JP2007266555A - Manufacturing method for bump bonding laminate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、2つの接合部材をバンプを介して接合するバンプ接合体の製造方法に関し、たとえば、半導体チップと配線基板とをバンプを介して接続してなる接合体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a bump bonded body in which two bonding members are bonded via bumps. For example, the present invention relates to a method for manufacturing a bonded body in which a semiconductor chip and a wiring board are connected via bumps.
この種のバンプ接合体は、半導体チップなどの第1の接合部材の一面と、配線基板などの第2の接合部材の一面とを対向させるとともに、これら両接合部材の間に設けられた複数個のバンプを介して接合される(たとえば、特許文献1参照)。 In this type of bump bonded body, one surface of a first bonding member such as a semiconductor chip is opposed to one surface of a second bonding member such as a wiring board, and a plurality of bump bonding bodies are provided between the two bonding members. Are joined via bumps (see, for example, Patent Document 1).
この場合、第1の接合部材の一面に複数個の第1のバンプを設け、第2の接合部材の一面のうちそれぞれの第1のバンプと対向する位置に第2のバンプを設ける。これらバンプは、通常ワイヤボンディング装置を用いて形成される。そして、それぞれの第1のバンプの先端部とこれに対向する第2のバンプの先端部とを接触させ、超音波接合や熱圧着などにより両バンプを電気的に接続する。
しかしながら、従来のバンプ接合体の製造方法においては、バンプそのものが微小であり、また、バンプの高さばらつきやバンプ先端部の傾斜などにより、それぞれの第1のバンプと第2のバンプとを接触させたときに、横滑りが発生し、接合装置の精度以上にバンプ同士の位置ずれが生じるという問題が発生していた。 However, in the conventional method of manufacturing a bump bonded body, the bump itself is very small, and the first bump and the second bump are brought into contact with each other due to variations in the height of the bump or the inclination of the bump tip. When this is done, side slip occurs, causing a problem that the bumps are displaced more than the accuracy of the bonding apparatus.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、第1の接合部材の一面およびこれに対向する第2の接合部材の一面にそれぞれバンプを設け、それぞれの接合部材のバンプの先端部を接触させて接続してなるバンプ接合体の製造方法において、バンプの接触時における位置ずれを防止することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and bumps are provided on one surface of the first bonding member and one surface of the second bonding member opposite to the first bonding member, and the tip ends of the bumps of the respective bonding members are provided. An object of the manufacturing method of a bump bonded body formed by contact is to prevent positional displacement at the time of bump contact.
上記目的を達成するため、本発明は、第1のバンプ(21)の先端部(21a)および第1のバンプ(21)の相手側である第2のバンプ(22)の先端部(22a)を周期的な凹凸を有する形状とした後、これら両バンプ(21、22)の先端部(21a、22a)の凹凸部をかみ合わせるように両バンプ(21、22)を接触させ、接続を行うようにしたことを、第1の特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention provides a front end portion (21a) of the first bump (21) and a front end portion (22a) of the second bump (22) which is the counterpart of the first bump (21). After forming a shape having periodic irregularities, both bumps (21, 22) are brought into contact with each other so as to engage the irregularities of the tip portions (21a, 22a) of both bumps (21, 22), and connection is made. This is the first feature.
それによれば、両バンプ(21、22)の先端部(21a、22a)に周期的な凹凸を形成し、両バンプ(21、22)の凹凸部同士をかみ合わせるように両バンプ(21、22)を接触させるため、両バンプ(21、22)の接触時における位置ずれを防止することができる。 According to this, both bumps (21, 22) are formed so as to form periodic irregularities at the tip portions (21a, 22a) of both bumps (21, 22) and to engage the irregularities of both bumps (21, 22). ) In contact with each other, it is possible to prevent positional deviation when both bumps (21, 22) are in contact.
この製造方法において、両バンプ(21、22)の先端部(21a、22a)を上記の凹凸を有する形状とすることは、表面に上記凹凸を有する形状が設けられた部材(100)を用い、この部材(100)の当該表面を、それぞれのバンプ(21、22)の先端部(21a、22a)に押しつけて当該先端部(21a、22a)を変形させることにより行うことができる。 In this manufacturing method, the tip (21a, 22a) of both bumps (21, 22) is formed into the shape having the above irregularities using a member (100) provided with the shape having the above irregularities on the surface. The surface of the member (100) can be pressed by pressing the front end portions (21a, 22a) of the respective bumps (21, 22) to deform the front end portions (21a, 22a).
また、本発明は、互いに接続される第1のバンプ(21)と第2のバンプ(22)との組において、第1のバンプ(21)および第2のバンプ(22)の少なくとも一方のバンプを複数個のものとし、これら第1および第2のバンプ(21、22)を互いにかみ合った状態となるように接触させることを、第2の特徴とする。 In the present invention, in the set of the first bump (21) and the second bump (22) connected to each other, at least one of the first bump (21) and the second bump (22) is used. The second feature is that the first and second bumps (21, 22) are brought into contact with each other so as to be engaged with each other.
それによれば、接続されるべき第1のバンプ(21)と第2のバンプ(22)との少なくとも一方を複数個として、両バンプ(21、22)をかみ合わせることにより、両バンプ(21、22)が係止された状態で接触するため、両バンプ(21、22)の接触時における位置ずれを防止することができる。 According to this, by making at least one of the first bump (21) and the second bump (22) to be connected into a plurality and engaging both the bumps (21, 22), both bumps (21, Since the contact is made in a state where 22) is locked, it is possible to prevent a positional shift when both the bumps (21, 22) are in contact.
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。 In addition, the code | symbol in the parenthesis of each means described in a claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings for the sake of simplicity.
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るバンプ接合体10の概略断面構成を示す図である。このバンプ接合体は、2つの接合部材11、12同士をバンプ21、22を介して電気的・機械的に接続してなる。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a bump bonded
図1において下側に位置する第1の接合部材11は、プリント基板やセラミック基板、およびフレキシブル基板などの配線基板または回路基板、シリコンIC基板、あるいは、一般的なフリップチップやICチップなどの半導体チップなどである。
The
また、上側に位置する第2の接合部材12は、第1の接合部材11と同様のものにできるが、たとえば半導体チップなどである。本例では、第1の接合部材11、第2の接合部材12ともにシリコン半導体よりなる半導体チップである。
The
これら両接合部材11、12は、ともに対向する一面11a、12aが接合面として構成されており、それぞれの接合部材11、12の一面11a、12aには、金などからなる複数個のバンプ21、22が設けられている。
Both the joining
ここで、第1の接合部材11の一面11aに設けられた第1のバンプ21に対し、第2の接合部材12においては、その一面12aのうちそれぞれの第1のバンプ21と対向する位置に第2のバンプ22が設けられている。
Here, with respect to the
これら両バンプ21、22は、ワイヤボンディング装置を用いた公知のバンプ形成法、たとえばスタッドバンプやメッキ法などにより形成される。また、バンプ21、22の材質としては、金、Cu、Alなど一般的なバンプ材料が挙げられるが、典型的には、金を主成分とする金バンプが挙げられる。
These
そして、両バンプ21、22同士は、超音波接合や熱圧着により、互いに金属接合されている。こうして、両接合部材11、12は、バンプ21、22を介して機械的・電気的に接続されている。
The
次に、本実施形態に係るバンプ接合体10の製造方法について、図2、図3を参照して説明する。図2(a)および(b)は、本製造方法における接合工程を示す概略断面図である。
Next, a method for manufacturing the bump bonded
また、図3(a)は、本製造方法におけるバンプ加工工程を示す斜視図であり、図3(b)は、(a)中の凹凸部材100の表面の拡大図である。なお、図3では、第1の接合部材11の第1のバンプ21を加工する場合を示しているが、第2の接合部材12の第2のバンプ22の加工方法も、これと同様である。
FIG. 3A is a perspective view showing a bump processing step in the manufacturing method, and FIG. 3B is an enlarged view of the surface of the concavo-
まず、本製造方法においては、バンプ形成工程として、第1の接合部材11の一面11aに複数個の第1のバンプ21を設けるとともに、第1の接合部材11の一面11aに対向させる第2の接合部材12の一面12aのうちそれぞれの第1のバンプ21と対向する位置に第2のバンプ22を設ける。これら両バンプ21、22の形成方法としては、上述したスタッドバンプ法などを採用できる。
First, in this manufacturing method, as a bump forming step, a plurality of
このようにして形成される両バンプ21、22の個々の形状は、一般的なものであり、図2(a)に示されるように、たとえば、バンプ21、22の根元部すなわち接合部材11、12側の部位から先端部21a、22aに向かって次第に細くなった円柱形状をなすものになる。
The individual shapes of both the
次に、本製造方法においては、バンプ加工工程として、第1のバンプ21の先端部21aおよび第2のバンプ22の先端部22aを周期的な凹凸を有する形状となるように加工する。
Next, in this manufacturing method, as the bump processing step, the
具体的には、図3に示されるように、表面に凹凸を有する形状が設けられた部材としての凹凸部材100を用いる。この凹凸部材100は、たとえばセラミックやシリコンあるいは鉄系金属などバンプ21、22よりも硬い材質よりなる板材であり、その一面に凹凸形状が形成されている。
Specifically, as shown in FIG. 3, a concavo-
ここで、この凹凸形状は、凹部と凸部とが周期をもって繰り返し形成されたものであり、本例では、特に図3(b)に示されるように、四角錐形状いわゆるピラミッド形状の凹凸となっている。この凹凸の周期は例えば5μm以下のものにでき、凹凸の高さ(凸部と凹部との高さの差)はたとえば5μm程度にできる。 Here, this uneven shape is formed by repeatedly forming concave and convex portions with a period, and in this example, as shown in FIG. 3B in particular, it is a quadrangular pyramid shape so-called pyramid-shaped unevenness. ing. The period of the unevenness can be set to 5 μm or less, for example, and the height of the unevenness (the difference in height between the convex part and the concave part) can be set to, for example, about 5 μm.
そして、バンプ加工工程では、図3(a)に示されるように、この凹凸部材100の凹凸形状となっている側の一面を、第1のバンプ21の先端部21aに押しつけて当該先端部21aを変形させる。
Then, in the bump processing step, as shown in FIG. 3A, the one surface of the
具体的には、凹凸部材100の凹凸面が第1の接合部材11の一面11aに対向するように、凹凸部材100を第1の接合部材11の上に載せ、凹凸部材100の上から荷重を加えるなどによって加圧する。
Specifically, the
それにより、第1のバンプ21の先端部21aには、当該凹凸部材100の凹凸形状が転写される。そして、第1のバンプ21の先端部21aの凹凸形状は図示しないけれども、図3に示される凹凸部材100の凹凸形状と実質的に同様の周期的な凹凸を有する形状となる。また、この凹凸部材100によるバンプの加工は、第2のバンプ22に対しても同様に行う。
Thereby, the concavo-convex shape of the concavo-
また、このバンプ加工工程では、凹凸部材100により、各接合部材11、12における複数個のバンプ21、22の全部を一度に加圧する。このとき、バンプ21、22が形成されている接合部材11、12を載せているステージ(図示せず)と、凹凸部材100との平行度を調整することにより、バンプ21、22の高さばらつきを修正することが可能となる。
Further, in this bump processing step, the concavo-
このようにして、バンプ加工工程を行った後、図2(a)に示されるように、第1の接合部材11と第2の接合部材12とを互いの一面11a、12aにて対向させる。第1のバンプ21と第2のバンプ22との位置合わせを行う。
Thus, after performing a bump processing process, as FIG. 2 (a) shows, the
そして、図2(b)に示されるように、それぞれの第1のバンプ21の先端部21aと第2のバンプ22の先端部22aとを、加圧しながら接触させる。このとき、各バンプ21、22の先端部21a、22aには、周期的な凹凸形状が形成されているため、対向する両先端部21a、22aの凹凸部がかみ合うように接触がなされる。
Then, as shown in FIG. 2 (b), the
そして、両接合部材11、12が例えば図2(b)中の左右方向にずれる、すなわち横滑りしようとした場合でも、対向する両先端部21a、22aの凹凸部がかみ合って引っかかった状態となっているため、バンプ接触時における横滑りは極力防止できる。
Then, even when both the joining
こうして、両バンプ21、22の先端部21a、22aを接触させた状態で、超音波接合や熱圧着などにより両バンプ21、22を電気的に接続する。超音波接合では、両バンプ21、22を押しつけ合うように加圧しながら超音波を印加する。また、熱圧着では、両バンプ21、22を押しつけ合うように加圧しながら加熱する。
In this way, both the
このようにして、両バンプ21、22は金属接合され、電気的・機械的に接続され、バンプ21、22を介して、両接合部材11、12が電気的・機械的に接続され、バンプ接合体10ができあがる。なお、両バンプ21、22の接合が完了した状態では、両バンプ21、22の先端部21a、22aは、接触前の状態よりも押しつぶされて変形した形となる。
In this way, both the
ところで、従来のこの種のバンプ接合体の製造方法においては、バンプ接合における最大の懸念点の1つとして、位置ずれが挙げられる。この位置ずれが生じる原因として、(a)各バンプの高さばらつきにより、各バンプに均一に加圧できないため、位置ずれが生じること、(b)バンプの先端部が傾斜しているために、互いのバンプが接触した際に位置ずれを生じることなどが挙げられる。 By the way, in the conventional manufacturing method of this kind of bump joined object, position shift is mentioned as one of the biggest concerns in bump joining. As a cause of this positional deviation, (a) because each bump cannot be uniformly pressed due to the height variation of each bump, the positional deviation occurs, and (b) the tip of the bump is inclined. For example, misalignment occurs when the bumps contact each other.
特に、スタッドバンプにて金バンプを形成する場合は、各バンプの高さばらつきが生じやすく、また、バンプの先端部は傾斜した面となっていることが一般的である。加えて、バンプ接合時に超音波振動を加える場合においては、その振動による位置ずれが生じやすい。 In particular, when gold bumps are formed by stud bumps, variations in the height of each bump are likely to occur, and the tip of the bump is generally inclined. In addition, when ultrasonic vibration is applied at the time of bump bonding, positional deviation due to the vibration is likely to occur.
このような問題に対して、本実施形態の製造方法では、両バンプ21、22の先端部21a、22aに周期的な凹凸を形成している。そして、形成された凹凸は、バンプ21、22同士の接合時において、互いの凹部と凸部が噛み合うように接触する。
With respect to such a problem, in the manufacturing method of the present embodiment, periodic irregularities are formed on the
このとき、凹凸を乗り越えるようにバンプ21、22同士が相対的に移動することはまず起こらないため、本実施形態によれば、両バンプ21、22の接触時における位置ずれを防止することができる。
At this time, since the
(第2実施形態)
図4および図5は、本発明の第2実施形態に係るバンプ接合体の製造方法を示す図であり、図4は接合前の各接合部材11、12を示す斜視図、図5は両バンプ21、22を接触させた状態において接合部材11、12を透過して両バンプ21、22の平面的な位置関係を表す図である。なお、図5では、識別のため、便宜上、第1のバンプ21にハッチングを施してある。
(Second Embodiment)
4 and 5 are views showing a method for manufacturing a bump bonded body according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing the
本製造方法は、上記第1実施形態における凹凸形状を形成するバンプ加工工程を行わずに、上記位置ずれを防止するものであり、以下、上記第1実施形態の製造方法との相違点を中心に述べることとする。 This manufacturing method is to prevent the displacement without performing the bump processing step for forming the uneven shape in the first embodiment. Hereinafter, the difference from the manufacturing method of the first embodiment will be mainly described. It will be described in the following.
本実施形態の製造方法では、図4に示されるように、バンプ形成工程において、互いに接続される第1のバンプ21と第2のバンプ22との組において、第1のバンプ21および第2のバンプ22の一方のバンプを複数個のものとする。
In the manufacturing method according to the present embodiment, as shown in FIG. 4, in the bump forming step, the
図4に示される例では、図中の丸で囲んだA部における第1のバンプ21、第2のバンプ22が、互いに接続される組を構成しており、この組において、第2のバンプ22を3個のものとしている。
In the example shown in FIG. 4, the
例えば、この3個の第2のバンプ22は3角形の頂点を構成するように配置されており、この3個の第2のバンプ22の間に、これに対応する第1のバンプ21の先端部21aが丁度入り込むようになっている。
For example, the three
本製造方法では、このように各接合部材11、12にバンプ21、22を形成した後、第1の接合部材11と第2の接合部材12とを互いの一面11a、12aにて対向させ、第1のバンプ21と第2のバンプ22との位置合わせを行う。
In this manufacturing method, after forming the
そして、それぞれの第1のバンプ21の先端部21aと第2のバンプ22の先端部22aとを、加圧しながら接触させる。このとき、互いに接続される第1のバンプ21と第2のバンプ22との組においては、図5に示されるように、3個の第2のバンプ22の間に、第1のバンプ21の先端部21aが入り込んだ状態となり、この状態で両バンプ21、22が接触する。
And the front-end | tip
なお、図5においては、1個同士の接続されるべき第1のバンプ21と第2のバンプ22とは、識別のため便宜上ずらして示してあるが、実際には、これら両バンプ21、22は、丁度重なり合うように接触するものである。
In FIG. 5, the
そして、本製造方法における両バンプ21、22の接触の際には、接続されるべき第1のバンプ21と第2のバンプ22とで、複数個とした第2のバンプ22の間に第1のバンプ21の先端部21aが入り込んだ形となり、両バンプ21、22がかみ合って係止された状態で接触する。そのため、バンプ接触時における横滑りは極力防止できる。
When the
その後は、本製造方法においても、上記実施形態と同様に、両バンプ21、22の先端部21a、22aを接触させた状態で、超音波接合や熱圧着などにより両バンプ21、22を電気的に接続する。
Thereafter, also in the present manufacturing method, the
このとき、3個の第2のバンプ22と1個の第1のバンプ21とでは、互いの先端部21a、22aは、図5に示されるように、当該先端部21a、22aの周辺部で接触するものであり、この接触部にて接続が行われる。
At this time, in the three
こうして、本実施形態によっても、両バンプ21、22は電気的・機械的に接続され、バンプ21、22を介して、両接合部材11、12が電気的・機械的に接続されたバンプ接合体ができあがる。
Thus, also in this embodiment, the
そして、本実施形態の製造方法によれば、上述したように、複数個の第2のバンプ22の間に他方の第1のバンプ21の先端部21aが入り込んで、かみ合った状態で接触するため、両バンプ21、22の接触時における位置ずれを防止することができる。
According to the manufacturing method of the present embodiment, as described above, the
なお、図4、図5に示される例では、第2のバンプ22を3個とし、これに接続される第1のバンプ21を1個のものとしたが、本実施形態においては、これとは逆に、第2のバンプ22を1個のものとし、これに接続される第1のバンプ21を3個のものとしてもよい。
In the example shown in FIGS. 4 and 5, the number of the
また、複数個としてた一方のバンプの間に他方のバンプの先端部が入り込んだ形となって両バンプ21、22が係止された状態で接触するならば、複数個とする一方のバンプの個数は2個でもよいし、4個以上でもよい。
Further, if the
(第3実施形態)
上記第2実施形態では、互いに接続される第1のバンプ21と第2のバンプ22との組において、これら両バンプ21、22の一方のバンプを複数個のものとし、他方を1個のものとしたが、両方のバンプ21、22を複数個としてもよい。
(Third embodiment)
In the second embodiment, in the set of the
つまり、接続される組において、第1および第2の両バンプ21、22の両方を複数個のものとした場合でも、一方のバンプと他方のバンプとがかみ合った状態で接触し、位置ずれを防止できるようになっていればよい。
That is, even when the first and
本発明の第3実施形態は、そのような第1および第2の両バンプ21、22の両方を複数個のものとした場合を提供するものである。
The third embodiment of the present invention provides a case where both the first and
図6および図7は、本発明の第3実施形態に係るバンプ接合体の製造方法を示す図であり、図6は接合前の各接合部材11、12を示す斜視図、図7は両バンプ21、22を接触させた状態において接合部材11、12を透過して両バンプ21、22の平面的な位置関係を表す図である。なお、図7では、識別のため、便宜上、第1のバンプ21にハッチングを施してある。
6 and 7 are views showing a method for manufacturing a bump bonded body according to a third embodiment of the present invention. FIG. 6 is a perspective view showing each of the
ここでは、図6に示されるように、バンプ形成工程において、互いに接続される第1のバンプ21と第2のバンプ22との組において、第1のバンプ21および第2のバンプ22の両方を2個のものとした組を設ける。
Here, as shown in FIG. 6, in the bump forming step, both the
そして、このようにバンプ21、22が形成された各接合部材11、12を、バンプ21、22を介して対向させ、それぞれの第1のバンプ21の先端部21aと第2のバンプ22の先端部22aとを、加圧しながら接触させる。
Then, the
このとき、本製造方法においては、図7に示されるように、接続される第1および第2のバンプ21、22をともに2個とした組において、一方の2個のバンプを結ぶ線と他方の2個のバンプを結ぶ線とが十字形状となるように重ねる。なお、図7においても、上記図5と同様の理由で、1個同士の接続されるべき第1のバンプ21と第2のバンプ22とは、識別のため便宜上ずらして示してある。
At this time, in this manufacturing method, as shown in FIG. 7, in the set in which both the first and
そして、この十字形状が形成された状態で、両バンプ21、22の先端部21a、22a同士が接触するため、2個同士の両バンプ21、22の組によって横滑りが防止された状態となる。その後は、本実施形態においても、超音波接合や熱圧着などによる両バンプ21、22の接続を行い、バンプ接合体ができあがる。
Since the
そして、本実施形態の製造方法によれば、2個同士の両バンプ21、22の組における両バンプ21、22のかみ合いによって、両バンプ21、22の接触時における位置ずれを防止することができる。
And according to the manufacturing method of this embodiment, the position shift at the time of contact of both the
(他の実施形態)
なお、第1の接合部材11、第2の接合部材12ともに半導体チップであること以外にも、例えば、両接合部材11、12の一方が配線基板で他方が半導体チップであったり、あるいは、両方とも配線基板であってもよい。
(Other embodiments)
In addition to the fact that both the
また、第1の接合部材、第2の接合部材としては、それぞれの接合面にバンプが形成されるものであるならば上記実施形態に示されるものに限定されるものではなく、たとえば、接合部材としては、パッケージやリードフレームなどであってもよい。 Moreover, as a 1st joining member and a 2nd joining member, if a bump is formed in each joining surface, it will not be limited to what is shown by the said embodiment, For example, a joining member For example, a package or a lead frame may be used.
また、バンプ21、22の先端部21a、22aに形成される周期的な凹凸形状としては、凹部と凸部とが一定の周期をもって繰り返し形成されたものであればよく、上記図3に示したようなピラミッド形状の凹凸以外にも、たとえば球面形状、柱状の凹凸などであってもよい。これら種々の凹凸形状は、上記凹凸部材の凹凸形状を変えることで実現可能である。
Further, the periodic uneven shape formed on the
11…第1の接合部材、11a…第1の接合部材の一面、
12…第2の接合部材、12a…第2の接合部材の一面、
21…第1のバンプ、21a…第1のバンプの先端部、
22…第2のバンプ、22a…第2のバンプの先端部、100…凹凸部材。
11 ... 1st joining member, 11a ... One surface of 1st joining member,
12 ... 2nd joining member, 12a ... One surface of 2nd joining member,
21 ... 1st bump, 21a ... The front-end | tip part of 1st bump,
22 ... 2nd bump, 22a ... tip part of 2nd bump, 100 ... uneven | corrugated member.
Claims (4)
前記第1の接合部材(11)と前記第2の接合部材(12)とを互いの一面(11a、12a)にて対向させ、
それぞれの前記第1のバンプ(21)の先端部(21a)と前記第2のバンプ(22)の先端部(22a)とを接触させて電気的に接続してなるバンプ接合体の製造方法において、
前記第1のバンプ(21)の先端部(21a)および前記第2のバンプ(22)の先端部(22a)を周期的な凹凸を有する形状とした後、
前記両バンプ(21、22)の先端部(21a、22a)の凹凸部をかみ合わせるように前記両バンプ(21、22)を接触させ、接続を行うようにしたことを特徴とするバンプ接合体の製造方法。 A second bonding member provided with a plurality of first bumps (21) on one surface (11a) of the first bonding member (11) and facing the one surface (11a) of the first bonding member (11). A second bump (22) is provided at a position facing the first bump (21) of one surface (12a) of (12),
The first joining member (11) and the second joining member (12) are opposed to each other on one surface (11a, 12a),
In the method for manufacturing a bump bonded body, wherein the tip end portion (21a) of each of the first bumps (21) and the tip end portion (22a) of the second bump (22) are brought into contact and electrically connected. ,
After making the tip (21a) of the first bump (21) and the tip (22a) of the second bump (22) into a shape having periodic irregularities,
Bump bonded body characterized in that the bumps (21, 22) are brought into contact with each other so as to engage the concave and convex portions of the tip portions (21a, 22a) of the bumps (21, 22). Manufacturing method.
表面に前記凹凸を有する形状が設けられた部材(100)を用い、この部材(100)の前記表面を、それぞれの前記バンプ(21、22)の先端部(21a、22a)に押しつけて当該先端部(21a、22a)を変形させることにより行うことを特徴とする請求項1に記載のバンプ接合体の製造方法。 Making the tip portions (21a, 22a) of the bumps (21, 22) have the irregularities,
A member (100) having a surface with the irregularities is used, and the surface of the member (100) is pressed against the tip (21a, 22a) of each bump (21, 22). The method for manufacturing a bump bonded body according to claim 1, wherein the method is performed by deforming the portions (21 a, 22 a).
前記第1の接合部材(11)と前記第2の接合部材(12)とを互いの一面(11a、12a)にて対向させ、
それぞれの前記第1のバンプ(21)の先端部(21a)と前記第2のバンプ(22)の先端部(22a)とを接触させて電気的に接続してなるバンプ接合体の製造方法において、
互いに接続される前記第1のバンプ(21)と前記第2のバンプ(22)との組において、前記第1のバンプ(21)および前記第2のバンプ(22)の少なくとも一方のバンプを複数個のものとして、当該第1および第2のバンプ(21、22)が互いにかみ合った状態となるように接触させることを特徴とするバンプ接合体の製造方法。 A plurality of first bumps (21) are provided on one surface (11a) of the first bonding member (11), and the second bonding is made to face the one surface (11a) of the first bonding member (11). A second bump (22) is provided at a position facing the first bump (21) of one surface (12a) of the member (12),
The first joining member (11) and the second joining member (12) are opposed to each other on one surface (11a, 12a),
In the method for manufacturing a bump bonded body, wherein the tip end portion (21a) of each of the first bumps (21) and the tip end portion (22a) of the second bump (22) are brought into contact and electrically connected. ,
In the set of the first bump (21) and the second bump (22) connected to each other, a plurality of at least one of the first bump (21) and the second bump (22) are provided. A method for manufacturing a bump bonded body, characterized in that the first and second bumps (21, 22) are brought into contact with each other so as to be engaged with each other.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006093279A JP4661657B2 (en) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | Bump bonded body manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006093279A JP4661657B2 (en) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | Bump bonded body manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007266555A true JP2007266555A (en) | 2007-10-11 |
JP4661657B2 JP4661657B2 (en) | 2011-03-30 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006093279A Expired - Fee Related JP4661657B2 (en) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | Bump bonded body manufacturing method |
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JP (1) | JP4661657B2 (en) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007324386A (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device, and its manufacturing method |
JP2009212492A (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Method of manufacturing package substrate, and method of manufacturing semiconductor package |
JP2009266898A (en) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Semiconductor element mounting structure |
JP2010541244A (en) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | テッセラ,インコーポレイテッド | Flip chip interconnect with double posts |
JP2011192895A (en) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Zycube:Kk | Method for mounting semiconductor chip |
JP2011192894A (en) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Zycube:Kk | Method for mounting semiconductor device |
JP2013115135A (en) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Creation of combination of studs used for high-precision alignment between multiple chips |
US9030001B2 (en) | 2010-07-27 | 2015-05-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
US9496236B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-11-15 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
JP2017028156A (en) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 新光電気工業株式会社 | Mounting structure and manufacturing method therefor |
US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US10535626B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-01-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
JP2020149992A (en) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US11973056B2 (en) | 2016-10-27 | 2024-04-30 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Methods for low temperature bonding using nanoparticles |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0465846A (en) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Nec Corp | Method and jig for forming metal protrusion forming |
JPH05235061A (en) * | 1991-08-28 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | Electronic circuit joining device and method, solder ball, and aligning mark |
JPH05235099A (en) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | Circuit device mounting semiconductor |
JPH06310565A (en) * | 1993-04-20 | 1994-11-04 | Fujitsu Ltd | Flip-chip bonding method |
JPH0870019A (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Casio Comput Co Ltd | Connector structure of electronic parts and connection thereof |
JPH09330933A (en) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of bump electrode part |
JP2001068509A (en) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor mounting method and semiconductor device |
JP2003526937A (en) * | 2000-03-10 | 2003-09-09 | チップパック,インク. | Flip chip bonding structure |
WO2005069364A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mounted board, electronic component mounting method, electronic component, and wiring board |
-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006093279A patent/JP4661657B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0465846A (en) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Nec Corp | Method and jig for forming metal protrusion forming |
JPH05235061A (en) * | 1991-08-28 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | Electronic circuit joining device and method, solder ball, and aligning mark |
JPH05235099A (en) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | Circuit device mounting semiconductor |
JPH06310565A (en) * | 1993-04-20 | 1994-11-04 | Fujitsu Ltd | Flip-chip bonding method |
JPH0870019A (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Casio Comput Co Ltd | Connector structure of electronic parts and connection thereof |
JPH09330933A (en) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of bump electrode part |
JP2001068509A (en) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor mounting method and semiconductor device |
JP2003526937A (en) * | 2000-03-10 | 2003-09-09 | チップパック,インク. | Flip chip bonding structure |
WO2005069364A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mounted board, electronic component mounting method, electronic component, and wiring board |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007324386A (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device, and its manufacturing method |
US8884448B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-11-11 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with double post |
JP2010541244A (en) * | 2007-09-28 | 2010-12-24 | テッセラ,インコーポレイテッド | Flip chip interconnect with double posts |
US8558379B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-10-15 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with double post |
JP2009212492A (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Method of manufacturing package substrate, and method of manufacturing semiconductor package |
JP2009266898A (en) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Semiconductor element mounting structure |
JP2011192895A (en) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Zycube:Kk | Method for mounting semiconductor chip |
JP2011192894A (en) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Zycube:Kk | Method for mounting semiconductor device |
US9397063B2 (en) | 2010-07-27 | 2016-07-19 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
US9030001B2 (en) | 2010-07-27 | 2015-05-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
US9496236B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-11-15 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
JP2013115135A (en) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Creation of combination of studs used for high-precision alignment between multiple chips |
US10892246B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-12 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US9818713B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-11-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US10535626B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-01-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US10886250B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-05 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US11710718B2 (en) | 2015-07-10 | 2023-07-25 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
JP2017028156A (en) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 新光電気工業株式会社 | Mounting structure and manufacturing method therefor |
US11973056B2 (en) | 2016-10-27 | 2024-04-30 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US12027487B2 (en) | 2016-10-27 | 2024-07-02 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Structures for low temperature bonding using nanoparticles |
JP2020149992A (en) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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