JP2007324058A - イオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】装置を大型化することなく均一なArイオンビームを照射する。
【解決手段】第1可変電源12により第1電極11に個別に電圧を印加し、処理チャンバ1の第1電極11の部位でArイオンビームを所望の状態に広げ、第2可変電源14により第2電極13に個別に電圧を印加し、第1電極11で広げられたArイオンビームをウエハ5に対して垂直な方向に入射する状態に制御し、ビームパス内に作り出された電界レンズ効果によりArイオンの強度を均一にした状態でArイオンをウエハ5に照射する。
【選択図】図1
【解決手段】第1可変電源12により第1電極11に個別に電圧を印加し、処理チャンバ1の第1電極11の部位でArイオンビームを所望の状態に広げ、第2可変電源14により第2電極13に個別に電圧を印加し、第1電極11で広げられたArイオンビームをウエハ5に対して垂直な方向に入射する状態に制御し、ビームパス内に作り出された電界レンズ効果によりArイオンの強度を均一にした状態でArイオンをウエハ5に照射する。
【選択図】図1
Description
本発明は、イオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法に関し、イオンビームの照射の均一化を企図したものである。
半導体の製造には、イオンミリングやスパッタエッチング等のイオンの衝突による物理的作用を利用して配線や素子の加工を行うイオンビーム処理装置が用いられている。イオンビーム処理装置は、加工に異方性が得られる点や、制御の容易な点等から半導体装置の製造に広く用いられている。
半導体ウエハを被処理部材とするイオンミリング装置では、ステージ上にウエハを載置し、イオン発生源によって生成したイオン(例えば、Arイオン)を高電圧によって加速し、ターゲットであるウエハの表面に衝突させる。イオンをウエハの表面に衝突させることにより、レジスト膜以外の場所のターゲットの表面を削り取り、所望の素子等の形状に加工している。
薄膜微細加工による半導体集積回路やマイクロマシン等のデバイスの作成においては、一枚のウエハ内に多数の素子を作成するためにウエハ面内で均一な状態にイオン照射を行うことが重要である。ウエハ面内でイオン照射の均一性が悪いと素子の特性がばらついて品質低下の要因となってしまう。
このため、従来から、処理室内部のプラズマエネルギーの分布を測定してウエハの中心位置とプラズマエネルギーの最大値を示す位置とを一致させてエッチング分布の均一性を図る技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。また、真空容器内に磁界を発生させるための手段を真空容器の周囲に備え、真空容器内に磁界を発生させてプラズマを封じ込める技術が知られている(例えば、特許文献2参照)。更に、大きな系のイオン源を用いて中心部の比較的均一性の高い部分のイオンビームをウエハに照射させることも考えられている。
しかし、特許文献1の技術では、プラズマのエネルギー分布を測定する装置やプラズマエネルギーの位置を制御する装置が必要になり、装置が複雑になり大型化とコスト高に繋がってしまう。また、特許文献2の技術では、真空容器に敷設される機器が必要となり、装置が大型化してしまう。
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、装置を大型化することなく均一なイオンビームを照射することができるイオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための請求項1に係る本発明のイオンビーム処理装置は、圧力制御される処理室内で被処理部材に対してイオン源からのイオンビームを照射して処理を行うイオンビーム処理装置において、イオンビームを広げて被処理部材に照射させるイオンビーム分布制御手段をイオン源と被処理部材との間に備えたことを特徴とする。
請求項1に係る本発明では、イオンビーム分布制御手段によりイオンビームを広げて被処理部材に照射させることで、イオン源を大きくしたり装置を大型化することなく均一性の高い中央部分のイオンビームを被処理部材に照射することができる。即ち、被処理部材の大きさが変わらない場合にはイオン源を小型化することができると共に、イオン源の大きさが変わらない場合には処理できる被処理部材を大きくしたり多数の被処理部材の処理を行うことができる。
請求項1に係る本発明では、イオンビーム分布制御手段によりイオンビームを広げて被処理部材に照射させることで、イオン源を大きくしたり装置を大型化することなく均一性の高い中央部分のイオンビームを被処理部材に照射することができる。即ち、被処理部材の大きさが変わらない場合にはイオン源を小型化することができると共に、イオン源の大きさが変わらない場合には処理できる被処理部材を大きくしたり多数の被処理部材の処理を行うことができる。
また、請求項2に係る本発明のイオンビーム処理装置は、請求項1に記載のイオンビーム処理装置において、イオンビーム分布制御手段は、イオンビームパスの周囲の周方向に複数設けられた電極と、複数の電極の電圧をそれぞれ独立して制御する電圧制御手段であることを特徴とする。
請求項2に係る本発明では、電圧制御手段により複数の電極の電圧をそれぞれ独立して制御することでイオンビームの拡がりを任意の形状に広げることができ、イオン源からのイオンビームの形状に拘わらず均一性の高い中央部分のイオンビームを被処理部材に照射することができる。
請求項2に係る本発明では、電圧制御手段により複数の電極の電圧をそれぞれ独立して制御することでイオンビームの拡がりを任意の形状に広げることができ、イオン源からのイオンビームの形状に拘わらず均一性の高い中央部分のイオンビームを被処理部材に照射することができる。
また、請求項3に係る本発明のイオンビーム処理装置は、請求項2に記載のイオンビーム処理装置において、イオンビーム分布制御手段は、電荷の空間分布を制御するための四極子の電極であることを特徴とする。
請求項3に係る本発明では、四極子の電極によりイオンビームの拡がりを任意の形状に広げることができる。
請求項3に係る本発明では、四極子の電極によりイオンビームの拡がりを任意の形状に広げることができる。
また、請求項4に係る本発明のイオンビーム処理装置は、請求項3に記載のイオンビーム処理装置において、電圧制御手段は、四極子の電極にそれぞれ備えられ各電極の印加電圧を個別に制御する個別電源であることを特徴とする。
請求項4に係る本発明では、個別電源により四極子の各電極の印加電圧を個別に制御してイオンビームの拡がりを任意の形状に広げることができる。
請求項4に係る本発明では、個別電源により四極子の各電極の印加電圧を個別に制御してイオンビームの拡がりを任意の形状に広げることができる。
また、請求項5に係る本発明のイオンビーム処理装置は、請求項1〜請求項4のいずれかに記載のイオンビーム処理装置において、イオンビーム分布制御手段は、イオンビームパスに沿って複数箇所に設けられ、イオン源に近いイオンビーム分布制御手段によりイオンビームが広げられると共に、被処理部材に近いイオンビーム分布手段によりイオンビームが所定の入射角に制御されることを特徴とする。
請求項5に係る本発明では、イオン源と被処理部材との距離に拘わらずイオンビームの均一化を図ることができる。
請求項5に係る本発明では、イオン源と被処理部材との距離に拘わらずイオンビームの均一化を図ることができる。
また、請求項6に係る本発明のイオンビーム処理装置は、請求項1〜請求項5のいずれかに記載のイオンビーム処理装置において、イオンビームを照射する処理はイオンミリングであることを特徴とする。
請求項6に係る本発明では、イオンミリングによる被処理部材へのイオンビームを均一化することができる。
請求項6に係る本発明では、イオンミリングによる被処理部材へのイオンビームを均一化することができる。
上記目的を達成するための請求項7に係る本発明のイオンビーム処理方法は、処理室内で被処理部材に対してイオンビームを照射して処理を行うイオンビーム処理方法において、イオンビームパスに交差する面内でイオンビームの分布を広げて被処理部材にイオンビームを照射することを特徴とする。
請求項7に係る本発明では、イオンビームパスに交差する面内でイオンビームを広げて被処理部材に照射させることで、イオン源を大きくしたり装置を大型化することなく均一性の高い中央部分のイオンビームを被処理部材に照射することができる。
請求項7に係る本発明では、イオンビームパスに交差する面内でイオンビームを広げて被処理部材に照射させることで、イオン源を大きくしたり装置を大型化することなく均一性の高い中央部分のイオンビームを被処理部材に照射することができる。
また、請求項8に係る本発明のイオンビーム処理方法は、請求項7に記載のイオンビーム処理方法において、イオンビームの分布を広げると共にイオンビームパスの後側で被処理部材に対して所定の入射角となるようにイオンビームを制御することを特徴とする。
請求項8に係る本発明では、イオン源と被処理部材との距離に拘わらずイオンビームの均一化を図ることができる。
請求項8に係る本発明では、イオン源と被処理部材との距離に拘わらずイオンビームの均一化を図ることができる。
図1には本発明の一実施形態例に係るイオンビーム処理装置としてのイオンミリング装置の概略構成、図2には図1中のII−II線矢視、図3には図1中のIII−III線矢視を示してある。
図に示すように、処理室としての処理チャンバ1にはイオン源チャンバ2が接続され、処理チャンバ1とイオン源チャンバ2の間にはイオン引き出し用の加速電極3が設けられ、加速電極3には加速電源10が接続されている。加速電極3と反対側(下側)における処理チャンバ1には処理ステージ4が設けられ、処理ステージ4には被処理部材としてのウエハ5が載置保持される。
イオン源チャンバ2にはフィラメント6が設けられ、イオン源チャンバ2にはガス供給路7が接続され、ガス供給路7から、例えば、Arガスがイオン源チャンバ2に供給される。フィラメント6には電源8が接続され、フィラメント6に電力が供給されることでArガスがイオン化(例えば、+イオン)され、加速電極3により加速されて処理チャンバ1にArイオン(Arイオンビーム)が送られる。処理チャンバ1には真空ポンプ9が接続され、真空ポンプ9の駆動により処理チャンバ1及びイオン源チャンバ2の内部が所定の真空状態に減圧される。
処理チャンバ1内の上方には電極(イオン源に近いイオンビーム分布制御手段)としての第1電極11が設けられ、第1電極11には電圧制御手段としての第1可変電源12が接続されている。第1電極11は、図2に示すように、Arイオンの周囲の周方向に複数(4個:四極子、第1電極11a、11b、11c、11d)設けられている。
第1電極11a、11b、11c、11dには第1可変電源12a、12b、12c、12dがそれぞれ接続され(個別電源)、第1可変電源12a、12b、12c、12dは個別に印加電圧(例えば、−側の電圧)が制御される。第1電極11a、11b、11c、11dで囲まれる領域をイオンビームとしてのArイオンビーム(+イオン)が通過することにより、個別に印加電圧が制御(−側)された第1電極11a、11b、11c、11dに引き寄せられて所望の状態にArイオンビームが広げられる。
また、第1電極11と処理ステージ4の間における処理チャンバ1内には電極(被処理部材に近いイオンビーム分布制御手段)としての第2電極13が設けられ、第2電極13には電圧制御手段としての第2可変電源14が接続されている。第2電極13は、図3に示すように、第1電極11(図1、図2参照)で広げられたArイオンの周囲の周方向に複数(4個:四極子、第2電極13a、13b、13c、13d)設けられている。
第2電極13a、13b、13c、13dには第2可変電源14a、14b、14c、14dがそれぞれ接続され(個別電源)、第2可変電源14a、14b、14c、14dは個別に印加電圧(例えば、−側の電圧)が制御される。第2電極13a、13b、13c、13dで囲まれる領域を広げられたArイオンビーム(+イオン)が通過することにより、個別に印加電圧が制御(+側)された第2電極13a、13b、13c、13dとの間で反発しウエハ5(図1参照)に対して垂直な方向に入射する状態(広がりを平行に戻す状態)にArイオンビームが制御される。
加速されるArイオン(+イオン)の状態に応じて、例えば、図2に示すように、対向する第1電極11a、11cに印加する−側の電圧を高くすると共に、対向する第1電極11b、11dに印加する−側の電圧を相対的に低くする。これにより、Arイオンは主に第1電極11a、11cに引かれて楕円状態に広げられる。イオン源チャンバ2からのArイオンビームの状態を検出し、形状の変形を打ち消す状態にそれぞれの第1電極11の印加状態を制御(第1可変電源12a、12b、12c、12dを個別に制御)することで、Arイオンビームを所望の状態(例えば、真円に近い状態)で広げることができる。
Arイオンビームの広がりは、ウエハ5の径を基準にしてウエハ5の直径以上の状態になるように設定することができる。これにより、ウエハ5の径よりも小さな径のイオン源を用いることが可能になる。また、同じイオン源であれば大径のウエハの処理に適用することが可能になる。更に、広い範囲でArイオンビームを発生させることができるので、枚葉式の装置に限らず、バッチ式の処理装置に適用することも可能になる。この場合、処理ステージを回転自在にすることが好ましい。
そして、図3に示すように、楕円状態に広げられたArイオン(+イオン)に対して、対向する第2電極13a、13cに印加する+側の電圧を高くすると共に、対向する第2電極13b、13dに印加する+側の電圧を相対的に低くする。これにより、Arイオンは主に第2電極13a、13cの部位で反発してウエハ5(図1参照)に対して垂直な方向に入射する状態にされる。また、Arイオンビームの中心とウエハ5(図1参照)の中心とを一致させることができる。
第1電極11を通過したArイオンビームの状態を検出し、広がりを整える状態、中心位置を調整する状態にそれぞれの第2電極11の印加状態を制御(第2可変電源14a、14b、14c、14dを個別に制御)することで、Arイオンビームをウエハ5(図1参照)に対して垂直な方向に入射する状態で中心位置を一致させる状態に制御することができる。
第2電極13での制御は、広げられたArイオンビームの中心位置とウエハ5の中心位置を一致させると同時に、Arイオンビームの中心部と周辺部とのイオン密度分布を調整するために行われる。このため、ウエハ5に対して均一な強度のArイオンビームを照射することが可能になる。また、個別電源により各電極の印加電圧を制御することにより、加速電極3、Arイオンビームの電力、処理チャンバ1の減圧状態(真空状態)等のパラメータに起因してArイオンビームの強度が変化しても、変化に追従して常に均一な状態にArイオンビームを制御することが可能になる。
尚、第1電極11、第2電極13に印加する電圧の極は互いに逆極の組み合わせだけに限られるものではなく、Arイオンの正負(+、−)に応じて、第1電極11でArイオンビームを広げると共に広げられたArArイオンビームを第2電極13で平行な状態に戻すように制御する極に電圧を印加するものであれば、任意の極側の電圧を印加することが可能である。
また、第1電極11、第2電極13として四極子の電極を例に挙げて説明したが、周方向の分割数は4個に限定されず、八極子等任意の数に分割した電極を用いることが可能である。また、Arイオンビームパスに沿って第1電極11、第2電極13を設けたが、更に別の電極をArイオンビームパスに沿って設けることも可能であり、イオン源からウエハ5までの距離に応じて任意の箇所に電極を設けることが可能である。更に、第1電極11だけを備え、小さなイオン源を用いて大きなウエハに対してArイオンビームを照射できるようにしたり、Arイオンビームを広げて中心近傍の均一なArイオンを照射できるようにすることも可能である。
イオンミリング装置によるミリング方法を説明する。
ウエハ5を処理ステージ4にセットした後、処理チャンバ1及びイオン源チャンバ2が真空ポンプ9により所定の真空状態に減圧される。ガス供給路7からイオン源チャンバ2にArガスを導入し、電源8に電力を供給してフィラメント6を加熱してArイオンを形成する。加速電極3によりArイオンが加速されてウエハ5に向けて処理チャンバ1にArArイオンビームが照射される。
第1可変電源12a、12b、12c、12dにより第1電極11a、11b、11c、11dに電圧が個別に印加され、処理チャンバ1の第1電極11の部位でArイオンビームが所望の状態に広げられる。更に、第2可変電源14a、14b、14c、14dにより第2電極13a、13b、13c、13dに個別に電圧が印加され、第1電極11で広げられたArイオンビームがウエハ5に対して垂直な方向に入射する状態に制御される。これにより、ビームパス内に作り出された電界レンズ効果によりArイオンの強度が均一にされた状態でArイオンがウエハ5に照射され、ミリング加工が行われる。
尚、電界レンズ効果のみによらず、磁界レンズ効果を組み合わせたり磁界レンズ効果を単独で用いてArイオンの強度を均一化することも可能である。
ウエハ5の径を基準にしてウエハ5の直径以上の状態になるようにArイオンビームの広がりを設定することで、ウエハ5の径よりも小さな径のイオン源を用いることが可能になる。このため、イオン源を小さくすることができ、イオンミリング装置の小型化を図ることが可能になる。また、イオン源を小さくしない場合には、大径のウエハの処理に適用することが可能になる。
第2電極13での制御は、広げられたArイオンビームの中心位置とウエハ5の中心位置を一致させると同時に、Arイオンビームの中心部と周辺部とのイオン密度分布を調整するために行われているため、ウエハ5に対して均一な強度のArイオンビームを照射することが可能になる。また、個別電源により各電極の印加電圧を制御することにより、イオンミリング装置のプロセスパラメータに起因してArイオンビームの強度が変化しても、即ち、プロセスパラメータを変更しても、変化に追従して再現性良く常に均一な状態にArイオンビームを制御することが可能になる。
例えば、直径80mmのイオン源を用いて直径100mmのウエハ5をミリングした場合であっても面内のArイオンビームの強度の均一性を±8%以内に抑えることができる。
従って、上述したイオンミリング処理装置及びイオンミリング処理方法を用いることで、装置を大型化することなく均一なArイオンビームを照射することができる。
Arイオンビーム処理装置としては、半導体製造装置として利用される、RIE(反応成イオンエッチング装置)、真空中でイオン照射を行う装置全般に対して適用することが可能である。また、上述したイオンミリング装置は、半導体、液晶表示体、MEMS等の薄膜微細加工技術の分野で適用が可能である。
1 処理チャンバ、 2 イオン源チャンバ、 3 加速電極、 4 処理ステージ、 5 ウエハ、 6 フィラメント、 7 ガス供給路、 8 電源、 9 真空ポンプ、 10 加速電源、 11 第1電極、 12 第1可変電源、 13 第2電極、 14 第2可変電源
Claims (8)
- 圧力制御される処理室内で被処理部材に対してイオン源からのイオンビームを照射して処理を行うイオンビーム処理装置において、
イオンビームを広げて被処理部材に照射させるイオンビーム分布制御手段をイオン源と被処理部材との間に備えた
ことを特徴とするイオンビーム処理装置。 - 請求項1に記載のイオンビーム処理装置において、
イオンビーム分布制御手段は、イオンビームパスの周囲の周方向に複数設けられた電極と、複数の電極の電圧をそれぞれ独立して制御する電圧制御手段である
ことを特徴とするイオンビーム処理装置。 - 請求項2に記載のイオンビーム処理装置において、
イオンビーム分布制御手段は、電荷の空間分布を制御するための四極子の電極である
ことを特徴とするイオンビーム処理装置。 - 請求項3に記載のイオンビーム処理装置において、
電圧制御手段は、四極子の電極にそれぞれ備えられ各電極の印加電圧を個別に制御する個別電源である
ことを特徴とするイオンビーム処理装置。 - 請求項1〜請求項4のいずれかに記載のイオンビーム処理装置において、
イオンビーム分布制御手段は、イオンビームパスに沿って複数箇所に設けられ、イオン源に近いイオンビーム分布制御手段によりイオンビームが広げられると共に、被処理部材に近いイオンビーム分布手段によりイオンビームが所定の入射角に制御される
ことを特徴とするイオンビーム処理装置。 - 請求項1〜請求項5のいずれかに記載のイオンビーム処理装置において、
イオンビームを照射する処理はイオンミリングである
ことを特徴とするイオンビーム処理装置。 - 処理室内で被処理部材に対してイオンビームを照射して処理を行うイオンビーム処理方法において、
イオンビームパスに交差する面内でイオンビームの分布を広げて被処理部材にイオンビームを照射する
ことを特徴とするイオンビーム処理方法。 - 請求項7に記載のイオンビーム処理方法において、
イオンビームの分布を広げると共にイオンビームパスの後側で被処理部材に対して所定の入射角となるようにイオンビームを制御する
ことを特徴とするイオンビーム処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006155218A JP2007324058A (ja) | 2006-06-02 | 2006-06-02 | イオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009170117A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンミリング装置 |
US10343595B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-07-09 | Komatsu Ltd. | Control system for work machine, work machine, management system for work machine, and management method for work machine |
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2006
- 2006-06-02 JP JP2006155218A patent/JP2007324058A/ja active Pending
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US10343595B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-07-09 | Komatsu Ltd. | Control system for work machine, work machine, management system for work machine, and management method for work machine |
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