JP2007316247A - Photosensitive resin composition and glass pattern forming method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、平面表示装置などの薄型のガラスをウエットエッチングによりガラス基板等のエッチング加工におけるレジストのパターン形成に用いることができる光重合性レジスト組成物及びガラスパターンの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a photopolymerizable resist composition that can be used for forming a resist pattern in etching processing of a glass substrate or the like by wet etching of thin glass such as a flat display device, and a method for producing a glass pattern.
フラットパネルデイスプレイ（ＦＰＤ）などの平面表示装置には、薄型のガラス基板が前面及び又は背面に使用されている。
例えば、有機ＥＬＤ（有機エレクトロルミネッセントディスプレイ）の背面キャップには、従来、中空構造のメタル缶が用いられているが、パネルを薄型化するため、メタル缶に代えて、ガラスを背面キャップに用いることが検討されている。一般にガラス製の背面キャップは、ガラス基板をフッ酸でウエットエッチングすることにより形成されている。
In flat display devices such as flat panel displays (FPD), thin glass substrates are used on the front and / or back.
For example, a hollow metal can is conventionally used for the back cap of an organic ELD (organic electroluminescent display), but instead of a metal can, glass is used as the back cap in order to reduce the thickness of the panel. Use is under consideration. In general, a glass back cap is formed by wet etching a glass substrate with hydrofluoric acid.
ウエットエッチングする際には、ガラス基板の上に感光性樹脂組成物皮膜を形成し、所望の深さにエッチング加工している。しかしながら、従来のレジスト材料では、強酸性のフッ酸による耐酸性が悪く、ガラスとレジストの間で剥がれて、サイドエッチングされ、高い精度のエッチング加工が出ないという問題がある。又、特許文献１には、耐薬品性を付与したレジスト材料でエチレン性不飽和二重結合を側鎖に有するアクリルポリマー型の光硬化性レジスト組成物の開示があるが、ガラスとの密着性において十分満足するものではなかった。
一方、特許文献２には、非感光性の樹脂を被覆材としてガラス基板表面に形成する工法の開示がある。しかしながら、被覆層とガラスの密着性が十分ではなかった。
他方、ガラスのエッチングにはドライエッチング法も開発されているが溝深さが２〜３μｍと浅く実用的ではない。尚、装置が非常に高価であり、簡便に使用できない問題がある。サンドブラスト工法によるエッチングではガラス板が割れるという問題もある。
When performing wet etching, a photosensitive resin composition film is formed on a glass substrate and etched to a desired depth. However, the conventional resist material has a problem that acid resistance due to strongly acidic hydrofluoric acid is poor, peeling between the glass and the resist, side etching is performed, and high-precision etching is not performed. Further, Patent Document 1 discloses an acrylic polymer type photocurable resist composition having an ethylenically unsaturated double bond in a side chain, which is a resist material imparted with chemical resistance. Was not fully satisfied.
On the other hand, Patent Document 2 discloses a method for forming a non-photosensitive resin on a glass substrate surface as a coating material. However, the adhesion between the coating layer and the glass was not sufficient.
On the other hand, a dry etching method has been developed for etching glass, but the groove depth is as shallow as 2 to 3 μm, which is not practical. The apparatus is very expensive and cannot be used easily. Etching by the sandblasting method also has a problem that the glass plate breaks.
本発明は、フッ酸によるウエットエッチングにより、ガラス基板からのレジスト剥がれが生じにくく、精度の高いエッチングパターンを加工することができる感光性樹脂組成物及びガラスパターンの製造方法を提供することにある。 It is an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition and a method for producing a glass pattern, which are capable of processing an etching pattern with high accuracy and resist peeling from a glass substrate by wet etching with hydrofluoric acid.
上記目的は、本発明の次の構成により達成することができる。
（１）（Ａ）カルボキシル基含有量が酸当量で１００〜６００であり、かつ、重量平均分子量が５０００〜５０００００であるバインダー用樹脂、（Ｂ）少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマー、（Ｃ）光重合開始剤及び、（Ｄ）オルガノシラン化合物を含有してなる感光性樹脂組成物であり、前記（Ｄ）成分が下記一般式（Ｉ）で示されるオルガノシラン化合物を含む感光性樹脂組成物。
The above object can be achieved by the following configuration of the present invention.
(1) (A) Resin for binders having a carboxyl group content of 100 to 600 in terms of acid equivalent and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000, (B) Light having at least one terminal ethylenically unsaturated group A photosensitive resin composition comprising a polymerizable monomer, (C) a photopolymerization initiator, and (D) an organosilane compound, wherein the component (D) is an organosilane compound represented by the following general formula (I) A photosensitive resin composition comprising:
（２）（Ａ）バインダー用樹脂の含有量が２０質量％〜９０質量％、（Ｂ）少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマーの含有量が５〜７０質量％、（Ｃ）光重合開始剤の含有量が０．１質量％〜１０質量％、及び（Ｄ）オルガノシラン化合物の含有量が０．０１質量％〜２０質量％、である（１）記載の感光性樹脂組成物。
（３）支持層上に、（１）又は（２）に記載の感光性樹脂組成物よりなる層を積層して得られる感光性樹脂積層体。
（４）（３）に記載の感光性樹脂積層体を、ガラス基板にラミネートし、露光し、現像してレジストパターンを形成し、ポストベークし、該レジストパターンで覆われていない部分のガラス基板を、フッ酸を用いてエッチング加工し、該レジストパターンを剥離することを特徴とするガラスパターンの形成方法。
(2) (A) The content of the binder resin is 20% by mass to 90% by mass, (B) the content of the photopolymerizable monomer having at least one terminal ethylenically unsaturated group is 5 to 70% by mass, ( (C) The photosensitivity described in (1), wherein the content of the photopolymerization initiator is 0.1% by mass to 10% by mass and (D) the content of the organosilane compound is 0.01% by mass to 20% by mass. Resin composition.
(3) A photosensitive resin laminate obtained by laminating a layer made of the photosensitive resin composition according to (1) or (2) on a support layer.
(4) The photosensitive resin laminate described in (3) is laminated on a glass substrate, exposed and developed to form a resist pattern, post-baked, and a portion of the glass substrate not covered with the resist pattern Is etched using hydrofluoric acid, and the resist pattern is peeled off.
本発明の感光性樹脂組成物は、フッ酸などの超強酸に対する耐薬品性に優れており、ウエットエッチングによるガラス基板のパターン形成においてレジスト剥がれが生じにくく、高精度のエッチング加工をすることができる。 The photosensitive resin composition of the present invention is excellent in chemical resistance against super strong acids such as hydrofluoric acid, resist peeling hardly occurs in glass substrate pattern formation by wet etching, and high-precision etching can be performed. .
以下、本願発明について具体的に説明する。
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）カルボキシル基含有量が酸当量で１００〜６００であり、かつ、重量平均分子量が５０００〜５０００００であるバインダー用樹脂、（Ｂ）少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマー、（Ｃ）光重合開始剤及び、（Ｄ）オルガノシラン化合物を含有してなる感光性樹脂組成物であり、前記（Ｄ）成分が下記一般式（Ｉ）で示されるオルガノシラン化合物を含むことを特徴としている。
Hereinafter, the present invention will be specifically described.
The photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) a binder resin having a carboxyl group content of 100 to 600 in terms of acid equivalent and a weight average molecular weight of 5000 to 500,000, and (B) at least one terminal ethylene. A photosensitive resin composition comprising a photopolymerizable monomer having a polymerizable unsaturated group, (C) a photopolymerization initiator, and (D) an organosilane compound, wherein the component (D) is represented by the following general formula (I) It is characterized by containing an organosilane compound represented by
（Ｄ）オルガノシラン化合物を含有することで、ガラス等の基板に対する密着性、及びフッ酸に対する耐薬品性に優れているため、フッ酸エッチング時に基板からレジスト剥がれが生じにくく、高い精度でガラスパターン加工することができる。
(D) By containing an organosilane compound, it has excellent adhesion to substrates such as glass and chemical resistance to hydrofluoric acid. Can be processed.
上記一般式（Ｉ）で示されるオルガノシラン化合物において、Ｘは、ビニル基、アクリ
ル基、メタアクリル基、アミノ基、エポキシ基、ウレイド基、イソシアネート基、メルカプト基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有する有機基、であって、官能基としては、中でも、ビニル基、アクリル基、メタアクリル基、メルカプト基が好ましい。官能基を有する有機基としては、上記官能基に、アルキル基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、又はアルキルーアリーレン基があっても良く、中でも、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルケニレン基、―ベンセン環―が好ましく、更には、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基が好ましい。アルキル基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、又はアルキルーアリーレン基には選択により、酸素、硫黄、又は−ＮＨ−が途中に介在しても良い。Ｘで表される有機基の炭素数は、２から１０が好ましい。
In the organosilane compound represented by the general formula (I), X is at least one selected from the group consisting of a vinyl group, an acrylic group, a methacryl group, an amino group, an epoxy group, a ureido group, an isocyanate group, and a mercapto group. Of these, an organic group having a functional group, among which a vinyl group, an acrylic group, a methacryl group, and a mercapto group are preferable. As the organic group having a functional group, the functional group may include an alkyl group, an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, or an alkyl-arylene group. Among them, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a carbon number An alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenylene group having 1 to 6 carbon atoms, and a -bencene ring are preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a phenyl group are more preferable. Depending on the selection, oxygen, sulfur, or —NH— may be interposed in the alkyl group, alkylene group, alkenylene group, arylene group, or alkyl-arylene group. The number of carbon atoms of the organic group represented by X is preferably 2 to 10.
Ｘの具体例としては、ビニル基、スチリル基、メタクリロキシプロピル基、アクリロキシプロピル基、Ｎ−２（アミノエチル）−３―アミノプロピル基、メルカプトプロピル基が挙げられる。
Ｒは、アルキル基を示し、具体的には、メチル基、エチル基が好ましい。
Ｙは、アルコキシ基を示し、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、クロル基、メトキシエトキシ基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基が挙げられる。
Specific examples of X include vinyl group, styryl group, methacryloxypropyl group, acryloxypropyl group, N-2 (aminoethyl) -3-aminopropyl group, and mercaptopropyl group.
R represents an alkyl group, and specifically, a methyl group or an ethyl group is preferable.
Y represents an alkoxy group, and specific examples include a methoxy group, an ethoxy group, a chloro group, a methoxyethoxy group, an acetoxy group, and an isopropenoxy group.
上記一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例としては、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリトリエトキシシランが挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物において、（Ｄ）オルガノシラン化合物は、０．０１〜２０質量％となるように含有されていることが好ましく、さらに好ましくは１〜１０質量％である。フッ酸エッチング時の硬化レジスト剥がれの観点から、０．０１質量％以上が好ましく、画像パターンの解像度の観点から、２０質量％以下が好ましい。
Specific examples of the compound represented by the general formula (I) include 3- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, and 3- (2-aminoethylamino) propyltriethoxy. Examples thereof include silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, and 3-glycidoxypropyltritriethoxysilane.
In the photosensitive resin composition of the present invention, the (D) organosilane compound is preferably contained in an amount of 0.01 to 20% by mass, more preferably 1 to 10% by mass. From the viewpoint of peeling of the cured resist during hydrofluoric acid etching, 0.01% by mass or more is preferable, and from the viewpoint of resolution of the image pattern, 20% by mass or less is preferable.
本発明に用いられる（Ａ）カルボキシル基含有量が酸当量で１００〜６００であり、かつ、重量平均分子量が５０００〜５０００００であるバインダー用樹脂について以下に述べる。（Ａ）バインダー用樹脂に含まれるカルボキシル基の量は酸当量で１００〜６００である必要があり、３００〜４００が好ましい。また重量平均分子量は５０００〜５０００００が好ましく、より好ましくは４万〜２０万である。
ここで酸当量とはその中に１当量のカルボキシル基を有する樹脂の重量をいう。重合体中のカルボキシル基はアルカリ可溶性即ちアルカリ水溶液に対する現像性や最終剥離工程での硬化膜の剥離性を与える為に必要である。酸当量が１００未満では塗工溶媒または架橋性モノマーとの相溶性が低下し、６００を超えると現像性が悪化する。また、重量平均分子量が５０万を超えると現像性が低下し、基材との密着性が低下する。重量平均分子量が５０００未満では光重合性積層体に用いたとき光重合層の厚みを均一に維持することが困難になる。
The binder resin having a carboxyl group content of 100 to 600 in terms of acid equivalent and a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000 used in the present invention will be described below. (A) The amount of the carboxyl group contained in the binder resin needs to be 100 to 600 in terms of acid equivalent, and is preferably 300 to 400. The weight average molecular weight is preferably 5,000 to 500,000, more preferably 40,000 to 200,000.
Here, the acid equivalent means the weight of the resin having 1 equivalent of a carboxyl group therein. The carboxyl group in the polymer is necessary to provide alkali solubility, that is, developability to an aqueous alkali solution and peelability of the cured film in the final peeling step. When the acid equivalent is less than 100, the compatibility with the coating solvent or the crosslinkable monomer is lowered. Moreover, when a weight average molecular weight exceeds 500,000, developability will fall and adhesiveness with a base material will fall. When the weight average molecular weight is less than 5,000, it is difficult to keep the thickness of the photopolymerizable layer uniform when used in the photopolymerizable laminate.
なお、酸当量の測定は、平沼産業（株）製平沼自動滴定装置（ＣＯＭー５５５）を使用し、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を用いて電位差滴定法により行われる。
分子量は、日本分光（株）製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（ポンプ：Ｇｕｌｌｉｖｅｒ、ＰＵ−１５８０型、カラム：昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）（ＫＦ−８０７、ＫＦ−８０６Ｍ、ＫＦ−８０６Ｍ、ＫＦ−８０２．５）４本直列、移動層溶媒：テトラヒドロフラン、ポリスチレン標準サンプルによる検量線使用）により重量平均分子量（ポリスチレン換算）として求められる。
（Ａ）バインダー用樹脂は、アルカリ現像性の見地から、カルボキシル基を含有することが好ましく下記の２種類の単量体の中より各々一種またはそれ以上の単量体を共重合さ
せることにより得られる。
The acid equivalent is measured by a potentiometric titration method using a Hiranuma automatic titration apparatus (COM-555) manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd. and using a 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution.
The molecular weight was measured by Gel Permeation Chromatography (GPC) manufactured by JASCO Corporation (pump: Gulliver, PU-1580 type, column: Shodex (registered trademark) manufactured by Showa Denko KK (KF-807, KF-806M, KF -806M, KF-802.5) It is calculated | required as a weight average molecular weight (polystyrene conversion) by 4 in-line, moving bed solvent: Tetrahydrofuran, using a calibration curve by a polystyrene standard sample).
(A) The binder resin preferably contains a carboxyl group from the viewpoint of alkali developability, and is obtained by copolymerizing one or more monomers from the following two types of monomers. It is done.
第一の単量体は、分子中に重合性不飽和基を一個有するカルボン酸、またはジカルボン酸、または酸無水物である。例えば（メタ）アクリル酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル等である。
第二の単量体は、非酸性で、分子中に重合性不飽和基を一個有し、光重合性層の現像性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選定する。例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステルやベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等が挙げられる。
（Ａ）バインダー用樹脂の感光性樹脂組成物全体に対する含有量は、２０〜９０質量％の範囲が好ましく、より好ましくは３０〜７０質量％である。現像後の硬化レジストのレジストとしての耐性の観点から２０〜９０質量％が好ましい。
The first monomer is a carboxylic acid having one polymerizable unsaturated group in the molecule, a dicarboxylic acid, or an acid anhydride. For example, (meth) acrylic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleic acid half ester and the like.
The second monomer is non-acidic, has one polymerizable unsaturated group in the molecule, and is selected to maintain various properties such as the developability of the photopolymerizable layer and the flexibility of the cured film. To do. For example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid alkyl esters such as butyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, styrene or polymerizable styrene derivatives Can be mentioned.
(A) Content with respect to the whole photosensitive resin composition of resin for binders has the preferable range of 20-90 mass%, More preferably, it is 30-70 mass%. 20-90 mass% is preferable from a viewpoint of the tolerance as a resist of the cured resist after image development.
本発明に用いられる（Ｂ）光重合性モノマーについて、以下説明する。
（Ｂ）光重合性モノマーとしては、少なくとも一つの末端エチレン性不飽和基を有する光重合性モノマーであって、具体的な例としては、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（Ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールトリ（メタ）アクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチルトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡエチレングリコール付加ジ（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等が挙げられる。
The (B) photopolymerizable monomer used in the present invention will be described below.
(B) The photopolymerizable monomer is a photopolymerizable monomer having at least one terminal ethylenically unsaturated group, and specific examples thereof include polypropylene glycol di (meth) acrylate and polyethylene glycol di (meth). Acrylate, 2-di (P-hydroxyphenyl) propane di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, trimethylol tri (meth) acrylate, polyoxypropyltrimethylolpropane tri (meth) acrylate, polyoxyethyltrimethylolpropane Tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol Lumpur A diglycidyl ether (meth) acrylate, bisphenol A ethylene glycol-added di (meth) acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, nonyl phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate.
また、ウレタン化合物も挙げられる。ウレタン化合物としては、例えばヘキサメチレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネートがある。
（Ｂ）光重合性モノマーの感光性樹脂組成物全体に対する含有量は、５質量％以上７０質量％以下が好ましい。感度が向上する観点から５質量％以上であり、エッジフューズが抑制される観点から７０質量％以下である。好ましくは５質量％以上５０質量％以下、より好ましくは５質量％以上４５質量％以下である。
本発明に用いられる（Ｃ）光重合開始剤について以下説明する。
（Ｃ）光重合開始剤としては、各種の活性光線、例えば紫外線等により活性化され、重合を開始する化合物であれば、通常用いられている化合物を使用することができる。
Moreover, a urethane compound is also mentioned. Examples of the urethane compound include hexamethylene diisocyanate and tolylene diisocyanate.
(B) As for content with respect to the whole photosensitive resin composition of a photopolymerizable monomer, 5 to 70 mass% is preferable. From the viewpoint of improving the sensitivity, it is 5% by mass or more, and from the viewpoint of suppressing edge fuse, it is 70% by mass or less. Preferably they are 5 mass% or more and 50 mass% or less, More preferably, they are 5 mass% or more and 45 mass% or less.
The photopolymerization initiator (C) used in the present invention will be described below.
(C) As a photoinitiator, the compound normally used can be used if it is a compound which is activated by various actinic rays, for example, an ultraviolet-ray, and starts a superposition | polymerization.
例えば、ベンゾフェノン等の芳香族ケトン類、２−エチルアントラキノン、２−tert-ブチルアントラキノン等のキノン類、９−フェニルアクリジン等のアクリジン化合物、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、チオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン等ノチオキサントン類、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、また、Ｎ−アリールーα―アミノ酸化合物も用いることも可能である。Ｎ−アリールーα−アミノ酸化合物としては、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−メチルーＮ―フェニルグリシン、Ｎ−エチルーＮ−フェニルグリシン、Ｎ−（Ｏ−クロロフェニル）グリシン等があげられる。これらは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用される。
（Ｃ）光重合開始剤の感光性樹脂組成物全体に対する含有量は、０．１質量％以上１０質量％以下とすることが好ましく、０．５〜６質量％とすることがより好ましい。感度の観点より０．１質量％以上が好ましく、硬化レジストの線幅太りの観点から、１０質量％
以下が好ましい。
For example, aromatic ketones such as benzophenone, quinones such as 2-ethylanthraquinone and 2-tert-butylanthraquinone, acridine compounds such as 9-phenylacridine, benzyldimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, thioxanthone, 2,4-diethyl Nothioxanthones such as thioxanthone and 2-chlorothioxanthone, 2,4,5-triarylimidazole dimer, and N-aryl-α-amino acid compounds can also be used. Examples of the N-aryl-α-amino acid compound include N-phenylglycine, N-methyl-N-phenylglycine, N-ethyl-N-phenylglycine, N- (O-chlorophenyl) glycine and the like. These are used alone or in combination of two or more.
(C) The content of the photopolymerization initiator with respect to the entire photosensitive resin composition is preferably 0.1% by mass or more and 10% by mass or less, and more preferably 0.5 to 6% by mass. 0.1 mass% or more is preferable from the viewpoint of sensitivity, and 10 mass% from the viewpoint of increasing the line width of the cured resist.
The following is preferred.
また、本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモフェニルスルホン、ロイコクリスタルバイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤、さらに、可塑剤、消泡剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、熱架橋剤などを含有することができる。これらは、単独で、又は２種類以上を組み合わせて使用される。
本発明の感光性樹脂組成物は必要に応じて、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、トルエン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等の溶剤又は混合溶剤に溶解して不揮発分３０〜６０質量％程度の溶液として、支持層上や基板上に塗布することができる。
In addition, the photosensitive resin composition of the present invention includes a dye such as malachite green, a photochromic agent such as tribromophenyl sulfone and leuco crystal violet, a thermochromic inhibitor, a plasticizer, an antifoaming agent, if necessary. An agent, a leveling agent, a peeling accelerator, an antioxidant, a thermal crosslinking agent and the like can be contained. These are used alone or in combination of two or more.
If necessary, the photosensitive resin composition of the present invention is dissolved in a solvent or mixed solvent such as methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, toluene, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, etc. as a solution having a nonvolatile content of about 30 to 60% by mass, as a support layer. It can be applied on top or on the substrate.
本発明の感光性樹脂積層体は、支持層上に前記感光性樹脂組成物を積層し感光性樹脂層を形成することにより作製する。感光性樹脂積層体は、感光性エレメント、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）、と呼ばれることもある。
支持層としては、通常、活性光線を透過させる透明な基材フィルムが用いられ、このような基材フィルムとしては厚み１０μｍ以上１００μm以下程度のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどの合成樹脂フィルムがあるが、通常適度な可とう性と強度を有するポリエチレンテレフタレートが好ましく用いられる。ラミネート時にシワを発生させにくくするため、また支持層の破損を防ぐ観点から、膜厚は１０μｍ以上であることが好ましい。また充分な解像性を得るために、膜厚は１００μｍ以下であることが好ましい。またヘーズは５以下のものが好ましい。
The photosensitive resin laminate of the present invention is produced by laminating the photosensitive resin composition on a support layer to form a photosensitive resin layer. The photosensitive resin laminate is sometimes called a photosensitive element or a dry film resist (DFR).
As the support layer, a transparent base film that transmits actinic rays is usually used. As such a base film, a synthetic resin film such as polyethylene, polypropylene, polycarbonate, polyethylene terephthalate having a thickness of about 10 μm to 100 μm is used. In general, polyethylene terephthalate having moderate flexibility and strength is preferably used. The film thickness is preferably 10 μm or more from the viewpoint of preventing wrinkles from being generated during lamination and preventing damage to the support layer. In order to obtain sufficient resolution, the film thickness is preferably 100 μm or less. The haze is preferably 5 or less.
本発明の感光性樹脂積層体中の感光性樹脂層の膜厚は、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましい。より好ましくは、２０μｍ以上１５０μｍ以下である。
本発明の感光性樹脂積層体には、必要に応じて感光性樹脂層の支持層とは反対側の面に、保護層を形成しても良い。感光性樹脂層との密着力において、感光性樹脂層と支持層との密着力よりも感光性樹脂層と保護層の密着力が小さいことがこの保護層に必要な特性であり、これにより保護層が容易に剥離できる。
保護層は、本発明の感光性樹脂層を保護する為のフィルムであり、このようなフィルムとしては１０〜１００μｍ厚程度のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどの合成樹脂フィルムがあるが、ポリエチレンフィルムまたはポリプロピレンフィルムが好ましく用いられる。
As for the film thickness of the photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminated body of this invention, 10 micrometers or more and 200 micrometers or less are preferable. More preferably, they are 20 micrometers or more and 150 micrometers or less.
In the photosensitive resin laminate of the present invention, a protective layer may be formed on the surface of the photosensitive resin layer opposite to the support layer, if necessary. It is necessary for the protective layer that the adhesive force between the photosensitive resin layer and the protective layer is smaller than the adhesive force between the photosensitive resin layer and the support layer. The layer can be easily peeled off.
The protective layer is a film for protecting the photosensitive resin layer of the present invention. Examples of such a film include synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, polycarbonate, and polyethylene terephthalate having a thickness of about 10 to 100 μm. A film or a polypropylene film is preferably used.
次に本発明の感光性樹脂積層体の作製方法について説明する。
支持層、感光性樹脂層、及び保護層を順次積層して感光性樹脂積層体を作成する方法は、従来知られている方法を採用することができる。
例えば感光性樹脂層に用いる感光性樹脂組成物を、これらを溶解する溶剤と混ぜ合わせ均一な溶液にしておき、まず支持層上にバーコーターやロールコーターを用いて塗布して乾燥し、支持層上に感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する。
次に、必要に応じて感光性樹脂層上に保護層を積層することにより感光性樹脂積層体を作製することができる。
Next, the manufacturing method of the photosensitive resin laminated body of this invention is demonstrated.
A conventionally known method can be adopted as a method for forming a photosensitive resin laminate by sequentially laminating a support layer, a photosensitive resin layer, and a protective layer.
For example, the photosensitive resin composition used for the photosensitive resin layer is mixed with a solvent for dissolving them to form a uniform solution, and first applied onto the support layer using a bar coater or a roll coater and then dried. A photosensitive resin layer made of a photosensitive resin composition is laminated thereon.
Next, a photosensitive resin laminate can be produced by laminating a protective layer on the photosensitive resin layer as necessary.
本発明の感光性樹脂積層体を用いたフラットパネルディスプレイの背面キャップの製造方法としては、各工程を以下の通り行う。
（１）ラミネート工程
感光性樹脂積層体の保護層を剥がしながらガラス基板等の基板上にホットロールラミネーターを用いてラミネートする工程。
（２）露光工程
所望の配線パターンを有するマスクフィルムを支持体上に密着させ活性光線源を用いて露光を施す工程。用いられる活性光線源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、紫外線蛍
光灯、カーボンアーク灯、キセノンランプなどが挙げられる。また、より微細なレジストパターンを得るためには平行光光源を用いるのがより好ましい。ゴミや異物の影響を極力少なくしたい場合には、フォトマスクを支持体上から数十μｍ以上数百μｍ以下浮かせた状態で露光（プロキシミティー露光）する場合もある。
（３）現像工程
Each process is performed as follows as a manufacturing method of the back cap of the flat panel display using the photosensitive resin laminated body of this invention.
(1) Lamination process The process of laminating on a board | substrates, such as a glass substrate, using a hot roll laminator, peeling off the protective layer of the photosensitive resin laminated body.
(2) Exposure process The process of sticking the mask film which has a desired wiring pattern on a support body, and performing exposure using an actinic light source. Examples of the active light source used include a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, an ultraviolet fluorescent lamp, a carbon arc lamp, and a xenon lamp. In order to obtain a finer resist pattern, it is more preferable to use a parallel light source. When it is desired to reduce the influence of dust or foreign matter as much as possible, exposure (proximity exposure) may be performed in a state where the photomask is floated from several tens of micrometers to several hundreds of micrometers from the support.
(3) Development process
支持体を剥離した後アルカリ現像液を用いて感光性樹脂層の未露光部分を溶解または分散除去、レジストパターンを基板上に形成する工程。用いられるアルカリ現像液としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の水溶液が挙げられる。これらのアルカリ水溶液は感光性樹脂層の特性に合わせて選択されるが、一般的に０．５質量％以上３質量％以下の炭酸ナトリウム水溶液が用いられる。
（４）ポストベーク工程
次に、熱風循環式オーブンを用いて１００℃〜２００℃で１０分〜６０分ポストベークを行い、パターニングしたレジスト膜を形成した。
（５）フッ酸エッチング工程
A step of forming a resist pattern on a substrate by peeling or removing an unexposed portion of the photosensitive resin layer using an alkali developer after peeling off the support. Examples of the alkaline developer used include aqueous solutions of sodium carbonate, potassium carbonate and the like. These alkaline aqueous solutions are selected in accordance with the characteristics of the photosensitive resin layer, but generally an aqueous sodium carbonate solution of 0.5% by mass to 3% by mass is used.
(4) Post-baking step Next, post-baking was performed at 100 ° C. to 200 ° C. for 10 minutes to 60 minutes using a hot air circulating oven to form a patterned resist film.
(5) Hydrofluoric acid etching process
次に、ガラス基板を３０℃〜４０℃に加熱したフッ酸水溶液（２〜４０質量％）中に１０分〜９０分間浸せきしてガラスをエッチングする。エッチングによりガラス表面に深さ１０〜１００μｍの溝を形成する。
（６）剥離工程
レジストパターンをアルカリ剥離液を用いて基板から除去する工程。用いられるアルカリ剥離液としては、一般的に現像で用いたアルカリ水溶液よりも更に強いアルカリ性の水溶液、例えば1質量％以上５質量％以下の水酸化ナトリウム、水酸化カリウムの水溶液が挙げられる。
Next, the glass substrate is immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution (2 to 40% by mass) heated to 30 to 40 ° C. for 10 to 90 minutes to etch the glass. A groove having a depth of 10 to 100 μm is formed on the glass surface by etching.
(6) Stripping step A step of removing the resist pattern from the substrate using an alkaline stripping solution. Examples of the alkaline stripping solution to be used include alkaline aqueous solutions that are stronger than the aqueous alkaline solutions generally used for development, for example, 1% by mass to 5% by mass of sodium hydroxide and potassium hydroxide aqueous solutions.
以下に本発明を実施例により説明する。
（実施例１〜６、比較例１）
[実施例１]
実施例及び比較例において用いた感光性樹脂組成物の組成を後記する表１に示す。なお、表１における略号（Ｐ−１〜Ｄ−４）で表した感光性樹脂組成物中の成分の材料を表２に示す。
表１に示す組成の感光性樹脂組成物を均一に攪拌、混合した。次にこの混合溶液を厚さ１９μｍのポリエチレンテレフタレートフイルムにバーコーターを用いて均一に塗布し、９５℃の熱風対流式乾燥機で７分乾燥して感光層の厚さ７５μｍの感光性樹脂樹積層体を得た。その後、ポリエチレンテレフタレートフイルムを積層していない表面上に２２μｍ厚ポリエチレンを張り合わせて感光性樹脂積層体（ＤＦＲ）を得た。次にアセトンで洗浄した２ｍｍ厚ソーダガラスを基材とし、ＤＦＲの保護フイルムを剥がしながら光重合性層をホットロールラミネーターにより１０５℃でラミネートして積層体を得た。
Hereinafter, the present invention will be described by way of examples.
(Examples 1-6, Comparative Example 1)
[Example 1]
The composition of the photosensitive resin composition used in Examples and Comparative Examples is shown in Table 1 described later. In addition, the material of the component in the photosensitive resin composition represented by the abbreviation (P-1 to D-4) in Table 1 is shown in Table 2.
The photosensitive resin composition having the composition shown in Table 1 was uniformly stirred and mixed. Next, this mixed solution was uniformly applied to a polyethylene terephthalate film having a thickness of 19 μm using a bar coater, and dried for 7 minutes with a hot air convection dryer at 95 ° C. to laminate a photosensitive resin tree having a thickness of 75 μm. Got the body. Thereafter, 22 μm thick polyethylene was laminated on the surface on which the polyethylene terephthalate film was not laminated to obtain a photosensitive resin laminate (DFR). Next, a 2 mm thick soda glass washed with acetone was used as a base material, and the photopolymerizable layer was laminated at 105 ° C. with a hot roll laminator while peeling off the DFR protective film to obtain a laminate.
次に、この積層体の上にフォトマスク（ライン幅/スペース幅:３００μｍ/３５０μｍ）を配置し、５００Ｗの超高圧水銀ランプ（オーク製作所製ＨＭＷ−８０１）の露光機を用いて、１５０ｍＪ/ｃｍ２で露光した。露光後、ガラス基板上のポリエチレンテレフタレートフイルムを剥がした後、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液を約１５０秒スプレーして未露光部分を溶解除去し、さらに１５０秒水洗し乾燥して硬化レジストパターンを得た。次に、熱風循環オーブンを用いて２００℃で２０分間ポストベークを行い、硬化レジストパターン付着ガラス基板を形成した。 Next, a photomask (line width / space width: 300 μm / 350 μm) is placed on the laminate, and an exposure machine of a 500 W ultra high pressure mercury lamp (OMW Seisakusho HMW-801) is used to provide 150 mJ / cm. 2 for exposure. After exposure, the polyethylene terephthalate film on the glass substrate is peeled off, and then a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. is sprayed for about 150 seconds to dissolve and remove the unexposed portion, and further washed with water for 150 seconds and dried to form a cured resist pattern. Got. Next, post-baking was performed at 200 ° C. for 20 minutes using a hot-air circulating oven to form a cured resist pattern-attached glass substrate.
上記の硬化レジストパターン付着ガラス基板を３０℃に加熱したフッ酸水溶液（１０質量％）中に３０分間浸せきして、エッチング加工を行い、フッ酸エッチング後のガラス基
板を水洗洗浄した。このフッ酸エッチングにより、ガラス基板の表面から４０μｍの深さの溝が形成された。また、硬化レジストパターンはガラス基板に密着しており、硬化レジストパターンの剥がれは全く認められなかった。
次いで、４５℃に加熱した６重量％の苛性ソーダ水溶液中にフッ酸エッチング後のガラス基板を浸せきして、硬化レジストパターンを剥離した。得られたガラス基板には４０μｍの深さを有するガラスパターンが形成されていた。
The cured resist pattern-attached glass substrate was immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution (10% by mass) heated to 30 ° C. for 30 minutes for etching, and the glass substrate after the hydrofluoric acid etching was washed with water. By this hydrofluoric acid etching, a groove having a depth of 40 μm was formed from the surface of the glass substrate. Further, the cured resist pattern was in close contact with the glass substrate, and no peeling of the cured resist pattern was observed.
Next, the glass substrate after the hydrofluoric acid etching was immersed in a 6% by weight aqueous caustic soda solution heated to 45 ° C., and the cured resist pattern was peeled off. A glass pattern having a depth of 40 μm was formed on the obtained glass substrate.
[実施例２〜７]
感光性樹脂組成物の組成は、表１に示した組成である。露光は表に示した露光量で行った。それ以外は、実施例１と同様に行った。
[比較例１、２]
表１に示した組成の感光性樹脂組成物を用いて、実施例１と同様に行った。硬化レジストパターン付着ガラス基板をフッ酸水溶液（３０℃、１０質量％）に浸せきしたところ、浸漬して５分後に硬化レジストパターンがガラス基板から完全に剥がれた。
[Examples 2 to 7]
The composition of the photosensitive resin composition is the composition shown in Table 1. The exposure was performed with the exposure amount shown in the table. Otherwise, the same procedure as in Example 1 was performed.
[Comparative Examples 1 and 2]
It carried out similarly to Example 1 using the photosensitive resin composition of the composition shown in Table 1. When the cured resist pattern-attached glass substrate was immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution (30 ° C., 10% by mass), the cured resist pattern was completely peeled off the glass substrate 5 minutes after immersion.
本発明によれば、フラットパネルディスプレイなど平面表示装置に用いるガラス基板のエッチング加工等に適したアルカリ現像可能な感光性樹脂組成物および感光性樹脂積層体、を提供することができ、産業上有用である。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photosensitive resin composition and photosensitive resin laminated body which can be alkali-developable suitable for the etching process etc. of the glass substrate used for flat display apparatuses, such as a flat panel display, can be provided, and it is industrially useful. It is.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006144394A JP4969154B2 (en) | 2006-05-24 | 2006-05-24 | Photosensitive resin composition and method for forming glass pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006144394A JP4969154B2 (en) | 2006-05-24 | 2006-05-24 | Photosensitive resin composition and method for forming glass pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007316247A true JP2007316247A (en) | 2007-12-06 |
| JP4969154B2 JP4969154B2 (en) | 2012-07-04 |
Family
ID=38850180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006144394A Active JP4969154B2 (en) | 2006-05-24 | 2006-05-24 | Photosensitive resin composition and method for forming glass pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP4969154B2 (en) |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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