JP2007314383A - 坩堝および薄板製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】防波堤構造106を有する坩堝101と、坩堝101の側壁上面の外周側であって坩堝101の側壁上面の内周側より低い位置に設置した断熱材105と、基板搬送手段120とを備えた薄板製造装置100において、防波堤構造106は、坩堝101の側壁上面の内周側にあり、防波堤構造106の上端が、断熱材106の上端より高い位置にある。
【選択図】図1
Description
本実施の形態における薄板製造装置を図1および図4を用いて説明する。図1は、本発明の薄板製造装置の構造を例示する概略図である。図4は、本発明の薄板製造装置の斜視図である。図1に示すように、薄板製造装置100は、防波堤構造106を有する坩堝101と、坩堝101の側壁上面の外周側であって坩堝101の側壁上面の内周側より低い位置に設置した断熱材105と、基板搬送手段120とを備えている。「防波堤構造」とは、「坩堝の側壁上面の内周側の少なくとも一部であって、坩堝の側壁上面の外周側より高くなっている部分」を意味する。薄板製造装置100において、加熱手段103により融解した溶湯102を坩堝101に収容し、溶湯102に基板104の表面104bを浸漬し、基板104の表面104bに溶湯102を付着させ、凝固成長させることにより、基板104上に薄板を形成する。基板搬送手段120は、溶湯102に基板104を浸漬し、溶湯102から基板104を取り出す機能を有する。
図2は、本実施の形態における薄板製造装置の斜視図である。図2を参照して、本発明の実施の形態2における薄板製造装置を説明する。本実施の形態における坩堝構成は、基本的には実施の形態1における薄板製造装置と同様であるが、防波堤構造および断熱材の配置において異なる。坩堝内の温度分布は、坩堝の形状および加熱手段により異なり、たとえば、図2に示すような直方体形状の坩堝201を使用して、誘導加熱手段203により加熱する場合、坩堝201の角部で磁束密度が高まるために温度が上昇しやすくなる。このため、坩堝の長辺部分の温度が最も低く、角部で最も温度が高くなる結果、溶湯202に温度分布が生じる。したがって、溶湯の温度が高い領域では、基板に溶湯が凝固成長せず、薄板の製造が困難になり、一方、温度が低い領域では凝固しやすくなり、凝固した原料と基板が接触すると、装置故障の原因となる。そこで、本実施の形態では、坩堝温度の低い長辺部分のみに断熱材205を設けており、溶湯の温度分布を均一化することができ、安定的に薄板を製造することが可能である。また、短辺方向には防波堤構造が必要ないため、より低い位置にまで基板を坩堝に接触させることができ、溶湯を効率的に使用することが可能である。
本実施例では、防波堤構造を設けることによる効果として、断熱材の状態と溶湯を保持するために必要な電力を調べた。本実施例では、図1に示すように、Siの溶湯102を収容する坩堝101の側壁上面に断熱材105を設置し、Si溶湯102が液揺れを起こすときに、溶湯102が坩堝101の外部へ溢れ出ることを防ぐための防波堤構造106を有する坩堝101を用いた。この断熱材105は坩堝101の側壁上面の外周側に設置し、坩堝101の側壁上面の内周側より低い位置に設置した。また、防波堤構造106の上端は、断熱材105の上端より高い位置にある坩堝101を使用した。また、Si薄板の製造は、図1に示すように、上述の防波堤構造106を有する坩堝101と、断熱材105と、坩堝101に収容された溶湯102を付着させ、凝固成長により薄板を形成するための基板104を、溶湯102に浸漬し、溶湯102から基板104を取り出す基板搬送手段120とを備える薄板製造装置100を用いて行なった。基板104の浸漬は、3日間実施し、断熱材の状態と電力の上昇分を調査した結果、防波堤構造106を設けることにより、溶湯102の溢れ出しを防止することができ、坩堝101上にある断熱材105は、3日間経過後もSiを含んでいなかった。また、融解状態の電力値は、3日間で3.5kw上昇した。その結果、表1に示す。
図3に示すような薄板製造装置を用い、防波堤構造を設けなかった以外は実施例1と同様にして、断熱材の状態と溶湯を保持するために必要な電力を調べた。すなわち、図3に示すように、Si溶湯302を収容する坩堝301に断熱材305を設置し、防波堤構造を設けることなく、加熱手段303を用いて、基板の浸漬を3日間実施した。断熱材の状態と電力の上昇分を表1に示す。表1から明らかなとおり、防波堤構造のない坩堝を用いて浸漬を行なった場合は、溶湯302の液揺れにより、溶湯302が坩堝301の外部へ溢れ出し、3日間を経過した後では、坩堝301上にある断熱材305はSiを含んでいた。また、融解状態を維持するための電力値は5.5kw上昇した。したがって、断熱材305がSiを含むことにより、断熱性が悪くなり、融解状態を保持するのに必要な電力が上昇したことがわかった。
本実施例では、図5に示すような薄板製造装置を用い、断熱材を坩堝上部の一部に設置したときの坩堝の温度分布を調査した。本実施例では、長辺300mm、短辺250mm、深さ600mmの坩堝を用いた。また、黒鉛繊維をフェルト加工した断熱材を用い、図5(b)に示すように、長辺側に、長さ250mm、幅25mm、厚さ3mmの断熱材505aを用い、短辺側に、長さ125mm、幅20mm、厚さ2mmの断熱材505bを用いた。一方、図5(c)では、長辺にのみ長さ100mm、幅20mm、厚み3mmの断熱材505cを用いた。図5(b)と図5(c)に示すように、断熱材はそれぞれ長辺、短辺の中央に配置し、防波堤構造506を有する坩堝を用いた。坩堝温度の測定は、W−Re熱電対を用いて行ない、また、図5(a)には、参考例として、断熱材と防波堤構造のない態様について測温した。その他の点では、実施例1と同様に実施した。その結果を表2に示す。
Claims (2)
- 金属材料および半導体材料のうち少なくとも一方を含む材料の溶湯を収容可能な坩堝であって、
該坩堝の側壁上面の内周側の少なくとも一部が、前記坩堝の側壁上面の外周側より高い位置にある坩堝。 - 請求項1に記載の坩堝と、
該坩堝の側壁上面の外周側であって前記坩堝の側壁上面の内周側より低い位置に設置する断熱材と、
前記坩堝に収容された溶湯を付着させて凝固成長により薄板を形成するための基板を前記溶湯に浸漬し、前記溶湯から前記基板を取り出す基板搬送手段と
を備える薄板製造装置。
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2006
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