JP2007322390A - 基板検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、半導体回路素子や液晶表示素子等の基板を検査する基板検査装置に関し、複数の検査方式の長所を組み合わせて欠陥検出を迅速,確実に行うことを目的とする。
【解決手段】 複数波長の光と単一波長の光とを被検査基板に照射可能な照明手段と、前記被検査基板を撮像する撮像手段と、前記複数波長の光を照射したときに前記撮像手段で撮像された第1の画像と、前記単一波長の光を照射したときに前記撮像手段で撮像された第2の画像とを入力し、前記第1の画像で検出された検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で欠陥を検査する検査手段とを有することを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 複数波長の光と単一波長の光とを被検査基板に照射可能な照明手段と、前記被検査基板を撮像する撮像手段と、前記複数波長の光を照射したときに前記撮像手段で撮像された第1の画像と、前記単一波長の光を照射したときに前記撮像手段で撮像された第2の画像とを入力し、前記第1の画像で検出された検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で欠陥を検査する検査手段とを有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体回路素子や液晶表示素子等の基板を検査する基板検査装置に関する。
従来、ウエハの表面をマクロ検査する基板検査装置として、例えば、単一波長の光源で撮像された画像から欠陥検出を行う方式、複数波長の光源で撮像された画像から欠陥検出を行う方式、暗視野照明で撮像された画像から欠陥検出を行う方式を用いた装置が知られている。
特開平11−72443号公報
特開平9−318553号公報
しかしながら、単一波長の光源で撮像された画像から欠陥検出を行う方式では、パターンでの欠陥の検出性能を確保できるが、照明光が干渉を起こし画像にムラが生じ、ムラと欠陥との識別が難しくなるという問題があった。
また、複数波長の光源で撮像された画像から欠陥検出を行う方式では、照明光の干渉を回避できるが、欠陥部分と良品部分との見え方の差が小さくなり、欠陥の識別能力が低下するという問題があった。
また、複数波長の光源で撮像された画像から欠陥検出を行う方式では、照明光の干渉を回避できるが、欠陥部分と良品部分との見え方の差が小さくなり、欠陥の識別能力が低下するという問題があった。
さらに、暗視野照明で撮像された画像から欠陥検出を行う方式では、パーティクルやスクラック部を検出できるが、これらに起因するレジストの塗布不良等は検出できないという問題があった。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、複数の検査方式の長所を組み合わせて欠陥検出を迅速,確実に行うことができる基板検査装置を提供することを目的とする。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、複数の検査方式の長所を組み合わせて欠陥検出を迅速,確実に行うことができる基板検査装置を提供することを目的とする。
第1の発明の基板検査装置は、複数波長の光と単一波長の光とを被検査基板に照射可能な照明手段と、前記被検査基板を撮像する撮像手段と、前記複数波長の光を照射したときに前記撮像手段で撮像された第1の画像と、前記単一波長の光を照射したときに前記撮像手段で撮像された第2の画像とを入力し、前記第1の画像で検出された検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で欠陥を検査する検査手段とを有することを特徴とする。
第2の発明の基板検査装置は、第1の発明の基板検査装置において、前記検査手段は、前記第2の画像の輝度分布の不均一性を判断し、不均一性が大きいと判断した場合に、前記検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で欠陥を検査することを特徴とする。
第3の発明の基板検査装置は、第1または第2の発明の基板検査装置において、前記検査手段は、前記検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で前記検出欠陥の近傍の欠陥を検査することを特徴とする。
第3の発明の基板検査装置は、第1または第2の発明の基板検査装置において、前記検査手段は、前記検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で前記検出欠陥の近傍の欠陥を検査することを特徴とする。
第4の発明の基板検査装置は、第1ないし第3のいずれか1の発明の基板検査装置において、前記検査手段は、前記第2の画像で欠陥の大きさを特定することを特徴とする。
第5の発明の基板検査装置は、暗視野照明で被検査基板の検査面の第1の画像を撮像する第1の撮像手段と、明視野照明で前記検査面の第2の画像を撮像する第2の撮像手段と、前記第1の画像で検出された検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で欠陥を検査する検査手段とを有することを特徴とする。
第5の発明の基板検査装置は、暗視野照明で被検査基板の検査面の第1の画像を撮像する第1の撮像手段と、明視野照明で前記検査面の第2の画像を撮像する第2の撮像手段と、前記第1の画像で検出された検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で欠陥を検査する検査手段とを有することを特徴とする。
第6の発明の基板検査装置は、第5の発明の基板検査装置において、前記被検査基板は円形形状をしており、前記検査手段は、前記検出欠陥の位置から前記被検査基板の外周方向に向けて前記第2の画像で欠陥を検査することを特徴とする。
第7の発明の基板検査装置は、第5または第6の発明の基板検査装置において、前記明視野照明は、単一波長の光による照明であることを特徴とする。
第7の発明の基板検査装置は、第5または第6の発明の基板検査装置において、前記明視野照明は、単一波長の光による照明であることを特徴とする。
第8の発明の基板検査装置は、第5または第6の発明の基板検査装置において、前記明視野照明は、複数波長の光による照明であることを特徴とする。
本発明の基板検査装置では、複数の検査方式の長所を組み合わせて欠陥検出を迅速,確実に行うことができる。
以下、図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
(第1の実施形態)
第1の実施形態の基板検査装置は、図1に示すように、明視野用照明部11、ステージ13、撮像部12、画像処理部17、表示部19を有している。
明視野用照明部11は、光源部21、フィルタ部23、レンズ25を有している。撮像部12はレンズ34、明視野用カメラ15を有している。光源部21は白色光源であるハロゲンランプを有する。なお、光源には水銀ランプを用いても良い。フィルタ部23は、照明波長域を予め定められた複数の波長に制限する複数波長用フィルタ27と、予め定められた単一の波長に制限する単一波長用フィルタ29を有する。そして、モータ31によりフィルタ部23を回転することにより、複数波長用フィルタ27または単一波長用フィルタ29が光源部21の前方に位置される。レンズ25はウエハWの全面を照明可能な口径を有しており、ステージ13に載置されるウエハW(被検査基板)の表面(検査面)に平行光束の照明光Sを照射する。レンズ34はウエハWで正反射した反射光Hを集光して明視野用カメラ15へ導く。
(第1の実施形態)
第1の実施形態の基板検査装置は、図1に示すように、明視野用照明部11、ステージ13、撮像部12、画像処理部17、表示部19を有している。
明視野用照明部11は、光源部21、フィルタ部23、レンズ25を有している。撮像部12はレンズ34、明視野用カメラ15を有している。光源部21は白色光源であるハロゲンランプを有する。なお、光源には水銀ランプを用いても良い。フィルタ部23は、照明波長域を予め定められた複数の波長に制限する複数波長用フィルタ27と、予め定められた単一の波長に制限する単一波長用フィルタ29を有する。そして、モータ31によりフィルタ部23を回転することにより、複数波長用フィルタ27または単一波長用フィルタ29が光源部21の前方に位置される。レンズ25はウエハWの全面を照明可能な口径を有しており、ステージ13に載置されるウエハW(被検査基板)の表面(検査面)に平行光束の照明光Sを照射する。レンズ34はウエハWで正反射した反射光Hを集光して明視野用カメラ15へ導く。
明視野用カメラ15はCCD等の撮像素子を備えたデジタルカメラからなり、反射光Hを撮像する。画像処理部17は、明視野用カメラ15で撮像された画像を入力し所定の画像処理を行う。また、画像処理に伴う各種制御を行う。表示部19は、画像処理部17で検出された検出結果を表示する。
図2は、上述した基板検査装置の動作を示すフローチャートである。
図2は、上述した基板検査装置の動作を示すフローチャートである。
先ず、ステップS1において、ウエハWをステージ13上に搬送する。
次に、ステップS2において、明視野用照明部11をオンにする。すなわち、明視野用照明部11の光源部21をオンにしハロゲンランプを点灯する。
次に、ステップS3において、明視野用照明部11のフィルタを複数波長に切替える。この切替はモータ31によりフィルタ部23を回転し、複数波長用フィルタ27を光源部21の前方に位置させることにより行われる。
次に、ステップS2において、明視野用照明部11をオンにする。すなわち、明視野用照明部11の光源部21をオンにしハロゲンランプを点灯する。
次に、ステップS3において、明視野用照明部11のフィルタを複数波長に切替える。この切替はモータ31によりフィルタ部23を回転し、複数波長用フィルタ27を光源部21の前方に位置させることにより行われる。
次に、ステップS4において、明視野用カメラ15でウエハWの表面を撮像する。撮像された画像は第1の画像G1(図4に示す)として画像処理部17に出力される。
次に、ステップS5において、明視野用照明部11のフィルタを単一波長に切替える。この切替はモータ31によりフィルタ部23を回転し、単一波長用フィルタ29を光源部21の前方に位置させることにより行われる。
次に、ステップS5において、明視野用照明部11のフィルタを単一波長に切替える。この切替はモータ31によりフィルタ部23を回転し、単一波長用フィルタ29を光源部21の前方に位置させることにより行われる。
次に、ステップS6において、明視野用カメラ15でウエハWの表面を撮像する。撮像された画像は第2の画像G2(図3に示す)として画像処理部17に出力される。
次に、ステップS7において、第2の画像G2の輝度分布の不均一性を判断する。
図3は、画像処理部17に出力された第2の画像G2を示している。この第2の画像G2は、単一波長の光を用いて撮像されているため、微細パターンでの欠陥の検出性能を確保できるが、照明光が干渉を起こし輝度分布が不均一となり画像に濃淡(ムラ)が生じることがある。従って、欠陥の全体を明確に検出することは困難であり、図の黒塗りの部分のみが欠陥A1,A2として明確に検出可能である。
次に、ステップS7において、第2の画像G2の輝度分布の不均一性を判断する。
図3は、画像処理部17に出力された第2の画像G2を示している。この第2の画像G2は、単一波長の光を用いて撮像されているため、微細パターンでの欠陥の検出性能を確保できるが、照明光が干渉を起こし輝度分布が不均一となり画像に濃淡(ムラ)が生じることがある。従って、欠陥の全体を明確に検出することは困難であり、図の黒塗りの部分のみが欠陥A1,A2として明確に検出可能である。
そこで、ステップS7では、第2の画像G2の輝度分布の不均一性を判断し、不均一性が大きい、すなわち、画像に許容量以上の濃淡(ムラ)が生じているか否かを判断する。この判断は以下のようにして行う。まず、第2の画像G2の各ショット領域内の各画素の輝度のばらつきを、ショット領域ごとに求める。ショット領域とは、露光装置で露光する際の、1回の露光範囲であり、図3中に「ショット領域」として示した領域が1つのショット領域である。図3、図4からわかるように、本実施形態では、簡単のためウエハWのショット領域を61個としている。ショット領域の輝度のばらつきは、そのショット領域内の各画素の標準偏差を求めればよい。このようにして、ショット領域の輝度の標準偏差をすべてのショット領域について求める。次に、ショット領域ごとの標準偏差の値のばらつきを求める。これは、各ショット領域の標準偏差の値の標準偏差を求めればよい。この各ショット領域の標準偏差の値の標準偏差が予め定めた閾値より大きい場合は、画像のムラが大きい(画像に許容量以上のムラが生じている)と判断する。この場合、第2の画像G2の輝度分布の不均一性が大きいと判断する。
ステップS7において、第2の画像G2の輝度分布の不均一性が大きい場合には、欠陥の検出を確実に行うことが困難であるため、ステップS8において、第1の画像G1で欠陥検査を行う。
次に、ステップS9では、第1の画像G1に欠陥があるか否かを判断する。
図4は、画像処理部17に出力された第1の画像G1を示している。この第1の画像G1は、複数波長の光を用いて撮像されているため、照明光の干渉を回避できるが、欠陥部分と良品部分との見え方の差が小さくなり、図の黒塗りの部分のみが欠陥B1,B2として明確に検出可能である。
次に、ステップS9では、第1の画像G1に欠陥があるか否かを判断する。
図4は、画像処理部17に出力された第1の画像G1を示している。この第1の画像G1は、複数波長の光を用いて撮像されているため、照明光の干渉を回避できるが、欠陥部分と良品部分との見え方の差が小さくなり、図の黒塗りの部分のみが欠陥B1,B2として明確に検出可能である。
第1の画像G1に欠陥がある場合には、ステップS10において、第1の画像G1で検出された検出欠陥B1,B2の位置を基準にして第2の画像G2で検出欠陥B1,B2の近傍の欠陥を検査する。
次に、ステップS11において、第2の画像G2での検出結果を表示部19に出力する。
次に、ステップS11において、第2の画像G2での検出結果を表示部19に出力する。
図5は、表示部19に出力された画像を示している。この画像には、塗布欠陥C1(図3のA1、図4のB1に対応する)およびデフォーカス欠陥C2(図3のA2、図4のB2に対応する)が、黒塗りの部分として明確に検出されている。そして、塗布欠陥C1およびデフォーカス欠陥C2の全体の大きさが特定されている。
この実施形態では、検査対象であるウエハWは、リソグラフィー工程の後のものであり、ウエハWの表面にレジスト膜が塗布されている。そして、レジスト膜にマスク(レチクル)の回路パターンが露光され、さらに、レジスト膜の露光部分または未露光部分が現像され、その表面にレジストパターンが形成された状態になっている。図5の塗布欠陥C1は、レジスト膜の塗布ムラにより生じたもので、画像の中で中心から外側に向かって尾を引くようなコメット状になっている。また、デフォーカス欠陥C2は、露光時のデフォーカスによる膜厚ムラや断面形状の異常により生じたもので、ショット単位で生じている。ここでは、欠陥例として塗布欠陥とデフォーカス欠陥を用いたが、他の欠陥類についても同様である。
この実施形態では、検査対象であるウエハWは、リソグラフィー工程の後のものであり、ウエハWの表面にレジスト膜が塗布されている。そして、レジスト膜にマスク(レチクル)の回路パターンが露光され、さらに、レジスト膜の露光部分または未露光部分が現像され、その表面にレジストパターンが形成された状態になっている。図5の塗布欠陥C1は、レジスト膜の塗布ムラにより生じたもので、画像の中で中心から外側に向かって尾を引くようなコメット状になっている。また、デフォーカス欠陥C2は、露光時のデフォーカスによる膜厚ムラや断面形状の異常により生じたもので、ショット単位で生じている。ここでは、欠陥例として塗布欠陥とデフォーカス欠陥を用いたが、他の欠陥類についても同様である。
なお、ステップS7において第2の画像G2の輝度分布の不均一性が小さい場合、およびステップS9において第1の画像G1に欠陥が無い場合には、ステップS12において、第2の画像G2で欠陥の検査を行い、検査結果を表示部19に出力する。
上述した基板検査装置では、単一波長の光源で撮像された第2の画像G2の輝度分布の不均一性が大きく、第2の画像G2のみでは欠陥を確実に検出することができない場合でも、複数波長の光源で撮像された第1の画像G1で検出された検出欠陥B1,B2の位置を基準にして第2の画像G2で欠陥A1,A2を検査することにより、欠陥C1,C2を検出することが可能になる。すなわち、単一波長による検査方式と複数波長による検査方式の長所を組み合わせて欠陥検出を迅速,確実に行うことができる。なお、ステップS8の処理は、ステップS4で第1の画像を撮り終えた後すぐに始めてもかまわない。
上述した基板検査装置では、単一波長の光源で撮像された第2の画像G2の輝度分布の不均一性が大きく、第2の画像G2のみでは欠陥を確実に検出することができない場合でも、複数波長の光源で撮像された第1の画像G1で検出された検出欠陥B1,B2の位置を基準にして第2の画像G2で欠陥A1,A2を検査することにより、欠陥C1,C2を検出することが可能になる。すなわち、単一波長による検査方式と複数波長による検査方式の長所を組み合わせて欠陥検出を迅速,確実に行うことができる。なお、ステップS8の処理は、ステップS4で第1の画像を撮り終えた後すぐに始めてもかまわない。
そして、この実施形態では、リソグラフィー工程の後における塗布欠陥C1およびデフォーカス欠陥C2の全体の大きさを特定することができるため、ウエハWの加工をそのまま進めるか、あるいは、レジスト膜を剥離して再加工するか等を確実に判断することが可能になり、半導体製造工程における歩留まりを向上することができる。
なお、本実施形態では、フィルタ部23は、複数波長用フィルタ27と単一波長用フィルタ29とで切り替える構成とした。複数波長の光を照射させるには、複数波長用フィルタ27のように、照明光の波長域を予め定められた複数の波長に制限するフィルタを用いることもできるが、フィルタを外してしまって、光源部21からのすべての波長の光(白色光)を照射してもよい。複数波長用フィルタ27を用いる場合は、複数の波長の制限のしかたによっては、単一波長の場合と同様に干渉の影響が出る可能性があるので、複数の波長を適切に選択することが好ましい。
(第2の実施形態)
図6は、第2の実施形態の基板検査装置を示している。
なお、本実施形態では、フィルタ部23は、複数波長用フィルタ27と単一波長用フィルタ29とで切り替える構成とした。複数波長の光を照射させるには、複数波長用フィルタ27のように、照明光の波長域を予め定められた複数の波長に制限するフィルタを用いることもできるが、フィルタを外してしまって、光源部21からのすべての波長の光(白色光)を照射してもよい。複数波長用フィルタ27を用いる場合は、複数の波長の制限のしかたによっては、単一波長の場合と同様に干渉の影響が出る可能性があるので、複数の波長を適切に選択することが好ましい。
(第2の実施形態)
図6は、第2の実施形態の基板検査装置を示している。
なお、この実施形態において第1の実施形態と同一の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、ステージ13の側方に暗視野用照明部33が配置されている。暗視野用照明部33は白色光源であるハロゲンランプを有している。また、ウエハWの中心を通る垂直軸の上方には暗視野用カメラ35が配置されている。暗視野用照明部33は、ウエハWの表面に照射された反射光が暗視野用カメラ35に直接入ることなく、散乱光Rのみが暗視野用カメラ35に入るように、ウエハWに対してθの角度で平行光束の照明光S1を照射する。
この実施形態では、ステージ13の側方に暗視野用照明部33が配置されている。暗視野用照明部33は白色光源であるハロゲンランプを有している。また、ウエハWの中心を通る垂直軸の上方には暗視野用カメラ35が配置されている。暗視野用照明部33は、ウエハWの表面に照射された反射光が暗視野用カメラ35に直接入ることなく、散乱光Rのみが暗視野用カメラ35に入るように、ウエハWに対してθの角度で平行光束の照明光S1を照射する。
暗視野用カメラ35はCCD等の撮像素子を備えたデジタルカメラからなり、ウエハWからの散乱光Rを撮像する。画像処理部17Aは、暗視野用カメラ35で撮像された画像、および、明視野用カメラ15で撮像された画像を入力し所定の画像処理を行う。また、画像処理に伴う各種制御を行う。表示部19は、画像処理部17Aで検出された検出結果を表示する。
図7は、上述した基板検査装置の動作を示すフローチャートである。
先ず、ステップS1において、ウエハWをステージ13上に搬送する。
次に、ステップS2において、明視野用照明部11をオフにする。
次に、ステップS3において、暗視野用照明部33をオンにする。すなわち、暗視野用照明部33のハロゲンランプを点灯する。
先ず、ステップS1において、ウエハWをステージ13上に搬送する。
次に、ステップS2において、明視野用照明部11をオフにする。
次に、ステップS3において、暗視野用照明部33をオンにする。すなわち、暗視野用照明部33のハロゲンランプを点灯する。
次に、ステップS4において、暗視野用カメラ35でウエハWの表面からの散乱光Rを撮像する。撮像された画像は第1の画像G1’(図8に示す)として画像処理部17Aに出力される。
次に、ステップS5において、暗視野用照明部33をオフにする。
次に、ステップS6において、明視野用照明部11をオンにする。
次に、ステップS5において、暗視野用照明部33をオフにする。
次に、ステップS6において、明視野用照明部11をオンにする。
次に、ステップS7において、明視野用照明部11のフィルタを単一波長に切替える。この切替はモータ31によりフィルタ部23を回転し、単一波長用フィルタ29を光源部21の前方に位置させることにより行われる。
次に、ステップS8において、明視野用カメラ15でウエハWの表面を撮像する。撮像された画像は第2の画像G2’(図9に示す)として画像処理部17Aに出力される。
次に、ステップS8において、明視野用カメラ15でウエハWの表面を撮像する。撮像された画像は第2の画像G2’(図9に示す)として画像処理部17Aに出力される。
次に、ステップS9において、第1の画像G1’で欠陥検査を行う。
次に、ステップS10において、第1の画像G1’に欠陥があるか否かを判断する。
図8は、画像処理部17Aに出力された第1の画像G1’を示している。この第1の画像G1’は、暗視野照明で撮像されているため、図に白塗りの点で示すパーティクルPを確実に検出できるが、パーティクルPだけが光り大きな欠陥が小さな欠陥にしか見えなくなっている。
次に、ステップS10において、第1の画像G1’に欠陥があるか否かを判断する。
図8は、画像処理部17Aに出力された第1の画像G1’を示している。この第1の画像G1’は、暗視野照明で撮像されているため、図に白塗りの点で示すパーティクルPを確実に検出できるが、パーティクルPだけが光り大きな欠陥が小さな欠陥にしか見えなくなっている。
ステップS10において、第1の画像G1’に欠陥があると判断された場合には、ステップS11において、第2の画像G2’で欠陥を検査する。この場合、第1の画像G1’で検出された検出欠陥(図8のパーティクルP)の位置を基準にして、第2の画像G2’のその位置に対応する位置付近の画像の感度を上げる処理を行うなどして、第2の画像G2’においてその位置付近の欠陥検出を行う。特に、その位置からウエハWの外周方向(例えば半径方向外側)における欠陥検出を行うのが有効である。
図9は、画像処理部17Aに出力された第2の画像G2’を示している。この第2の画像G2’は、単一波長の光を用いて撮像されているため、微細パターンでの欠陥の検出性能を確保できるが、照明光が干渉を起こし輝度分布が不均一となり図9に示すように画像に濃淡(ムラ)が生じる場合がある。このような場合、欠陥の全体を明確に検出することは困難であり、図の黒塗りの部分のみが欠陥Dとして明確に検出可能である。
次に、ステップS12において、第2の画像G2’での検出結果を表示部19に出力する。
図10は、表示部19に出力された画像を示している。この画像には、塗布欠陥Eが、黒塗りの部分として明確に検出されている。そして、塗布欠陥Eの全体の大きさが特定されている。
図10は、表示部19に出力された画像を示している。この画像には、塗布欠陥Eが、黒塗りの部分として明確に検出されている。そして、塗布欠陥Eの全体の大きさが特定されている。
この実施形態では、検査対象であるウエハWは、リソグラフィー工程の後のものであり、ウエハWの表面にレジスト膜が塗布されている。そして、レジスト膜にマスク(レチクル)の回路パターンが露光され、さらに、レジスト膜の露光部分または未露光部分が現像され、その表面にレジストパターンが形成された状態となっている。
図10の塗布欠陥Eは、レジスト膜の塗布ムラにより生じたもので、画像の中で円形状のウエハWの中心から外側に向かって尾を引くようなコメット状になっている。すなわち、この実施形態では、ウエハWの表面へのレジスト膜の塗布が、ウエハWを回転した状態で、ウエハWの中心に液体状のレジスト材を滴下することにより行われる。従って、液体状のレジスト材は、ウエハWの中心から外側に向かって尾を引くように流れコメット状になる。
図10の塗布欠陥Eは、レジスト膜の塗布ムラにより生じたもので、画像の中で円形状のウエハWの中心から外側に向かって尾を引くようなコメット状になっている。すなわち、この実施形態では、ウエハWの表面へのレジスト膜の塗布が、ウエハWを回転した状態で、ウエハWの中心に液体状のレジスト材を滴下することにより行われる。従って、液体状のレジスト材は、ウエハWの中心から外側に向かって尾を引くように流れコメット状になる。
そして、このような塗布欠陥Eの発生は、ウエハWの表面に存在するパーティクルPに流れを阻害されることに起因しており、パーティクルPが存在すると、パーティクルPの位置から半径方向外側に向けて延在して形成される。従って、塗布欠陥Eは、図8に示したパーティクルPの位置から半径方向外側に向けて存在することが多い。そこで、第1の画像G1’で検出されたパーティクルPの位置を基準にして、パーティクルPの位置から半径方向外側に向けて第2の画像G2’で欠陥を検査すると、パーティクルPに起因する塗布欠陥Eを確実に検出することが可能になる。
なお、ステップS10において第1の画像G1’に欠陥が無い場合には、ステップS13において、第2の画像G2’で欠陥の検査を行い、検査結果を表示部19に出力する。
上述した基板検査装置では、暗視野照明で撮像された第1の画像G1’で検出されたパーティクルPの位置を基準にして、単一波長の光源で撮像された第2の画像G2’で欠陥を検査するようにしたので、暗視野照明による検査方式と単一波長による検査方式の長所を組み合わせて欠陥検出を迅速,確実に行うことができる。
上述した基板検査装置では、暗視野照明で撮像された第1の画像G1’で検出されたパーティクルPの位置を基準にして、単一波長の光源で撮像された第2の画像G2’で欠陥を検査するようにしたので、暗視野照明による検査方式と単一波長による検査方式の長所を組み合わせて欠陥検出を迅速,確実に行うことができる。
また、第1の画像G1’で検出されたパーティクルPの位置から半径方向外側に向けて第2の画像G2’で欠陥を検査するようにしたので、パーティクルPに起因する塗布欠陥Eを確実に検出することができる。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
(1)上述した実施形態では、本発明をウエハWの検査に適用した例について説明したが、例えば、液晶表示素子の製造工程において液晶製造用のガラス基板を検査する場合等に広く適用できる。
(2)上述した第2の実施形態では、第2の画像G2’に単一波長の画像を用いた例について説明したが、例えば、複数波長の画像を用いても良い。これは、図7のステップS7においてモータ31によりフィルタ部23を回転し複数波長フィルタ29を光源部21の前方に位置させることにより実現できる。
(2)上述した第2の実施形態では、第2の画像G2’に単一波長の画像を用いた例について説明したが、例えば、複数波長の画像を用いても良い。これは、図7のステップS7においてモータ31によりフィルタ部23を回転し複数波長フィルタ29を光源部21の前方に位置させることにより実現できる。
11:明視野用照明部、13:ステージ、15:明視野用カメラ、17,17A:画像処理部、19:表示部、33:暗視野用照明部、35:暗視野用カメラ、G1,G1’:第1の画像、G2,G2’:第2の画像。
Claims (8)
- 複数波長の光と単一波長の光とを被検査基板に照射可能な照明手段と、
前記被検査基板を撮像する撮像手段と、
前記複数波長の光を照射したときに前記撮像手段で撮像された第1の画像と、前記単一波長の光を照射したときに前記撮像手段で撮像された第2の画像とを入力し、前記第1の画像で検出された検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で欠陥を検査する検査手段と、
を有することを特徴とする基板検査装置。 - 請求項1記載の基板検査装置において、
前記検査手段は、前記第2の画像の輝度分布の不均一性を判断し、不均一性が大きいと判断した場合に、前記検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で欠陥を検査することを特徴とする基板検査装置。 - 請求項1または請求項2記載の基板検査装置において、
前記検査手段は、前記検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で前記検出欠陥の近傍の欠陥を検査することを特徴とする基板検査装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の基板検査装置において、
前記検査手段は、前記第2の画像で欠陥の大きさを特定することを特徴とする基板検査装置。 - 暗視野照明で被検査基板の検査面の第1の画像を撮像する第1の撮像手段と、
明視野照明で前記検査面の第2の画像を撮像する第2の撮像手段と、
前記第1の画像で検出された検出欠陥の位置を基準にして前記第2の画像で欠陥を検査する検査手段と、
を有することを特徴とする基板検査装置。 - 請求項5記載の基板検査装置において、
前記被検査基板は円形形状をしており、
前記検査手段は、前記検出欠陥の位置から前記被検査基板の外周方向に向けて前記第2の画像で欠陥を検査することを特徴とする基板検査装置。 - 請求項5または請求項6記載の基板検査装置において、
前記明視野照明は、単一波長の光による照明であることを特徴とする基板検査装置。 - 請求項5または請求項6記載の基板検査装置において、
前記明視野照明は、複数波長の光による照明であることを特徴とする基板検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006156501A JP2007322390A (ja) | 2006-06-05 | 2006-06-05 | 基板検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006156501A JP2007322390A (ja) | 2006-06-05 | 2006-06-05 | 基板検査装置 |
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JP2007322390A true JP2007322390A (ja) | 2007-12-13 |
Family
ID=38855334
Family Applications (1)
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JP2006156501A Withdrawn JP2007322390A (ja) | 2006-06-05 | 2006-06-05 | 基板検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007322390A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111693546A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-09-22 | 湖南大学 | 缺陷检测系统、方法及图像采集系统 |
-
2006
- 2006-06-05 JP JP2006156501A patent/JP2007322390A/ja not_active Withdrawn
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