JP2007267049A - コンデンサマイクロホン - Google Patents
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Abstract
【課題】振動板に生じた引張応力を緩和させつつ固定電極との隙間を一定に保持することができ、感度を安定させることが可能なコンデンサマイクロホンを提供する。
【解決手段】環状の支持部1の内孔内に設けられた振動板4と、外周端側が支持部1に固着されて内孔を覆うように設けられるとともに振動板4と隙間H1をあけた状態で略平行に設けられた固定電極2と、一端が支持部1に固着され、他端が内側に延出して片持ち状態で支持された懸架部3と、懸架部3及び振動板4に固着されて振動板4を吊り下げ状態で支持する柱部5とを備え、懸架部3が変形し柱部5の傾斜移動を許容することよって振動板4に生じた引張応力を緩和するコンデンサマイクロホンAにおいて、懸架部3の変形及び柱部5の傾斜移動に伴って変化する固定電極2と振動板4の隙間H1を規制するためのストッパー6を具備する。
【選択図】図2
【解決手段】環状の支持部1の内孔内に設けられた振動板4と、外周端側が支持部1に固着されて内孔を覆うように設けられるとともに振動板4と隙間H1をあけた状態で略平行に設けられた固定電極2と、一端が支持部1に固着され、他端が内側に延出して片持ち状態で支持された懸架部3と、懸架部3及び振動板4に固着されて振動板4を吊り下げ状態で支持する柱部5とを備え、懸架部3が変形し柱部5の傾斜移動を許容することよって振動板4に生じた引張応力を緩和するコンデンサマイクロホンAにおいて、懸架部3の変形及び柱部5の傾斜移動に伴って変化する固定電極2と振動板4の隙間H1を規制するためのストッパー6を具備する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体デバイスの製造プロセスを応用して製造されるコンデンサマイクロホンに関する。
従来、半導体デバイスの製造プロセスを応用して製造されるコンデンサマイクロホンには、例えば特許文献1に開示されるような、ほぼ全周が周囲と切り離されたダイヤフラム(振動板)と、複数の通孔(穿孔)を有し、ダイヤフラムと平行しつつ隙間をあけた状態で基板に支持されたバックプレート(固定電極、穿孔部材)とを備えて構成したものがある。また、バックプレートには、ダイヤフラムに向けて突出する支持構造が形成されている。このコンデンサマイクロホンでは、ダイヤフラムとバックプレートの間にバイアス電圧を印加するとともに、電気ポテンシャルによってダイヤフラムがバックプレート側に吸引されて支持構造に吸着支持され、これにより、ダイヤフラムとバックプレートの間の隙間(エア間隔)が一定に保持される。
そして、このコンデンサマイクロホンでは、外部で発生した音圧がバックプレートの通孔及び隙間を通じてダイヤフラムに伝達され、この音圧の大きさに応じてダイヤフラムが振動し、振動によって変化する電気容量を捉えることで音圧の大きさを検出することができる。また、このコンデンサマイクロホンにおいては、ダイヤフラムを支持構造に吸着支持させて、コンデンサマイクロホンの感度に影響するダイヤフラムとバックプレートの隙間を所定の間隔に保持することによって感度の向上を図っている。
特表2004−506394号公報
しかしながら、上記のコンデンサマイクロホンにおいては、製造プロセスにおいて高温で成膜されるダイヤフラム(導電膜)に膜厚方向の残留応力分布が生じ、ほぼ全周が周囲と切り離された状態で形成した段階で、ダイヤフラムがカールするように変形するという問題があった。このため、ダイヤフラムの面に沿うダイヤフラムとバックプレートの間の隙間に分布が生じてしまい、かつこのダイヤフラムの変形の程度(カールの程度)が製造プロセス誤差によって変化するため、コンデンサマイクロホンの感度が変動するという問題があった。
一方、例えば図24及び図25に示すように、半導体デバイスの製造プロセスを応用して製造され、内孔を有し単結晶シリコン基板1a及び酸化膜1bが積層されて形成された支持部1と、略円板状に形成されて支持部1の上端1cに支持されたバックプレート2と、バックプレート2と上下方向の同位置に配されて支持部1の上端1cに支持された懸架部3と、支持部1の内孔内に設けられたダイヤフラム(振動板)4と、上端(一端)が懸架部3の下面に固着し、下端(他端)がダイヤフラム4の上面に固着して、ダイヤフラム4を吊り下げ状態で支持する柱部5とを備えたコンデンサマイクロホンDがある。
このコンデンサマイクロホンDでは、引張応力(残留応力)でダイヤフラム4が径方向内側(中央側)に引っ張られるとともに、柱部5が、懸架部3を上方に押し上げ、かつダイヤフラム4の外周端4a側を下方に折り曲げるように傾斜変形して、ダイヤフラム4に生じた引張応力を緩和することができる。但し、応力緩和後もダイヤフラム4には一定の引張応力が残留することから、柱部5よりも内側に位置する部分のダイヤフラム4は平坦に維持され、ダイヤフラム4の面に沿うダイヤフラム4とバックプレート2の間の隙間に分布が生じることが防止される。
しかしながら、このコンデンサマイクロホンDにおいても、ダイヤフラム(導電膜)を成膜形成するプロセス条件の誤差によって、発生する引張応力が異なる場合には、懸架部やダイヤフラムの外周端側の変形量、すなわち柱部の傾斜変形量が変わってしまい、製造するコンデンサマイクロホン毎にダイヤフラムとバックプレートの隙間の大きさが変化してしまう。このため、コンデンサマイクロホンの感度が変動するという問題が生じる。また、例えばダイヤフラムがバックプレートに近づき過ぎた場合には、大きな音圧が伝達されてダイヤフラムが大きく振動した際にパックプレートに接触し、電気的な短絡を招くという問題が生じる。
本発明は、上記事情を鑑み、振動板に生じた引張応力を緩和させつつ固定電極との隙間を確実に一定に保持することができ、感度を安定させることが可能なコンデンサマイクロホンを提供することを目的とする。
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。
本発明のコンデンサマイクロホンは、環状の支持部の内孔内に設けられた振動板と、外周端側が前記支持部に固着されて前記内孔を覆うように設けられるとともに前記振動板と隙間をあけた状態で略平行に設けられた固定電極と、一端が前記支持部に固着され、他端が内側に延出して片持ち状態で支持された懸架部と、前記懸架部及び前記振動板に固着されて前記振動板を吊り下げ状態で支持する柱部とを備え、前記懸架部が変形し前記柱部の傾斜移動を許容することよって前記振動板に生じた引張応力を緩和するコンデンサマイクロホンにおいて、前記懸架部の変形及び前記柱部の傾斜移動に伴って変化する前記固定電極と前記振動板の隙間を規制するためのストッパーが具備されていることを特徴とする。
また、本発明のコンデンサマイクロホンにおいては、前記ストッパーが、前記固定電極から前記振動板に向けて、または前記振動板から前記固定電極に向けて突設されていることが望ましい。
さらに、本発明のコンデンサマイクロホンにおいては、前記支持部の内孔が略円形に形成され、前記柱部及び前記懸架部が前記内孔の軸線を中心とした周方向に間隔をあけて複数並設されるとともに、前記ストッパーが、前記懸架部よりも径方向内側に設けられていることがより望ましい。
また、本発明のコンデンサマイクロホンにおいては、前記支持部の内孔が略円形に形成され、前記柱部及び前記懸架部が前記軸線を中心とした周方向に間隔をあけて複数並設されるとともに、前記ストッパーが、周方向に隣り合う前記懸架部同士の間に設けられてもよい。
さらに、本発明のコンデンサマイクロホンにおいて、前記支持部には、前記内孔を縮径するように内側に突出する突部が設けられ、前記振動板は、前記柱部よりも外側に延出した外周縁部を備えており、前記外周縁部が、前記振動板に生じた引張応力を緩和する前記柱部の傾斜移動に伴って前記突部に向けて変形し、前記外周縁部の外周端が前記突部に当接されることによって前記固定電極と前記振動板の隙間を規制する前記ストッパーを構成していてもよい。
また、本発明のコンデンサマイクロホンにおいて、前記支持部には、前記内孔を縮径するように内側に突出する突部が設けられ、前記振動板が前記柱部よりも外側に延出した外周縁部を備えるとともに、該外周縁部には、前記突部に向けて突出する当接部が設けられており、前記外周縁部が、前記振動板に生じた引張応力を緩和する前記柱部の傾斜移動に伴って前記突部に向けて変形するとともに前記当接部が前記突部に当接されて前記固定電極と前記振動板の隙間を規制する前記ストッパーを構成していてもよい。
さらに、前記懸架部に、平面視で該懸架部に固着された前記柱部の一端を囲むように切り欠かれた切欠き部が設けられ、前記柱部が傾斜移動する際に前記切欠き部で囲まれた部分が変形するように形成されてもよい。
本発明のコンデンサマイクロホンによれば、固定電極と振動板の隙間を規制するストッパーが設けられていることによって、振動板に生じた引張応力を緩和するように柱部が傾斜変形して固定電極と振動板の隙間の大きさが変化する際に、ストッパーによって隙間の大きさの変化を止めることができる。これにより、プロセス条件によらず、柱部よりも内側の振動板を平坦にして固定電極と振動板の隙間を一定の間隔で保持することができ、振動板に生じた引張応力に起因するコンデンサマイクロホンの感度変動を解消することができる。
また、本発明のコンデンサマイクロホンにおいて、ストッパーを固定電極から振動板に向けて突出するように設けたり、振動板から固定電極に向けて突出するように設けることによって、固定電極と振動板が近づくように変位する際に、ストッパーが固定電極と振動板の間に挟まれて、それ以上隙間の大きさが変化しないようにできる。これにより、隙間を一定の間隔で保持することができる。
さらに、本発明のコンデンサマイクロホンにおいては、支持部の内孔が略円形に形成されるとともに、柱部及び懸架部が周方向に複数並設されて、ストッパーが懸架部よりも径方向内側に設けられていることによって、音圧が作用して振動する中央側の振動板を確実に固定電極に平行した状態で、かつ互いの隙間を一定の間隔で保持することができる。
また、ストッパーを、周方向に隣り合う懸架部同士の間に設けた場合には、引張応力を緩和させるように柱部が傾斜変形した際に、柱部が固着した部分の振動板が固定電極から離れる方向に押圧されて変形し、周方向に隣り合う柱部や懸架部同士の間に位置する振動板が逆に固定電極に近づく方向に持ち上げられるように変形することになるが、この固定電極に近づく方向に持ち上がる部分の振動板と固定電極の間にストッパーが挟まれて振動板を押圧することができ、これにより、振動板の中央側が固定電極に近づき過ぎることを防止して振動板の中央側と固定電極の隙間の間隔を一定に保持することができる。
また、本発明のコンデンサマイクロホンにおいては、振動板の柱部よりも外側に延出した外周縁部がストッパーとされていることによって、柱部の傾斜変形とともにこの外周縁部が支持部の突部に向けて変形し、その外周端を突部に当接させることができる。これにより、外周端が突部に当接するとともに、柱部の傾斜変形を止めることができ、隙間を一定の間隔で保持することが可能になる。さらに、ストッパーを構成する外周縁部に当接部を設けた場合には、この当接部が柱部の傾斜変形とともに突部に当接されて、隙間を一定の間隔で保持することができる。
また、本発明のコンデンサマイクロホンにおいては、懸架部に切欠き部を設けて、柱部が傾斜移動する際に切欠き部で囲まれた部分が変形する構成とした場合、この切欠き部で囲まれた部分の振動板が変形するとともに柱部に吊り下げ状態で支持された振動板が固定電極から離れるように変位する。これにより、柱部の傾斜変形によって折れ曲る外周縁部を確実に突部に当接させて隙間を一定に保持することができる。
以下、図1から図10を参照し、本発明の第1実施形態に係るコンデンサマイクロホンについて説明する。本実施形態は、半導体デバイスの製造プロセスを応用して製造されるコンデンサマイクロホンに関するものである。
本実施形態のコンデンサマイクロホンAは、図1及び図2に示すように、感音部A1と検出部A2を備えて構成され、感音部A1は、円形の内孔を有し単結晶シリコン基板1aと酸化膜1bが積層されて形成された環状の支持部1と、略円板状に形成されて支持部1の上端1cに支持されたバックプレート(固定電極)2と、バックプレート2と上下方向の同位置に配されて支持部1の上端1cに支持された懸架部3と、支持部1の内孔内に設けられたダイヤフラム(振動板)4と、上端が懸架部3の下面に固着し、下端がダイヤフラム4の上面に固着して、ダイヤフラム4を吊り下げ状態で支持する柱部5と、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1を規制するストッパー6とで構成されている。また、検出部A2は、バイアス電源回路10と抵抗回路11とで構成されている。
支持部1は、単結晶シリコン基板(基板)1aと二酸化珪素(SiO2)等の酸化膜1bが、互いの軸線O1(支持部1の内孔及びコンデンサマイクロホンAの軸線)を同軸上に配した状態で積層されて形成されている。また、この支持部1は、基板1aの外周面と酸化膜1bの外周面が径方向の同位置に配されて面一とされ、酸化膜1bの内周面が、基板1aの内周面よりも外側に配されて形成されている。これにより、基板1aの内周面側には、内側に向けて突出しその上面1dを露出させた突部1eが形成されている。なお、環状の支持部1は、上面から下面に貫通する内孔を有して形成されていればよく、本実施形態のように上面側からの平面視で円形の内孔を有するとともに外周が方形状を呈して形成されるものに限らず、前記平面視で内孔が矩形状に形成されたり、外周が円形状を呈するものであってもよい。
バックプレート2は、例えば多結晶シリコン(以下、ポリシリコンという)が略円板状に形成された導電性の半導体膜であり、その中心線(軸線)を支持部1の軸線O1と同軸線上に配した状態で、その外周端2c側を支持部1の上端1c、すなわち酸化膜1bの上面に固着して設けられている。これにより、バックプレート2は、その中央側(径方向内側)が支持部1の内孔を覆うように設けられている。また、支持部1の内孔を覆うバックプレート2の中央側には、上面から下面に貫通する複数の通孔2aが、平面視で略均等に分散して設けられている。さらに、このバックプレート2には、周方向に等間隔で設けられ、外周端2cから径方向内側に向けて平面視で凹状に切り欠かれた凹部2bが形成されている。本実施形態では、この凹部2bが3つ設けられており、各凹部2bは、周方向の幅が、径方向内側に向かうに従い漸次小となる平面視略台形状に形成されている。なお、凹部2bの数やその平面形状は特に限定を必要とするものではない。
懸架部3は、例えばポリシリコンからなる導電性の半導体膜であり、平面視略台形状に形成され、バックプレート2の凹部2b内にバックプレート2と非接触とされて設けられている。また、懸架部3は、平面視略台形状の下底側の一端が支持部1の上端1cに固着され、他端が径方向内側に延設されて、片持ち状態で設けられている。さらに、懸架部3の一端側は、上面及び下面がバックプレート2の上面及び下面とそれぞれ同一水平面上に配されているのに対し、詳細は後述する柱部5が固着された他端側の自由端側は、一端側から他端に向かうに従い漸次柱部5の傾斜移動(回動)に伴って上方に弾性変形している。
ダイヤフラム4は、例えばポリシリコンなどの導電膜からなり、略円板状に形成されている。また、ダイヤフラム4は、その中心線(軸線)を支持部1の軸線O1と同軸上に配した状態で、基板1aの突部1eの上面1dとバックプレート2の下面の上下方向略中央に配設されている。さらに、このダイヤフラム4は、上端(一端)が懸架部3の他端側(自由端側)の下面に固着され、下端(他端)がダイヤフラム4の外周端4a側の上面に固着された略矩形柱状で絶縁性の柱部5によって吊り下げ状態で支持されている。また、この柱部5の下端が固着された外周端4a側は、柱部5の回動に伴って径方向内側から外周端4aに向かうに従い漸次下方に折れ曲るように変形して形成されている。一方、径方向内側(中央側)の部分は、ストッパー6によってバックプレート2に平行した水平に延設され、バックプレート2との間に径方向に略同一寸法で延びる隙間H1を画成している。すなわち、バックプレート2とダイヤフラム4の径方向内側(中央側)の隙間H1は一定の間隔とされている。なお、ダイヤフラム4は、可動電極として機能するものであり、絶縁膜と、少なくともその中央部に形成された可動電極としての導電膜とを含む複数膜で構成されてもよい。
ストッパー6は、例えば窒化シリコンなどの絶縁性と耐フッ酸性を有した略半球状に形成され、各凹部2bから僅かに径方向内側に位置するバックプレート2に固着されて、このバックプレート2の下面から下方に突出するように設けられている。また、このストッパー6は、下端がダイヤフラム4の上面に当接されて、前記隙間H1の間隔を一定に保持して規制している。
一方、検出部A2は、バイアス電源回路10が、バイアス電源10aとリード線10bを備え、抵抗回路11が、抵抗11aとプリアンプ11bとリード線11cを備えて構成されている。そして、バイアス電源回路10は、バイアス電源10aの出力端に接続されたリード線10bが、ダイヤフラム4と基板1aとにそれぞれ分岐して接続され、これにより、ダイヤフラム4と基板1aを同電位としている。また、バイアス電源10aの入力端に接続されたリード線10bは、実装基板のグランドに接続されている。抵抗回路11抵抗11aの一端に接続されたリード線11cがバックプレート2に接続され、抵抗11aの他端に接続されたリード線11cが実装基板のグランドに接続されている。また、抵抗11aとバックプレート2に接続されたリード線11cから分岐したリード線11cがプリアンプ11bの入力端に接続されている。
ついで、上記構成からなる本実施形態のコンデンサマイクロホンAの製造方法について説明する。
はじめに、図3に示すように、単結晶シリコン基板1aの表面(上面)に例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)等で絶縁性のSiO2を積層させて、基板1a上に酸化膜1bを形成する。ついで、酸化膜1b上に、CVD等でダイヤフラム(振動板)4を形成するためのポリシリコンの導電膜20を積層形成する。そして、導電膜20上にレジストを塗布しレジスト膜30を積層形成した段階で、露光現像処理を施して、ダイヤフラム4の形状とレジスト膜30の平面形状が等しくなるように不要なレジスト膜30を除去する。
ついで、ダイヤフラム4の形状と平面形状が等しいレジスト膜30を導電膜20上に形成した段階で、露出する導電膜20をRIE(Reactive Ion Etching)等でエッチングし、ダイヤフラム4となる導電膜20を所定形状に形成する。図4に示すように、例えばNMP(N−メチル−2−ピロリドン)などのレジスト剥離液を用いてレジスト膜30を除去した段階で、酸化膜1b及び導電膜20上に、CVD等で新たに酸化膜1bを積層形成して導電膜20を酸化膜1b内に埋設させる。
ついで、図5に示すように、酸化膜1b上にレジスト膜31を形成するとともに、ストッパー6の平面形状に相応する部分のレジスト膜31を除去し、例えばRIE等でエッチングして、酸化膜1bの上面から下面に向けて凹む所定の深さの孔部6aを形成する。そして、図6に示すように、酸化膜1b上のレジスト膜31を除去した段階で、酸化膜1b上にCVD等で窒化シリコン膜6bを積層形成する。このとき、孔部6aに窒化シリコンが充填される。窒化シリコン膜6bを積層形成した段階で、この窒化シリコン膜6b上にレジスト膜32を形成するとともに、平面視で孔部6aよりも僅かに大きな形状となるように孔部6a上のレジスト膜32を残し、他の不要なレジスト膜32を除去する。
そして、図7に示すように、露出した窒化シリコン膜6bをRIE等で除去しストッパー6を形成する。ついで、レジスト膜32を除去した段階で、酸化膜1b上に露出したストッパー6(窒化シリコン膜6b)を埋設するように、酸化膜1b上にCVD等でバックプレート2及び懸架部3となる導電膜21を積層形成する。この導電膜21上にレジスト膜33を積層形成するとともに、バックプレート2及び懸架部3の平面形状に相応するレジスト膜33を残して不要なレジスト膜33を除去する。
ついで、図8に示すように、RIE等で露出する導電膜21をエッチングすることにより、バックプレート2及び懸架部3となる導電膜21を所定形状に形成する。このとき、バックプレート2となる部分の導電膜21には、通孔2aや凹部2bが形成され、懸架部3となる部分の導電膜21は、他の導電膜21と分離されて凹部2b内に形成される。
図9に示すように、基板1aの下面にレジスト膜34を形成するとともに、基板1aの内孔(支持部1の内孔)上に位置するレジスト膜34を除去して、レジスト膜34から露出する部分の基板1aを、基板1a上に積層されている酸化膜1bの下面に到達するまでDeepRIE等でエッチングする。これにより、内孔を有する盤状の基板1aが形成される。ついで、導電膜21及び酸化膜1b上にレジスト膜35を形成するとともに、支持部1の内孔上に位置するレジスト膜35を除去する。すなわち、バックプレート2の通孔2aを露出させるようにレジスト膜35を形成する。そして、通孔2a及び基板1aの内孔から例えばフッ酸などのエッチング液を供給して酸化膜1bを溶解させる。このとき、複数の通孔2aから供給したエッチング液によって、これら通孔2aが形成されているバックプレート2の中央領域の直下に位置する酸化膜1bが下方の導電膜20(振動板4)の上面に到達するまで溶解し、かつこの部分の酸化膜1bよりも僅かに径方向外側に位置する酸化膜1bが溶解する。
一方、基板1aの内孔側から供給したエッチング液によって、導電膜20の下方に位置する酸化膜1bが導電膜20の下面に到達するまで溶解するとともに、エッチング液が酸化膜1bを溶解させつつ導電膜20の外周端4aを回り込むように供給されて、この導電膜20から上方の導電膜21の下面に到達する範囲の酸化膜1bが溶解する。これにより、図10に示すように、基板1aに、内側に突出する突部1eが形成されるとともに、懸架部3の下面に一端が固着し、ダイヤフラム4の外周端4a側の上面に他端が固着された絶縁性の柱部5が画成され、ダイヤフラム4が、バックプレート2との間に隙間をあけて、懸架部3に柱部5を介して吊り下げ状態で支持される。そして、最後にレジスト膜34、35を除去して感音部A1の形成が完了した段階で、バイアス電源回路10及び抵抗回路11を取り付け、本実施形態のコンデンサマイクロホンAの製造が完了する。
ここで、上記のように半導体の製造プロセスを応用してコンデンサマイクロホンを製造する場合、感音部A1の製造において、ダイヤフラム4となる導電膜20を酸化膜1b上に成膜する際には、酸化膜1bの二酸化珪素よりも大きな熱膨張係数を有するポリシリコンが高温で供給される。このため、酸化膜1bに埋設されて常温まで低温化したときにダイヤフラム4に引張応力Tが発生し、酸化膜1bを溶解させてダイヤフラム4を吊り下げ状態とした際には、ダイヤフラム4がこの引張応力Tによって径方向内側に縮むように変形する。
例えばダイヤフラム4を適宜固定して引張応力Tによる縮み変形を生じさせないようにした場合には、ダイヤフラム4のスチフネスが高くなって音響等の音圧が作用してもその振動性能が低下してコンデンサマイクロホンAの感度低下を招くことになる。このため、前述の図23及び図24に示した従来のコンデンサマイクロホンDや本実施形態のコンデンサマイクロホンAでは、片持ち状態とされて弾性変形可能な懸架部3を設け、この懸架部3に柱部5を介してダイヤフラム4を吊り下げている。すなわち、ダイヤフラム4が吊り下げ状態になり径方向内側に縮もうとする引張応力Tが開放されるとともに、柱部5の下端が径方向内側に引っ張られ、柱部5が接続する懸架部3が、その自由端側(他端側)を上方に押し上げるように弾性変形し柱部5を傾斜変形させる。これにより、柱部5で支持したダイヤフラム4は、引張応力Tが緩和され、そのスチフネスを低くした状態で設置される。
しかしながら、半導体の製造プロセスを応用して製造されるコンデンサマイクロホンにおいては、プロセス条件を常に一定にすることは困難であるため、ダイヤフラム4に発生する引張応力Tは常に一定の大きさではない。このため、引張応力Tを緩和するように変形するダイヤフラム4の外周端4a側や懸架部3の変形量は、その引張応力Tに応じて変化することになり、これにより、引張応力Tに応じてバックプレート2とダイヤフラム4の隙間の大きさが変化することになる。このように、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間の大きさを制御できない場合には、感度に影響する隙間の大きさがコンデンサマイクロホンごとに異なってしまい、低感度のコンデンサマイクロホンが製造されてしまう。
これに対し、本実施形態のコンデンサマイクロホンAでは、バックプレート2の下面から所定の長さで突出するストッパー6が設けられている。このようなストッパー6を備えた場合には、ダイヤフラム4を吊り下げ状態にして引張応力Tを緩和するようにダイヤフラム4の外周端4a側や懸架部3が変形するとともに、バックプレート2に近づくダイヤフラム4の上面にストッパー6が当接して互いの間に挟まれる。これにより、ストッパー6に当接したダイヤフラム4は、それ以上バックプレート2に近づくことがなくなり、すなわち、ダイヤフラム4の変形が規制されて、ダイヤフラム4とバックプレート2の隙間H1が一定の間隔に保持される。
そして、上記のように製造された本実施形態のコンデンサマイクロホンAは、外部で発生した音圧が、バックプレート2の通孔2aを通じてバックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1の空間内に伝播し、この伝播した音圧が、ダイヤフラム4を振動させる。このとき、本実施形態では、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1が一定の間隔で保持され、かつダイヤフラム4の引張応力Tが緩和されてスチフネスが低い状態とされているため、ダイヤフラム4の音圧に対する応答性がよく好適に振動する。
また、好適なダイヤフラム4の振動に応じて、バックプレート2とダイヤフラム4とにより形成されているコンデンサの静電容量が、音圧の大きさに応じて精度よく変化することになる。そして、このとき、バックプレート2には、抵抗回路11が繋げられているため、コンデンサの静電容量がダイヤフラム4の振動に応じて変化した場合においても、コンデンサに蓄積されている電荷が抵抗11aを流れることがほとんどない。これにより、コンデンサに蓄積されている電荷は変化しないものとみなされ、コンデンサの静電容量の変化をバックプレート2とグラウンドの間の変化として取り出すことができ、コンデンサの静電容量の極めて僅かな変化が電気信号として出力されることになる。すなわち、ダイヤフラム4に作用する音圧の変化をコンデンサの静電容量の変化に変換し、この静電容量の変化を電圧の変化に変換することで、音圧の変化に相関する電気信号が出力されることになる。
したがって、本実施形態のコンデンサマイクロホンAによれば、ダイヤフラム4に生じた引張応力Tに起因して柱部5が変位して引張応力Tを緩和させる際に、上方に持ち上がるように変位するダイヤフラム4が、バックプレート2に固着されたストッパー6に当接されることによって、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1を所定の間隔で一定に保持することができる。これにより、一定感度のコンデンサマイクロホンAを提供することが可能になる。
なお、本発明は、上記の第1実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、3つのストッパー6が、3つの懸架部3の僅かに径方向内側に位置するバックプレート2にそれぞれ設けられているものとしたが、懸架部3は、周方向に所定の間隔で配設されて、2つ以上で設けられていればよく、この懸架部3に対応して設けられるストッパー6もその数を限定する必要はない。
また、ストッパー6は、図11に示すように、周方向に隣り合う懸架部3同士の間に設けられてもよく、この場合には、引張応力Tを緩和させるように柱部5が傾斜変形した際、柱部5が固着した部分のダイヤフラム4がバックプレート2から離れる方向に押圧されて変形し、周方向に隣り合う柱部5や懸架部3同士の間に位置する部分のダイヤフラム4が逆にバックプレート4に近づく方向に持ち上げられるように変形することになるが、このバックプレート4に近づく部分のダイヤフラム4とバックプレート2の間にストッパー6が挟まれてダイヤフラム4を押圧することができる。これにより、ダイヤフラム4の中央側が撓むことを防止してこの中央側とバックプレート2の隙間H1の間隔を一定に保持することが可能になる。
さらに、ストッパー6は、本実施形態よりも径方向内側に設けられていてもよく、周方向に等間隔で複数並設されても、周方向に延設する環状に形成されていてもよい。また、本実施形態では、ストッパー6がバックプレート2の下面から下方に向けて突出するように設けられているものとしたが、ダイヤフラム4に設けられ、ダイヤフラム4の上面から上方に向けて突出するように設けられていてもよいものである。さらに、本実施形態では、ストッパー6が略半球状を呈しているものとしたが、その形状は限定される必要はない。そして、上記のようにストッパー6を設けることによって、本実施形態と同様の効果を得ることが可能である。
ついで、図12から図17を参照し、本発明の第2実施形態に係るコンデンサマイクロホンについて説明する。本実施形態の説明においては、第1実施形態に共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。
本実施形態のコンデンサマイクロホンBでは、図12及び図13に示すように、第1実施形態と異なり、ダイヤフラム4の外周端4a側が柱部5よりも大きく径方向外側に延出され、この延出した外周縁部4bがストッパー6とされている。なお、ストッパー6及びダイヤフラム4の外周端4a側を除く構成は、第1実施形態のコンデンサマイクロホンAと同様である。
このように構成される本実施形態体のコンデンサマイクロホンBを製造する際には、図14に示すように、酸化膜1b上にポリシリコンの導電膜20を積層形成した段階で、第1実施形態のコンデンサマイクロホンA(図3)よりも、導電膜20上に形成するレジスト膜30を径方向外側に大きく形成して、第1実施形態の導電膜(ダイヤフラム4)20よりも大径の導電膜20を形成する。
そして、図15に示すように、ダイヤフラム4及びストッパー6となる導電膜20を埋設するように、酸化膜1b及び導電膜20上にCVD等で酸化膜1bを積層形成する。本実施形態では、図16に示すように、この段階で第1実施形態のように孔部6aを形成せず、そのままCVD等でバックプレート2及び懸架部3となる導電膜21を積層形成する。ついで、第1実施形態と同様に、DeepRIE等でエッチングを施し、基板1aに内孔を形成した後に、通孔2a及び内孔から例えばフッ酸などのエッチング液を供給して、酸化膜1bを溶解させる。本実施形態では、このとき、図17に示すように、基板1aの内孔側から供給するエッチング液によって、導電膜20の下方に位置する酸化膜1bを導電膜20の下面に到達するまで溶解するとともに、第1実施形態よりも径方向外側に延出した導電膜20の端部、すなわち外周縁部(ストッパー6)4bの外周端4aの外側を回り込むようにエッチング液が供給されて、外周縁部4bとバックプレート2(懸架部3)及び基板1aの突部1eの間の酸化膜1bが溶解する。これにより、柱部5を介して吊り下げ状態で支持されたダイヤフラム4が形成される。
そして、本実施形態のコンデンサマイクロホンBにおいては、酸化膜1bを除去してダイヤフラム4を吊り下げ状態とするとともに、これに生じた引張応力Tを緩和するようにダイヤフラム4の外周端4a側(外周縁部4b、ストッパー6)や懸架部3が変形して、柱部5が傾斜移動する。このとき、ダイヤフラム4がバックプレート2に近づくように変形するとともに、ストッパー6の端部(外周端4a)が基板1aの突部1e上面1dに当接されて、それ以上ダイヤフラム4がバックプレート2に近づくことができないように規制される。そして、このように引張応力Tの緩和に起因したダイヤフラム4の変形を規制するストッパー6の径方向の長さを所定の長さとすることで、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1が所定の間隔で保持される。これにより、図13に示した本実施形態のコンデンサマイクロホンBの製造が完了する。
したがって、本実施形態のコンデンサマイクロホンBによれば、ダイヤフラム4と繋がり、柱部5よりも径方向外側に延出したストッパー6が設けられていることによって、ダイヤフラム4に生じた引張応力Tを緩和するように柱部5が回動した際に、ストッパー6の外周端4aを基板1aの上面1dに当接させることができる。これにより、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1を所定の間隔で保持することができ、一定感度のコンデンサマイクロホンBを提供することが可能になる。
なお、本発明は、上記の第2実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、ストッパー6(外周縁部4b)の端部(外周端4a)が基板1aに当接されて、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1を所定の間隔で保持できるものとしたが、例えば、図18及び図19に示すように、ストッパー6に下方に突出し略半球状を呈する当接部6bを形成し、この当接部6bを基板1aの上面1dに当接させることにより、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1を一定の間隔で保持するようにしてもよい。このとき、当接部6bは略半球状に形成されていなくてもよい。
ついで、図20及び図21を参照し、本発明の第3実施形態に係るコンデンサマイクロホンについて説明する。本実施形態の説明においては、第1及び第2実施形態に共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。
本実施形態のコンデンサマイクロホンCは、図20及び図21に示すように、懸架部3に、平面視でこの懸架部3に固着される柱部5の一端を囲むようにコ字状に切り欠かれた切欠き孔(切欠き部)3aが設けられている。この切欠き孔3aは、ダイヤフラム4に生じた引張応力Tによって、柱部5がその下端をダイヤフラム4の径方向内側に変位させるように傾斜移動した際に、切欠き孔3aで囲まれた部分を下方に弾性変形させるためのものである。また、本実施形態のコンデンサマイクロホンCにおいては、第2実施形態と同様に、ダイヤフラム4の外周側が柱部5よりも径方向外側に延出して形成されるストッパー6が設けられている。
このように構成される本実施形態のコンデンサマイクロホンCは、第2実施形態のコンデンサマイクロホンBに対し、酸化膜1b上にポリシリコンの導電膜21を積層形成した段階で、エッチングによって懸架部3に切欠き孔3aが形成されるように導電膜21上にレジスト膜35を形成して製造される。その他の製造工程は、第2実施形態とほぼ同様である。
本実施形態のコンデンサマイクロホンCは、酸化膜1bを除去してダイヤフラム4を吊り下げ状態にすると同時に、引張応力Tを緩和するようにダイヤフラム4の外周端4a側(ストッパー6)が下方に変形する。このとき、懸架部3に切欠き孔3aが形成されているため、切欠き孔3aで囲まれた部分が、第1及び第2実施形態とは逆に柱部5に引っ張られて下方に変形する。このため、本実施形態のコンデンサマイクロホンCにおいては、ダイヤフラム4がバックプレート2から遠ざかるように変形し、これとともにストッパー6の端部4aが基板1aに当接されて、それ以上ダイヤフラム4がバックプレート2から遠ざかることができなくなる。これにより、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1が所定の間隔に保持される。
したがって、本実施形態のコンデンサマイクロホンCによれば、懸架部3に切欠き孔3aが形成されるとともに、ダイヤフラム4と繋がり柱部5よりも径方向外側に延出したストッパー6が設けられていることによって、ダイヤフラム4に生じた引張応力Tにより懸架部3の切欠き孔3aで囲まれた部分が下方に変形して、ダイヤフラム4の引張応力Tを緩和させるとともに、ストッパー6の外周端4aを基板1aに当接させて、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1を所定の間隔で保持することができる。これにより、一定感度のコンデンサマイクロホンCを提供することが可能になる。
なお、本発明は、上記の第3実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、ストッパー6の外周端4aが基板1aに当接されて、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1を所定の間隔に保つことができるものとしたが、第2実施形態と同様に、例えば図22及び図23に示すように、外周縁部4b(ストッパー6)に下方に突出し略半球状を呈する当接部6bを形成して、この当接部bを基板1aの上面1dに当接させることによって、バックプレート2とダイヤフラム4の隙間H1を所定の間隔で保持するようにしてもよい。そして、このようにした場合においても、上記と同様の効果を得ることができる。
1・・・支持部、1a・・・基板(単結晶シリコン基板)、1b・・・酸化膜、1c・・・上端、1d・・・上面、1e・・・突部、2・・・バックプレート(固定電極)、2a・・・通孔、2b・・・凹部、2c・・・外周端、3・・・懸架部、3a・・・切欠き部(切欠き孔)、4・・・ダイヤフラム(振動板)、4a・・・外周端、4b・・・外周縁部、5・・・柱部、6・・・ストッパー、6a・・・孔部、6b・・・当接部、10・・・バイアス電源回路、11・・・抵抗回路、A,B,C,D・・・コンデンサマイクロホン、A1・・・感音部、A2・・・検出部、O1・・・軸線
Claims (7)
- 環状の支持部の内孔内に設けられた振動板と、外周端側が前記支持部に固着されて前記内孔を覆うように設けられるとともに前記振動板と隙間をあけた状態で略平行に設けられた固定電極と、一端が前記支持部に固着され、他端が内側に延出して片持ち状態で支持された懸架部と、前記懸架部及び前記振動板に固着されて前記振動板を吊り下げ状態で支持する柱部とを備え、前記懸架部が変形し前記柱部の傾斜移動を許容することよって前記振動板に生じた引張応力を緩和するコンデンサマイクロホンにおいて、
前記懸架部の変形及び前記柱部の傾斜移動に伴って変化する前記固定電極と前記振動板の隙間を規制するためのストッパーが具備されていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。 - 請求項1記載のコンデンサマイクロホンにおいて、
前記ストッパーが、前記固定電極から前記振動板に向けて、または前記振動板から前記固定電極に向けて突設されていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。 - 請求項1または請求項2に記載のコンデンサマイクロホンにおいて、
前記支持部の内孔が略円形に形成され、前記柱部及び前記懸架部が前記内孔の軸線を中心とした周方向に間隔をあけて複数並設されるとともに、前記ストッパーが、前記懸架部よりも径方向内側に設けられていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載のコンデンサマイクロホンにおいて、
前記支持部の内孔が略円形に形成され、前記柱部及び前記懸架部が前記軸線を中心とした周方向に間隔をあけて複数並設されるとともに、前記ストッパーが、周方向に隣り合う前記懸架部同士の間に設けられていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。 - 請求項1記載のコンデンサマイクロホンにおいて、
前記支持部には、前記内孔を縮径するように内側に突出する突部が設けられ、前記振動板は、前記柱部よりも外側に延出した外周縁部を備えており、前記外周縁部が、前記振動板に生じた引張応力を緩和する前記柱部の傾斜移動に伴って前記突部に向けて変形し、前記外周縁部の外周端が前記突部に当接されることによって前記固定電極と前記振動板の隙間を規制する前記ストッパーを構成していることを特徴とするコンデンサマイクロホン。 - 請求項1記載のコンデンサマイクロホンにおいて、
前記支持部には、前記内孔を縮径するように内側に突出する突部が設けられ、前記振動板が前記柱部よりも外側に延出した外周縁部を備えるとともに、該外周縁部には、前記突部に向けて突出する当接部が設けられており、前記外周縁部が、前記振動板に生じた引張応力を緩和する前記柱部の傾斜移動に伴って前記突部に向けて変形するとともに前記当接部が前記突部に当接されて前記固定電極と前記振動板の隙間を規制する前記ストッパーを構成していることを特徴とするコンデンサマイクロホン。 - 請求項5または請求項6に記載のコンデンサマイクロホンにおいて、
前記懸架部には、平面視で該懸架部に固着された前記柱部の一端を囲むように切り欠かれた切欠き部が設けられ、前記柱部が傾斜移動する際に前記切欠き部で囲まれた部分が変形するように形成されていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
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