JP2007280621A - Thin-film peeling device - Google Patents

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JP2007280621A
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peeling
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peeled
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Daiki Ito
大樹 伊藤
Akio Fukase
章夫 深瀬
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Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin-film peeling device having a peeling method capable of completely removing residue in the separation of a thin film and peeling the thin film with high position precision. <P>SOLUTION: A unit 4, having a contact part 7 and a removal part 8, moves to a removal position corresponding to a thin film 2a to be removed in a thin film formed on a substrate 1 by the travel of a stage 6 or a unit movable part 5, peels only the thin film 2a to be removed in the thin film, and completely removes the residue by a residue port 9. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、薄膜剥離装置に関し、特に剥離した残渣の除去に関する。   The present invention relates to a thin film peeling apparatus, and more particularly to removal of a peeled residue.

従来、有機膜の剥離方法としては、ウエットエッチング法やドライエッチング法があり
、それぞれ薬剤やプラズマによって剥離している。また、低温液体中での超音波を使用し
た剥離方法も提供されている(例えば、特開平4−28219)。
Conventionally, as an organic film peeling method, there are a wet etching method and a dry etching method, which are peeled off by chemicals or plasma, respectively. Further, a peeling method using ultrasonic waves in a low temperature liquid is also provided (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-28219).

特開平4−28219号公報JP-A-4-28219

しかしながら、従来の剥離方法のウエットエッチング法では、必要な有機膜まで腐食さ
れる問題があり、ドライエッチング法では、残渣の問題や基板へのダメージを与える恐れ
がある。また、低温液体中での超音波を使用した剥離方法が提供されているが、基板への
ダメージを与える恐れがある。
However, the conventional wet etching method has a problem that even a necessary organic film is corroded, and the dry etching method may cause a residue problem and damage to the substrate. Further, although a peeling method using ultrasonic waves in a low-temperature liquid is provided, there is a risk of damaging the substrate.

本発明は、上述の課題に鑑みなされたもので、薄膜剥離における残渣の完全な除去と位
置精度の高い剥離が可能な薄膜剥離装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a thin film peeling apparatus capable of complete removal of residues in thin film peeling and peeling with high positional accuracy.

本発明の薄膜剥離装置は、ステージと、前記ステージ上に載置され、表面に薄膜が形成
された基板と、前記薄膜に物理的に接触し、前記薄膜を剥離する接触部位および前記薄膜
が剥離されて生じた残渣を除去する部位を有するユニットとを有することを特徴とする。
The thin film peeling apparatus of the present invention includes a stage, a substrate placed on the stage and having a thin film formed on the surface, a contact portion that physically contacts the thin film and peels the thin film, and the thin film is peeled off. And a unit having a portion for removing the generated residue.

本発明の薄膜剥離装置によれば、接触部位と除去部位からなるユニットが、剥離しよう
とする薄膜に物理的に接触することで、剥離しようとする箇所の薄膜部分のみを剥離し、
残渣を除去部位により、吸引や溶媒を使用して除去することが可能となる。よって、残渣
の完全な除去と必要な薄膜部分にダメージを与えずに薄膜を剥離することが可能となる。
According to the thin film peeling apparatus of the present invention, the unit consisting of the contact site and the removal site is in physical contact with the thin film to be peeled, so that only the thin film portion of the location to be peeled is peeled,
The residue can be removed using suction or a solvent depending on the removal site. Therefore, it is possible to completely remove the residue and peel the thin film without damaging a necessary thin film portion.

また、前記ユニットを、前記基板に対して移動させる可動部位を有することが望ましい
Moreover, it is desirable to have a movable part which moves the unit with respect to the substrate.

また、前記ステージが、前記ユニットに対して移動することが望ましい。   Further, it is desirable that the stage moves with respect to the unit.

また、前記接触部位が、前記薄膜の剥離を行う前記基板面に対して水平方向に移動する
機能と、前記接触部位が、前記薄膜の剥離を行う前記基板面に対して、前記接触部位に備
えられた軸を中心に回転する機能と、前記接触部位が、前記薄膜の剥離を行う前記基板面
に対して、鉛直方向に移動する機能とを備え、前記三つの機能のうち、少なくとも1つの
機能を有していることが望ましい。
In addition, the contact portion is provided in the contact portion with respect to the substrate surface where the thin film is peeled off, and the function of the horizontal movement with respect to the substrate surface where the thin film is peeled off. A function of rotating about a given axis, and a function of moving the contact portion in a vertical direction with respect to the substrate surface on which the thin film is peeled, and at least one of the three functions It is desirable to have

前述のようにすれば、ユニット或いはステージが可動であることで、基板と接触部位と
が相対的に移動し、不必要な箇所の薄膜を擦り取ることが可能となり、さらに確実な剥離
を行うことができる。
As described above, since the unit or the stage is movable, the substrate and the contact portion move relatively, and it is possible to scrape the thin film at unnecessary portions, and further reliable peeling is performed. Can do.

また、前記ユニットは、前記薄膜を剥離する際に生じた残渣を吸引して除去する機能を
有することが望ましい。
Moreover, it is desirable that the unit has a function of sucking and removing a residue generated when the thin film is peeled off.

また、前記ユニットは、前記薄膜を剥離する際に生じた残渣を前記薄膜を溶解させる溶
媒を滴下して除去する機能を有することが望ましい。
The unit preferably has a function of removing a residue generated when the thin film is peeled by dropping a solvent that dissolves the thin film.

また、前記接触部位は、前記薄膜を溶解させる溶媒を滴下する機能を有することが望ま
しい。
Moreover, it is desirable that the contact portion has a function of dropping a solvent that dissolves the thin film.

前述のようにすれば、薄膜剥離における残渣の完全な除去を行うことが可能となる。   If it does as mentioned above, it will become possible to perform the complete removal of the residue in thin film peeling.

また、前記ユニットは、前記薄膜を剥離する際に生じた残渣を、前記薄膜を溶解させる
溶媒を滴下して除去する機能を有し、且つ、前記接触部位は、前記薄膜を溶解させる溶媒
を滴下する機能を有することとしてもよい。
In addition, the unit has a function of removing residues generated when the thin film is peeled by dropping a solvent that dissolves the thin film, and the contact part drops a solvent that dissolves the thin film. It is good also as having the function to do.

また、前記薄膜が、少なくとも1層の発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子を構成する有機薄膜であることとしてもよい。
Moreover, the said thin film is good also as being an organic thin film which comprises the organic electroluminescent element which has an at least 1 layer of light emitting layer.

以下、本発明の薄膜剥離装置にかかる実施例を図面を用いて説明する。本発明の薄膜剥
離装置は、剥離部位および剥離が必要な薄膜の位置に精度良く薄膜剥離部位を移送させる
ステージを有するユニットがあり、確実な剥離を行うための薄膜に接触する接触部位と残
渣を除去する除去部位を持ち合わせている。
Embodiments of the thin film peeling apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings. The thin film peeling apparatus of the present invention has a unit having a stage for accurately transferring the thin film peeling site to the position of the peeling site and the thin film that needs to be peeled. Has a removal site to remove.

本発明の実施例について、以下図により説明する。図1は、本発明の薄膜剥離装置の構
成図である。1は、基板、2aは、除去される薄膜、2bは、除去されない薄膜、3は基
板サイズに対応した駆動や位置の制御装置、4は、制御装置3内の可動部位により移送さ
れる薄膜を剥離および除去するユニット、5は、ユニット4を移送させる制御装置3内に
備えた可動部位、6は、基板1を移送させるステージである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a thin film peeling apparatus of the present invention. 1 is a substrate, 2a is a thin film to be removed, 2b is a thin film that is not removed, 3 is a drive and position control device corresponding to the substrate size, and 4 is a thin film transferred by a movable part in the control device 3. The unit 5 for peeling and removing is a movable part provided in the control device 3 for transferring the unit 4, and 6 is a stage for transferring the substrate 1.

図2(a)および図2(b)は、薄膜を剥離および除去するユニットの断面図および底
面図である。7は薄膜に接触する接触部位であり、8は除去部位である。9は除去部位か
らの残渣を受ける残渣受口になっており、14のフィルタを備えている。
FIGS. 2A and 2B are a cross-sectional view and a bottom view of a unit for peeling and removing a thin film. 7 is a contact part which contacts a thin film, 8 is a removal part. 9 is a residue receiving port for receiving residues from the removal site, and is provided with 14 filters.

図3はユニット内の接触部位の断面図である。
10は接触部位を回転させる機能および鉛直方向へ稼動させる機能を有する回転可動軸
であり、11は接触部位を水平方向へ稼動させる可動軸である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a contact portion in the unit.
Reference numeral 10 denotes a rotary movable shaft having a function of rotating the contact site and a function of operating in the vertical direction, and 11 is a movable shaft operating the contact site in the horizontal direction.

ここで薄膜の除去方法について基板1に薄膜形成された除去される薄膜2aの除去を一
例として説明する。
ユニット4が、可動部位5またはステージ6によって、基板1に薄膜形成された除去さ
れる薄膜2aに対するようにその上部に移送される。なお、本例では、ユニット4の移送
は、可動部位5で行なわれる例で説明する。可動部位5によって、移送されたユニット4
は、回転可動軸10または可動軸11によって稼動(揺動)された接触部位7によって、
除去される薄膜2aが剥離される。剥離の際の残渣は、除去部位8によって除去され、残
渣受口9に溜まる。
Here, the method for removing the thin film will be described by taking as an example the removal of the thin film 2a to be removed formed on the substrate 1.
The unit 4 is transferred by the movable part 5 or the stage 6 to the upper part of the thin film 2a formed on the substrate 1 so as to be removed. In this example, the transfer of the unit 4 will be described as an example performed in the movable part 5. Unit 4 transferred by movable part 5
The contact portion 7 operated (swinged) by the rotary movable shaft 10 or the movable shaft 11,
The thin film 2a to be removed is peeled off. The residue at the time of peeling is removed by the removal site 8 and collected in the residue receiving port 9.

図4は、剥離の際、溶媒を用いた時のユニット4の断面図である。
12は残渣除去の際の溶媒噴出ノズル、13は剥離する際の溶媒噴出ノズルである。必
要に応じて、除去される薄膜2aを剥離する際に溶媒が溶媒噴出ノズル13から噴出し、
接触部位7による剥離を助長する。また必要に応じて、残渣除去の際に溶媒が溶媒噴出ノ
ズル12から噴出し、除去部位8による除去を助長する。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the unit 4 when a solvent is used during peeling.
Reference numeral 12 denotes a solvent ejection nozzle for removing the residue, and reference numeral 13 denotes a solvent ejection nozzle for peeling. If necessary, the solvent is ejected from the solvent ejection nozzle 13 when the thin film 2a to be removed is peeled off,
Facilitates peeling by the contact site 7. If necessary, the solvent is ejected from the solvent ejection nozzle 12 when the residue is removed, and the removal by the removal site 8 is promoted.

なお、本例では、ノズルは2本用意したが、同溶媒を使用する場合など、状況に応じて
、1本での剥離および除去が可能であり、3本以上であってもよい。
In this example, two nozzles are prepared. However, depending on the situation, for example, when the same solvent is used, separation and removal can be performed with one nozzle, and three or more nozzles may be used.

前述した実施例の薄膜剥離装置を用い、超音波洗浄したガラス基板上の全面に50nm
のPEDOT膜が形成された基板の場合を例として説明する。
ステージ6上にガラス基板上の全面に50nmのPEDOT膜2が形成された基板1を
設置し、薄膜が形成された面の面積の半分を剥離する狙いで、ステージ6および可動部位
5により基板1を移送する。接触部位7を薄膜2aへ接触させ、回転軸10により接触部
位7が回転し、薄膜2aを剥離し、同時に除去部位8により剥離した薄膜2aを除去する
。除去された薄膜2aはユニット4に設けられた残渣受口9内のフィルタ14によって捕
らえられる。
Using the thin film peeling apparatus of the embodiment described above, 50 nm is formed on the entire surface of the ultrasonically cleaned glass substrate.
An example of a substrate on which a PEDOT film is formed will be described.
A substrate 1 having a 50 nm PEDOT film 2 formed on the entire surface of a glass substrate is placed on the stage 6, and the substrate 1 is moved by the stage 6 and the movable part 5 with the aim of peeling half of the area of the surface on which the thin film is formed. Transport. The contact part 7 is brought into contact with the thin film 2 a, the contact part 7 is rotated by the rotating shaft 10, the thin film 2 a is peeled off, and at the same time, the thin film 2 a peeled off by the removal part 8 is removed. The removed thin film 2 a is captured by the filter 14 in the residue receiving port 9 provided in the unit 4.

薄膜2aが剥離された基板1を、段差計により膜厚測定を行う。基板1上の剥離されて
いない薄膜2bの膜厚は50nmであり、剥離された薄膜2aの残渣は3nmであった。
段差計の精度が5nmなので、薄膜2aは本装置によって、完全に剥離されている。
また、基板1上の剥離された領域の面積は、基板1の面積の半分であり、剥離位置精度
も高い。剥離したガラス基板1をAFMで観察すると、平均表面粗さは剥離前後で変化は
なく、また透過率も変化がなかったため、基板へのダメージはないと判断できる。
The thickness of the substrate 1 from which the thin film 2a has been peeled is measured with a step gauge. The film thickness of the non-peeled thin film 2b on the substrate 1 was 50 nm, and the residue of the peeled thin film 2a was 3 nm.
Since the accuracy of the step gauge is 5 nm, the thin film 2a is completely peeled off by this apparatus.
Moreover, the area of the peeled region on the substrate 1 is half of the area of the substrate 1, and the peeling position accuracy is high. When the peeled glass substrate 1 is observed with an AFM, the average surface roughness does not change before and after peeling, and the transmittance does not change, so that it can be determined that there is no damage to the substrate.

本発明の薄膜剥離装置では、薄膜剥離プロセスを有する様々な分野での利用が考えられ
る。例えば、有機ELパネル製造においても、電極コンタクト部分の不要な有機膜の剥離
に利用できる。剥離後の残渣を吸引によって除去することで、地球環境に悪い影響を与え
る薬剤を使用しなくてよく、プロセス簡略化・地球環境・コストの面から優位である。
The thin film peeling apparatus of the present invention can be used in various fields having a thin film peeling process. For example, in the manufacture of an organic EL panel, it can be used for peeling off an unnecessary organic film at an electrode contact portion. By removing the residue after peeling by suction, it is not necessary to use chemicals that adversely affect the global environment, which is advantageous in terms of process simplification, global environment, and cost.

本発明の薄膜剥離装置の構成図。The block diagram of the thin film peeling apparatus of this invention. 薄膜を剥離および除去するユニットの断面図および底面図。Sectional drawing and bottom view of the unit which peels and removes a thin film. ユニット内の接触部位の断面図。Sectional drawing of the contact site | part in a unit. 剥離の際、溶媒を用いた時のユニットの断面図。Sectional drawing of the unit when using a solvent in the case of peeling.

符号の説明Explanation of symbols

1…基板、2a…剥離が必要な薄膜、2b…剥離が不必要な薄膜、3…制御装置、4…
ユニット、5…ユニット可動部位、6…ステージ、7…接触部位、8…除去部位、9…残
渣受口、10…接触部位可動軸、11…可動軸、12…残渣除去用溶媒噴射ノズル、13
…剥離用溶媒噴射ノズル、14…フィルタ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate, 2a ... Thin film which needs peeling, 2b ... Thin film which does not require peeling, 3 ... Control apparatus, 4 ...
Unit: 5 ... Unit movable part, 6 ... Stage, 7 ... Contact part, 8 ... Removal part, 9 ... Residue receiving port, 10 ... Contact part movable shaft, 11 ... Mobile shaft, 12 ... Solvent injection nozzle for removing residue, 13
... Solvent injection nozzle for peeling, 14 ... Filter.

Claims (9)

ステージと、
前記ステージ上に載置され、表面に薄膜が形成された基板と、
前記薄膜に物理的に接触し、前記薄膜を剥離する接触部位および前記薄膜が剥離されて
生じた残渣を除去する部位を有するユニットとを有することを特徴とする薄膜剥離装置。
Stage,
A substrate placed on the stage and having a thin film formed on the surface;
A thin film peeling apparatus comprising: a unit physically contacting the thin film and having a contact portion for peeling the thin film and a portion for removing a residue generated by peeling the thin film.
前記ユニットを、前記基板に対して移動させる可動部位を有することを特徴とする請求
項1記載の薄膜剥離装置。
The thin film peeling apparatus according to claim 1, further comprising a movable part that moves the unit relative to the substrate.
前記ステージが、前記ユニットに対して移動することを特徴とする請求項1記載の薄膜
剥離装置。
The thin film peeling apparatus according to claim 1, wherein the stage moves with respect to the unit.
前記接触部位が、前記薄膜の剥離を行う前記基板面に対して水平方向に移動する機能と
、前記接触部位が、前記薄膜の剥離を行う前記基板面に対して、前記接触部位に備えられ
た軸を中心に回転する機能と、前記接触部位が、前記薄膜の剥離を行う前記基板面に対し
て、鉛直方向に移動する機能とを備え、前記三つの機能のうち、少なくとも1つの機能を
有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の薄膜剥離装置。
The contact portion is provided in the contact portion with respect to the substrate surface where the thin film is peeled off, and the function of moving the horizontal direction relative to the substrate surface where the thin film is peeled off. A function of rotating about an axis, and a function of moving the contact portion in a vertical direction with respect to the substrate surface on which the thin film is peeled, and having at least one of the three functions. The thin film peeling apparatus as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
前記ユニットは、前記薄膜を剥離する際に生じた残渣を吸引して除去する機能を有する
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の薄膜剥離装置。
The thin film peeling apparatus according to claim 1, wherein the unit has a function of sucking and removing a residue generated when peeling the thin film.
前記ユニットは、前記薄膜を剥離する際に生じた残渣を前記薄膜を溶解させる溶媒を滴
下して除去する機能を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の薄膜
剥離装置。
5. The thin film peeling according to claim 1, wherein the unit has a function of removing a residue generated when peeling the thin film by dropping a solvent that dissolves the thin film. apparatus.
前記接触部位は、前記薄膜を溶解させる溶媒を滴下する機能を有することを特徴とする
請求項1〜6のいずれか一項に記載の薄膜剥離装置。
The thin film peeling apparatus according to claim 1, wherein the contact portion has a function of dripping a solvent that dissolves the thin film.
前記ユニットは、前記薄膜を剥離する際に生じた残渣を、前記薄膜を溶解させる溶媒を
滴下して除去する機能を有し、且つ、前記接触部位は、前記薄膜を溶解させる溶媒を滴下
する機能を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の薄膜剥離装置。
The unit has a function of removing residues generated when the thin film is peeled by dropping a solvent that dissolves the thin film, and the contact part is a function of dripping a solvent that dissolves the thin film. The thin film peeling apparatus according to claim 1, wherein the thin film peeling apparatus is provided.
前記薄膜が、少なくとも1層の発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を構
成する有機薄膜であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の薄膜剥離装
置。
The thin film peeling apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the thin film is an organic thin film constituting an organic electroluminescence element having at least one light emitting layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010021050A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Konica Minolta Holdings Inc Method of manufacturing organic electroluminescent device
EP2798681A4 (en) * 2011-12-28 2015-12-30 Kolon Inc Method for manufacturing organic solar cell

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