JP2007294159A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、
プラズマを発生させる空間を有するチャンバに取り付けられるマイクロ波導入器であって、
前記マイクロ波導入器は、前記チャンバの壁面から前記プラズマを発生させる空間に向けて突出した導波体と、前記導波体の先端に設けられ前記プラズマを発生させる空間にマイクロ波を放射させる放射部と、を備え、
前記導波体は、内導体と、前記内導体の外側に設けられた外導体と、前記内導体と前記外導体の間に設けられマイクロ波を伝搬する内部充填部と、を有し、
前記内導体は、前記放射部を貫通せず前記放射部の内部に突出していること、を特徴とするマイクロ波導入器が提供される。

マイクロ波導入器１００は、プラズマを発生させる空間８００に向けてチャンバ３００の壁面からチャンバ３００の内側（同図の下側）の減圧空間に向けて突出するように取り付けられる。このマイクロ波導入器１００には、チャンバ３００の外側から、導波管２００を介してマイクロ波ＭＷが導入される。図１に表した具体例の場合、内導体１００ａ、外導体１００ｂ、外部被覆部１００ｄ、内部充填部１００ｃ、放射部１００ｅは、それぞれ円形断面を有する。これら円形の直径は、内導体１００ａが最も小さく、内部充填部１００ｃ、外導体１００ｂ、外部被覆部１００ｄ、放射部１００ｅの順に大きくなる。例えば、内導体１００ａの直径はφ４ミリメータ、内部充填部１００ｃはφ１０ミリメータ、外導体１００ｂはφ１４ミリメータ、外部被覆部１００ｄがφ２０ミリメータとすることができる。

本実験例では、マイクロ導入器にマイクロ波を伝搬させたときの電界強度比分布をシミュレーションにより構造解析を行った。
ここで、導波体１０１の上端は、チャンバ３００の上面に対して略垂直方向に接続されている。導波体１０１の下端は、チャンバ内壁と略平行に設けられた放射部１００ｅの中央に接続されている。内導体１００ａの下端は、放射部１００ｅを貫通せずに放射部１００ｅの内部に突出した構造を有する。構造解析は、例えば、株式会社エー・イー・ティ・ジャパン社製の「ＭＷ−Ｓｔｕｄｉｏ」を用いて行うことができる。電界強度比分布は、モノトーン色の濃淡で表し、電界強度比が高い程濃く、低いほど淡くなるように表示した。
放射部１００ｅは、直径をφ１０１ミリメータとし、厚さを１０ミリメータとする。内導体１００ａの突出寸法Ｈ２は、約２ミリメータとする。
図５から、電界強度は、放射部１００ｅの端部が特に高く、導波体１０１の下端、導波体１０１の上端、の順に小さくなることが分かる。このように電界強度の高い放射部１００ｅをチャンバ３００の上面から離して設けることで、チャンバ３００の内壁などがスパッタリングされるのを抑制することができる。

Claims (1)

1. プラズマを発生させる空間を有するチャンバに取り付けられるマイクロ波導入器であって、
   前記マイクロ波導入器は、前記チャンバの壁面から前記プラズマを発生させる空間に向けて突出した導波体と、前記導波体の先端に設けられ前記プラズマを発生させる空間にマイクロ波を放射させる放射部と、
   を備え、
   前記導波体は、内導体と、前記内導体の外側に設けられた外導体と、前記内導体と前記外導体との間に設けられマイクロ波を伝搬する内部充填部と、を有し、
   前記内導体は、前記放射部を貫通せず前記放射部の内部に突出していること、を特徴とするマイクロ波導入器。