JP2007306348A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】回路規模を大きくすることなく、線形性のあるA/D変換を高速に行うことを可能とする。
【解決手段】入射光量を電気信号に変換する複数の画素101xを有し、該画素101xから得られるアナログ信号をデジタル信号に変換する複数のアナログ−デジタル変換装置12を有する固体撮像装置1において、前記アナログ−デジタル変換装置12は、参照信号(参照電圧RAMP)と画素から得られるアナログ信号とを比較する比較器102xを有し、前記比較器102xは参照信号成分と画素101xから得られるアナログ信号成分との間にオフセットを発生することを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、固体撮像装置に関する。
従来の列並列にアナログ−デジタル変換器(A/D変換器)が配置された固体撮像装置における比較器の動作を図9の動作タイミング図に示す。
従来の列並列に配置されたA/D変換器は、入力信号に対する出力信号値が安定的に理想的な変換特性を持つようにすることを目的としたものとして、例えば図9に示すように、比較器のリセットが終了した後に、参照電圧Vsawをマイナス側にシフトさせ、変換特性の非線形な部分が使用されるのを無くし、線形性のある変換特性が得られるようにしている(特許文献1参照。)。これは、参照電圧発生回路内部の機能により、参照電圧にオフセットを設けてA/D変換することを特徴としている。なお、図面のRSは読み出しスイッチ素子、RDはリセットスイッチ素子、Vsigは電流増幅器の出力電圧、S1〜S3はスイッチ素子、Vsawは基準電圧(例えば参照電圧RAMP)、VMはコンデンサ側の入力電圧、Voutはインバータの出力電圧、Vthはインバータの閾値電圧、VHはVoutの高(High)レベル電圧、VLはVoutの低(Low)レベル電圧を示す。
また、寄生容量の影響を無くしてアナログ−デジタル変換特性を改善した比較器の一例を図10の回路構成図に示す。図10に示すように、インバータA1の入力側に直列にバッファアンプA2を接続し、バッファアンプA2の入力側とインバータA1の出力側との間にスイッチS3AとS3Bとを直列に接続し、このスイッチS3AとS3Bとの接続点とアースラインと間にスイッチS3Cを接続した構成が開示されている。この回路構成では、リセット時に、スイッチS3AとS3Bをオンし、基準電圧Vsawが変化するとき、スイッチS3Cがオンされて、出力電圧の変化が入力側に及ばないようにしている(特許文献1参照。)。
しかし、このような回路構成であると、参照電圧発生回路にオフセットをつける機能を持たせる分、参照電圧発生回路の回路規模が大きくなっている。また、参照電圧Vsawが列並列A/D変換器のすべての比較器に入るため、多量の入力容量をチャージすることとなり、参照電圧が安定するまでに時間を要し、線形性のあるA/D変換を行うには、A/D変換の時間が増大する。
特開2000−286706号公報
解決しようとする問題点は、参照電圧にオフセットを設けてA/D変換するには、参照電圧発生回路にオフセットをつける機能を持たせる分、参照電圧発生回路の回路規模が大きくなる点であり、また参照電圧が安定するまでに時間を要し、さらに線形性のある変換特性を得ようとするには、A/D変換の時間が増大する点である。
本発明は、回路規模を大きくすることなく、線形性のあるA/D変換を高速に行うことを課題とする。
本発明の固体撮像装置は、入射光量を電気信号に変換する複数の画素を有し、該画素から得られるアナログ信号をデジタル信号に変換する複数のアナログ−デジタル変換装置を有する固体撮像装置において、前記アナログ−デジタル変換装置は、参照信号と画素から得られるアナログ信号とを比較する比較器を有し、前記比較器は参照信号成分と画素から得られるアナログ信号成分との間にオフセットを発生することを特徴とする。
上記固体撮像装置では、比較器は参照信号成分と画素から得られるアナログ信号成分との間にオフセットを発生することから、比較器のリセット解除後に、強制的にオフセットが付くことになる。
本発明の固体撮像装置によれば、比較器のリセット解除後に、強制的にオフセットが付くことになるので、確実なA/D変換を行うことができるという利点がある。またこれによって、参照電圧信号が線形性のある期間で比較を行うことができ、線形性のあるA/D変換特性が得られる。さらに、余分な電荷をチャージする期間を設ける必要が無くなるので、高速にA/D変換が可能となるという利点がある。
本発明の固体撮像装置に係る一実施の形態を、図1の回路図および図2のブロック図によって説明する。図1では、本発明の第1実施例を説明する固体撮像装置としてのCMOSイメージセンサにおけるアナログ/デジタル変換装置の比較器を示し、図2では、そのCMOSイメージセンサを示す。
まず図2に示すように、固体撮像装置1は、複数の単位画素(以下、単に画素という)101a、101b、…(代表して101xと表す)が複数、例えばマトリックス状に2次元配置されていて、画素アレイ11を構成している。上記各画素101xは、例えばフォトダイオードと画素内アンプとから構成されている。
列並列アナログ/デジタル変換装置(以下、列並列A/D変換装置と略記する。)12は、参照信号(参照電圧)を生成する参照信号生成部104から生成される参照信号(参照電圧)RAMPと、行線H0、H1、…(代表してHxと記す)毎に単位画素101xから列線V0、V1、…(代表してVxと記す)を経由して得られるアナログ信号とを比較するもので、例えば各列線V0、V1、…毎に配置された比較器102x(102a、102b、…)と、比較完了までの比較時間をカウントし、その結果を保持するカウンタ(例えばアップダウンカウンタ)103x(103a、103b、…)とからなり、nビット(nは自然数)デジタル信号変換機能を有する。
水平出力線16は、n(nは自然数)ビット幅の出力線と、それぞれの出力線に対応したn個のセンス回路および出力回路とから構成される。また、画素アレイ11の信号を順次読み出すための制御回路として、内部クロックを生成するタイミング制御回路13、行アドレスや行走査を制御する行走査回路14、そして列アドレスや列走査を制御する列走査回路15が配置されている。
上記カウンタ103xは、構成を簡略化するためには、アップダウンカウンタ構成とすることが望ましい。さらにカウント結果を保持するメモリ手段を備えることで、列並列A/D変換装置12による比較及びカウントと出力との並列動作が可能となるため、より好ましい。
次に、上記比較器102について、図1のブロック図によって説明する。
図1に示すように、比較器102xは、画素から得られるアナログ信号と参照信号生成部104から生成される参照電圧RAMPの比較を行うものである。比較器102は、少なくとも初段に差動増幅器109を有し、この差動増幅器109の入力側、すなわち参照信号RAMPが入力される側に入力素子111、画素からのアナログ信号が入力される側に入力素子112を備え、上記RAMP入力と入力素子111との間に容量素子107、上記アナログ入力と入力素子112との間に容量素子108を備えている。また、上記入力素子111にスイッチ素子(リセットスイッチ)105を備え、上記入力素子112にスイッチ素子(リセットスイッチ)106を備え、上記スイッチ素子105、106が非対称に構成されている。例えば、上記スイッチ素子105、106はサイズが異なるもので形成されている。例えばスイッチ素子106のゲート長L、ゲート幅Wとすると、スイッチ素子105は、例えばN倍のゲート幅N*Wに形成され、ゲート長はLに形成されている。
すなわち、スイッチ素子(リセットスイッチ)105、106は、VSLin側のスイッチ素子106のサイズがW/Lであり、VREFin側のスイッチ素子105のサイズが(N*W)/Lであり、画素から得られるアナログ信号が入力される素子に接続されているリセットスイッチであるスイッチ素子106に対し、参照電圧VREFが入力される素子に接続されているリセットスイッチであるスイッチ素子105のサイズが大きい。これによって、VREFin側のスイッチ素子105に容量が付くことになる。
なお、スイッチ素子105、106を同一のサイズに形成し、どちらか一方のスイッチ素子の少なくとも一方に容量を付けることでも、非対称な構成とすることができる。
上記比較器102xでは、画素101xから得られるアナログ信号がVSLに、参照電圧RAMPがVREFに入力される。第1回目の読み出しが安定し、比較器102xによって比較を行う前に、XRESET信号に“L(Low)”レベルが入力される。この動作により、比較器102xに用いられている初段の差動増幅器109の動作点を決定し、初段の差動増幅器109の動作点とそれぞれの入力電圧の差分が容量素子107、容量素子108にサンプル(保持)される。この動作により、列並列に配置された比較器の差動増幅器109のオフセットを除去し、固定パターンノイズを低減する効果がある。
次に、本発明の固体撮像装置の動作を、図3の動作タイミング図および前記図2のブロック図を用いて説明する。
図3および図2に示すように、まず、比較器102xのXRESETにリセット信号を入力して比較器102xをリセットし、比較器102xの両側(入出力側)の電位を同一にする。そこから、VREFがスロープして、リセットレベルのA/D変換を行い、その後に信号のA/D変換を行う。すなわち、任意の行線Hx(H0、H1、…)の単位画素12から列線V0、V1…への1回目の読み出しが安定した後、比較器102x(102a、102b、…)に、画素から得られた列線Vx(V0、V1、…)からのアナログ信号と、参照信号生成部104により生成される参照信号(参照電圧RAMP)を入力し、上記2つの信号の比較を行う。比較を行う際、参照電圧RAMPを時間的に変化する階段状の波形とする。参照電圧RAMPが時間的に変化すると同時に、アップダウンカウンタ103x(102a、102b、…)でダウンカウントがなされる。
時間的に変化する階段状の波形である参照電圧RAMPと任意の画素から得られるアナログ信号Vxが等しくなった時、比較器102xの出力は反転し、アップダウンカウンタ103xのダウンカウントがストップし、比較期間に応じたカウントが保持される。この1回目の読み出し時は、単位画素12のリセット成分ΔVを読み出しており、本発明の例では7ビット分のカウント期間を設けて、ΔVの比較を行っている。
2回目の読み出しは、ΔVに加え、単位画素12毎の入射光量に応じた信号成分を読み出し、1回目の読み出しと同様の動作を行う。すなわち、任意の行Hxの単位画素12から列線Vxへの2回目の読み出しが安定した後、比較器102xに、画素から得られたアナログ信号Vxと、参照信号生成部104により生成される参照電圧RAMPを入力し、上記2つの信号の比較を行う。
比較を行う際、参照電圧RAMPを時間的に変化する階段状の波形とする。参照電圧RAMPが時間的に変化すると同時に、アップダウンカウンタ103xでアップカウントがなされる。すなわち、信号線レベルのA/D変換期間をアップカウントする。そして時間的に変化する階段状の波形である参照電圧RAMPと任意の画素から得られるアナログ信号Vxが等しくなった時、比較器の102xの出力は反転し、アップダウンカウンタ103xのアップカウントがストップし、同時に1回目の比較期間に応じたカウント値から2回目の比較期間に応じたカウント値の差分のカウント値が得られる。この時点で、既に相関二重サンプリング(CDS)されている。そして、リセット信号を除いたA/D変換が成される。そして、カウンタ103xに残ったデータは信号線のカウンタデータのみとなる。
以上のA/D変換期間終了後、列走査回路15により、差分カウント値が画素信号デジタル出力値として外部に出力され、その後、順次行毎に同様の動作が繰り返され、2次元画像が得られる。
次に、上記のAD変換動作における比較器102xの動作について、図4の比較器内部の動作タイミング図によって説明する。
図4に示すように、比較器102xの動作を表しているのが、XRESETが“L(Low)”レベル期間中のVREFinとVSLinである。比較器102xは、入力部にVSL(画素からのアナログ信号のV0,V1,…)とVREF(参照信号RAMP)とが入力されるが、まず、一度リセットをかける。リセット信号XRESETで入力VSL、VREFを接続して、比較器102x内部の動作点でVSLin、VREFinが決まる(これはリセット中に決まる)。この状態から、XRESET信号に“H(High)”レベルを入力し、参照電圧VREFを時間的に変化させ、比較を行うが、初段の差動増幅器109が対称性を持っているとすると、その入力部は、リセットを解除した後も同電位となる。このことにより、参照電圧VREFを時間的に変化させ、比較を行う期間には、VREFinとVSLinが同電位となる点が存在しなくなる。
そこで、従来技術のように、比較を行う際に、比較器をリセットした後に、参照信号生成部104により、参照電圧にオフセットを与え、参照電圧VREFの信号成分が伝わるVREFinを、VSLinより高い電位にすることで、比較期間に必ずVREFinとVSLinが同電位になる期間が発生する機構にし、参照電圧VREFが線形性を持つ期間で比較を行えるようにしたのでは、参照電圧にオフセットを持たせるために参照信号生成部に機能を設けると面積が大きくなる。また、参照電圧VREFにリセット信号XRESETが“H”レベルになった後にオフセットを与えることにより、参照電圧VREFは、多数の列並列の比較器に同時に入力される為、総合容量をチャージする時間が必要となり、A/D変換時間を増大させることとなる。すなわち、図5に示すように、領域Aで参照電圧RAMPにオフセット成分(図面の点線)を付けると、オフセット電圧値までチャージする時間を要するので、RAMPが非線型である領域B、Cで比較するとアナログ−デジタル変換期間を長く取る必要が生じる。また、図6に示すように、初段の差動増幅器109の入力にオフセットがあり、参照電圧RAMPが線形なところで比較すると、アナログ−デジタル変換特性も線形になる。一方、初段の差動増幅器109の入力にオフセットがない場合には、アナログ−デジタル変換特性も非線形になる。
この問題を解決すべく、本発明では、前記図1によって説明したように、比較器のリセットを行うために接続されたスイッチ素子(リセットスイッチ)105およびスイッチ素子(リセットスイッチ)106の2対を非対称とし、リセット信号XRESETが“H”レベルと成る際に、強制的に差動増幅器110の入力にオフセットを持たせている。オフセットを持たせることによって、リセットからスロープした際に、VSLinとVREFinとを交差(反転)させている。
すなわち、画素から得られるアナログ信号が入力される素子に接続されているリセットスイッチであるスイッチ素子106に対し、参照電圧VREFが入力される素子に接続されているリセットスイッチであるスイッチ素子105のサイズが大きいことによって、VREFin側のスイッチ素子105に容量が付いている。この構成とすることで、リセット信号XRESETが“H”になる際に、参照電圧VREFが入力される差動増幅器110の入力側がスイッチ素子105のオーバーラップ容量が大きいことにより、高い電位に持ち上げられる。
つまり、リセットを切った瞬間に、スイッチ素子105に付いた容量に引っ張られて、VREFinの電位が持ち上がることになる。ここで持ち上げられる電位量が上記スイッチ素子105に付いた容量で決まるので、リセットを切った時点でVREFin側が持ち上がる。すると、VREFinを持ち上げなくても、内部でスイッチ素子(リセットスイッチ)105に付いている寄生容量は、カラムに付いているVREFinからみえる容量よりも小さいので、リセットを切った瞬間に、この寄生容量にオフセットを付けることができる。
要するに、これにより、簡易に2つの信号に差分を持たせることが可能となり、参照信号生成部104にオフセット機能を追加する必要がなく、小面積化が可能となる。また、オフセット成分をチャージする期間が短く、A/D変換期間を短くし、高速化が可能となる。
また、オフセットが付いていても、リセットレベルをA/D変換し、信号レベルをA/D変換し、その差分を取るため、オフセットは消えることになる。したがって、比較器102x内でオフセットを付けることが問題とはならない。
また、図7に示すように、比較器102a、102b、…それぞれの配線抵抗、入力容量等が付随しているために、RAMP信号が時間的に平坦になる。さらに、図8に示すように、RAMP信号は、参照電圧VREFの時間的に変化した直後の波形は信号に付く寄生抵抗、寄生容量、比較器の容量素子(入力容量)によるフィルタ特性により非線形となる。従来技術では、RAMP信号が非線形な状態で、VSLinとVREFinとが反転すると、非線形な状態でA/D変換されることになる。一方、本発明の固体撮像装置Pでは、比較器102x内のスイッチ素子(リセットスイッチ)105、106のサイズを変えるだけで、比較器102x内部で信号にオフセットを付けることが可能になり、高速でありながら、RAMP信号の非線形な部分を用いず、RAMP信号の線形領域におけるA/D変換が可能になる。
本発明の固体撮像装置に係る一実施の形態を示した回路図である。 本発明の固体撮像装置に係る一実施の形態を示したブロック図である。 本発明の固体撮像装置の動作を示した動作タイミング図である。 比較器内部の動作タイミング図である。 参照電圧PAMPにオフセットを付けた場合のRAMP波形図である。 オフセットの有無によるアナログ−デジタル変換特性図である。 比較器の寄生容量を説明するブロック図である。 寄生容量によるRAMPが時間的に変化したty区後のフィルタ特性図である。 従来の固体撮像装置のアナログ−デジタル変換器の動作を示した動作タイミング図である。 従来の比較器の回路構成を示した回路図である。
符号の説明
1…固体撮像装置、12…アナログ−デジタル変換装置、101x…画素、102x…比較器

Claims (2)

  1. 入射光量を電気信号に変換する複数の画素を有し、該画素から得られるアナログ信号をデジタル信号に変換する複数のアナログ−デジタル変換装置を有する固体撮像装置において、
    前記アナログ−デジタル変換装置は、
    参照信号と画素から得られるアナログ信号とを比較する比較器を有し、
    前記比較器は参照信号成分と画素から得られるアナログ信号成分との間にオフセットを発生する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記比較器は、少なくとも差動増幅器を有し、
    前記参照信号の入力と画素から得られるアナログ信号の入力と、前記差動増幅器の2つの入力との間に直列に接続された容量素子と、
    前記差動増幅器に設けられた二つの入力素子の各々に接続されたスイッチ素子とを備え、
    前記二つのスイッチ素子が非対称に構成されている
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009101996A1 (ja) * 2008-02-14 2009-08-20 Sony Corporation クランプ制御方法、クランプ補正装置、イメージセンサ、および、電子機器
CN103369268A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 索尼公司 固态成像装置、输出成像信号的方法和电子装置
JP2014033363A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Olympus Corp 撮像装置
WO2020053921A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 オリンパス株式会社 半導体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232706A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Nec Corp 比較器
JPH1014099A (ja) * 1996-06-21 1998-01-16 Nec Corp 過電流検出回路
JP2005323331A (ja) * 2004-02-23 2005-11-17 Sony Corp Ad変換方法およびad変換装置並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器
JP2006340044A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置におけるアナログ−デジタル変換方法および撮像装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232706A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Nec Corp 比較器
JPH1014099A (ja) * 1996-06-21 1998-01-16 Nec Corp 過電流検出回路
JP2005323331A (ja) * 2004-02-23 2005-11-17 Sony Corp Ad変換方法およびad変換装置並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器
JP2006340044A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置におけるアナログ−デジタル変換方法および撮像装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009101996A1 (ja) * 2008-02-14 2009-08-20 Sony Corporation クランプ制御方法、クランプ補正装置、イメージセンサ、および、電子機器
JP2009219107A (ja) * 2008-02-14 2009-09-24 Sony Corp クランプ制御方法、クランプ補正装置、イメージセンサ、および、電子機器
US8310568B2 (en) 2008-02-14 2012-11-13 Sony Corporation Clamp control method, clamp correction device, image sensor, and electronic apparatus
CN103369268A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 索尼公司 固态成像装置、输出成像信号的方法和电子装置
CN103369268B (zh) * 2012-03-28 2017-12-15 索尼公司 固态成像装置、输出成像信号的方法和电子装置
JP2014033363A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Olympus Corp 撮像装置
WO2020053921A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 オリンパス株式会社 半導体装置
JPWO2020053921A1 (ja) * 2018-09-10 2021-08-30 オリンパス株式会社 半導体装置
JP7190499B2 (ja) 2018-09-10 2022-12-15 オリンパス株式会社 半導体装置
US11546541B2 (en) 2018-09-10 2023-01-03 Olympus Corporation Semiconductor device

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