JP2007328897A - 多層光記録媒体及びその光記録方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層中の反射層の厚みが極薄であっても充分な放熱効果が得られ、変調度を高くして各情報層の記録性能が向上し、記録感度も向上し、保存安定性に優れた多層光記録媒体及びその光記録方法の提供。
【解決手段】レーザ光の照射によって情報を記録し得る相変化記録層と、反射層を少なくとも含む複数の情報層を有し、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層が少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層、及び光透過層を有し、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層の上部保護層及び光透過層がＳｎ酸化物を含有する材料からなり、かつレーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層の上部保護層の厚みが２〜１５ｎｍである多層光記録媒体である。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザ光を照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせて情報の記録を行うことができ、かつ情報の書き換えが可能な相変化記録層を含む情報層を複数有する多層光記録媒体（以下、「多層相変化型情報記録媒体」、「多層相変化型光記録媒体」、「多層光ディスク」、「多層相変化型光ディスク」と称することもある）及び該多層光記録媒体の光記録方法に関する。

ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク（相変化型光記録媒体）は、一般的にプラスチック基板上に相変化材料からなる記録層を設け、その上に記録層の光吸収率を向上させ、かつ熱拡散効果を有する反射層を形成したものを基本構成とし、基板面側からレーザ光を照射して、情報の記録再生を行うものである。
相変化型記録材料は、レーザ光照射による加熱と、その後の冷却によって、結晶状態とアモルファス状態の間を相変化し、急速加熱後に急冷するとアモルファスとなり、徐冷すると結晶化するものである。相変化型光記録媒体は、この性質を情報の記録と再生に応用したものである。
更に、光照射による加熱によって起こる記録層の酸化、蒸散あるいは変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層との間に下部保護層、及び記録層と反射層との間に上部保護層が設けられている。これらの保護層は、その厚みを調節することによって、光記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。

近年、コンピュータ等で扱う情報量が増加したことによって、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷのような、書き換え型光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度で、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後、更に高記録密度化の要求が高まることが予想される。また、情報量の増加に伴い、記録速度の向上も要求されると考えられる。現在、ＤＶＤの書き換え型ディスクとしては、単層で８倍速記録が可能なものが開発され、実用化されている。
このような相変化型光記録媒体を用いて高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザ波長を青色領域まで短波長化すること、あるいは記録再生を行うピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザ光のスポットサイズを小さくすることが提案され、研究、開発、更には実用化されるところまで来ている。

光記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法として、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を二つ重ね、これらの情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着して作製される２層相変化型光記録媒体が各種提案されている。この情報層間の接着部分である分離層（中間層と称することもある）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生に用いるレーザ光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、その光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。
この２層相変化型光記録媒体については、未だ多くの課題が存在している。
例えば、レーザ光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザ光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録しそれを再生できないために、第１情報層を構成する反射層は極薄な半透明反射層としなければならない。再生するためにはできるだけ高い反射率が必要であるが、記録層や反射層を２層以上有する光記録媒体では、その光吸収及び光透過が影響し、光記録媒体自体の反射率が低くなるという問題がある。

相変化型光記録媒体への記録は、記録層の相変化型材料にレーザ光を極短時間照射したのち急冷し、結晶をアモルファスに変化させてマークを形成することにより行われる。そのため、１０ｎｍ程度の非常に薄い厚みの半透明反射層の場合、放熱効果が単層の光記録媒体と比較して極端に小さくなるので、第１情報層の記録層へ記録を行う際にアモルファスマークを形成することが困難になってしまう。その結果、変調度の確保が非常に行いにくいという問題もある。

また、特許文献１には、透明放熱層（光透過層と称することもある）に、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴａＯ、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｉＣ、及びこれらの複合材料から選択された材料を用い、透明誘電体層（保護層と称することもある）にＺｎＳ−ＳｉＯ_２を用いた技術が開示されているが、Ｓｎ酸化物の特別な効果に関する記述は無い。

また、特許文献２には、熱拡散層（光透過層と称することもある）が酸化スズを主体とし、少なくとも酸化アンチモンを含む多層相変化型情報記録媒体が開示されているが、上部保護層と熱拡散層、又は下部保護層と上部保護層と熱拡散層がＳｎの酸化物で構成されているという記載は無い。また、４０５ｎｍの青色レーザ波長領域での効果を謳っており、本発明とは異なる。
更に、特許文献３には、熱拡散層がＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）を主体とし、Ａｌ及びＧａの内の少なくとも１種を含む多層相変化型情報記録媒体が開示されているが、上部保護層と熱拡散層、又は下部保護層と上部保護層と熱拡散層がＳｎ酸化物で構成されているという記載は無い。また、４０５ｎｍの青色レーザ波長領域での効果を謳っているほか、ＩＴＯを熱拡散層に用いる特別な効果のみを記載しており、本発明とは構成が異なる。

特開２００２−２９８４３３号公報 特開２００４−４７０３８号公報 特開２００４−４７０３４号公報

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層中の反射層の厚みが極薄であっても充分な放熱効果が得られるようにし、変調度を高くして各情報層の記録性能を向上させると共に記録感度も向上させ、保存安定性にも優れ、更には、各情報層の光透過率を高く確保してレーザ光が照射される側から見て一番奥側の情報層の記録感度をも向上させた多層光記録媒体、及び該多層光記録媒体の光記録方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ レーザ光の照射によって情報を記録し得る相変化記録層と、反射層とを少なくとも含む複数の情報層を有し、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層が、少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層、及び光透過層を有してなり、
レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層の上部保護層及び光透過層がＳｎ酸化物を含有する材料からなり、かつレーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層の上部保護層の厚みが２〜１５ｎｍであることを特徴とする多層光記録媒体である。
＜２＞ レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における上部保護層が、Ｓｎ酸化物を５０〜９０モル％含有する前記＜１＞に記載の多層光記録媒体である。
＜３＞ レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における光透過層の厚みが、５１〜２５０ｎｍである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の多層光記録媒体である。
＜４＞ レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における反射層がＣｕを含有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の多層光記録媒体である。
＜５＞ レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における反射層が、更にＭｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｇｅ及びＡｕから選択される少なくとも１種の金属元素を５質量％以下の割合で含有する前記＜４＞に記載の多層光記録媒体である。
＜６＞ レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における下部保護層が、Ｓｎ酸化物を含有する材料からなる前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の多層光記録媒体である。
＜７＞ レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における下部保護層が、２層構造からなり、該２層のうち少なくとも１層がＳｎ酸化物を含有する材料からなる前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の多層光記録媒体である。
＜８＞ 多層光記録媒体が、レーザ光が照射される側から見て第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、及び第２基板をこの順に有してなり、
前記第１情報層が、レーザ光が照射される側から見て第１下部保護層、第１相変化記録層、第１上部保護層、第１反射層、及び光透過層をこの順に有し
前記第２情報層が、第２下部保護層、第２相変化記録層、第２上部保護層、及び第２反射層をこの順に有する前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の多層光記録媒体である。
＜９＞ 前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の多層光記録媒体の光記録方法であって、
レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における記録層に、記録パワーとバイアスパワーの２値で変調したパルスを繰り返し照射することで、長さｎＴ（Ｔはクロック周期、ｎは２以上の整数である）の記録マークを形成する際に、先頭パルスと最終パルスの立ち上がりの間隔Ｔｒを、下記数式１の範囲に設定することを特徴とする多層光記録媒体への光記録方法である。
＜数式１＞
（ｎ−１．５）Ｔ≦Ｔｒ≦（ｎ−０．５）Ｔ
＜１０＞ レーザ光が照射される側から見て２番目以降の各情報層における記録層に記録する際には、照射パルスの個数をｍ（ｍは１以上の整数である）としたとき、ｎが偶数のときはｎ＝２ｍ、ｎが奇数のときはｎ＝２ｍ＋１の関係を満たす前記＜９＞に記載の多層光記録媒体の光記録方法である。

本発明によると、従来における諸問題を解決することができ、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層中の反射層の厚みが極薄であっても充分な放熱効果が得られるようにし、変調度を高くして各情報層の記録性能を向上させると共に記録感度も向上させ、保存安定性にも優れ、更には、各情報層の光透過率を高く確保してレーザ光が照射される側から見て一番奥側の情報層の記録感度をも向上させた多層光記録媒体、及び該多層光記録媒体の光記録方法を提供することができる。

（多層光記録媒体）
本発明の多層光記録媒体は、レーザ光の照射によって情報を記録し得る相変化記録層及び反射層を少なくとも含む複数の情報層を有し、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層が少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層、及び光透過層を有し、更に必要に応じてその他の層を有してなる。

ここで、図１は、本発明の多層光記録媒体の一実施形態に係る２層型光記録媒体の概略断面図である。この２層型光記録媒体は、第１基板３の上に、第１情報層１、中間層４、第２情報層２、及び第２基板５をこの順に積層してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。

前記第１情報層１は、第１下部保護層１１、第１相変化記録層１２、第１上部保護層１３、第１反射層１４、及び光透過層１５を有している。
前記第２情報層２は、第２下部保護層２１、第２相変化記録層２２、第２上部保護層２３、及び第２反射層２４を有している。
なお、第１上部保護層１３と第１反射層１４との間、及び第２上部保護層２３と第２反射層２４との間の少なくともいずれかに界面層を設けても構わない。
前記２層型光記録媒体においては、レーザ光が照射される側から見て一番奥側の情報層が第２情報層となり、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の情報層が第１情報層となる。

前記２層型光記録媒体は、好ましくは以下のようにして製造される。即ち、成膜工程、初期化工程、密着工程からなる製造方法を採用し、基本的にこの順に各工程を行う。
前記成膜工程としては、第１基板のグルーブが設けられた面に第１情報層を、第２基板のグルーブが設けられた面に第２情報層をそれぞれ成膜する。
前記第１情報層及び第２情報層の各層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている点から特に好ましい。前記スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行うが、その際、酸素、窒素などを混入させながら反応スパッタリングさせてもよい。

前記初期化工程としては、第１情報層、及び第２情報層に対して、レーザ光などのエネルギー光を照射することにより全面を初期化（記録層を結晶化）させる。初期化工程の際にレーザ光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れのある場合には、初期化工程の前に、第１情報層、第２情報層の上にＵＶ樹脂（紫外線硬化樹脂）などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施してもよい。また、次の密着工程を先に行った後に、第１基板側から第１情報層、第２情報層を初期化させても構わない。
前記密着工程としては、第１情報層と第２情報層とを向かい合わせながら、第１基板と第２基板とを中間層を介して貼り合わせる。例えば、何れか一方の膜面にＵＶ樹脂を塗布し、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させ、紫外線を照射して樹脂を硬化させることができる。

以上のような情報層を２層有する２層型光記録媒体は、単層の光記録媒体に比べて層数が多く、特に記録層や反射層での光吸収が影響してしまうことから低反射率となる。低反射率であると、再生信号の振幅が取れず、基板の溝に沿ってレーザ光をフォーカスし続けることが非常に困難となる。
そこで、低反射率でも情報を再生できるか否かの指標として「反射率Ｉｔｏｐ×変調度Ｍ」の値（単位は％）を用いることにする。この値が大きいほど光記録媒体の記録性能がよい。
Ｉｔｏｐを記録後の第１情報層の結晶質反射率、Ｉｂｏｔを記録後の第１情報層の非晶質反射率とすると、変調度Ｍ＝（Ｉｔｏｐ−Ｉｂｏｔ）／Ｉｔｏｐで表される。
前記変調度Ｍは、０．５５以上が好ましく、０．５５〜０．７０がより好ましい。前記変調度が０．５５未満であると、再生信号の振幅が確保できていないので、単層の相変化型光記録媒体よりも反射率が約３分の１程度と低い多層相変化型光記録媒体では、品質の良い信号を読み取ることが困難となることがある。
ここで、前記光記録媒体の反射率は、例えば、光記録媒体用の評価機等により、媒体の反射強度を測定し、較正用の金属薄膜（例としてＡｇなど）の反射率と反射強度を用いて、反射強度を反射率に較正することにより測定することができる。

また、初期化後の第１情報層の光透過率は、３０〜６０％が好ましく、４０〜４５％がより好ましい。前記光透過率が３０％未満であると、レーザ光照射側から見て奥側の情報層にレーザ光が透過しづらくなり、また奥側の反射率が下がるため、奥側の情報層の安定した記録再生を行うことが困難となることがあり、６０％を超えると、光透過率が高すぎてしまうため、第１情報層における情報の記録に必要なレーザ強度が高くなるし、第１情報層の反射率が低くなるため、安定した情報の記録再生を行うことが困難となることがある。
ここで、前記第１情報層の光透過率は、例えば貼り合わせる前の第１情報層をＳｔｅａｇ社製のエタオプティクスにより測定することができる。

本発明に用いる記録層材料としては、Ｓｂ含有量が７０％前後のものが好ましい。２層の記録層を有する光記録媒体では、第１情報層は、第２情報層の記録及び再生のことを考慮すると透過率が高いことが要求され、そのために反射層の吸収率を少なくする取り組みと並行して記録層を薄膜化することが要求される。記録層を薄くしていくと結晶化速度が低下するのは公知であり、記録層材料自体を結晶化速度の速いものにすることが有利である。そのため、Ｓｂ含有量が７０％前後のＳｂＴｅ共晶組成が好ましい。具体例としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどが挙げられる。これら以外の相変化型記録材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｇｅなども用いることができる。
前記第１相変化記録層の厚みは、５〜１０ｎｍが好ましい。また、第２相変化記録層の厚みは１０〜２０ｎｍの範囲が好ましい。
前記相変化記録層の成膜方法としては、各種の気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などが挙げられる。中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。

このような相変化記録層を含んだ情報層への記録を行い易くするには、非晶質マークを形成するために照射された光によって生じた余熱が速やかに放熱される必要がある。
しかし、第１反射層の厚みは、第１情報層の光透過性の関係で１０ｎｍ程度よりも厚くすることができないため放熱性が悪く、第１記録層への記録が行いにくい。特に変調度が高くとれない。そこで、放熱性を高めるため第１上部保護層及び光透過層に熱伝導性のよい透明材料を用いる。
即ち、第１情報層（レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の情報層に相当）の第１上部保護層と光透過層をＳｎ酸化物を含有する層で構成することにより、第１情報層の記録感度を高めることができ、比較的低い記録パワーでも変調度を高く取ることができる。また、従来の単層の書き換え型光記録媒体では上部保護層にＺｎＳ−ＳｉＯ_２が主に用いられているが、２層の情報層を有する書き換え型光記録媒体では、レーザ光が照射される側から見て手前側の情報層の上部保護層にＺｎＳ−ＳｉＯ_２を用いると保存安定性が確保できないという課題がある。

しかし、本発明によれば、上記のような２層の情報層を有する光記録媒体にける新たな課題を解決することができる。更に第１情報層の光透過率を高めることができるため、奥側の情報層へ光が透過し易くなり、第２情報層の記録感度も高めることができる。
また、前記第１上部保護層は、Ｓｎ酸化物を５０モル％以上含有していることが好ましい。前記含有量が５０モル％よりも少ないと、第１記録層において充分な結晶化速度が得にくくなり、第１情報層における１０ｍ／ｓ程度の高線速の繰り返し記録が難しくなるため、繰り返し１０回記録したときのジッタ（ＤＯＷ１０ジッタ）も悪化する（後述する図８参照）。更に、優れた保存安定性を得易くするためには、Ｓｎ酸化物の含有量を９０モル％以下とすることが好ましい（後述する図１１参照）。即ち、図８と図１１から分かるように、ＤＯＷ１０ジッタ１０％以下の記録特性とＤＯＷ１０ジッタ変化量１％未満の保存特性を両立させるには、Ｓｎ酸化物の含有量を５０〜９０モル％とすることが好ましく、５０〜７０モル％がより好ましい。
ここで、図８に示す「転移線速」とは、初期化処理により結晶状態となっているトラックに記録媒体の線速を変化させて連続光（パワーは１５ｍＷとした）を照射したときの、反射率が変化し始める線速を言う。図９の例（実施例２で用いた層構成の媒体で実験した例）では、転移線速は矢印で示すように１５ｍ／ｓである。転移線速は、記録層の結晶化速度を代用した値であり、目的の記録速度を達成するための重要な設計事項である。

前述したように、特開２００２−２９８４３３号公報には、透明放熱層（光透過層）に、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴａＯ、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｉＣ、及びこれらの複合材料から選択された材料を用いる旨の記載がある。しかし、何れの場合も変調度が取り難いためＩｔｏｐ×Ｍ値が低い。また、透過率を確保しにくいという問題もある。
本発明では、光透過層にＳｎ酸化物を含有する誘電体材料を用いることにより、変調度を高くでき、かつ光透過率を高く確保することができる。Ｓｎ酸化物の他にＩｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２などを添加してもよい。
前記光透過層の厚みは、Ｓｎ酸化物を第１下部保護層、第１上部保護層、光透過層に用いる場合、５１〜２５０ｎｍが好ましく、５５〜７０ｎｍがより好ましい。前記厚みが５１ｎｍ未満であると、充分な放熱効果が得られず記録が困難となることがあり、２５０ｎｍを超えると、充分な放熱効果は得られるが光透過率が下がり、第２情報層への記録感度が悪くなることがある。前記光透過層の厚みを上記の範囲に設定すると、光透過率を４０〜６０％とすることができる。特開２００２−２９８４３３号公報には、透明放熱層（本発明の光透過層に相当）として前述したような材料を用いた場合の厚みは５０ｎｍ以下が好ましいとの記載があるが、このような薄い層では放熱性が不充分である。

なお、前記第２上部保護層については、Ｓｎ酸化物を用いてもよいが、従来どおりＺｎＳ−ＳｉＯ_２を用いてもよい。第２相変化記録層に記録する場合は、第２反射層を充分厚くでき、充分な放熱性が得られるためＺｎＳ−ＳｉＯ_２でも構わない。ただし、第２上部保護層にＺｎＳ−ＳｉＯ_２を用い、かつ第２反射層にＡｇを用いる場合は、それらの間にＴｉＣ（７０モル％）−ＴｉＯ_２（３０モル％）などからなる界面層を挟むことが好ましい。これは、ＡｇとＳが反応して媒体の信頼性を阻害するのを防ぐためである。
前記第２上部保護層の厚みは、３〜３０ｎｍが好ましく、１５〜３０ｎｍがより好ましい。

前記第１下部保護層は、透明で光をよく通し、かつ融点が記録層よりも高い材料からなるものが好ましく、記録層の劣化変質を防ぎ、記録層との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有する金属酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などが主に用いられる。
具体例としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２などの金属酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いは、それらの混合物が挙げられる。これらの材料は単体で用いても互いの混合物として用いてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。

従来の第１情報層の下部保護層としては、特開２００２−２９８４３３号公報などに開示されているように、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２がよく用いられているが、その場合の混合比は、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ_２（２０モル％）が好ましい。この材料は、屈折率ｎが高く消衰係数ｋがほぼゼロであることから、記録層の光の吸収効率を上げることができ、かつ、熱伝導率が小さいことから光吸収により発生した熱の拡散を適度に抑えることができるため、記録層を溶融可能な温度まで昇温することができる。
しかし、本発明では、第１上部保護層と光透過層だけでなく、第１下部保護層もＳｎ酸化物とすることによって記録感度を高めることもできる。また、第１下部保護層は２層の構造にしてもよい。この場合、２層のうち少なくとも１層はＳｎ酸化物を主成分とする材料から形成するのが好ましい。

前記第１下部保護層の厚みは、４０〜８０ｎｍが好ましく、６０〜８０ｎｍがより好ましい。
また、前記第１上部保護層の厚みは、２〜３０ｎｍが好ましく、記録特性だけでなく優れた保存安定性も得るためには、２〜１５ｎｍとするのがより好ましい。前記厚みが３０ｎｍよりも厚いと、優れた保存安定性が得られないことがあり（後述する図１０参照）、２ｎｍよりも薄いと、保存安定性は得られるが、反射率が高くなり変調度を確保できなくなるという不具合が生じることがある（後述する図１７参照）。
前記第１情報層の光透過層、第１上部保護層、第１下部保護層にＳｎ酸化物を用いた場合と用いない場合の記録特性については、後述する実施例の図６、及び図７の結果から確認することができる。

前記第２下部保護層は、透明で光をよく通し、かつ融点が記録層よりも高い材料からなるものが好ましく、記録層の劣化変質を防ぎ、記録層との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、金属酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などが主に用いられる。具体例としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２などの金属酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いはそれらの混合物が挙げられる。これらの材料は単体で保護膜とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。更に必要に応じて不純物を含んでもよい。

前記混合物としては、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ_２を混合したＺｎＳ−ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５とＳｉＯ_２を混合したＴａ_２Ｏ_５−ＳｉＯ_２が挙げられる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ_２がよく用いられるが、その場合の混合比（モル比）は（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０が最も好ましい。この材料は、屈折率ｎが高く消衰係数ｋがほぼ０（ゼロ）であり、記録層の光の吸収効率を上げることができ、かつ、熱伝導率が小さいため光吸収により発生した熱の拡散を適度に抑えることができるため、記録層を溶融可能な温度まで昇温することができる。
前記第２下部保護層の厚みは、１１０〜１６０ｎｍが好ましい。
以上のような保護層の成膜法としては、各種の気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などが挙げられる。これらの中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている点から特に好ましい。

更に、前記第１反射層がＣｕを主成分として含有することによって、第１情報層の透過率や第１記録層での記録特性及び保存特性を良好とすることが可能となる。ここで、前記第１反射層がＣｕを主成分として含有するとは、Ｃｕを９５質量％以上含有することを意味する。
ここで、主にＣｕで構成された第１反射層が好適である理由を以下に述べる。
図１のような、記録層を２層有する相変化型光記録媒体では、記録再生用のレーザ光ができるだけ第１情報層を透過し、第２情報層に到達することが必要である。したがって、第１反射層を考えた場合に考慮されるべき事項として、第１反射層において光が吸収されにくくかつ透過し易い材料が好ましい。
そこで本発明者らは、各種の反射層膜について波長６６０ｎｍにおける光学的な測定を行った。ここではＡ（吸収率）、Ｒ（反射率）、Ｔ（透過率）のデータを測定した。測定用サンプルは、厚み０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に各金属を厚み１０ｎｍ成膜したものを用いた。

その結果は図２のようになった。この結果からＰｔ、Ｐｄ、Ｔｉは透過率が低く、吸収率が高いことから、第１反射層としては好ましくないことが予想される。
次に、透過率が比較的高く吸収率が比較的低いＡｇ、Ｃｕについて厚みを変化させて調査したところ、図３及び図４のような結果が得られ、Ａｇの方が厚みによる変化が大きいことが分かった。これにより、成膜されたときの厚みに対する光学定数の安定性はＣｕの方が優れていることが分かる。また、ＤＶＤ媒体で使用されている波長６６０ｎｍのレーザ光について、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕを用いた場合の３ＴのＣ／Ｎ（キャリアーとノイズの比率）を測定したところ、Ｃｕが最も優れていることが分かった。
更に、厚みが８ｎｍの場合の分光透過率の測定結果を図５に示すが、４５０ｎｍ程度の波長域でＡｇとＣｕの透過率が交差していることが分かる。これにより、４５０ｎｍ程度よりも長い波長領域ではＣｕの方が透過率が高く、６６０ｎｍ付近でのレーザ光に対しては、第１反射層としてＣｕを用いた方が好適であることが分かる。

また、更に保存特性を良好とするために、Ｃｕに５．０質量％以下の微量な金属元素を添加した第１反射層としてもよい。該微量な金属元素としては、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｇｅ、及びＡｕから選択される少なくとも１種が好ましい。この場合、Ｃｕ単独のときと比べて記録特性を劣化させずに、保存特性も良好とすることができる。
Ｔａ、Ｎｂは、酸素及び窒素との親和力が強い金属であり、酸素及び窒素のゲッター材として使われることがある。元々、金属層の劣化は化学的には酸化であることが多く、特にＣｕの場合、緑青として知られる反応物は酸化物である。その点からＴａ、Ｎｂに関してはＣｕの劣化に対して効果がある。
次に、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ａｕに関しては、これらの金属を添加すると、再結晶化の際に膜表面や銅の結晶粒界にＣｕとの合金が析出し、Ｃｕの粒界拡散を抑制するので、Ｃｕのマイグレーションが阻止され、劣化が防止される。
前記第１反射層の厚みは、６〜１２ｎｍの範囲にあることが好ましい。
前記第２反射層は、第１反射層のように半透明である必要は無く、金属材料であれば特に制限なく用いることができる。前記第２反射層の厚みは１００〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましく、１２０〜１５０ｎｍがより好ましい。
以上のような反射層の成膜法としては、各種の気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などが挙げられる。中でも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。

前記第１基板は、記録再生用の照射光を十分透過するものであることが必要であり、当該技術分野において従来知られているものが適用される。材料としては、通常、ガラス、セラミックス又は樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が特に好ましい。
前記第１基板上の情報層を形成する面には、必要に応じて、レーザ光のトラッキング用のスパイラル状又は同心円状の溝などであって、通常グルーブ部及びランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形される。前記第１基板の厚みは、１０〜６００μｍが好ましく、５５０〜５９０μｍがより好ましい。
前記第２基板の材料としては、第１基板と同様の材料を用いてもよいが、記録再生光に対して不透明な材料を用いてもよく、第１基板とは材質や溝形状が異なってもよい。
前記第２基板の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記第１基板の厚みとの合計が１．２ｍｍになるように第２基板の厚みを選択することが好ましい。

前記中間層は、記録再生を行うために照射する光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては成形性やコストの点で樹脂が好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
前記第２基板や中間層には、第１基板と同様な、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
前記中間層は、記録再生を行う際に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚みは１０〜７０μｍが好ましく、３０〜６０μｍがより好ましい。前記厚みが１０μｍよりも薄いと、情報層間クロストークが生じることがあり、７０μｍより厚いと、第２記録層を記録再生するときに球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。

（多層光記録媒体への光記録方法）
本発明の多層光記録媒体への光記録方法は、本発明の前記多層光記録媒体に対する光記録方法であって、
レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における記録層に、記録パワーとバイアスパワーの２値で変調したパルスを繰り返し照射することで、長さｎＴ（Ｔはクロック周期、ｎは２以上の整数である）の記録マークを形成する際に、先頭パルスと最終パルスの立ち上がりの間隔Ｔｒを、下記数式１の範囲に設定する。
＜数式１＞
（ｎ−１．５）Ｔ≦Ｔｒ≦（ｎ−０．５）Ｔ
この場合、レーザ光が照射される側から見て２番目以降の各情報層における記録層に記録する際には、照射パルスの個数をｍ（ｍは１以上の整数である）としたとき、ｎが偶数のときはｎ＝２ｍ、ｎが奇数のときはｎ＝２ｍ＋１の関係を満たすことが好ましい。

本発明の多層光記録媒体に対して記録を行うに際し、本発明の光記録方法を採用することにより、多層光記録媒体のレーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の記録層の記録特性を良好とすることができる。
図１２に示すように、ＤＶＤ＋ＲＷのような従来の単層型の書き換え型光記録媒体では、例えば１Ｔ周期ストラテジ（ｎＴのマークを記録する際にｎ−１個のパルス列を用いる）を用いる場合、データに対して１Ｔだけ遅れた時間位置から記録し始める記録方法が主な方法であった（図１２のＡ参照）。しかしながら、相変化記録層を２層以上有する多層光記録媒体の光照射側から見て一番奥側以外の記録層に対する記録方法としては、図１２のＢやＣのように、長さｎＴのマークを形成する際に先頭パルスと最終パルスの立ち上がり時間幅Ｔｒを広くする記録方法を用いた方がよい。
何故ならば、多層光記録媒体の光照射側から見て一番奥側以外の情報層では、透過率を高く確保する必要があるため厚い金属層を成膜することができず、透明誘電体を用いることにより放熱効果を補っているからである。金属層を厚くすれば充分な放熱性が得られ記録マークが形成され易いが、透明誘電体を用いると熱伝導率が金属よりも下がるため充分な放熱効果が得られず非晶質マークの再結晶化が起こり易い。そのため、Ｔｒを広く設定することによって所望のマーク長を得ることを狙っている。

本発明の光記録方法では、図１２のＢのように先頭パルスを時間的に早く立ち上がらせて最終パルスを時間的に遅く立ち上がらせる方法でもよいし、図１２のＣのように先頭パルスのみを早く立ち上がらせる方法でもよい。
Ｔｒの値の範囲は、（ｎ−１．５）Ｔ≦Ｔｒ≦（ｎ−０．５）Ｔとするのがよい。例えば８Ｔマークを記録する場合は、６．５Ｔ≦Ｔｒ≦７．５Ｔを満たすＴｒを用いる。
更に、非晶質マークの形成領域をできるだけ大きく（太く）するため、加熱後の冷却時間を長く取る必要がある。したがって記録パルスの幅Ｔｍｐはできるだけ小さくすることが好ましい。クロック周期をＴとした場合、記録速度に関係なく、０．１２≦（Ｔｍｐ／記録パルスの周期）≦０．３とするのがよい。

（Ｔｍｐ／記録パルスの周期）を０．１２よりも短くすると高い記録パワーを必要とし、特に、記録速度が９．２ｍ／ｓ程度に速い場合は、１Ｔ周期で記録する場合、クロック周期Ｔ＝１５．９ｎｓｅｃであるためＴｍｐ＝０．１２Ｔ＝１．９ｎｓｅｃとなり、記録装置においてＬＤ（レーザダイオード）から出射されるレーザの応答時間（立ち上がり及び立下り時間）が間に合わず、所望の記録パワーで記録することが困難となる。また、（Ｔｍｐ／記録パルスの周期）を０．３よりも長くすると冷却時間が足りないために次のパルスの余熱によって再結晶化が生じ、所望の変調度が確保できなくなる不具合が生じる。
一般的には、上記Ｔｒの範囲を保ちつつ、図１３に示すような記録パルスストラテジのパラメータを用いることが好ましいが、これに限られる訳ではない。例えばＤＶＤでは、３Ｔマーク及び４Ｔマークは、他の長いマークに比べて出現個数が多いため、最も記録特性（ジッタ）に影響を及ぼす。そのため、３Ｔマーク及び４Ｔマークの記録に限っては、（ｄＴｔｏｐ３）、（ｄＴｔｏｐ４）、（ｄＴｌｐ３）、（ｄＴｌｐ４）、（ｄＴｅｒａ３）、（ｄＴｅｒａ４）のようなパラメータを個別に設定することも可能である。

更に、本発明の光記録方法により、記録感度を良好とすることができる。
多層光記録媒体の２層目以降では、レーザ光が１層目を透過しなければならないため、単層の光記録媒体と比較した場合、約２倍以上の記録パワーが必要となる。そのため、できるだけ必要な記録パワーを低くした方が都合がよい。図１２のような１Ｔ周期のパルスを照射するよりも、パルスの個数を減らすことにより冷却時間を長く確保することができるため、アモルファスマークを形成するのに必要な記録パワーを約１０％程度低くすることができる（図１４及び図１５参照）。
図１４及び図１５は、実施例３５で作製した２層光記録媒体の第２記録層に、記録線速９．２ｍ／ｓで１０回繰り返し記録（ＤＯＷ１０）を行った時のデータである。１Ｔ周期ストラテジで記録するときにはパルス幅を０．４５Ｔとし、２Ｔ周期ストラテジで記録するときにはパルス幅を０．８Ｔとした。長さｎＴのアモルファスマークを形成する際に、照射パルスの個数をｍ（ｍは１以上の整数である）としたとき、ｎが偶数のときはｎ＝２ｍ、ｎが奇数のときはｎ＝２ｍ＋１の関係を満たす場合の具体的な２Ｔ周期ストラテジの例を図１６に示した。図では、長さ１０Ｔのマークを記録する際のパルスの個数及び長さ１１のＴマークを記録する際のパルスの個数が何れも５個であることを示している。なお、１１Ｔマークなどのような奇数マークの場合には、図示したように最終パルスを約１Ｔ分だけ後方にずらした波形を用いるとよい。

本発明によれば、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層中の反射層の厚みが極薄であっても充分な放熱効果が得られるようにし、変調度を高くして各情報層の記録性能を向上させると共に記録感度も向上させ、保存安定性にも優れ、更には各情報層の光透過率を高く確保してレーザ光が照射される側から見て一番奥側の情報層の記録感度をも向上させた多層光記録媒体、及び該多層光記録媒体への光記録方法を提供できる。

以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。なお、下記実施例及び比較例で作製した２層相変化型光記録媒体は、図１に示すような層構成（ただし、第２反射層と第２上部保護層の間に界面層を有する）であった。
下記実施例及び比較例において、光記録媒体の反射率は、光記録媒体用の評価機を用いて、光記録媒体の反射強度を測定し、較正用の金属薄膜（Ａｇ）の反射率と反射強度を用いて、反射強度を反射率に較正することにより測定した。
また、初期化後の第１情報層の光透過率は、貼り合わせる前の第１情報層をＳｔｅａｇ社製のエタオプティクスにより測定した。

成膜には、スパッタ装置として、ユナクシス社製のＤＶＤ ｓｐｒｉｎｔｅｒを用い、ＤＣ及びＲＦマグネトロンスパッタリング法を採用した。
評価装置としてはパルステック株式会社製のＯＤＵ−１０００を用い、記録時に照射するレーザ波長６６０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５、再生光パワー１．２ｍＷとした。なお、記録ストラテジは１Ｔ周期ストラテジとした。用いたストラテジを、図１３に示したパラメータで表現すると表１のようになる。表中の数値は［１／１６］Ｔを単位とする時間を示し、例えば「３」は［３／１６］Ｔを意味する。また、数値の前の「−」は基準位置から時間的に遅らせていることを意味する。

（実施例１〜２１及び比較例１〜５）
第１記録層へ記録を行う際の記録線速は９．２ｍ／ｓとした。３トラックに繰り返し１０回（ＤＯＷ１０）のランダム記録を行い、その真ん中のトラックを再生した。ランダム記録とは、３Ｔ〜１１Ｔ及び１４Ｔの１０種類のマークとスペースを不規則に記録することを意味する。
評価基準は、第１情報層の光透過率が４０％以上で、かつ変調度が飽和する記録パワーを最適記録パワーＰｐｏ［ｍＷ］とし、Ｐｐｏで第１情報層に記録したときの変調度をＭ（ＤＯＷ１０）、記録後の結晶質反射率をＩｔｏｐ（ＤＯＷ１０）として、「Ｍ≧０．５５でＩｔｏｐ×Ｍ≧４．０％」のときを「○」とし、「Ｍ≧０．５５で４．０％＞Ｉｔｏｐ×Ｍ≧３．５％」のときを「△」とし、それ以外を「×」とした。これらの評価結果を纏めて表２に示した。

（実施例１）
直径１２ｃｍ、厚み０．５８ｍｍで、片面にトラックピッチ０．７４μｍの連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上に、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ_２（２０モル％）からなる厚み６０ｎｍの第１下部保護層、Ａｇ_０．２Ｉｎ_３．５Ｓｂ_６９．２Ｔｅ_２１．１Ｇｅ_６からなる厚み７．６ｎｍの第１記録層、Ｉｎ_２Ｏ_３（７．５モル％）−ＺｎＯ（２２．５モル％）−ＳｎＯ_２（６０モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（１０モル％）からなる厚み５ｎｍの第１上部保護層、ＣｕにＭｏを１．１質量％添加した材料からなる厚み８ｎｍの第１反射層、Ｉｎ_２Ｏ_３（７．５モル％）−ＺｎＯ（２２．５モル％）−ＳｎＯ_２（６０モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（１０モル％）からなる厚み８０ｎｍの光透過層を順に、Ａｒガス雰囲気中のスパッタリング法で成膜し、第１情報層を作製した。
第１基板と同様の基板を第２基板とし、その上に、Ａｇからなる厚み１４０ｎｍの第２反射層、ＴｉＣ（７０モル％）−ＴｉＯ_２（３０モル％）からなる厚み４ｎｍの界面層、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ_２（２０モル％）からなる厚み２０ｎｍの第２上部保護層、Ａｇ_０．２Ｉｎ_４．９８Ｓｂ_{６８．６１}Ｔｅ_{２３．９５}Ｇｅ_２．２６からなる厚み１５ｎｍの第２記録層、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ_２（２０モル％）からなる厚み１４０ｎｍの第２下部保護層を順に、Ａｒガス雰囲気中のスパッタリング法で成膜し、第２情報層を作製した。
次に、第１情報層の膜面側上に紫外線硬化樹脂（日本化薬株式会社製、カヤラッドＤＶＤ８０２）を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートしたのち、第１基板側から紫外線を照射して硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型光記録媒体を作製した。中間層の厚みは５５μｍとした。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、第１基板側からレーザ光を照射し初期化処理を行った。初期化は、半導体レーザ（発光波長８１０±１０ｎｍ）から出射されるレーザ光を、光ピックアップ（開口数ＮＡ＝０．５５）で集光することにより行った。第１記録層の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光記録媒体を回転させ、線速６．８ｍ／ｓ、送り量６８μｍ／回転、初期化パワー１３００ｍＷとし、半径位置２３〜５９ｍｍを全面初期化した。第２記録層の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光記録媒体を回転させ、線速７ｍ／ｓ、送り量６０μｍ／回転、初期化パワー１５７０ｍＷとし、半径位置２３〜５９ｍｍを全面初期化した。初期化の順番は、第２情報層を初期化してから第１情報層を初期化した。初期化後の第１情報層の光透過率は４３．２％であった。

（実施例２）
実施例１において、第１情報層の光透過層の厚みを６０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４３．８％であった。

（実施例３）
実施例１において、第１情報層の光透過層の厚みを５１ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４１．８％であった。

（実施例４）
実施例１において、第１情報層の光透過層の厚みを２４０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４１．７％であった。

（実施例５）
実施例１において、第１情報層の光透過層の厚みを２５０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４０．７％であった。

（実施例６）
実施例１において、第１情報層の第１下部保護層材料をＩｎ_２Ｏ_３（７．５モル％）−ＺｎＯ（２２．５モル％）−ＳｎＯ_２（６０モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（１０モル％）に変え、その厚みを８０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４３．１％であった。

（実施例７）
実施例１において、第１情報層の第１下部保護層を、基板側から厚み６０ｎｍのＩｎ_２Ｏ_３（７．５モル％）−ＺｎＯ（２２．５モル％）−ＳｎＯ_２（６０モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（１０モル％）、厚み２０ｎｍのＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ_２（２０モル％）の順番に積層した２層構造とした以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４２．８％であった。

（実施例８）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（１６モル％）−ＺｎＯ（１４モル％）−ＳｎＯ_２（７０モル％）に変え、その厚みを６０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４３．１％であった。

（実施例９）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（１６モル％）−ＺｎＯ（１４モル％）−ＳｎＯ_２（７０モル％）に変え、その厚みを６５ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４２．９％であった。

（実施例１０）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（１６モル％）−ＺｎＯ（１４モル％）−ＳｎＯ_２（７０モル％）に変え、その厚みを７０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４２．７％であった。

（実施例１１）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（８．８モル％）−ＺｎＯ（４１．７モル％）−ＳｎＯ_２（３５．２モル％）−ＳｉＯ_２（１４．３モル％）に変え、その厚みを６０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４４．２％であった。

（実施例１２）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（８．８モル％）−ＺｎＯ（４１．７モル％）−ＳｎＯ_２（３５．２モル％）−ＳｉＯ_２（１４．３モル％）に変え、その厚みを６５ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４４．５％であった。

（実施例１３）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（１２モル％）−ＺｎＯ（８０モル％）−ＳｎＯ_２（８モル％）に変え、その厚みを６０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４４．７％であった。

（実施例１４）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（１２モル％）−ＺｎＯ（８０モル％）−ＳｎＯ_２（８モル％）に変え、その厚みを６５ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４４．４％であった。

（比較例１）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＴａ_２Ｏ_５に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は３９．５％であった。

（比較例２）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＴａ_２Ｏ_５に変え、その厚みを５０ｎｍにした以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は３７．５％であった。

（比較例３）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＡｌ_２Ｏ_３に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は３９．２％であった。

（比較例４）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＡｌ_２Ｏ_３に変え、その厚みを５０ｎｍにした以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は３７．２％であった。

（実施例１５）
実施例１において、第１情報層の光透過層の厚みを４０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４０．５％であった。

（実施例１６）
実施例１において、第１情報層の光透過層の厚みを２６０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４０．１％であった。

（比較例５）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（９０モル％）−ＺｎＯ（１０モル％）に変え、その厚みを６０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は３９．１％であった。

（実施例１７）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（８．８モル％）−ＺｎＯ（４１．７モル％）−ＳｎＯ_２（３５．２モル％）−ＳｉＯ_２（１４．３モル％）に変え、その厚みを４５ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４３％であった。

（実施例１８）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（８．８モル％）−ＺｎＯ（４１．７モル％）−ＳｎＯ_２（３５．２モル％）−ＳｉＯ_２（１４．３モル％）に変え、その厚みを５０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４３．３％であった。

（実施例１９）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（１２モル％）−ＺｎＯ（８０モル％）−ＳｎＯ_２（８モル％）に変え、その厚みを４５ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４３．５％であった。

（実施例２０）
実施例において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（１２モル％）−ＺｎＯ（８０モル％）−ＳｎＯ_２（８モル％）に変え、その厚みを５０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４３．８％であった。

（実施例２１）
実施例１において、第１情報層の光透過層材料をＩｎ_２Ｏ_３（１６モル％）−ＺｎＯ（１４モル％）−ＳｎＯ_２（７０モル％）に変え、その厚みを５０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。第１情報層の初期化後の光透過率は４２．７％であった。

上記実施例２、３、６、７及び比較例５について、記録パワー（ピークパワーＰｐ）を変化させたときの変調度Ｍ（ＤＯＷ１０）及び繰り返し１０回記録後（ＤＯＷ１０）の「Ｉｔｏｐ×Ｍ（％）」を図６及び図７に示す。
比較例５のように、第１情報層の光透過層にＳｎ酸化物を用いず、Ｉｎ_２Ｏ_３（９０モル％）−ＺｎＯ（１０モル％）を用いた場合には、第１情報層に記録速度９．２ｍ／ｓで記録を行ったところ、図６に示すような低い変調度カーブとなった。記録パワーを上げて行くと、０．６未満で変調度が飽和してしまい、図７に示すように、「Ｉｔｏｐ×Ｍ」の記録性能は４％程度までは高められたが、透過率が取れなくなった。
これに対し、実施例２及び３のように、第１上部保護層及び光透過層をＳｎ酸化物を主成分とする材料にすると、変調度を高めることができた。
また、実施例６のように、第１下部保護層もＳｎ酸化物を主成分とする材料にすると、低パワーで同等の変調度を確保でき記録感度が高まった。更に、実施例７のように、第１下部保護層が２層であっても、その効果を維持することができた。
表２に示すように、本発明によれば、第１情報層の最適な記録パワーＰｐｏ［ｍＷ］を低くできるし、光透過率を高くできることにより第２情報層の記録パワーも低くすることができるので、記録装置側のレーザ出力用の消費電力を下げることができた。

（実施例２２〜３５）
実施例１及び各実施例の２層相変化光記録媒体について保存特性を評価した。
第１記録層へ記録を行う際の記録線速は９．２ｍ／ｓとした。記録は３トラックに繰り返し１０回（ＤＯＷ１０）のランダム記録を行い、その内、真ん中のトラックを再生することで評価した。記録方法は１Ｔ周期記録ストラテジを用い、特性評価の判断基準は、３Ｔ〜１１Ｔ及び１４Ｔのマークとスペースをランダムに記録したときのジッタとした。ここで、ジッタとは、マークとスペースの反射率レベルをスライスレベルで２値化したとき、その境界とクロックとの時間的なずれをウィンドウ幅で規格化して表したものである。
保存特性の判断基準は、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下、１００時間保存後のＤＯＷ１０ジッタ変化量（上昇量）が１％以下のときを合格、１％を超えたときを不合格とした。これらの評価結果を纏めて表３に示す。

（実施例２２）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＴａ（２．０質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例２３）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＮｂ（１．０質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例２４）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＣｒ（０．６質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例２５）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＺｒ（１．０質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例２６）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＮｉ（０．７質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例２７）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＧｅ（０．８質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例２８）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＺｒ（０．３質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例２９）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＧｅ（０．２質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例３０）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＡｕ（２．２質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例３１）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＭｏ（４．０質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例３２）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＭｏ（５．０質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例３３）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素を無くした以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例３４）
実施例１において、第１情報層の第１反射層の添加元素をＭｏ（５．５質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。

（実施例３５）
実施例１において、第１情報層の第１反射層をＡｇに変えた以外は、実施例１と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製した。この実施例３５のように反射層をＡｇとしてもよいが、Ｃｕを主成分とした反射層の方が保存特性に対してより効果的である。

（実施例３６）
実施例２において、第１上部保護層材料をＩｎ_２Ｏ_３（７．５モル％）−ＺｎＯ（２２．５モル％）−ＳｎＯ_２（６０モル％）−ＳｉＯ_２（１０モル％）に変えた以外は、実施例２と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製し、評価した。
第１情報層の第１記録層に１０回繰り返して記録した結果、ジッタは６．９％となり、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存後のジッタの変化量は０．１％であった。

（実施例３７）
実施例３６において、第１上部保護層材料をＩｎ_２Ｏ_３（７．５モル％）−ＺｎＯ（２２．５モル％）−ＳｎＯ_２（７０モル％）に変えた以外は、実施例３６と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製し、評価した。
第１情報層の第１記録層に１０回繰り返して記録した結果、ジッタは７．５％となり、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存後のジッタの変化量は０．１％であった。

（実施例３８）
実施例３６において、第１上部保護層材料をＳｎＯ_２（８０モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（２０モル％）に変えた以外は、実施例３６と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製し、評価した。
第１情報層の第１記録層に１０回繰り返して記録した結果、ジッタは９％となり、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存後のジッタの変化量は０．３％であった。

（実施例３９）
実施例３６において、第１上部保護層材料をＳｎＯ_２（９０モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（１０モル％）に変えた以外は、実施例３６と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製し、評価した。
第１情報層の第１記録層に１０回繰り返して記録した結果、ジッタは１０％となり、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存後のジッタの変化量は０．８％であった。

（実施例４０）
実施例３６において、第１上部保護層材料をＳｎＯ_２（９５モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（５モル％）に変えた以外は、実施例３６と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製し、評価した。
第１情報層の第１記録層に１０回繰り返して記録した結果、ジッタは１０％となり、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存後のジッタの変化量は１．１％であった。

（実施例４１）
実施例３６において、第１上部保護層材料をＩｎ_２Ｏ_３（９．２モル％）−ＺｎＯ（２７．５モル％）−ＳｎＯ_２（５３．３モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（１０モル％）に変えた以外は、実施例３６と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製し評価した。
第１情報層の第１記録層に１０回繰り返して記録した結果、ジッタは７．５％となり、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存後のジッタの変化量は０．２％であった。

（実施例４２）
実施例３６において、第１上部保護層材料をＩｎ_２Ｏ_３（７．５モル％）−ＺｎＯ（２２．５モル％）−ＳｎＯ_２（５０モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（２０モル％）に変えた以外は、実施例３６と同様にして２層相変化光記録媒体を作製し、評価した。
第１情報層の第１記録層に１０回繰り返して記録した結果、ジッタは１０％となり、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存後のジッタの変化量は０．１％であった。

（実施例４３）
実施例３６において、第１上部保護層材料をＩｎ_２Ｏ_３（７．５モル％）−ＺｎＯ（２２．５モル％）−ＳｎＯ_２（４５モル％）−Ｔａ_２Ｏ_５（２５モル％）に変えた以外は、実施例３６と同様にして、２層相変化光記録媒体を作製し、評価した。
第１情報層の第１記録層に１０回繰り返して記録した結果、ジッタは１８．３％となり、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存後のジッタの変化量は０．３％であった。
実施例４３は、実施例４２に比べて繰り返し記録のジッタがかなり悪くなったように、ＳｎＯ_２含有量が５０％を下回ると、優れた保存安定性は確保できるが１０ｍ／ｓ程度の繰り返し記録を行うことが容易でなくなる。これは、図８で示すように、転移線速が遅くなり、繰り返し記録時にアモルファスマークを完全に消去することが難しくなっているためであると考えられる。

＜評価＞
各実施例３６〜４３について、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存した場合のＤＯＷ１０ジッタ変化量を、実施例２２と同様にして評価した。結果を纏めて図１１に示す。また、実施例３６、４１、４２及び４３について、転移線速とＤＯＷ１０ジッタの測定結果を纏めて図８に示す。

（実施例４４〜４６及び比較例６〜１３）
第１上部保護層の厚みを、０ｎｍ（比較例６）、２ｎｍ（実施例４４）、１０ｎｍ（実施例４５）、１５ｎｍ（実施例４６）、２０ｎｍ（比較例７）、２５ｎｍ（比較例８）、３０ｎｍ（比較例９）とした以外は、実施例２と同様にして２層相変化光記録媒体を作製した。
また、第１上部保護層材料をＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ_２（２０モル％）に変え、厚みを５ｎｍ（比較例１０）、１０ｎｍ（比較例１１）、１５ｎｍ（比較例１２）、２０ｎｍ（比較例１３）とした点以外は、実施例２と同様にして２層相変化光記録媒体を作製した。
これらの光記録媒体について、実施例２２と同様にしてＤＯＷ１０ジッタ変化量を評価した。結果を実施例２（厚み５ｎｍ）の場合と共に纏めて図１０に示す。
図から分かるように、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２を用いた比較例では、何れもＤＯＷ１０ジッタ変化量が３％以上であるのに対し、Ｓｎ酸化物を含有し、厚みが１５ｎｍ以下の場合には、ＤＯＷ１０ジッタ変化量の非常に小さい光記録媒体が得られた。
一方、上記ＳｎＯ_２を用いた各光記録媒体及び比較例６の光記録媒体について、変調度Ｍ（ＤＯＷ１０）を測定した結果を図１７に示すが、図から分かるように、比較例６では６０％以上の変調度Ｍを確保できない。
従って、図１０と図１７の結果を併せると、第１上部保護層の厚みは２〜１５ｎｍの範囲とする必要があることが分かった。

（実施例４７〜５１及び比較例１４〜１５）
実施例３６で作製した２層相変化光記録媒体を用いて評価を行った。Ｔｒの値を変化させ、記録線速９．２ｍ／ｓで、１０回繰り返し記録（ＤＯＷ１０）後、１００回繰り返し記録（ＤＯＷ１００）後、５００回繰り返し記録（ＤＯＷ５００）後のジッタをそれぞれ測定した。評価基準はジッタ１１％以下を合格とした。
結果を表４に示すが、Ｔｒを（ｎ−１．５）Ｔよりも短く設定すると所望のアモルファスマーク長よりも短いマークが形成されるためジッタが悪化した。Ｔｒを（ｎ−０．５）Ｔよりも長くすると所望のアモルファスマーク長よりも長いマークが形成され、それを調整するために消去パワーを高く設定することとなる。熱の影響が寄与するため５００回の繰り返し記録特性が悪化した。

本発明の多層光記録媒体及びその光記録方法は、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層中の反射層の厚みが極薄であっても充分な放熱効果が得られるようにし、変調度を高くして各情報層の記録性能を向上させると共に記録感度も向上させ、保存安定性にも優れ、更には、各情報層の光透過率を高く確保してレーザ光が照射される側から見て一番奥側の情報層の記録感度をも向上させることができるので、例えばＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷなどに好適である。

図１は、本発明の一例である２層相変化型光記録媒体の代表的な層構成を示す図である。 図２は、反射層材料の吸収率Ａ、反射率Ｒ、透過率Ｔを示す図である。 図３は、波長６６０ｎｍでのＣｕ合金の反射率Ｒ、透過率Ｔ、吸収率Ａの厚み依存性を示す図である。 図４は、波長６６０ｎｍでのＡｇ合金の反射率Ｒ、透過率Ｔ、吸収率Ａの厚み依存性を示す図である。 図５は、Ｃｕ系、Ａｇ系材料の透過率の波長依存性を示す図である。 図６は、変調度Ｍ（ＤＯＷ１０）の記録パワー（Ｐｐ）依存性を示す図である。 図７は、ＤＯＷ１０の「Ｉｔｏｐ×Ｍ」の記録パワー（Ｐｐ）依存性を示す図である。 図８は、転移線速及びＤＯＷ１０ジッタの、第１上部保護層ＳｎＯ_２量依存性を示した図である。 図９は、転移線速を説明した図である。 図１０は、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存した時のＤＯＷ１０ジッタ変化量の第１上部保護層厚み依存性を示した図である。 図１１は、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存した時のＤＯＷ１０ジッタ変化量の第１上部保護層（厚み５ｎｍ）のＳｎ酸化物含有量依存性を示した図である。 図１２は、従来の単層光記録媒体の１Ｔストラテジ（Ａ）、２層光記録媒体の一番奥側以外の記録層用の記録方法（Ｂ又はＣ）を示した図である。 図１３は、１Ｔストラテジのパラメータを示した図である。 図１４は、２層光記録媒体の奥側の記録層に、１Ｔ周期ストラテジ及び２Ｔ周期ストラテジで記録したときのＤＯＷ１０ジッタの比較図である。 図１５は、２層光記録媒体の奥側の記録層に、１Ｔ周期ストラテジ及び２Ｔ周期ストラテジで記録したときの変調度Ｍ（ＤＯＷ１０）の比較図である。 図１６は、２Ｔ周期ストラテジの説明図（１０Ｔマークと１１Ｔマークの例）である。 図１７は、温度８０℃、８５％ＲＨの環境下で１００時間保存した時の、変調度Ｍ（ＤＯＷ１０）の第１上部保護層厚み依存性を示した図である。

符号の説明

Ａ 吸収率
Ｒ 反射率
Ｔ 透過率
Ｍ 変調度
Ｉｔｏｐ×Ｍ 記録後の結晶質反射率×変調度
Ｔ クロック周期
Ｔｒ 先頭パルスと最終パルスの立ち上がりの間隔
Ｔｍｐ マルチパルスの長さ
Ｔｔｏｐ 第１パルスの長さ
ｄＴｔｏｐ 第１パルスの立ち上がり時間のシフト量
ｄＴｌｐ 最終パルスの立ち上がり時間のシフト量
ｄＴｅｒａ 冷却パルスの立ち上がり時間のシフト量

Claims (10)

1. レーザ光の照射によって情報を記録し得る相変化記録層と、反射層を少なくとも含む複数の情報層を有し、レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層が、少なくとも下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層、及び光透過層を有してなり、
   レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層の上部保護層及び光透過層がＳｎ酸化物を含有する材料からなり、かつレーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層の上部保護層の厚みが２〜１５ｎｍであることを特徴とする多層光記録媒体。
2. レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における上部保護層が、Ｓｎ酸化物を５０〜９０モル％含有する請求項１に記載の多層光記録媒体。
3. レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における光透過層の厚みが、５１〜２５０ｎｍである請求項１から２のいずれかに記載の多層光記録媒体。
4. レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における反射層がＣｕを含有する請求項１から３のいずれかに記載の多層光記録媒体。
5. レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における反射層が、更に、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｇｅ及びＡｕから選択される少なくとも１種の金属元素を５質量％以下の割合で含有する請求項４に記載の多層光記録媒体。
6. レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における下部保護層が、Ｓｎ酸化物を含有する材料からなる請求項１から５のいずれかに記載の多層光記録媒体。
7. レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における下部保護層が、２層構造からなり、該２層のうち少なくとも１層がＳｎ酸化物を含有する材料からなる請求項１から６のいずれかに記載の多層光記録媒体。
8. 多層光記録媒体が、レーザ光が照射される側から見て第１基板、第１情報層、中間層、第２情報層、及び第２基板をこの順に有してなり、
   前記第１情報層が、レーザ光が照射される側から見て第１下部保護層、第１相変化記録層、第１上部保護層、第１反射層、及び光透過層をこの順に有し
   前記第２情報層が、第２下部保護層、第２相変化記録層、第２上部保護層、及び第２反射層をこの順に有する請求項１から７のいずれかに記載の多層光記録媒体。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の多層光記録媒体の光記録方法であって、
   レーザ光が照射される側から見て一番奥側以外の各情報層における記録層に、記録パワーとバイアスパワーの２値で変調したパルスを繰り返し照射することで、長さｎＴ（Ｔはクロック周期、ｎは２以上の整数である）の記録マークを形成する際に、先頭パルスと最終パルスの立ち上がりの間隔Ｔｒを、下記数式１の範囲に設定することを特徴とする多層光記録媒体への光記録方法。
   ＜数式１＞
   （ｎ−１．５）Ｔ≦Ｔｒ≦（ｎ−０．５）Ｔ
10. レーザ光が照射される側から見て２番目以降の各情報層における記録層に記録する際には、照射パルスの個数をｍ（ｍは１以上の整数である）としたとき、ｎが偶数のときはｎ＝２ｍ、ｎが奇数のときはｎ＝２ｍ＋１の関係を満たす請求項９に記載の多層光記録媒体の光記録方法。