JP2007277633A - Cvd装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成長容器1内に配置された複数の基板7の表面に結晶を成長させるCVD装置において、原料ガスが通過する第1ガス経路9eと、キャリアガスが通過する第2ガス経路9fとを有するガス導入管9を設け、第1ガス経路9eには、複数の基板7のそれぞれに向かって開口している第1開口部9aを設け、第2ガス経路9fには、複数の基板7における隣り合う基板7の間に向かって開口している第2開口部9bを設ける。第2開口部9bは、隣り合う基板7の間における中心位置に向かって開口させる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の第1実施形態について図1、図2に基づいて説明する。本実施形態のCVD装置は、同時に複数の基板上にSiCエピタキシャル膜を形成することができるマルチウェハCVD装置として構成されている。
次に、本発明の第2実施形態を図3、図4に基づいて説明する。本第2実施形態は、上記第1実施形態と比較して、ガス導入管9の構成が異なっている。上記第1実施形態の部分は同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
なお、上記各実施形態では、基板7としてSiC単結晶で構成されたものを用い、基板7の上にSiC単結晶をエピタキシャル成長させる例を挙げて説明しているが、他の結晶成長に本発明のCVD装置を使用することもできる。
Claims (8)
- 成長容器(1)内に配置された複数の基板(7)の表面に結晶を成長させるCVD装置であって、
前記複数の基板のそれぞれに向かって少なくとも原料ガスを供給する第1ガス供給手段(9a、9e)と、
前記複数の基板における隣り合う基板の間に向かってキャリアガスを供給する第2ガス供給手段(9b、9f)とを備えることを特徴とするCVD装置。 - 成長容器(1)内に配置された複数の基板(7)の表面に結晶を成長させるCVD装置であって、
原料ガスが通過する第1ガス経路(9e)と、キャリアガスが通過する第2ガス経路(9f)とを有するガス導入管(9)を備え、
前記第1ガス経路には、前記複数の基板のそれぞれに向かって開口している第1開口部(9a)が設けられ、前記第2ガス経路には、前記複数の基板における隣り合う基板の間に向かって開口している第2開口部(9b)が設けられていることを特徴とするCVD装置。 - 前記第1開口部から流出する原料ガスの流速を、前記第2開口部から流出するキャリアガスの流速より大きくすることを特徴とする請求項2に記載のCVD装置。
- 前記第1開口部の面積は、前記第2の開口部の面積より小さくなっていることを特徴とする請求項3に記載のCVD装置。
- 前記第1開口部から原料ガスに加えてキャリアガスが供給されるように構成されており、前記第1開口部から流出する原料ガスおよびキャリアガスの合計流量を、前記第2開口部から流出するキャリアガスの流量より大きくすることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載のCVD装置。
- 前記第2開口部は、前記隣り合う基板の間における中心位置に向かって開口していることを特徴とする請求項2ないし5のいずれか1つに記載のCVD装置。
- 前記キャリアガスとして水素を用いることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載のCVD装置。
- 前記原料ガスとしてシランとプロパンを用いることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載のCVD装置。
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