JP2007316206A - 半導体可飽和吸収体ミラー、半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法、レーザ光発生装置およびレーザ光応用システム - Google Patents

Abstract

【課題】光吸収特性の偏光軸依存性を有し、安定した偏光特性を得ることができる半導体可飽和吸収体ミラーおよびこれを用いたレーザ光発生装置を提供する。
【解決手段】傾斜基板１１上にＤＢＲからなる反射ミラー層１２を成長させ、その上に、歪量子井戸を含む可飽和吸収層として半導体量子井戸層１３を成長させることにより半導体可飽和吸収体ミラーを作製する。半導体量子井戸層１３の歪量子井戸の面内には非対称な歪が発生する。傾斜基板１１としてはＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、Ａｌ₂ Ｏ₃ 基板などを用いる。この半導体可飽和吸収体ミラーをレーザ光発生装置の共振器ミラーに用いる。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体可飽和吸収体ミラー、半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法、レーザ光発生装置およびレーザ光応用システムに関する。

レーザ光発生装置においては発振する直線偏光の制御が重要である。大型の固体レーザシステムにおいては、たとえ共振器の利得が偏光方向によらず一定であったとしても、共振器長も長いために、ブリュースターウィンドウを配置するなどすることで共振器の軸に関して軸非対称な共振器ロスを導入し、発振する偏光を制御することができる。しかし、近年開発が進んでいるマイクロチップレーザあるいは化合物半導体利得媒質とのモノリシックレーザにおいては、共振器長が数ｍｍ以下と短くなり、部品点数を増やすことは許されないため、この手法は適用できない。このようなコンパクトなレーザにおいては、利得がほぼ軸対称であるとき、安定した直線偏光の発振は難しく、外界から加わる摂動のために、偏光ノイズだけでなく、強度ノイズや横モードノイズとなって現れることが避けられない。

一方、半導体可飽和吸収体ミラーは、固体レーザにおいて受動Ｑスイッチもしくは受動モードロックレーザを実現する基幹部品として実用化されている（例えば、特許文献１、２、非特許文献１参照。）。この半導体可飽和吸収体ミラーでは、強度が低い入射光に対しては可飽和吸収層が吸収体として働き、強度が高い入射光に対しては吸収体としての能力が飽和することで透明体として働く。このため、共振器内に半導体可飽和吸収体ミラーを配置するとこの半導体可飽和吸収体ミラーがロスとして働いて受動Ｑスイッチもしくは受動モードロックレーザが実現される。

従来、例えば発振波長が１０６４ｎｍあるいは９１４ｎｍの固体レーザにおいて共振器ミラーに用いられる半導体可飽和吸収体ミラーとして、図５に示すようなものがある。図５に示すように、この半導体可飽和吸収体ミラーは、（００１）ＧａＡｓ基板１０１上に反射ミラー層１０２を成長させ、その上にＩｎＧａＡｓ歪量子井戸を含む半導体量子井戸層１０３を可飽和吸収層として成長させることにより作製されたものである。

なお、面発光レーザにおいて、傾斜基板上に歪量子井戸構造を作製してその発光偏光特性を制御することは大歳らによって理論的に検討されており、面発光レーザの偏光特性制御方法のひとつとしてすでに実用化されている（非特許文献２参照。）。通常、ＧａＡｓ（００１）面上に成長させた歪量子井戸は面内に２軸性応力が対称に発生しており、価電子帯の分裂（軽い正孔の価電子帯と重い正孔の価電子帯との分裂）は面内方向によらず均一である。しかし、傾斜基板上に歪量子井戸を成長させた場合、価電子帯の分裂は面内で非対称性を持つようになり、その結果、利得が面内で非対称となり面発光レーザ発光の安定な偏光特性に寄与することができる。しかし、この非特許文献２には、傾斜基板上に歪量子井戸を成長させて半導体可飽和吸収体ミラーを作製することについては何ら開示も示唆もされていない。

特表２００２−５３６８２３号公報 特開２０００−５８９７６号公報 Appl.Phys.B73,653-662(2001) Appl.Phys.Lett.65,1886(1994)

図５に示す従来の半導体可飽和吸収体ミラーにおいて、可飽和吸収層としての半導体量子井戸層１０３のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸の歪は面内で対称であることから、光吸収特性に偏光軸依存性がなく、安定した偏光特性を得ることができない。このため、この半導体可飽和吸収体ミラーを固体レーザの共振器ミラーに用いた場合、発振波長におけるレーザ媒質の利得の軸非対称性が小さいと、発振を安定に行わせることは困難であった。

そこで、この発明が解決しようとする課題は、光吸収特性の偏光軸依存性を有し、安定した偏光特性を得ることができる半導体可飽和吸収体ミラーおよびこのような半導体可飽和吸収体ミラーを容易に製造することができる製造方法を提供することである。
この発明が解決しようとする他の課題は、上記のような半導体可飽和吸収体ミラーを共振器ミラーに用いることにより、部品点数を増やすことなく、安定した偏光特性を有するレーザ光を容易に発生させることができるレーザ光発生装置およびこのレーザ光発生装置を用いたレーザ光応用システムを提供することである。

本発明者は、鋭意研究を行った結果、レーザ光発生装置に不可欠なミラー部品として半導体可飽和吸収体ミラーを用いるとともに、傾斜基板上の結晶成長を利用してこの半導体可飽和吸収体ミラーに偏光軸非対称性を導入することで、部品点数を増やすことなく、安定した偏光特性を得ることができ、上記の課題を一挙に解決することができることを見出し、この発明を案出するに至った。
すなわち、上記課題を解決するために、第１の発明は、
反射ミラー層と、
上記反射ミラー層上の歪量子井戸を含む可飽和吸収層とを有する半導体可飽和吸収体ミラーであって、
上記歪量子井戸の面内に非対称な歪を有する
ことを特徴とするものである。

第２の発明は、
反射ミラー層と、
上記反射ミラー層上の歪量子井戸を含む可飽和吸収層とを有する半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法であって、
傾斜基板上に上記反射ミラー層および上記可飽和吸収層を順次成長させるようにした
ことを特徴とするものである。

第３の発明は、
半導体可飽和吸収体ミラーを共振器ミラーに用いたレーザ光発生装置において、
上記半導体可飽和吸収体ミラーが、
反射ミラー層と、
上記反射ミラー層上の歪量子井戸を含む可飽和吸収層とを有する半導体可飽和吸収体ミラーであって、
上記歪量子井戸の面内に非対称な歪を有するものである
ことを特徴とするものである。

第４の発明は、
半導体可飽和吸収体ミラーを共振器ミラーに用いたレーザ光発生装置を有するレーザ光応用システムにおいて、
上記半導体可飽和吸収体ミラーが、
反射ミラー層と、
上記反射ミラー層上の歪量子井戸を含む可飽和吸収層とを有する半導体可飽和吸収体ミラーであって、
上記歪量子井戸の面内に非対称な歪を有するものである
ことを特徴とするものである。

第１〜第４の発明において、半導体可飽和吸収体ミラーは、傾斜基板上に反射ミラー層および可飽和吸収層を順次成長させて積層したままのものであっても、成長後に傾斜基板をエッチングや研磨などにより除去あるいは薄膜化したものであってもよい。ここで、傾斜基板とは、表面原子配置が２軸対称性を持たないような面方位を有する基板をいうものとし、半導体基板であっても半導体基板以外の基板であってもよい。この傾斜基板の傾斜角度は、可飽和吸収層に含まれる歪量子井戸の面内に非対称な歪（面内２軸非対称な歪）が発生する範囲内で適宜選択される。可飽和吸収層に含まれる歪量子井戸の組成は、この歪量子井戸によって吸収しようとする光の波長に応じて適宜選択される。歪量子井戸の形態は、必ずしも層状（一次元の量子井戸）である必要はなく、量子細線（二次元の量子井戸）あるいは量子ドット（三次元の量子井戸）であってもよい。反射ミラー層および可飽和吸収層の成長方法としては、一般的には有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法あるいは分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法が用いられるが、これに限定されるものではない。

レーザ光発光装置の構成および大きさは基本的にはどのようなものであってもよく、また、発振波長に応じてレーザ媒質が適宜選択される。レーザ光応用システムは、基本的にはどのようなものであってもよく、用途や機能を問わないが、具体的には、表示装置（ディスプレイ）（プロジェクターも含む）、検査装置、処理装置、測定装置などである。検査装置は、例えば半導体ウェハ表面の異物や回路パターンなどを検査する装置であり、処理装置は、各種の基板や材料などの熱処理、加工、表面改質などの各種の処理を行う装置であり、測定装置は、レーザー光を用いて各種の計測を行う装置などである。

上述のように構成されたこの発明においては、可飽和吸収層の歪量子井戸の面内に非対称な歪を有することにより、価電子帯の分裂の面内非対称性に起因する光吸収特性の偏光軸依存性（偏光非対称性）が存在する。換言すれば、歪量子井戸によるロスが面内非対称性を有するため、光吸収特性の偏光軸依存性が存在する。

この発明によれば、光吸収特性の偏光軸依存性を有し、安定した偏光特性を得ることができる半導体可飽和吸収体ミラーを実現することができる。このため、この半導体可飽和吸収体ミラーをレーザ光発生装置の共振器ミラーに用いることで、レーザ媒質において利得の軸非対称性が十分大きくなく、発振偏光方向が共振器温度変化や励起光源の半導体レーザなどの外乱により不安定であっても、部品点数を増やすことなく、安定した偏光特性を得ることができる。そして、このような高性能のレーザ光発生装置を光源に用いて各種のレーザ光応用システムを実現することができる。

以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
まず、この発明の第１の実施形態による半導体可飽和吸収体ミラーについて説明する。図１にこの半導体可飽和吸収体ミラーを示す。
図１に示すように、この半導体可飽和吸収体ミラーは、傾斜基板１１上に反射ミラー層１２を成長させ、その上に、歪量子井戸を含む可飽和吸収層として半導体量子井戸層１３を成長させることにより作製される。これらの反射ミラー層１２および半導体量子井戸層１３の成長方法としては、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などを用いることができる。

傾斜基板１１は、例えば、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、Ａｌ₂ Ｏ₃ （サファイア）基板などであるが、これに限定されるものではない。傾斜基板１１がＧａＡｓ基板である場合、その主面は、具体的には、ＧａＡｓ（３１１）Ｂ面、ＧａＡｓ（４１１）Ａ面、ＧａＡｓ（７７５）Ｂ面などであるが、これに限定されるものではない。また、傾斜基板１１がＩｎＰ基板である場合、その主面は、具体的には、ＩｎＰ（３１１）Ｂ面、ＩｎＰ（４１１）Ａ面、ＩｎＰ（７７５）Ｂ面などであるが、これに限定されるものではない。また、傾斜基板１１がＧａＮ基板またはＡｌ₂ Ｏ₃ 基板である場合、その主面は、具体的には、ＧａＮ（１１−２０）面、ＧａＮ（１−１０２）面、Ａｌ₂ Ｏ₃ （１１−２０）面、Ａｌ₂ Ｏ₃ （１−１０２）面などであるが、これに限定されるものではない。

反射ミラー層１２の構造や材料などは、この半導体可飽和吸収体ミラーに入射する光を効率的に反射させることができるように適宜選択される。この反射ミラー層１２は、典型的には、例えば、互いに屈折率が異なる二種類の半導体層が交互に積層された半導体多層膜、すなわちＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector)が用いられるが、これに限定されるものではない。

半導体量子井戸層１３は、典型的には、歪量子井戸層と障壁層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。ここで、半導体量子井戸層１３の歪量子井戸層の混晶組成は、この半導体可飽和吸収体ミラーを用いるレーザ光発生装置に応じて決まる波長（例えば、１０６４ｎｍあるいは９１４ｎｍ）の光がこの歪量子井戸層によって吸収されるように選択されている。この歪量子井戸層は、傾斜基板１１上に成長させたことを反映して面内非対称な歪を有する。そして、この非対称な歪によりこの歪量子井戸層の価電子帯の分裂の非対称性が生じていることに起因して光吸収特性の偏光軸依存性が存在している。

半導体量子井戸層１３の歪量子井戸層は、傾斜基板１１との組み合わせによりその面内に非対称な歪が発生している。この歪量子井戸層は、ＧａＡｓ（３１１）Ｂ面、ＧａＡｓ（４１１）Ａ面、ＧａＡｓ（７７５）Ｂ面などとの組み合わせとしては、例えば、ＧａＩｎＡｓ系半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体、ＭｇＺｎＣｄＳｅ系半導体などからなるものが用いられるが、これに限定されるものではない。また、この歪量子井戸層は、ＩｎＰ（３１１）Ｂ面、ＩｎＰ（４１１）Ａ面、ＩｎＰ（７７５）Ｂ面などとの組み合わせとしては、例えば、ＡｌＧａＩｎＡｓ系半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体などからなるものが用いられるが、これに限定されるものではない。さらに、この歪量子井戸層は、ＧａＮ（１１−２０）面、ＧａＮ（１−１０２）面、Ａｌ₂ Ｏ₃ （１１−２０）面、Ａｌ₂ Ｏ₃ （１−１０２）面などとの組み合わせとしては、例えば、ＡｌＧａＩｎＮ系半導体からなるものが用いられるが、これに限定されるものではない。

傾斜基板１１は、反射ミラー層１２および半導体量子井戸層１３を成長させた後にそのまま残してもよいし、エッチングや研磨などにより除去してもよいし、あるいは薄膜化してもよい。傾斜基板１１をエッチングにより除去する場合には、好適には、傾斜基板１１と反射ミラー層１２との間にあらかじめエッチングストッパーを形成しておく。例えば、傾斜基板１１がＧａＡｓ基板である場合には、反射ミラー層１２の成長前にエッチングストッパーとしてＡｌＧａＡｓ層を成長させる。反射ミラー層１２として、ＡｌＧａＡｓ層を含むＤＢＲを用いる場合には、最下層のＡｌＧａＡｓ層をこのエッチングストッパーに用いてもよい。

〈実施例〉
傾斜基板１１として（３１１）Ｂ面ＧａＡｓ基板を用いた。この（３１１）Ｂ面ＧａＡｓ基板上に、厚さ９０．２ｎｍのＡｌＡｓ層と厚さ７６．４３ｎｍのＧａＡｓ層とを計３０対、交互に成長させてＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＤＢＲからなる反射ミラー層１２を形成した。その上にＧａＡｓ_0.75Ｐ_0.25層（障壁層）とＧａ_0.7 Ｉｎ_0.3 Ａｓ層（量子井戸層）とを交互に成長させてＧａＩｎＡｓ／ＧａＡｓＰ ＭＱＷ（井戸数は７）からなる半導体量子井戸層１３を成長させた。さらに、半導体量子井戸層１３上に劣化防止用のＧａＡｓキャップ層を成長させた。これらの半導体層の成長にはＭＯＣＶＤ法を用いた。こうして波長１０６４ｎｍのレーザ光の発振に用いて好適な半導体可飽和吸収体ミラーを得た。

以上のように、この第１の実施形態によれば、半導体可飽和吸収体ミラーを製造する際の成長基板として傾斜基板１１を用い、その上に反射ミラー層１２を介して歪量子井戸を含む可飽和吸収層としての半導体量子井戸層１３を成長させることで、歪量子井戸の面内に非対称な歪を発生させているので、光吸収特性の偏光軸依存性を有し、安定した偏光特性を得ることができる半導体可飽和吸収体ミラーを実現することができる。この半導体可飽和吸収体ミラーは、マイクロチップレーザやモノリシックレーザなどのコンパクトなレーザを含む各種のレーザにおいて共振器ミラーに用いて好適なものである。

次に、この発明の第２の実施形態によるレーザ光発生装置について説明する。このレーザ光発生装置を図２に示す。
図２に示すように、このレーザ光発生装置２０においては、励起光光源２１、シリンドリカルレンズ２２、コリメートレンズ２３、ダイクロイックミラー２４、集光レンズ２５およびレーザ共振器２６が同軸に配置されている。ここで、励起光光源２１、シリンドリカルレンズ２２、コリメートレンズ２３、ダイクロイックミラー２４および集光レンズ２５により励起光学系ユニットが構成されている。レーザ共振器２６においては、一方の共振器ミラーを構成するアウトプットカプラー２７と、他方の共振器ミラーを構成する、第１の実施形態による半導体可飽和吸収体ミラー２８とが、レーザ媒質２９を介して互いに対向して配置されている。励起光光源２１としては例えば半導体レーザが用いられるが、これに限定されるものではない。

レーザ媒質２９としては、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ₄ 、Ｎｄ：ＹＬＦ（ＹＬｉＦ₄ ）などを用いることができる。Ｎｄ：ＹＶＯ₄ の発振波長は１０６４ｎｍおよび１３４０ｎｍであり、Ｎｄ：ＹＬＦの発振波長は９１４ｎｍである。レーザ媒質２９としては、このほかに、例えば、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｐｒなどの希土類元素をドープした光学結晶またはガラスを用いることができ、さらに、例えばＧａＩｎＡｓ／ＧａＡｓＰ量子井戸をはじめとする化合物半導体を用いることもできる。レーザ媒質２９として化合物半導体を選択した場合は、半導体可飽和吸収体ミラー２８と一体化しても構わない。
半導体可飽和吸収体ミラー２８はレーザ媒質２９の受動Ｑスイッチとなるものである。上述のように、この半導体可飽和吸収体ミラー２８の歪量子井戸は面内に非対称な歪を有し、光吸収特性の偏光軸依存性が存在している。

次に、このレーザ光発生装置２０の動作について説明する。例えば半導体レーザからなる励起光光源２１から発生するレーザ光３０を、シリンドリカルレンズ２２、コリメートレンズ２３、ダイクロイックミラー２４および集光レンズ２５を通して、レーザ共振器２６に入射させる。レーザ共振器２６からの出射光は、集光レンズ２５を通り、ダイクロイックミラー２４で反射されて図２中下方に取り出され、レーザ光発生装置２０の外部にレーザ光３１が出力される。ここで、レーザ共振器２６からの出射光は半導体可飽和吸収体ミラー２８によって受動Ｑスイッチングされており、パルス出力となっている。この時、半導体可飽和吸収体ミラー２８の光吸収特性が偏光軸依存性を強く有するため、特定の偏光軸が優先的に選択され、直線偏光の出力レーザ光３１が安定して得られる。
このように、この第２の実施形態によれば、レーザ光発生装置の共振器ミラーとして第１の実施形態による半導体可飽和吸収体ミラー２８を用いているので、部品点数を増やすことなく、直線偏光のレーザ光３１を安定して得ることができるレーザ光発生装置を実現することができる。

次に、この発明の第３の実施形態によるレーザ光発生装置について説明する。このレーザ光発生装置は、第２の実施形態によるレーザ光発生装置２０をマスターレーザとして用いて、このレーザ光発生装置２０からの出力レーザ光から第２高調波を得るように構成したレーザ光発生装置である。
図３に示すように、このレーザ光発生装置６０は、マスター発振器６１と、ファイバーや半導体などを用いた増幅器６２、励起半導体レーザ６３および非線形光学結晶６４により構成されている。マスター発振器６１としては、第２の実施形態によるレーザ光発生装置２０が用いられ、波長１０６４ｎｍのレーザ光および波長９１４ｎｍのレーザ光が出力される。マスター発振器６１から出射されるレーザ光は増幅器６２において増幅される。この増幅器６２は、励起半導体レーザ６３から出射されるレーザ光により励起される。この増幅器６２で増幅されたレーザ光は非線形光学結晶６４に入射する。この非線形光学結晶６４はＳＨＧ（第２高調波発生）素子を構成し、この非線形光学結晶６４を通過することにより、波長１０６４ｎｍのレーザ光および波長９１４ｎｍのレーザ光が１／２波長変換されて、それぞれ緑（Ｇ）の光（波長５３２ｎｍ）および青（Ｂ）の光（波長４５７ｎｍ）が得られる。

以上のように、この第３の実施形態によれば、第２の実施形態によるレーザ光発生装置２０をマスター発振器６１として用い、このマスター発振器６１から発振されるレーザ光をＳＨＧ素子としての非線形光学結晶６４を通過させて１／２波長変換することにより、緑（Ｇ）のレーザ光および青（Ｂ）のレーザ光を得ることができる。さらに、赤（Ｒ）の光は通常の半導体レーザ（例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザなど）によって得ることができるため、図３のレーザ光発生装置６０とこの半導体レーザとを組み合わせることで、表示装置用のＲ、Ｇ、Ｂの３色の光源を得ることができる。

次に、この発明の第４の実施形態によるＧＬＶ（Grating Light Valve)ディスプレイについて説明する。このＧＬＶディスプレイは、第３の実施形態によるレーザ光発生装置６０と赤（Ｒ）の半導体レーザとを組み合わせたＲ、Ｇ、Ｂの３色の光源を用いたものである。図４にこのＧＬＶディスプレイを示す。
図４に示すように、このＧＬＶディスプレイ８０は、第３の実施形態によるレーザ光発生装置６０からなるレーザ光源８１、照明レンズ８２、ＧＬＶからなる光変調器８３、投射レンズ８４および走査ミラー８５を備え、レーザ光８６によりこのＧＬＶディスプレイ８０の外部に設けられたスクリーン８７に画像を表示するものである。

レーザ光源８１は、Ｒ、ＧおよびＢのうちの１色を表示するものであり、図示は省略するが、同様のレーザ光源があと２つ設けられ、全体でＲ、Ｇ、Ｂの３色の光源が配置されている。投射レンズ８４は、回折光だけを通すフィルターを内蔵している。走査ミラー８５は、図４中の矢印に示すように回動することにより、スクリーン８７の全体に対してレーザ光８６の走査を行うものである。例えば、毎秒６０回のプログレッシブスキャンで走査を行う。スクリーン８７には、例えば１９２０×１０８０画素の表示がなされるが、これに限定されるものではない。
この第４の実施形態によれば、レーザ光源８１として第３の実施形態によるレーザ光発生装置６０を用いているので、表示用のレーザ光８６が安定した偏光特性を有するため、高画質の表示が可能なＧＬＶディスプレイを実現することができる。

以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第１〜第４の実施形態において挙げた数値、材料、構造、形状、基板、構成、配置などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、構造、形状、基板、構成、配置などを用いてもよい。

この発明の第１の実施形態による半導体可飽和吸収体ミラーを示す断面図である。 この発明の第２の実施形態によるレーザ光発生装置を示す略線図である。 この発明の第３の実施形態によるレーザ光発生装置を示す略線図である。 この発明の第４の実施形態によるＧＬＶディスプレイを示す略線図である。 従来の半導体可飽和吸収体ミラーを示す断面図である。

符号の説明

１１…傾斜基板、１２…反射ミラー層、１３…半導体量子井戸層、２０…レーザ光発生装置、２６…レーザ共振器、２８…半導体可飽和吸収体ミラー、２９…レーザ媒質、６０…レーザ光発生装置、８０…ＧＬＶディスプレイ

Claims (8)

1. 反射ミラー層と、
   上記反射ミラー層上の歪量子井戸を含む可飽和吸収層とを有する半導体可飽和吸収体ミラーであって、
   上記歪量子井戸の面内に非対称な歪を有する
   ことを特徴とする半導体可飽和吸収体ミラー。
2. 上記反射ミラー層および上記可飽和吸収層は傾斜基板上に順次積層されていることを特徴とする請求項１記載の半導体可飽和吸収体ミラー。
3. 上記傾斜基板はＧａＡｓ基板であり、上記歪量子井戸はＧａＩｎＡｓ系半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体またはＭｇＺｎＣｄＳｅ系半導体からなることを特徴とする請求項２記載の半導体可飽和吸収体ミラー。
4. 上記傾斜基板はＩｎＰ基板であり、上記歪量子井戸はＡｌＧａＩｎＡｓ系半導体またはＡｌＧａＩｎＰ系半導体からなることを特徴とする請求項２記載の半導体可飽和吸収体ミラー。
5. 上記傾斜基板はＧａＮ基板またはＡｌ₂ Ｏ₃ 基板であり、上記歪量子井戸はＡｌＧａＩｎＮ系半導体からなることを特徴とする請求項２記載の半導体可飽和吸収体ミラー。
6. 反射ミラー層と、
   上記反射ミラー層上の歪量子井戸を含む可飽和吸収層とを有する半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法であって、
   傾斜基板上に上記反射ミラー層および上記可飽和吸収層を順次成長させるようにした
   ことを特徴とする半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法。
7. 半導体可飽和吸収体ミラーを共振器ミラーに用いたレーザ光発生装置において、
   上記半導体可飽和吸収体ミラーが、
   反射ミラー層と、
   上記反射ミラー層上の歪量子井戸を含む可飽和吸収層とを有する半導体可飽和吸収体ミラーであって、
   上記歪量子井戸の面内に非対称な歪を有するものである
   ことを特徴とするレーザ光発生装置。
8. 半導体可飽和吸収体ミラーを共振器ミラーに用いたレーザ光発生装置を有するレーザ光応用システムにおいて、
   上記半導体可飽和吸収体ミラーが、
   反射ミラー層と、
   上記反射ミラー層上の歪量子井戸を含む可飽和吸収層とを有する半導体可飽和吸収体ミラーであって、
   上記歪量子井戸の面内に非対称な歪を有するものである
   ことを特徴とするレーザ光応用システム。
   

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