出領域
の露出している面上で突出する第３支持体と、
前記第２半導体基板構成における前記絶縁状態を保つべく、前記第１の導電領域の露出面を覆う絶縁性の第１支持体とを備えることを特徴とする半導体装置。