JP2007287457A - Organic el display element and its manufacturing method - Google Patents

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Makoto Uchiumi
誠 内海
Yukinori Kawamura
幸則 河村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display element capable of preventing occurrence of a dark spot by blocking certainly invasion of moisture and oxygen into the organic EL layer from a color conversion filter layer, and its manufacturing method. <P>SOLUTION: The organic EL display element comprises a first aperture part 30a in which a second passivation layer 30 forms a pixel region by connecting a first electrode 20a to an organic EL layer 60, a second aperture part 30b to connect a second drawing electrode 20c to a second electrode 70, and a third and a fourth apertures 30c, 30d to connect the first and the second drawing electrodes 20b, 20c respectively to an external drive circuit. The shoulder part of each electrode of the first electrode 20a, the first drawing electrode 20b, and the second drawing electrode 20c is covered. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ELディスプレイパネルに用いて好適な有機EL表示素子およびその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL display element suitable for use in an organic EL display panel and a method for producing the same.

有機ELディスプレイパネルの作製方式としては、電界をかけることにより赤・青・緑にそれぞれ発光する有機EL素子を配列する「3色発光方式」、および、有機EL素子の発する白色の発光を、カラーフィルタでカットし、赤・青・緑を表現する「カラーフィルタ方式」、さらに、有機EL素子の発する近紫外光、青色光、青緑色光または白色光を吸収し、波長分布変換を行って可視光域の光を発光する色変換色素を含む色変換層を用いる「色変換方式」が提案されている。   The organic EL display panel can be manufactured using the “three-color light emission method” in which organic EL elements that emit light in red, blue, and green are arranged by applying an electric field, and the white light emitted by the organic EL elements in color. “Color filter method” that expresses red, blue, and green by cutting with a filter, absorbs near-ultraviolet light, blue light, blue-green light, or white light emitted by organic EL elements, and converts the wavelength distribution to visible A “color conversion method” using a color conversion layer including a color conversion dye that emits light in the light region has been proposed.

これらの方式の内、成膜時に精細なメタルマスクを用いる必要がなく、フォトプロセスを用いて所望の形状および配列を有するカラーフィルタ層および/または色変換層(以下総称して「色変換フィルタ層」という。)を形成することができるという点において、「カラーフィルタ方式」および「色変換方式」がディスプレイパネルの大画面化および高精細化に有利であると考えられている。   Of these methods, it is not necessary to use a fine metal mask during film formation, and a color filter layer and / or a color conversion layer (hereinafter collectively referred to as a “color conversion filter layer”) having a desired shape and arrangement using a photo process. It is considered that the “color filter method” and the “color conversion method” are advantageous for increasing the screen size and the definition of the display panel.

カラーディスプレイパネルとしての実用上の重要課題は、精細なカラー表示機能を有すると共に、色再現性を含め長期的な安定性を有することである。しかしながら、カラー有機ELディスプレイパネルには、一定期間の駆動により発光特性(電流−輝度特性)が著しく低下するという欠点を有している。
この発光特性の低下原因の代表的なものは、ダークスポットの成長である。このダークスポットとは、発光欠陥点のことである。駆動時および保存中に酸化が進むとダークスポットの成長が進み、発光面全体に広がる。このダークスポットは、素子中の酸素または水分により、素子を構成する積層材料の酸化または凝集によるものと考えられている。その成長は、通電中はもちろん、保存中にも進行し、特に(1)素子の周囲に存在する酸素または水分により加速され、(2)有機積層膜中に吸着物として存在する酸素または水分に影響され、および(3)素子作製時の部品に吸着している水分あるいは製造時等における水分の侵入にも影響されると考えられている。
An important practical issue as a color display panel is to have a fine color display function and long-term stability including color reproducibility. However, the color organic EL display panel has a drawback that the light emission characteristics (current-luminance characteristics) are remarkably lowered by driving for a certain period.
A typical cause of the deterioration of the light emission characteristics is the growth of dark spots. This dark spot is a light emitting defect point. When oxidation proceeds during driving and during storage, the growth of dark spots proceeds and spreads over the entire light emitting surface. This dark spot is considered to be caused by oxidation or aggregation of the laminated material constituting the element due to oxygen or moisture in the element. The growth proceeds not only during energization but also during storage. In particular, the growth is accelerated by (1) oxygen or moisture present around the element, and (2) oxygen or moisture present as an adsorbate in the organic laminated film. And (3) it is considered that it is also affected by moisture adsorbed on components at the time of device fabrication or moisture intrusion at the time of production.

この水分の供給源として、カラーフィルタ層および/または色変換層に内在する水分が放出されていることが考えられている。有機EL素子への水分の侵入を妨げる手法として、蛍光体層(色変換層)と有機EL素子との間に膜厚0.01〜200μmの無機酸化物層を配設すること(特許文献1)、色変換層を被覆する平坦化層に無機酸化物を用いること(特許文献2)とし、水分・酸素遮断層(パッシベーション層)として機能させることが提案されている。   As a moisture supply source, it is considered that moisture inherent in the color filter layer and / or the color conversion layer is released. As a technique for preventing moisture from entering the organic EL element, an inorganic oxide layer having a thickness of 0.01 to 200 μm is disposed between the phosphor layer (color conversion layer) and the organic EL element (Patent Document 1). It has been proposed to use an inorganic oxide for the flattening layer covering the color conversion layer (Patent Document 2) and to function as a moisture / oxygen barrier layer (passivation layer).

しかしながら、水分・酸素遮断層を用いたパネルにおいても長時間の駆動において、水分・酸素遮断層上に形成した電極の間を起点としてダークスポットが成長することが、発明者らの実験によって分かっている。これは、水分・酸素遮断層を形成する際に生じるピンホールや、ゴミの付着に由来する膜形成の不良部分が生じるため、電極で被覆されない部分から水分・酸素が有機EL素子に侵入するためであった。   However, even in the panel using the moisture / oxygen barrier layer, it has been found through experiments by the inventors that a dark spot grows between the electrodes formed on the moisture / oxygen barrier layer when driven for a long time. Yes. This is because pinholes generated when the moisture / oxygen barrier layer is formed and film formation defects due to adhesion of dust occur, so that moisture / oxygen enters the organic EL element from the portions not covered by the electrodes. Met.

この欠陥を補うため、上記の構造に付加し、電極間に水分・酸素遮断層を形成する方法がある(特許文献3)。特許文献3は、リフトオフ法を用いて電極間に絶縁性無機化合物膜からなる第2のパッシベーション層を形成する方法であるが、パッシベーション層と電極との間隙から水分・酸素が有機EL素子に侵入する欠点がある。また、リフトオフ法はリフトオフレジストの形状の均一性、製膜粒子のリフトオフレジストに対する被覆の状態の均一性を維持することが難しいため、リフトオフを行う際に、基板上に残渣物を残す傾向が見られる。この残渣物は、陰極・陽極間の短絡の起点になるなどの不具合を発生させる。更に基板が大型化するに従いリフトオフの面内の制御の難しさが増す欠点を有している。
特開平8−27939号公報 特許第3304287号公報 特開2004−39311号公報 特開2005−26103号公報
In order to compensate for this defect, there is a method in which a moisture / oxygen barrier layer is formed between the electrodes in addition to the above structure (Patent Document 3). Patent Document 3 is a method of forming a second passivation layer made of an insulating inorganic compound film between electrodes using a lift-off method, and moisture / oxygen enters the organic EL element from the gap between the passivation layer and the electrode. There are drawbacks. In addition, since it is difficult to maintain the uniformity of the lift-off resist shape and the uniformity of the coating state of the film-forming particles with respect to the lift-off resist, the lift-off method tends to leave a residue on the substrate during the lift-off process. It is done. This residue causes problems such as a starting point of a short circuit between the cathode and the anode. Furthermore, there is a drawback that the difficulty of controlling the lift-off plane increases as the substrate becomes larger.
JP-A-8-27939 Japanese Patent No. 3304287 JP 2004-39311 A JP 2005-26103 A

リフトオフ法の面内制御の難しさを解決する方法として、ドライエッチングにより無機絶縁膜をパターニングする方法(特許文献4)があり、ドライエッチング法は、面内の均一性が高いエッチングが行えるが、特許文献3のように第1、第2のパッシベーション膜が同一材料であるものに単にドライエッチング法を採用するだけでは、第2のパッシベーション膜をエッチングする際に第1のパッシベーション膜をエッチングしてしまう恐れがあり、第1のパッシベーション膜がエッチングされる結果、水分・酸素の遮断性能が低下してしまう問題点がある。   As a method for solving the difficulty of in-plane control of the lift-off method, there is a method of patterning an inorganic insulating film by dry etching (Patent Document 4), and the dry etching method can perform etching with high in-plane uniformity. If the first and second passivation films are made of the same material as in Patent Document 3, simply adopting the dry etching method, the first passivation film is etched when the second passivation film is etched. As a result of etching the first passivation film, there is a problem that the moisture / oxygen blocking performance is lowered.

本発明は、上述の点に鑑み、第2のパッシベーション層の開口部をドライエッチングにより形成する場合であっても、色変換フィルタ層から有機EL層への水分および酸素の侵入を確実に阻止して、ダークスポットの発生を防止することができる有機EL表示素子およびその製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above points, the present invention reliably prevents moisture and oxygen from entering the organic EL layer from the color conversion filter layer even when the opening of the second passivation layer is formed by dry etching. An object of the present invention is to provide an organic EL display element capable of preventing the occurrence of dark spots and a method for manufacturing the same.

上述の目的を達成するため、本発明の有機EL表示素子は、透明基板上に、少なくとも、パターン化された色変換フィルタ層が形成され、その上に第1のパッシベーション層が形成されてなる色変換フィルタ基板を備え、色変換フィルタ層に対応してパターン化された第1の電極と、それに続く第1の引き出し電極と、第1の電極の上に形成される有機EL層と、有機EL層を挟んで第1の電極に対向配置される第2の電極と、第2の電極に接続される第2の引き出し電極とを色変換フィルタ基板上に備える有機EL表示素子であって、第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極が、色変換フィルタ基板の表面上にパターン化されて形成され、各電極の表面および各電極の間の色変換フィルタ基板の表面を被覆するパッシベーション膜からなる第2のパッシベーション層を備え、第2のパッシベーション層が、第1の電極をストッパとしてパッシベーション膜をドライエッチングすることにより開口され、第1の電極を有機EL層に接続して画素領域を形成するための第1の開口部と、第2の引き出し電極をストッパとしてパッシベーション膜をドライエッチングすることにより開口され、第2の引き出し電極を第2の電極に接続するための第2の開口部と、第1および第2の引き出し電極をそれぞれストッパとしてパッシベーション膜をドライエッチングすることにより開口され、第1および第2の引き出し電極を外部駆動回路にそれぞれ接続するための第3および第4の開口部とを有すると共に、第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極の各電極の肩部を被覆していることを特徴とする。   In order to achieve the above object, the organic EL display element of the present invention is a color in which at least a patterned color conversion filter layer is formed on a transparent substrate, and a first passivation layer is formed thereon. A first electrode having a conversion filter substrate and patterned corresponding to the color conversion filter layer, a first extraction electrode following the first electrode, an organic EL layer formed on the first electrode, and an organic EL An organic EL display element comprising a second electrode disposed opposite to a first electrode across a layer and a second lead electrode connected to the second electrode on a color conversion filter substrate, One electrode, a first extraction electrode, and a second extraction electrode are formed by patterning on the surface of the color conversion filter substrate, and the surface of each electrode and the surface of the color conversion filter substrate between the electrodes are formed. Cover to cover A second passivation layer made of a passivation film, the second passivation layer is opened by dry etching the passivation film using the first electrode as a stopper, and the first electrode is connected to the organic EL layer to form a pixel A first opening for forming a region, and a second opening for connecting the second extraction electrode to the second electrode, which is opened by dry etching the passivation film using the second extraction electrode as a stopper. Openings are formed by dry etching the passivation film using the first and second lead electrodes as stoppers, respectively, and third and fourth holes for connecting the first and second lead electrodes to an external drive circuit, respectively. A first electrode, a first extraction electrode, and a second extraction current Characterized in that it covers the shoulder portion of each electrode of.

ここで、第1の電極および第2の電極は、相互に交差するマトリクス状に配列された複数の電極からなり、その各交差部に画素領域を形成するための第2のパッシベーション層の第1の開口部が形成されていることが好ましく、第2のパッシベーション層が、酸化珪素、窒化珪素、および酸化窒化珪素から選ばれる材料からなることが好ましい。
このような本発明の有機EL表示素子の製造方法は、透明基板上に、少なくとも、パターン化された色変換フィルタ層および平坦化層が形成され、その上に第1のパッシベーション層が形成されてなる色変換フィルタ基板上に、第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極を形成する電極形成工程と、電極が形成された色変換フィルタ基板をパッシベーション膜で被覆するパッシベーション膜被覆工程と、パッシベーション膜上に第1〜第4の開口部に対応する開口部を有するレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、レジスト膜が形成されたパッシベーション膜をドライエッチングすることにより、第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極の各電極をストッパとして第1〜第4の開口部を形成して第2のパッシベーション層とするドライエッチング工程とを備えることを特徴とする。
Here, the first electrode and the second electrode are composed of a plurality of electrodes arranged in a matrix crossing each other, and the first of the second passivation layer for forming a pixel region at each crossing portion. Are preferably formed, and the second passivation layer is preferably made of a material selected from silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.
In such a method for producing an organic EL display device of the present invention, at least a patterned color conversion filter layer and a planarization layer are formed on a transparent substrate, and a first passivation layer is formed thereon. Forming a first electrode, a first extraction electrode, and a second extraction electrode on the color conversion filter substrate, and a passivation film for covering the color conversion filter substrate on which the electrode is formed with a passivation film A covering step, a resist film forming step of forming a resist film having openings corresponding to the first to fourth openings on the passivation film, and dry etching the passivation film on which the resist film has been formed. First to fourth openings are formed by using each of the first electrode, the first extraction electrode, and the second extraction electrode as a stopper. Characterized in that it comprises a dry etching process for the second passivation layer.

ここで、ドライエッチング工程は、フッ素系ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気下で行うことが好ましい。
本発明においては、下層に第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極の各電極がある部分に第1〜第4の開口部を配置し、各電極をストッパとしてドライエッチングしているので、ドライエッチングにより第2のパッシベーション層の第1〜第4の開口部を形成する際に第1のパッシベーション層がオーバーエッチングされることはない。
Here, the dry etching process is preferably performed in an atmosphere containing a fluorine-based gas and an oxygen gas.
In the present invention, the first to fourth openings are arranged in the portions where the first electrode, the first extraction electrode, and the second extraction electrode are located in the lower layer, and dry etching is performed using each electrode as a stopper. Therefore, the first passivation layer is not over-etched when the first to fourth openings of the second passivation layer are formed by dry etching.

また、第2のパッシベーション層が、第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極の各電極の肩部を被覆しているので、そこからの水分および酸素の侵入が阻止される。   In addition, since the second passivation layer covers the shoulders of the first electrode, the first extraction electrode, and the second extraction electrode, intrusion of moisture and oxygen therefrom is prevented. The

本発明によれば、第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極の各電極をストッパとしてドライエッチングすることにより、第2のパッシベーション層の第1〜第4の開口部を形成する際の第1のパッシベーション層のオーバーエッチングを防止すると共に、その第2のパッシベーション層が、第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極の各電極の肩部を被覆することにより、第1のパッシベーション層と第2のパッシベーション層の水分・酸素遮断性能を確実なものとし、色変換フィルタ層から有機EL層への水分および酸素の侵入を確実に阻止して、ダークスポットの発生を防止し、長期間にわたって優れた発光特性を維持した有機EL表示素子を提供することができる。   According to the present invention, the first to fourth openings of the second passivation layer are formed by dry etching using the first electrode, the first extraction electrode, and the second extraction electrode as a stopper. Over-etching of the first passivation layer during formation is prevented, and the second passivation layer covers the shoulders of the electrodes of the first electrode, the first extraction electrode, and the second extraction electrode By doing so, the moisture / oxygen blocking performance of the first passivation layer and the second passivation layer is ensured, and the penetration of moisture and oxygen from the color conversion filter layer to the organic EL layer is surely prevented. It is possible to provide an organic EL display element that prevents generation of spots and maintains excellent light emission characteristics over a long period of time.

本発明者らは、種々の検討の結果、ダークスポットの抑制には、
・色変換フィルタ層の上部に第1のパッシベーション層を形成すること
・隣接する第1の電極の間を第2のパッシベーション層で被覆すること
が効果的であることを見出した。
また、第1の電極上に形成した第2のパッシベーション層をエッチングする際に生じる第1のパッシベーション層へのダメージを低減するために、第1の電極上に形成した第2のパッシベーション層を、
・画素領域(有機EL層が第1の電極と第2の電極に挟持され発光領域として機能する部位)と、
・第2の電極と第2の引き出し電極との接続部位と、
・引き出し電極と外部駆動回路との接続部位と、
を除いて形成することで効果があることを見出した。
As a result of various studies, the present inventors have found that for the suppression of dark spots,
It has been found that it is effective to form a first passivation layer on top of the color conversion filter layer, and to cover between adjacent first electrodes with a second passivation layer.
In order to reduce damage to the first passivation layer that occurs when the second passivation layer formed on the first electrode is etched, the second passivation layer formed on the first electrode is
A pixel region (a portion where the organic EL layer is sandwiched between the first electrode and the second electrode and functions as a light emitting region);
A connection site between the second electrode and the second extraction electrode;
A connection portion between the extraction electrode and the external drive circuit;
It was found that there is an effect by forming except for.

本発明は、この知見に基づいて、より有効にダークスポットの発生を防止することができる有機EL表示素子を提供するものである。
以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図2は、本発明に係る有機EL表示素子の実施形態の要部を示す平面模式図で、図1は、そのA−A’断面模式図である。
Based on this finding, the present invention provides an organic EL display element that can more effectively prevent the occurrence of dark spots.
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 2 is a schematic plan view showing a main part of an embodiment of the organic EL display element according to the present invention, and FIG. 1 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′.

本発明の実施形態の有機EL表示素子は、図1,2に示すように、透明基板1上に、パターン化された色変換フィルタ層2,4,5が形成され、その上に第1のパッシベーション層7が形成されてなる色変換フィルタ基板10を備え、色変換フィルタ層10に対応してパターン化された第1の電極20aと、それに続く第1の引き出し電極20bと、第1の電極20aの上に、平面的には図2の一点鎖線で示す表示領域に連続膜として形成される有機EL層60と、有機EL層60を挟んで第1の電極20aに対向配置される第2の電極70と、第2の電極70に接続される第2の引き出し電極20cとを色変換フィルタ基板10上に備える有機EL表示素子であって、第1の電極20a、第1の引き出し電極20b、および第2の引き出し電極20cが、色変換フィルタ基板10の表面上にパターン化されて形成され、各電極20a,20b,20cの表面および各電極20a,20b,20cの間の色変換フィルタ基板の表面を被覆するパッシベーション膜からなる第2のパッシベーション層30を備え、第2のパッシベーション層30が、第1の電極20aをストッパとしてパッシベーション膜をドライエッチングすることにより開口され、第1の電極20cを有機EL層60に接続して画素領域を形成するための第1の開口部30aと、第2の引き出し電極20cをストッパとしてパッシベーション膜をドライエッチングすることにより開口され、第2の引き出し電極20cを第2の電極70に接続するための第2の開口部30bと、第1および第2の引き出し電極20b,20cをそれぞれストッパとしてパッシベーション膜をドライエッチングすることにより開口され、第1および第2の引き出し電極20b,20cを外部駆動回路(不図示)にそれぞれ接続するための第3および第4の開口部30c,30dとを有すると共に、第1の電極20a、第1の引き出し電極20b、および第2の引き出し電極20cの各電極の肩部を被覆している。   As shown in FIGS. 1 and 2, the organic EL display element according to the embodiment of the present invention includes patterned color conversion filter layers 2, 4, 5 formed on a transparent substrate 1, and a first A color conversion filter substrate 10 on which a passivation layer 7 is formed is provided. A first electrode 20a patterned corresponding to the color conversion filter layer 10, a first extraction electrode 20b following the first electrode 20a, and a first electrode An organic EL layer 60 formed as a continuous film on a display region indicated by a one-dot chain line in FIG. 2 on the plane 20a, and a second electrode disposed opposite to the first electrode 20a with the organic EL layer 60 interposed therebetween. The organic EL display element includes the first electrode 20a and the first extraction electrode 20b. The organic EL display element includes the second electrode 70 and the second extraction electrode 20c connected to the second electrode 70 on the color conversion filter substrate 10. And a second drawer A pole 20c is formed by patterning on the surface of the color conversion filter substrate 10 and covers the surface of the electrodes 20a, 20b, 20c and the surface of the color conversion filter substrate between the electrodes 20a, 20b, 20c. The second passivation layer 30 is made of a film, and the second passivation layer 30 is opened by dry etching the passivation film using the first electrode 20a as a stopper, and the first electrode 20c is formed in the organic EL layer 60. A first opening 30a for connecting and forming a pixel region is opened by dry etching the passivation film using the second extraction electrode 20c as a stopper, and the second extraction electrode 20c is formed as the second electrode 70. A second opening 30b for connection to the first and second lead electrodes 20b Openings are formed by dry etching the passivation film using 20c as a stopper, respectively, and third and fourth openings 30c for connecting the first and second lead electrodes 20b and 20c to an external drive circuit (not shown), respectively. , 30d, and covers the shoulders of the first electrode 20a, the first extraction electrode 20b, and the second extraction electrode 20c.

ここで、図2に示すように、第1の電極20a(上下方向破線)および第2の電極70(左右方向二点鎖線)は、相互に交差するマトリクス状に配列された複数の電極からなり、その各交差部に画素領域を形成するための第2のパッシベーション層の第1の開口部30aが形成されている。
そして、透明基板1は、可視光(波長400〜700nm)に対して透明であり、積層される層の形成に用いられる条件(溶媒、温度等)に耐えるもので、寸法安定性に優れていることが好ましい。好ましい透明基板1は、ガラス基板、およびポリオレフィン、アクリル樹脂(ポリメチルメタクリレートを含む)、ポリエステル樹脂(ポリエチレンテレフタレートを含む)、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂などの樹脂で形成された剛直性の樹脂基板を含む。あるいはまた、ポリオレフィン、アクリル樹脂(ポリメチルメタクリレートを含む)、ポリエステル樹脂(ポリエチレンテレフタレートを含む)、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂などから形成される可撓性フィルムを、基板として用いてもよい。
Here, as shown in FIG. 2, the first electrode 20a (vertical broken line) and the second electrode 70 (horizontal two-dot chain line) are composed of a plurality of electrodes arranged in a matrix intersecting each other. A first opening 30a of a second passivation layer for forming a pixel region is formed at each intersection.
The transparent substrate 1 is transparent to visible light (wavelength 400 to 700 nm), withstands the conditions (solvent, temperature, etc.) used for forming the layer to be laminated, and has excellent dimensional stability. It is preferable. A preferable transparent substrate 1 is a glass substrate and a rigid resin substrate formed of a resin such as polyolefin, acrylic resin (including polymethyl methacrylate), polyester resin (including polyethylene terephthalate), polycarbonate resin, or polyimide resin. Including. Alternatively, a flexible film formed from polyolefin, acrylic resin (including polymethyl methacrylate), polyester resin (including polyethylene terephthalate), polycarbonate resin, polyimide resin, or the like may be used as the substrate.

透明基板1上に設けられる色変換フィルタ層3,4,5は、カラーフィルタ層、色変換層、またはカラーフィルタ層と色変換層との積層体から構成することができる。カラーフィルタ層は、所望される波長域の光のみを透過させる層である。また、色変換層との積層構成を採る場合、色変換層にて波長分布変換された光の色純度を向上させることにカラーフィルタ層は有効である。カラーフィルタ層は、たとえば、市販の液晶用カラーフィルタ材料(富士フイルムエレクトロマテリアルズ製カラーモザイクなど)を用いて形成することができる。   The color conversion filter layers 3, 4, and 5 provided on the transparent substrate 1 can be composed of a color filter layer, a color conversion layer, or a laminate of a color filter layer and a color conversion layer. The color filter layer is a layer that transmits only light in a desired wavelength range. In the case of adopting a laminated structure with the color conversion layer, the color filter layer is effective in improving the color purity of the light subjected to wavelength distribution conversion in the color conversion layer. The color filter layer can be formed using, for example, a commercially available color filter material for liquid crystal (such as a color mosaic manufactured by Fuji Film Electromaterials).

色変換層は、色変換色素とマトリクス樹脂からなる層である。色変換色素は、入射光の波長分布変換を行って、異なる波長域の光を放射する色素であり、好ましくは有機EL層60からの近紫外光または青色〜青緑色の光の波長分布変換を行って、所望の波長域の光(たとえば、青色、緑色または赤色)を放射する色素である。色変換色素としては、赤色光を放射するローダミン系色素、シアニン系色素など;緑色光を放射するクマリン系色素、ナフタルイミド系色素など;青色光を放射するクマリン系色素など、当該技術で知られている任意のものを用いることができる。   The color conversion layer is a layer made of a color conversion dye and a matrix resin. The color conversion dye is a dye that converts the wavelength distribution of incident light and emits light in different wavelength ranges, and preferably converts the wavelength distribution of near-ultraviolet light or blue to blue-green light from the organic EL layer 60. And a dye that emits light in the desired wavelength range (eg, blue, green or red). Color conversion dyes are known in the art, such as rhodamine dyes and cyanine dyes that emit red light; coumarin dyes and naphthalimide dyes that emit green light; and coumarin dyes that emit blue light. Any thing that can be used.

1つの透明基板1上に、複数種の色変換フィルタ層、たとえば有機EL層60からの光を吸収して赤色光を放射する色変換フィルタ層3、緑色光を放射する色変換フィルタ層4、青色光を放射する色変換フィルタ層5などを設けてもよい。3原色の色変換フィルタ層3,4,5をマトリクス状に配置することによってフルカラー表示を可能にすることができる。   On one transparent substrate 1, a plurality of types of color conversion filter layers, for example, a color conversion filter layer 3 that absorbs light from the organic EL layer 60 and emits red light, a color conversion filter layer 4 that emits green light, You may provide the color conversion filter layer 5 etc. which radiate | emit blue light. By arranging the color conversion filter layers 3, 4, 5 of the three primary colors in a matrix, full color display can be realized.

色変換フィルタ層3,4,5は、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法などを用いて各層の材料を塗布し、続いてフォトリソグラフ法などを用いてパターニングすることによって形成することができる。
色変換フィルタ層3,4,5の間には、必要に応じてブラックマトリクス2が形成されており、その上の色変換フィルタ層3,4,5の間および色変換フィルタ層3,4,5の上には、必要に応じて、色変換フィルタ層3,4,5の段差を緩和し、第1のパッシベーション層7の密着性を確保するために有機樹脂からなり、通常1μm以上、好ましくは2μm〜10μmの範囲内の厚さを有する平坦化層6を設けて色変換フィルタ層3,4,5を被覆することができる。その有機樹脂としては、アクリル材料等の可視光の透過率の高い材料が用いられる。
The color conversion filter layers 3, 4, and 5 are formed by applying the material of each layer using a spin coating method, a roll coating method, a casting method, a dip coating method, etc., and then patterning using a photolithographic method or the like. can do.
A black matrix 2 is formed between the color conversion filter layers 3, 4, and 5 as necessary, and between the color conversion filter layers 3, 4, 5 and the color conversion filter layers 3, 4, 4. 5 is made of an organic resin for relaxing the steps of the color conversion filter layers 3, 4, 5 and ensuring the adhesion of the first passivation layer 7, if necessary, usually 1 μm or more, preferably Can cover the color conversion filter layers 3, 4, and 5 by providing a planarizing layer 6 having a thickness in the range of 2 μm to 10 μm. As the organic resin, a material having a high visible light transmittance such as an acrylic material is used.

色変換フィルタ層3,4,5の上部には第1のパッシベーション層7が形成される。第1のパッシベーション層7は被覆する色変換フィルタ層3,4,5および平坦化層6から放出される水分が有機EL層60側に伝播することを防止するパッシベーション膜として機能する。その材料としては、SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx、ZnOxなどの絶縁性の無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物などを用いることができる。望ましくは色変換フィルタ層3,4,5の材料と屈折率差の小さなSiOx、SiNxOyを選択する。通常の場合、第1のパッシベーション層7は100nm〜1μmの膜厚に形成される。   A first passivation layer 7 is formed on the color conversion filter layers 3, 4, and 5. The first passivation layer 7 functions as a passivation film that prevents moisture released from the color conversion filter layers 3, 4, 5 and the planarization layer 6 to be propagated to the organic EL layer 60 side. As the material, insulating inorganic oxides such as SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx, inorganic nitride, inorganic oxynitride, and the like can be used. Desirably, the material of the color conversion filter layers 3, 4, 5 and SiOx, SiNxOy having a small difference in refractive index are selected. In a normal case, the first passivation layer 7 is formed to a thickness of 100 nm to 1 μm.

第1のパッシベーション層7はプラズマCVD法や、スパッタ法を用いて形成される。
電極20a,20b,20cは、複数の透明電極から構成され、スパッタ法を用いてSnO、In、ITO、IZO、ZnO:Alなどの導電性金属酸化物を堆積させることによって形成される。第1の電極20aは、波長400〜800nmの光に対して好ましくは50%以上、より好ましくは85%以上の透過率を有することが好ましい。第1の電極20aは、通常50nm以上、好ましくは50nm〜1μm、より好ましくは100〜300nmの範囲内の厚さを有することが望ましい。
The first passivation layer 7 is formed using a plasma CVD method or a sputtering method.
The electrodes 20a, 20b, and 20c are composed of a plurality of transparent electrodes, and are formed by depositing a conductive metal oxide such as SnO 2 , In 2 O 3 , ITO, IZO, ZnO: Al using a sputtering method. The The first electrode 20a preferably has a transmittance of 50% or more, more preferably 85% or more with respect to light having a wavelength of 400 to 800 nm. It is desirable that the first electrode 20a has a thickness in the range of usually 50 nm or more, preferably 50 nm to 1 μm, more preferably 100 to 300 nm.

引き出し電極20b,20cは、表示領域に有機EL層60を挟んで設けられる第1の電極20aおよび第2の電極70をそれぞれ外部駆動回路(不図示)に接続するために好ましくは表示領域を囲む基板10の周辺部の端子領域に形成される。
電極20a,20b,20cの抵抗を抑制するために、Al,Mo,Ni,Cr,W等の金属を補助電極として用いることも可能である。補助電極は、電極20a,20b,20cのいずれに形成しても抵抗を抑制する効果がある。
The lead electrodes 20b and 20c preferably surround the display area in order to connect the first electrode 20a and the second electrode 70 provided with the organic EL layer 60 sandwiched in the display area to an external drive circuit (not shown). It is formed in the terminal region at the periphery of the substrate 10.
In order to suppress the resistance of the electrodes 20a, 20b, and 20c, a metal such as Al, Mo, Ni, Cr, and W can be used as an auxiliary electrode. Even if the auxiliary electrode is formed on any of the electrodes 20a, 20b, and 20c, it has an effect of suppressing resistance.

特に、第2の電極70と第2の引き出し電極20cを接合する部位では、それらが接触して酸化することを防止するために、補助電極と第2の電極70を直接接合する構造をとることもできる。
第1の電極20aは、第2の電極70の第1の方向と交差する(好ましくは直交する)方向に延びる複数のストライプ状電極として形成することによって、パッシブマトリクス駆動を行うことができるように構成することが好ましい。
In particular, at the portion where the second electrode 70 and the second lead electrode 20c are joined, a structure is adopted in which the auxiliary electrode and the second electrode 70 are joined directly in order to prevent them from contacting and oxidizing. You can also.
The first electrode 20a is formed as a plurality of striped electrodes extending in a direction intersecting (preferably orthogonal) to the first direction of the second electrode 70 so that passive matrix driving can be performed. It is preferable to configure.

第1の電極20aの上部に形成する第2のパッシベーション層30は、図3に示すように、
画素領域(有機EL層60が第1の電極20aと第2の電極70に挟持され発光領域として機能する部位)を形成する第1の開口部30aと、
第2の電極70と第2の引き出し電極20cの接続部位を形成する第2の開口部30bと、
引き出し電極20b,20cと外部駆動回路(不図示)との接続部位をそれぞれ形成する第3,第4の開口部30c,30d
を除いて色変換基板10の全面に形成される。
As shown in FIG. 3, the second passivation layer 30 formed on the top of the first electrode 20a is
A first opening 30a that forms a pixel region (a portion in which the organic EL layer 60 is sandwiched between the first electrode 20a and the second electrode 70 and functions as a light emitting region);
A second opening 30b that forms a connection site between the second electrode 70 and the second lead electrode 20c;
Third and fourth openings 30c and 30d that form connection portions between the extraction electrodes 20b and 20c and an external drive circuit (not shown), respectively.
Is formed on the entire surface of the color conversion substrate 10.

表示領域の第1の開口部30aは、図4に示すように、第2のパッシベーション層30が、第1の電極20aの肩部を被覆し、かつ隣接する第1の電極20aの間の第1のパッシベーション層7の表面(すなわち色変換フィルタ基板10の表面)を被覆することにより、第1の電極20aと有機EL層60との接続部位としての各画素の発光領域(画素領域)を規定すると共に、第1のパッシベーション層7を浸透する水分の透過を防止する機能を持つ。   As shown in FIG. 4, the first opening 30a in the display area is formed by the second passivation layer 30 covering the shoulder of the first electrode 20a and the first opening 20a between the adjacent first electrodes 20a. By covering the surface of one passivation layer 7 (that is, the surface of the color conversion filter substrate 10), a light emitting region (pixel region) of each pixel as a connection portion between the first electrode 20a and the organic EL layer 60 is defined. In addition, it has a function of preventing the permeation of moisture penetrating the first passivation layer 7.

第2のパッシベーション層30の材料としては、SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx、ZnOxなどの絶縁性の無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物などを用いることができる。望ましくはパッシベーション性の高いSiNx、SiNxOy、SiOxを選択する。通常の場合、第2のパッシベーション層30は100nm〜1μmの膜厚に形成される。   As a material of the second passivation layer 30, an insulating inorganic oxide such as SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx, inorganic nitride, inorganic oxynitride, or the like can be used. Desirably, SiNx, SiNxOy, and SiOx having high passivation properties are selected. In a normal case, the second passivation layer 30 is formed to a thickness of 100 nm to 1 μm.

第2のパッシベーション層30は、プラズマCVD法や、スパッタ法を用いて形成される。第2のパッシベーション層30の第1〜第4の開口部30a〜30dを形成するためのドライエッチングには、RIEプラズマやICPプラズマを用いることができる。
図4,5に示すように、第2のパッシベーション層30の第1の電極20aや引き出し電極20cと接する角度を鋭角とし、かつ第1の電極20aや補助電極として用いる金属電極との選択比を大きく取るためにドライエッチングにはフッ素系ガスと酸素の混合ガスを用いる。例えば、第2のパッシベーション層30にSiNxを用いる場合、ドライエッチングにはSFガスと酸素の混合ガス、SFとHClと酸素の混合ガスなどを用いることができる。SiOxを用いた場合、CFと酸素の混合ガス、SFとCHFと酸素の混合ガスなどを用いることができる。
The second passivation layer 30 is formed using a plasma CVD method or a sputtering method. For dry etching for forming the first to fourth openings 30a to 30d of the second passivation layer 30, RIE plasma or ICP plasma can be used.
As shown in FIGS. 4 and 5, the angle of contact with the first electrode 20a and the extraction electrode 20c of the second passivation layer 30 is an acute angle, and the selection ratio with the metal electrode used as the first electrode 20a and the auxiliary electrode is In order to make it large, dry etching uses a mixed gas of fluorine-based gas and oxygen. For example, when using a SiNx the second passivation layer 30, the dry etching or the like can be used a mixed gas of SF 6 gas and a mixed gas of oxygen, SF 6 and HCl and oxygen. When SiOx is used, a mixed gas of CF 4 and oxygen, a mixed gas of SF 6 , CHF 3 and oxygen, or the like can be used.

有機EL層60は、有機発光層を少なくとも含み、必要に応じて正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および/または電子注入層を含む。これらの各層は、それぞれにおいて所望される特性を実現するのに充分な膜厚を有して形成される。例えば、下記のような層構成からなるものが採用される。
(1)有機発光層
(2)正孔注入層/有機発光層
(3)有機発光層/電子注入層
(4)正孔注入層/有機発光層/電子注入層
(5)正孔輸送層/有機発光層/電子注入層
(6)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層
(7)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層
(上記の構成において、陽極として機能する電極が左側に接続され、陰極として機能する電極が右側に接続される)
有機発光層の材料としては、任意の公知の材料を用いることができる。たとえば、青色から青緑色の発光を得るためには、例えば縮合芳香環化合物、環集合化合物、金属錯体(Alq3のようなアルミニウム錯体など)、スチリルベンゼン系化合物(4,4’−ビス(ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)など)、ポルフィリン系化合物、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、芳香族ジメチリディン系化合物などの材料が好ましく使用される。あるいはまた、ホスト化合物にドーパントを添加することによって、種々の波長域の光を発する有機発光層を形成してもよい。ホスト化合物としては、ジスチリルアリーレン系化合物(たとえば出光興産製IDE−120など)、N,N’−ジトリル−N,N’−ジフェニルビフェニルアミン(TPD)、アルミニウムトリス(8−キノリノラート)(Alq3)等を用いることができる。ドーパントとしては、ペリレン(青紫色)、クマリン6(青色)、キナクリドン系化合物(青緑色〜緑色)、ルブレン(黄色)、4−ジシアノメチレン−2−(p−ジメチルアミノスチリル)−6−メチル−4H−ピラン(DCM、赤色)、白金オクタエチルポルフィリン錯体(PtOEP、赤色)などを用いることができる。
The organic EL layer 60 includes at least an organic light emitting layer, and includes a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, and / or an electron injection layer as necessary. Each of these layers is formed to have a film thickness sufficient to realize desired characteristics in each layer. For example, what consists of the following layer structures is employ | adopted.
(1) Organic light emitting layer (2) Hole injection layer / organic light emitting layer (3) Organic light emitting layer / electron injection layer (4) Hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer (5) Hole transport layer / Organic light emitting layer / electron injection layer (6) Hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer (7) Hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection Layer (In the above configuration, the electrode functioning as the anode is connected to the left side, and the electrode functioning as the cathode is connected to the right side)
Any known material can be used as the material of the organic light emitting layer. For example, in order to obtain light emission from blue to blue-green, for example, a condensed aromatic ring compound, a ring assembly compound, a metal complex (such as an aluminum complex such as Alq3), a styrylbenzene compound (4,4′-bis (diphenylvinyl) ) Biphenyl (DPVBi), etc.), porphyrin compounds, benzothiazole compounds, benzimidazole compounds, benzoxazole compounds such as fluorescent brighteners, and aromatic dimethylidin compounds are preferably used. Or you may form the organic light emitting layer which emits the light of a various wavelength range by adding a dopant to a host compound. Examples of host compounds include distyrylarylene compounds (for example, IDE-120 manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.), N, N′-ditolyl-N, N′-diphenylbiphenylamine (TPD), aluminum tris (8-quinolinolate) (Alq3) Etc. can be used. As dopants, perylene (blue purple), coumarin 6 (blue), quinacridone compounds (blue green to green), rubrene (yellow), 4-dicyanomethylene-2- (p-dimethylaminostyryl) -6-methyl- 4H-pyran (DCM, red), platinum octaethylporphyrin complex (PtOEP, red), or the like can be used.

正孔注入層の材料としては、Pc類(CuPcなどを含む)またはインダンスレン系化合物などを用いることができる。正孔輸送層は、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料を用いて形成することができる。用いることができる材料は、好ましくは、TPD、α−NPD、MTDAPB(o−,m−,p−)、m−MTDATAなどを含む。   As a material for the hole injection layer, Pc (including CuPc) or indanthrene compounds can be used. The hole transport layer can be formed using a material having a triarylamine partial structure, a carbazole partial structure, or an oxadiazole partial structure. Materials that can be used preferably include TPD, [alpha] -NPD, MTDAPB (o-, m-, p-), m-MTDATA, and the like.

電子輸送層の材料としては、Alq3のようなアルミニウム錯体;PBD、TPOBのようなオキサジアゾール誘導体;TAZのようなトリアゾール誘導体;以下に示す構造を有するもののようなトリアジン誘導体;フェニルキノキサリン類;BMB−2Tのようなチオフェン誘導体などを用いることができる。電子注入層の材料としては、Alq3のようなアルミニウム錯体、あるいはアルカリ金属ないしアルカリ土類金属をドープしたアルミニウムのキノリノール錯体などを用いることができる。   Materials for the electron transport layer include aluminum complexes such as Alq3; oxadiazole derivatives such as PBD and TPOB; triazole derivatives such as TAZ; triazine derivatives such as those having the following structures; phenylquinoxalines; BMB A thiophene derivative such as -2T can be used. As the material for the electron injection layer, an aluminum complex such as Alq3 or an aluminum quinolinol complex doped with an alkali metal or an alkaline earth metal can be used.

また、任意選択的に、有機EL層60と陰極として用いる電極との界面に、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはそれらを含む合金、アルカリ金属フッ化物などの電子注入性材料の薄膜(膜厚10nm以下)で形成されるバッファ層を設けて、電子注入効率を高めてもよい。
有機EL層60を構成するそれぞれの層および任意選択的には、蒸着(抵抗加熱または電子ビーム加熱)などの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。
Optionally, a thin film (thickness: 10 nm) of an electron injecting material such as an alkali metal, an alkaline earth metal, an alloy containing them, or an alkali metal fluoride is formed at the interface between the organic EL layer 60 and the electrode used as the cathode. The buffer layer formed in the following may be provided to increase the electron injection efficiency.
Each layer constituting the organic EL layer 60 and, optionally, any means known in the art such as vapor deposition (resistance heating or electron beam heating) can be used.

第2の電極70は、複数の電極群からなり、高反射率の金属、アモルファス合金、微結晶性合金を用いて形成されることが好ましい。高反射率の金属は、Al、Ag、Mo、W、Ni、Crなどを含む。高反射率のアモルファス合金は、NiP、NiB、CrPおよびCrBなどを含む。高反射率の微結晶性合金は、NiAlなどを含む。第2の電極70は、陰極として用いてもよいし、陽極として用いてもよい。第2の電極70を陰極として用いる場合には、第2の電極70と有機EL層60との界面に、前述のバッファ層を設けて有機EL層30に対する電子注入の効率を向上させてもよい。   The second electrode 70 includes a plurality of electrode groups, and is preferably formed using a highly reflective metal, amorphous alloy, or microcrystalline alloy. High reflectivity metals include Al, Ag, Mo, W, Ni, Cr, and the like. High reflectivity amorphous alloys include NiP, NiB, CrP, CrB, and the like. The highly reflective microcrystalline alloy includes NiAl and the like. The second electrode 70 may be used as a cathode or an anode. When the second electrode 70 is used as a cathode, the aforementioned buffer layer may be provided at the interface between the second electrode 70 and the organic EL layer 60 to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 30. .

第2の電極70は、用いる材料に依存して、蒸着(抵抗加熱または電子ビーム加熱)、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーションなどの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。所望の形状を与えるマスクを用いて複数の部分電極からなる第2の電極70を形成してもよいし、あるいは、逆テーパー状の断面形状を有する分離隔壁を用いて複数の部分電極からなる第2の電極70を形成してもよい。   The second electrode 70 is formed using any means known in the art such as vapor deposition (resistance heating or electron beam heating), sputtering, ion plating, laser ablation, etc., depending on the material used. Can do. The second electrode 70 composed of a plurality of partial electrodes may be formed using a mask that gives a desired shape, or the second electrode 70 composed of a plurality of partial electrodes may be formed using a separation partition wall having an inversely tapered cross section. Two electrodes 70 may be formed.

第2の電極70を構成する複数の電極群のそれぞれは、たとえば、第2の方向に延びるストライプ形状であることができる。ここで、第1の電極20aの第1の方向と、第2の電極70の第2の方向とは交差していることが好ましく、直交していることがより好ましい。そのような構成を採ることによって、第1の電極20aを構成する部分電極の1つと、第2の電極70を構成する部分電極の1つとに電界を印加することによって、それら部分電極の交差する部位の有機EL層60を発光させる、パッシブマトリクス駆動を行うことができる。   Each of the plurality of electrode groups constituting the second electrode 70 may have a stripe shape extending in the second direction, for example. Here, the first direction of the first electrode 20a and the second direction of the second electrode 70 are preferably crossed, more preferably orthogonal. By adopting such a configuration, by applying an electric field to one of the partial electrodes constituting the first electrode 20a and one of the partial electrodes constituting the second electrode 70, the partial electrodes intersect each other. Passive matrix driving in which the organic EL layer 60 at the site emits light can be performed.

このような本発明の実施形態の有機EL表示素子の製造方法は、図6(A)〜(D)に示すように、透明基板1上に、パターン化された色変換フィルタ層3,4,5および平坦化層6が形成され、その上に第1のパッシベーション層7が形成されてなる色変換フィルタ基板10上に、第1の電極20a、第1の引き出し電極20b、および第2の引き出し電極20cを形成する電極形成工程と、電極20a,20b,20cが形成された色変換フィルタ基板10をパッシベーション膜30’で被覆するパッシベーション膜被覆工程(図6(A))と、パッシベーション膜30’上に第1〜第4の開口部30a〜30dに対応する開口部を有するレジスト膜50を形成するレジスト膜形成工程(図6(B))と、レジスト膜50が形成されたパッシベーション膜30’をフッ素系ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気下でドライエッチングすることにより、第1の電極20a、第1の引き出し電極20b、および第2の引き出し電極20cの各電極をストッパとして第1〜第4の開口部30a〜30dを形成して第2のパッシベーション層30とするドライエッチング工程(図6(C),(D))とを備える。   As shown in FIGS. 6A to 6D, the method for manufacturing the organic EL display element according to the embodiment of the present invention has the color conversion filter layers 3, 4 and 4 patterned on the transparent substrate 1. 5 and the planarization layer 6 are formed, and the first electrode 20a, the first extraction electrode 20b, and the second extraction are formed on the color conversion filter substrate 10 on which the first passivation layer 7 is formed. An electrode forming step for forming the electrode 20c, a passivation film covering step (FIG. 6A) for covering the color conversion filter substrate 10 on which the electrodes 20a, 20b, and 20c are formed with the passivation film 30 ′, and the passivation film 30 ′. A resist film forming step (FIG. 6B) for forming a resist film 50 having openings corresponding to the first to fourth openings 30a to 30d on the top, and a pattern on which the resist film 50 has been formed. By dry etching the passivation film 30 ′ in an atmosphere containing a fluorine-based gas and an oxygen gas, the first electrode 20a, the first extraction electrode 20b, and the second extraction electrode 20c are used as stoppers. A dry etching step (FIGS. 6C and 6D) that forms the first to fourth openings 30 a to 30 d to form the second passivation layer 30.

ここで、第1の電極20a、第1の引き出し電極20b、および第2の引き出し電極20cが形成された色変換フィルタ基板10の全面をパッシベーション膜30’で覆い、それらの電極20a〜20cの上にのみレジスト膜50の開口部を設け、各電極20a〜20cをストッパとしてドライエッチングすることにより、パッシベーション膜30’に開口部30a〜30dを形成する際のオーバーエッチングを防止するようにしている。   Here, the entire surface of the color conversion filter substrate 10 on which the first electrode 20a, the first extraction electrode 20b, and the second extraction electrode 20c are formed is covered with a passivation film 30 ′, and the electrodes 20a to 20c are covered. The openings of the resist film 50 are provided only on the electrodes, and dry etching is performed using the electrodes 20a to 20c as stoppers, thereby preventing over-etching when the openings 30a to 30d are formed in the passivation film 30 ′.

すなわち、図6(E)〜(G)の参考例に示すように、画素領域の形成のために単にドライエッチングする場合には、接続が必要な引き出し電極(20b,20c)の上にレジスト膜50を設ける必要はないので、第1のパッシベーション層7にオーバーエッチング部7aが形成され、防湿性能が低下する懸念がある。   That is, as shown in the reference examples of FIGS. 6E to 6G, when only dry etching is performed to form a pixel region, a resist film is formed on the extraction electrodes (20b, 20c) that need to be connected. Since there is no need to provide 50, there is a concern that the overetched portion 7a is formed in the first passivation layer 7 and the moisture-proof performance is lowered.

以下に上述の実施形態をより具体的にした実施例について説明する。
この実施例では、本発明の有機EL表示素子の実施例として、画素数160×120(RGB)、画素ピッチ0.33mmの有機ELディスプレイパネルを作製した。
透明基板1としてのフュージョンガラス(コーニング製1737ガラス,100×100×1.1mm)上に、スピンコート方を用いてブラックマトリクス材料(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製:カラーモザイクCK−7800)を塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターニングを実施し、幅0.03mmピッチ0.11mm、膜厚1μmの開口部をもつブラックマトリクス2を形成した。
An example in which the above-described embodiment is made more specific will be described below.
In this example, an organic EL display panel having a pixel number of 160 × 120 (RGB) and a pixel pitch of 0.33 mm was produced as an example of the organic EL display element of the present invention.
On a fusion glass (Corning 1737 glass, 100 × 100 × 1.1 mm) as the transparent substrate 1, a black matrix material (Fuji Film Electronics Materials Co., Ltd .: Color Mosaic CK-7800) is applied using a spin coating method. Application and patterning were performed by a photolithography method to form a black matrix 2 having openings with a width of 0.03 mm, a pitch of 0.11 mm, and a thickness of 1 μm.

ついで、スピンコート法を用いて青色フィルタ材料(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製:カラーモザイクCB−7001)を塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターニングを実施し、幅0.08mm、ピッチ0.33mm、厚さ10μmの複数のストライプからなる青色変換フィルタ層3を形成した。
蛍光色素としてクマリン6(0.7重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。該溶液に対して100重量部の新日鐵化学製V259PA/P5を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を塗布し、フォトリソグラフィ法にてパターニングを実施して、幅0.08mm、ピッチ0.33mm、厚さ10μmの複数のストライプからなる緑色変換フィルタ層4(色変換層のみで構成されている)を形成した。
Next, a blue filter material (Fuji Film Electronics Materials Co., Ltd .: Color Mosaic CB-7001) is applied using a spin coating method, and patterning is performed by a photolithography method. The width is 0.08 mm, the pitch is 0.33 mm, A blue color conversion filter layer 3 composed of a plurality of stripes having a thickness of 10 μm was formed.
Coumarin 6 (0.7 parts by weight) as a fluorescent dye was dissolved in 120 parts by weight of a solvent, propylene glycol monoethyl acetate (PGMEA). To this solution, 100 parts by weight of V259PA / P5 manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. was added and dissolved to obtain a coating solution. The coating liquid is applied, and patterning is performed by a photolithography method, so that the green conversion filter layer 4 (consisting of only the color conversion layer is composed of a plurality of stripes having a width of 0.08 mm, a pitch of 0.33 mm, and a thickness of 10 μm. Formed).

蛍光色素としてクマリン6(0.6重量部)、ローダミン6G(0.3重量部)およびベーシックバイオレット(0.3重量部)を120重量部のPGMEA中へ溶解させた。該溶液に対して100重量部の新日鐵化学製B259PA/P5を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を塗布し、フォトリソグラフ用にてパターニングを実施して、幅0.08mm、ピッチ0.33mm、厚さ10μmの複数のストライプからなる赤色変換フィルタ層5(色変換層のみで構成されている)を形成した。   Coumarin 6 (0.6 parts by weight), rhodamine 6G (0.3 parts by weight) and basic violet (0.3 parts by weight) were dissolved in 120 parts by weight of PGMEA as fluorescent dyes. 100 parts by weight of B259PA / P5 manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. was added to and dissolved in the solution to obtain a coating solution. After applying this coating solution and patterning for photolithography, a red conversion filter layer 5 (consisting of only a color conversion layer consisting of a plurality of stripes having a width of 0.08 mm, a pitch of 0.33 mm, and a thickness of 10 μm). Formed).

ついで、青、緑、赤の各色変換フィルタ層3,4,5の段差を緩和する目的で、平坦化層6を形成した。平坦化アクリル材料(JSR株式会社製:NN810)を塗布し、ブラックマトリクス形成領域よりも広い開口部をもつフォトマスクで露光を行い、厚さ5μmのパターンを形成した。
ついで、平行平板型プラズマCVD装置を用い、SiNx膜からなる第1のパッシベーション層7をおよそ300nm成膜し、色変換フィルタ基板10を得た。その際、雰囲気をSiHガス50sccmとNガス200sccmとし、RF印加電力を150W、基板ステージ温度を100℃とした。
Subsequently, the planarization layer 6 was formed for the purpose of relaxing the steps of the color conversion filter layers 3, 4, and 5 for blue, green, and red. A flattened acrylic material (manufactured by JSR Corporation: NN810) was applied and exposed with a photomask having an opening wider than the black matrix formation region to form a pattern with a thickness of 5 μm.
Next, using a parallel plate type plasma CVD apparatus, the first passivation layer 7 made of a SiNx film was formed to a thickness of about 300 nm, and the color conversion filter substrate 10 was obtained. At that time, the atmosphere was SiH 4 gas 50 sccm and N 2 gas 200 sccm, the RF applied power was 150 W, and the substrate stage temperature was 100 ° C.

この後、DCスパッタ法(ターゲット:In−Zn酸化物、スパッタガス:OおよびAr)を用い、室温において200nmのIZOを色変換フィルタ基板10のパッシベーション層7上の全面に堆積させた。そして、シュウ酸水溶液をエッチング液として用いるフォトリソグラフィ法によってIZO膜をパターニングして、色変換フィルタ層3,4,5の上方に位置し、色変換フィルタ層3,4,5のストライプと同一方向に伸びる、幅0.1mm、ピッチ0.11mmの複数のストライプからなる第1の電極20a、それらに繋がる第1の引き出し電極20b、および第2の引き出し電極20cを形成した。 Thereafter, 200 nm of IZO was deposited on the entire surface of the passivation layer 7 of the color conversion filter substrate 10 at room temperature using DC sputtering (target: In—Zn oxide, sputtering gas: O 2 and Ar). Then, the IZO film is patterned by a photolithography method using an aqueous oxalic acid solution as an etching solution, positioned above the color conversion filter layers 3, 4, 5, and in the same direction as the stripes of the color conversion filter layers 3, 4, 5 A first electrode 20a composed of a plurality of stripes having a width of 0.1 mm and a pitch of 0.11 mm, a first extraction electrode 20b connected to them, and a second extraction electrode 20c are formed.

ついで、平行平板型プラズマCVD装置を用い、SiNx膜からなるパッシベーション膜30’を全面におよそ300nm成膜した(図6(A))。その際、雰囲気をSiHガス50sccmとNガス200sccmとし、RF印加電力を150W、基板ステージ温度を100℃とした。
その後、ポジ型レジスト(東京応化工業株式会社製:TFR−1250)を全面に塗布し、画素部ではブラックマトリクスの開口部に合わせ80×300μmの開口部(第1の開口部30aに対応)を持ち、第2の電極20aと引き出し電極20cの接合部および引き出し電極20b,20cと外部駆動回路との接合部にそれぞれ開口部(第2〜第4の開口部30b〜30dに対応)を持つマスクを用いて露光を行い、レジストパターンを有するレジスト膜50を形成した(図6(B))。
Next, a passivation film 30 'made of a SiNx film was formed on the entire surface by using a parallel plate type plasma CVD apparatus (FIG. 6A). At that time, the atmosphere was SiH 4 gas 50 sccm and N 2 gas 200 sccm, the RF applied power was 150 W, and the substrate stage temperature was 100 ° C.
Thereafter, a positive resist (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .: TFR-1250) is applied to the entire surface, and an 80 × 300 μm opening (corresponding to the first opening 30a) is aligned with the opening of the black matrix in the pixel portion. And a mask having openings (corresponding to the second to fourth openings 30b to 30d) at the joint between the second electrode 20a and the lead electrode 20c and at the joint between the lead electrodes 20b and 20c and the external drive circuit, respectively. Then, exposure was performed to form a resist film 50 having a resist pattern (FIG. 6B).

ついで、ICPプラズマ型ドライエッチング装置を用い、雰囲気をSFガス100cc、酸素ガス50cc、印加電力1500Wとし、パッシベーション膜30’のエッチングを行った。この後、レジストの剥離を行い、第1〜第4の開口部30a〜30dのパターンを有するパッシベーション膜30’からなる第2のパッシベーション層30を得た。(図6(C),(D))
引き続いて、ネガ型フォトレジスト(日本ゼオン製ZPN1168)をスピンコート法によって塗布し、プリベークを行い、フォトマスクを用いて所定のパターンを焼き付け、60秒間にわたって110℃のホットプレート上でポストエクスポージャーベークを行った後に現像を行い、最後に15分間にわたって160℃のホットプレート上で加熱を行い、第1の電極20aのストライプと直行する方向に伸び、逆テーパー形状の断面を有する複数のストライプからなる第2の電極70の分離隔壁を形成した。
Next, the passivation film 30 ′ was etched using an ICP plasma type dry etching apparatus with an atmosphere of SF 6 gas 100 cc, oxygen gas 50 cc, and applied power 1500 W. Thereafter, the resist was peeled off to obtain a second passivation layer 30 composed of a passivation film 30 ′ having a pattern of the first to fourth openings 30a to 30d. (Fig. 6 (C), (D))
Subsequently, a negative photoresist (ZPN 1168 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) is applied by spin coating, pre-baked, a predetermined pattern is baked using a photomask, and post-exposure baking is performed on a hot plate at 110 ° C. for 60 seconds. Then, development is performed, and finally, heating is performed on a hot plate at 160 ° C. for 15 minutes to extend in a direction perpendicular to the stripe of the first electrode 20a, and a plurality of stripes each having a plurality of stripes having a reverse taper-shaped cross section are formed. A separation partition wall for the second electrode 70 was formed.

次いで、第2の電極70の分離隔壁以下の構造を形成した基板10を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して、真空槽内圧を1×10-4Paまで減圧した。正孔注入層として、膜厚100nmの銅フタロシアニン(CuPc)を、正孔輸送層として、膜厚20nmの4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を、有機発光層として、膜厚30nmの4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を、そして電子注入層として、膜厚20nmのAlq3を積層した。 Next, the substrate 10 having a structure below the separation partition wall of the second electrode 70 is mounted in a resistance heating vapor deposition apparatus, and the hole injection layer, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron injection layer are broken. The film was formed in sequence without. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. Copper phthalocyanine (CuPc) with a film thickness of 100 nm is used as the hole injection layer, and 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α with a film thickness of 20 nm is used as the hole transport layer. -NPD) was used as an organic light-emitting layer, and 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) with a thickness of 30 nm was stacked, and Alq3 with a thickness of 20 nm was stacked as an electron injection layer.

次に、真空を破ることなしに、膜厚200nmのMg/Ag(質量比10/1)を堆積させて第2の電極70を形成して、図1,2に示した構造を有する有機ELディスプレイパネルを得た。
こうして得られた有機ELディスプレイパネルをグローブボックス内乾燥窒素雰囲気下(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)において、封止ガラス(図示せず)とUV硬化接着剤を用いて封止した。
(比較例)
上述の実施例のSiNx膜からなる第2のパッシベーション層に替えて、ポジ型レジスト(JSR株式会社製:JEM700)を用いて、実施例と同じパターンを形成した。
Next, without breaking the vacuum, Mg / Ag (mass ratio 10/1) having a thickness of 200 nm is deposited to form the second electrode 70, and the organic EL having the structure shown in FIGS. A display panel was obtained.
The organic EL display panel thus obtained was sealed with a sealing glass (not shown) and a UV curable adhesive in a glove box in a dry nitrogen atmosphere (both oxygen and moisture concentrations were 10 ppm or less).
(Comparative example)
Instead of the second passivation layer made of the SiNx film of the above-described example, a positive resist (manufactured by JSR Corporation: JEM700) was used to form the same pattern as the example.

これ以外は実施例と同様の方法で比較例の有機ELディスプレイパネルを作製した。
(評価)
Duty1/60で、面輝度100cd/m、室温において1000時間駆動後のダークスポット数を比較した。パネル数は各10個とし、パネル全面の観察を行った。
Other than this, an organic EL display panel of a comparative example was produced in the same manner as in the example.
(Evaluation)
The number of dark spots after driving for 1000 hours at a room brightness of 100 cd / m 2 at room temperature with a Duty 1/60 was compared. The number of panels was 10 each, and the entire panel was observed.

Figure 2007287457
表1から分かるように、実施例のパネルは、比較例のパネルにおいて発生するダークスポットの発生が少なく、SiNx膜からなる第2のパッシベーション層が、水分および酸素から有機EL層60を保護するパッシベーション膜として有効に機能していることが分かる。
Figure 2007287457
As can be seen from Table 1, in the panel of the example, the dark spots generated in the panel of the comparative example are small, and the second passivation layer made of the SiNx film protects the organic EL layer 60 from moisture and oxygen. It turns out that it functions effectively as a film.

本発明に係る有機EL表示素子の実施形態の要部を示す図2のA−A’断面模式図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 2 illustrating a main part of an embodiment of the organic EL display element according to the present invention. 本発明に係る有機EL表示素子の実施形態の要部を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the principal part of embodiment of the organic EL display element which concerns on this invention. 本発明に係る有機EL表示素子の実施形態の第2のパッシベーション層に設けられる第1〜第4の開口部の配置を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows arrangement | positioning of the 1st-4th opening part provided in the 2nd passivation layer of embodiment of the organic electroluminescent display element which concerns on this invention. 本発明に係る有機EL表示素子の実施形態の第2のパッシベーション層が第1の開口部の周辺で第1の電極の肩部を覆う状態を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the state in which the 2nd passivation layer of embodiment of the organic electroluminescent display element which concerns on this invention covers the shoulder part of a 1st electrode around the 1st opening part. 本発明に係る有機EL表示素子の実施形態の第2のパッシベーション層が第3,4の開口部の周辺で第2の引き出し電極の肩部を覆う状態を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the state in which the 2nd passivation layer of embodiment of the organic electroluminescent display element which concerns on this invention covers the shoulder part of the 2nd extraction electrode around the 3rd, 4th opening part. 本発明に係る有機EL表示素子の実施形態の製造工程((A)〜(D))を参考例((E)〜(G))と共に示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing process ((A)-(D)) of embodiment of the organic EL display element which concerns on this invention with a reference example ((E)-(G)).

符号の説明Explanation of symbols

1 透明基板
2 ブラックマトリクス
3〜5 色変換フィルタ層
6 平坦化層
7 第1のパッシベーション層
10 色変換フィルタ基板
20a 第1の電極
20b 第1の引き出し電極
20c 第2の引き出し電極
30 第2のパッシベーション層
30a 第1の開口部
30b 第2の開口部
30c 第3の開口部
30d 第4の開口部
50 レジスト膜
60 有機EL層
70 第2の電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent substrate 2 Black matrix 3-5 Color conversion filter layer 6 Flattening layer 7 First passivation layer 10 Color conversion filter substrate 20a 1st electrode 20b 1st extraction electrode 20c 2nd extraction electrode 30 2nd passivation Layer 30a First opening 30b Second opening 30c Third opening 30d Fourth opening 50 Resist film 60 Organic EL layer 70 Second electrode

Claims (5)

透明基板上に、少なくとも、パターン化された色変換フィルタ層が形成され、その上に第1のパッシベーション層が形成されてなる色変換フィルタ基板を備え、前記色変換フィルタ層に対応してパターン化された第1の電極と、それに続く第1の引き出し電極と、前記第1の電極の上に形成される有機EL層と、該有機EL層を挟んで前記第1の電極に対向配置される第2の電極と、該第2の電極に接続される第2の引き出し電極とを前記色変換フィルタ基板上に備える有機EL表示素子であって、
前記第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極が、前記色変換フィルタ基板の表面上にパターン化されて形成され、当該各電極の表面および各電極の間の色変換フィルタ基板の表面を被覆するパッシベーション膜からなる第2のパッシベーション層を備え、
該第2のパッシベーション層が、
前記第1の電極をストッパとして前記パッシベーション膜をドライエッチングすることにより開口され、当該第1の電極を前記有機EL層に接続して画素領域を形成するための第1の開口部と、
前記第2の引き出し電極をストッパとして前記パッシベーション膜をドライエッチングすることにより開口され、当該第2の引き出し電極を前記第2の電極に接続するための第2の開口部と、
前記第1および第2の引き出し電極をそれぞれストッパとして前記パッシベーション膜をドライエッチングすることにより開口され、当該第1および第2の引き出し電極を外部駆動回路にそれぞれ接続するための第3および第4の開口部とを有すると共に、
前記第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極の各電極の肩部を被覆していることを特徴とする有機EL表示素子。
On the transparent substrate, at least a patterned color conversion filter layer is formed, and a color conversion filter substrate is formed on which a first passivation layer is formed, and patterned corresponding to the color conversion filter layer The first electrode, the first extraction electrode following the first electrode, the organic EL layer formed on the first electrode, and the organic EL layer sandwiched between the first electrode and the first electrode. An organic EL display element comprising a second electrode and a second lead electrode connected to the second electrode on the color conversion filter substrate,
The first electrode, the first lead electrode, and the second lead electrode are formed by patterning on the surface of the color conversion filter substrate, and the color conversion filter between the surface of each electrode and each electrode A second passivation layer comprising a passivation film covering the surface of the substrate;
The second passivation layer comprises:
An opening formed by dry etching the passivation film using the first electrode as a stopper, and a first opening for connecting the first electrode to the organic EL layer to form a pixel region;
A second opening for opening the passivation film by dry etching using the second extraction electrode as a stopper, and connecting the second extraction electrode to the second electrode;
The passivation film is opened by dry etching using the first and second lead electrodes as stoppers, respectively, and third and fourth holes for connecting the first and second lead electrodes to an external drive circuit, respectively. And having an opening,
An organic EL display element, wherein shoulders of the respective electrodes of the first electrode, the first extraction electrode, and the second extraction electrode are covered.
前記第1の電極および第2の電極は、相互に交差するマトリクス状に配列された複数の電極からなり、その各交差部に画素領域を形成するための前記第2のパッシベーション層の第1の開口部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示素子。   The first electrode and the second electrode are composed of a plurality of electrodes arranged in a matrix intersecting each other, and the first passivation layer first layer for forming a pixel region at each intersection is formed. The organic EL display element according to claim 1, wherein an opening is formed. 前記第2のパッシベーション層が、酸化珪素、窒化珪素、および酸化窒化珪素から選ばれる材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL表示素子。   The organic EL display element according to claim 1, wherein the second passivation layer is made of a material selected from silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride. 請求項1〜3のいずれかに記載の有機EL表示素子の製造方法において、
透明基板上に、少なくとも、パターン化された色変換フィルタ層が形成され、その上に第1のパッシベーション層が形成されてなる色変換フィルタ基板上に、前記第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極を形成する電極形成工程と、
該電極が形成された色変換フィルタ基板をパッシベーション膜で被覆するパッシベーション膜被覆工程と、
該パッシベーション膜上に前記第1〜第4の開口部に対応する開口部を有するレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
該レジスト膜が形成されたパッシベーション膜をドライエッチングすることにより、前記第1の電極、第1の引き出し電極、および第2の引き出し電極の各電極をストッパとして前記第1〜第4の開口部を形成して前記第2のパッシベーション層とするドライエッチング工程と
を備えることを特徴とする有機EL表示素子の製造方法。
In the manufacturing method of the organic electroluminescent display element in any one of Claims 1-3,
On the transparent substrate, at least a patterned color conversion filter layer is formed, and a first passivation layer is formed thereon. On the color conversion filter substrate, the first electrode and the first extraction electrode are formed. And an electrode forming step of forming a second lead electrode;
A passivation film coating step of coating the color conversion filter substrate on which the electrode is formed with a passivation film;
Forming a resist film having openings corresponding to the first to fourth openings on the passivation film; and
By dry-etching the passivation film on which the resist film is formed, the first to fourth openings are formed using the first electrode, the first lead electrode, and the second lead electrode as a stopper. A dry etching step of forming the second passivation layer to form the organic EL display element.
前記ドライエッチング工程は、フッ素系ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気下で行うことを特徴とする請求項4に記載の有機EL表示素子の製造方法。   The method for manufacturing an organic EL display element according to claim 4, wherein the dry etching step is performed in an atmosphere containing a fluorine-based gas and an oxygen gas.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195677A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Tdk Corp Organic el display device and its manufacture
JP2003142259A (en) * 2001-10-31 2003-05-16 Fuji Electric Co Ltd Organic thin film light emitting display and manufacturing method of the same
JP2004039311A (en) * 2002-06-28 2004-02-05 Fuji Electric Holdings Co Ltd Organic multi-color luminescent display device and its manufacturing method
JP2005026103A (en) * 2003-07-03 2005-01-27 Mitsubishi Electric Corp Organic electroluminescent display device and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195677A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Tdk Corp Organic el display device and its manufacture
JP2003142259A (en) * 2001-10-31 2003-05-16 Fuji Electric Co Ltd Organic thin film light emitting display and manufacturing method of the same
JP2004039311A (en) * 2002-06-28 2004-02-05 Fuji Electric Holdings Co Ltd Organic multi-color luminescent display device and its manufacturing method
JP2005026103A (en) * 2003-07-03 2005-01-27 Mitsubishi Electric Corp Organic electroluminescent display device and its manufacturing method

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