JP2007266368A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】容易に、かつ安全にランプハウスの傾きの微調整を行うことができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置は、ウェハを収容するチャンバーの上にランプハウス5を配置している。ランプハウス5は、平面視で矩形形状を有するとともに、複数のフラッシュランプ69を一列に配列して内蔵している。ランプハウス5の矩形の四隅のそれぞれにウォームギア10が設けられている。各ウォームギア10は、その設置位置におけるランプハウス5とチャンバーとの間の距離を調整する。また、ランプハウス5の四隅のそれぞれにはダイヤルゲージ20も設けられている。ダイヤルゲージ20を確認しつつ、アウターパネル2の外部から4個のウォームギア10を個別に操作することによって容易に、かつ安全にチャンバーに対するランプハウス5の傾斜を微調整することができる。
【選択図】図5
【解決手段】熱処理装置は、ウェハを収容するチャンバーの上にランプハウス5を配置している。ランプハウス5は、平面視で矩形形状を有するとともに、複数のフラッシュランプ69を一列に配列して内蔵している。ランプハウス5の矩形の四隅のそれぞれにウォームギア10が設けられている。各ウォームギア10は、その設置位置におけるランプハウス5とチャンバーとの間の距離を調整する。また、ランプハウス5の四隅のそれぞれにはダイヤルゲージ20も設けられている。ダイヤルゲージ20を確認しつつ、アウターパネル2の外部から4個のウォームギア10を個別に操作することによって容易に、かつ安全にチャンバーに対するランプハウス5の傾斜を微調整することができる。
【選択図】図5
Description
この発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等(以下、単に「基板」と称する)に対してフラッシュ光を照射することにより基板を加熱する熱処理装置に関する。
従来より、イオン注入後の半導体ウェハーのイオン活性化工程においては、ハロゲンランプを使用したランプアニール装置が一般的に使用されていた。このようなランプアニール装置においては、半導体ウェハーを、例えば、1000℃ないし1100℃程度の温度に加熱(アニール)することにより、半導体ウェハーのイオン活性化を実行している。そして、このような熱処理装置においては、ハロゲンランプより照射される光のエネルギーを利用することにより、毎秒数百度程度の速度で基板を昇温する構成となっている。
一方、近年、半導体デバイスの高集積化が進展し、ゲート長が短くなるにつれて接合深さも浅くすることが望まれている。しかしながら、毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハーを昇温する上記ランプアニール装置を使用して半導体ウェハーのイオン活性化を実行した場合においても、半導体ウェハーに打ち込まれたボロンやリン等のイオンが熱によって深く拡散するという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、接合深さが要求よりも深くなり過ぎ、良好なデバイス形成に支障が生じることが懸念される。
このため、複数のキセノンフラッシュランプを使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間(数ミリセカンド以下)に昇温させる技術が提案されている(例えば、特許文献1)。キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリセカンド以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンを深く拡散させることなく、イオン活性化のみを実行することができるのである。
特許文献1に開示されるようなキセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置においては、処理対象となる半導体ウェハーを収容するチャンバーの上部に複数のキセノンフラッシュランプを備えたランプハウスを設置する構成となっている。すなわち、チャンバーとランプハウスとは一体成型されているものではなく、チャンバー内部の清掃時等にはランプハウスを取り外してチャンバー内を開放できるようになっている。
このため、従来より熱処理装置には、ランプハウスの水平だし等を行うためにチャンバーに対するランプハウスの傾きを調整するダブルナット機構が設けられていた。この機構はネジに螺合するナットの位置を調整することによってランプハウスの傾きを調整するものである。
しかしながら、ランプハウスにはキセノンフラッシュランプに印加するための高電圧電源が設けられている。また、チャンバー内には半導体ウェハーを予備加熱するためのホットプレートも設けられており、ランプハウスが高温になっている場合もある。このため、上記の傾き調整機構を操作するときには、その都度装置全体の電源を落としてホットプレートの温度が低下するのを待って行わねばならず、著しく長時間を要するという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、容易に、かつ安全にランプハウスの傾きの微調整を行うことができる熱処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、フラッシュ光を出射するフラッシュランプを内蔵するランプハウスと、前記ランプハウスの下方に設けられ、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を保持する保持部と、前記ランプハウスと前記チャンバーとの間の少なくとも一部に設けられ、前記チャンバーに対する前記ランプハウスの傾斜を調整するウォームギアと、を備える。
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る熱処理装置において、前記ランプハウスを平面視で矩形とし、前記矩形の四隅のそれぞれにウォームギアを設けるとともに、各ウォームギアに、略鉛直方向に沿った回転軸を有するウォームホイールと、前記回転軸に沿って前記ウォームホイールに固設された雄ネジと、前記ウォームホイールに歯合されたウォームと、前記ウォームに固設され、前記ウォームを回転させるための外部工具が嵌合する嵌合部と、を備え、前記チャンバーおよび/または前記ランプハウスに前記雄ネジと螺合する雌ネジを螺刻している。
また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る熱処理装置において、前記矩形の四隅のそれぞれに設けられたウォームギアの近傍に、各ウォームギアの近傍における前記チャンバーと前記ランプハウスとの間の距離を測定するダイヤルゲージをさらに備える。
請求項1の発明によれば、チャンバーに対するランプハウスの傾斜の調整をウォームギアによって行うため、容易に、かつ安全にランプハウスの傾きの微調整を行うことができる。
また、請求項2の発明によれば、ランプハウスを平面視で矩形とし、その矩形の四隅のそれぞれにウォームギアを設けているため、容易に、かつ安全にランプハウスの傾きの微調整を行うことができる。
また、請求項3の発明によれば、ウォームギアの近傍にチャンバーとランプハウスとの間の距離を測定するダイヤルゲージを備えるため、より正確にランプハウスの傾きの微調整を行うことができる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す側断面図である。熱処理装置1は基板として略円形の半導体ウェハーWに閃光(フラッシュ光)を照射してその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。
熱処理装置1は、半導体ウェハーWを収容する略円筒形状のチャンバー6を備える。チャンバー6は、略円筒状の内壁を有するチャンバー側部63、および、チャンバー側部63の下部を覆うチャンバー底部62によって構成される。また、チャンバー側部63およびチャンバー底部62によって囲まれる空間が熱処理空間65として規定される。熱処理空間65の上方は上部開口60とされている。
また、熱処理装置1は、上部開口60に装着されて上部開口60を閉塞する閉塞部材である透光板61、チャンバー6の内部において半導体ウェハーWを保持しつつ予備加熱を行う略円板状の保持部7、保持部7をチャンバー6の底面であるチャンバー底部62に対して昇降させる保持部昇降機構4、保持部7に保持される半導体ウェハーWに透光板61を介してフラッシュ光を照射することにより半導体ウェハーWを加熱するキセノンフラッシュランプ(以下、単に「フラッシュランプ」という)69を内蔵するランプハウス5、および、これらの構成を制御して熱処理を行う制御部3を備える。
チャンバー6は、ランプハウス5の下方に設けられている。チャンバー6の上部に設けられた透光板61は、例えば、石英等により形成された円板形状部材であり、フラッシュランプ69から出射された光を透過して熱処理空間65に導くチャンバー窓として機能する。チャンバー6の本体を構成するチャンバー底部62およびチャンバー側部63は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されており、チャンバー側部63の内側面の上部のリング631は、光照射による劣化に対してステンレススチールより優れた耐久性を有するアルミニウム(Al)合金等で形成されている。
また、熱処理空間65の気密性を維持するために、透光板61とチャンバー側部63とはOリングによってシールされている。すなわち、透光板61の下面周縁部とチャンバー側部63との間にOリングを挟み込むとともに、クランプリング90を透光板61の上面周縁部に当接させ、そのクランプリング90をチャンバー側部63にネジ止めすることによって、透光板61をOリングに押し付けている。
チャンバー底部62には、保持部7を貫通して半導体ウェハーWをその下面から支持するための複数(本実施の形態では3本)の支持ピン70が立設されている。支持ピン70は、例えば石英により形成されており、チャンバー6の外部から固定されているため、容易に取り替えることができる。
チャンバー側部63は、半導体ウェハーWの搬入および搬出を行うための搬送開口部66を有し、搬送開口部66は、軸662を中心に回動するゲートバルブ185により開閉可能とされる。チャンバー側部63における搬送開口部66とは反対側の部位には熱処理空間65に処理ガス(例えば、窒素(N2)ガスやヘリウム(He)ガス、アルゴン(Ar)ガス等の不活性ガス、あるいは、酸素(02)ガス等)を導入する導入路81が形成され、その一端は弁82を介して図示省略の給気機構に接続され、他端はチャンバー側部63の内部に形成されるガス導入バッファ83に接続される。また、搬送開口部66には熱処理空間65内の気体を排出する排出路86が形成され、弁87を介して図示省略の排気機構に接続される。
図2は、チャンバー6をガス導入バッファ83の位置にて水平面で切断した断面図である。図2に示すように、ガス導入バッファ83は、図1に示す搬送開口部66の反対側においてチャンバー側部63の内周の約1/3に亘って形成されており、導入路81を介してガス導入バッファ83に導かれた処理ガスは、複数のガス供給孔84から熱処理空間65内へと供給される。
図1に示す保持部昇降機構4は、略円筒状のシャフト41、移動板42、ガイド部材43(本実施の形態ではシャフト41の周りに3本配置される)、固定板44、ボールネジ45、ナット46およびモータ40を有する。チャンバー6の下部であるチャンバー底部62には保持部7よりも小さい直径を有する略円形の下部開口64が形成されており、ステンレススチール製のシャフト41は、下部開口64を挿通して、保持部7(厳密には保持部7のホットプレート71)の下面に接続されて保持部7を支持する。
移動板42にはボールネジ45と螺合するナット46が固定されている。また、移動板42は、チャンバー底部62に固定されて下方へと伸びるガイド部材43により摺動自在に案内されて上下方向に移動可能とされる。また、移動板42は、シャフト41を介して保持部7に連結される。
モータ40は、ガイド部材43の下端部に取り付けられる固定板44に設置され、タイミングベルト401を介してボールネジ45に接続される。保持部昇降機構4により保持部7が昇降する際には、駆動部であるモータ40が制御部3の制御によりボールネジ45を回転し、ナット46が固定された移動板42がガイド部材43に沿って鉛直方向に移動する。この結果、移動板42に固定されたシャフト41が鉛直方向に沿って移動し、シャフト41に接続された保持部7が図1に示す半導体ウェハーWの受渡位置と図4に示す半導体ウェハーWの熱処理位置との間で滑らかに昇降する。
移動板42の上面には略半円筒状(円筒を長手方向に沿って半分に切断した形状)のメカストッパ451がボールネジ45に沿うように立設されており、仮に何らかの異常により移動板42が所定の上昇限界を超えて上昇しようとしても、メカストッパ451の上端がボールネジ45の端部に設けられた端板452に突き当たることによって移動板42の異常上昇が防止される。これにより、保持部7が透光板61の下方の所定位置以上に上昇することはなく、保持部7と透光板61との衝突が防止される。
また、保持部昇降機構4は、チャンバー6の内部のメンテナンスを行う際に保持部7を手動にて昇降させる手動昇降部49を有する。手動昇降部49はハンドル491および回転軸492を有し、ハンドル491を介して回転軸492を回転することより、タイミングベルト495を介して回転軸492に接続されるボールネジ45を回転して保持部7の昇降を行うことができる。
チャンバー底部62の下側には、シャフト41の周囲を囲み下方へと伸びる伸縮自在のベローズ47が設けられ、その上端はチャンバー底部62の下面に接続される。一方、ベローズ47の下端はベローズ下端板471に取り付けられている。べローズ下端板471は、鍔状部材411によってシャフト41にネジ止めされて取り付けられている。保持部昇降機構4により保持部7がチャンバー底部62に対して上昇する際にはベローズ47が収縮され、下降する際にはべローズ47が伸張される。そして、保持部7が昇降する際にも、ベローズ47が伸縮することによって熱処理空間65内の気密状態が維持される。
保持部7は、半導体ウェハーWを予備加熱(いわゆるアシスト加熱)するホットプレート(加熱プレート)71、および、ホットプレート71の上面(保持部7が半導体ウェハーWを保持する側の面)に設置されるサセプタ72を有する。保持部7の下面には、既述のように保持部7を昇降するシャフト41が接続される。サセプタ72は石英(あるいは、窒化アルミニウム(AIN)等であってもよい)により形成され、その上面には半導体ウェハーWの位置ずれを防止するピン75が設けられる。サセプタ72は、その下面をホットプレート71の上面に面接触させてホットプレート71上に設置される。これにより、サセプタ72は、ホットプレート71からの熱エネルギーを拡散してサセプタ72上面に載置された半導体ウェハーWに伝達するとともに、メンテナンス時にはホットプレート71から取り外して洗浄可能とされる。
ホットプレート71は、ステンレススチール製の上部プレート73および下部プレート74にて構成される。上部プレート73と下部プレート74との間には、ホットプレート71を加熱するニクロム線等の抵抗加熱線が配設され、導電性のニッケル(Ni)ロウが充填されて封止されている。また、上部プレート73および下部プレート74の端部はロウ付けにより接着されている。
図3は、ホットプレート71を示す平面図である。図3に示すように、ホットプレート71は、保持される半導体ウェハーWと対向する領域の中央部に同心円状に配置される円板状のゾーン711および円環状のゾーン712、並びに、ゾーン712の周囲の略円環状の領域を周方向に4等分割した4つのゾーン713〜716を備え、各ゾーン間には若干の間隙が形成されている。また、ホットプレート71には、支持ピン70が挿通される3つの貫通孔77が、ゾーン711とゾーン712との隙間の周上に120°毎に設けられる。
6つのゾーン711〜716のそれぞれには、相互に独立した抵抗加熱線が周回するように配設されてヒータが形成されており、各ゾーンに内蔵されたヒータにより各ゾーンが個別に加熱される。保持部7に保持された半導体ウェハーWは、6つのゾーン711〜716に内蔵されたヒータにより加熱される。また、ゾーン711〜716のそれぞれには、熱電対を用いて各ゾーンの温度を計測するセンサ710が設けられている。各センサ710は略円筒状のシャフト41の内部を通り制御部3に接続される。
ホットプレート71が加熱される際には、センサ710により計測される6つのゾーン711〜716のそれぞれの温度が予め設定された所定の温度になるように、各ゾーンに配設された抵抗加熱線への電力供給量が制御部3により制御される。制御部3による各ゾーンの温度制御はPID(Proportional,Integral,Derivative)制御により行われる。ホットプレート71では、半導体ウェハーWの熱処理(複数の半導体ウェハーWを連続的に処理する場合は、全ての半導体ウェハーWの熱処理)が終了するまでゾーン711〜716のそれぞれの温度が継続的に計測され、各ゾーンに配設された抵抗加熱線への電力供給量が個別に制御されて、すなわち、各ゾーンに内蔵されたヒータの温度が個別に制御されて各ゾーンの温度が設定温度に維持される。なお、各ゾーンの設定温度は、基準となる温度から個別に設定されたオフセット値だけ変更することが可能とされる。
6つのゾーン711〜716にそれぞれ配設される抵抗加熱線は、シャフト41の内部を通る電力線を介して電力供給源(図示省略)に接続されている。電力供給源から各ゾーンに至る経路途中において、電力供給源からの電力線は、マグネシア(マグネシウム酸化物)等の絶縁体を充填したステンレスチューブの内部に互いに電気的に絶縁状態となるように配置される。なお、シャフト41の内部は大気開放されている。
図1に示すランプハウス5は、複数(本実施の形態においては30本)のフラッシュランプ69およびリフレクタ52を有する。複数のフラッシュランプ69は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部7に保持される半導体ウェハーWの主面に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。リフレクタ52は、複数のフラッシュランプ69の上方にそれら全体を覆うように設けられ、その表面はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。また、光拡散板53(ディフューザ)は、表面に光拡散加工を施した石英ガラスにより形成され、透光板61との間に所定の間隙を設けてランプハウス5の下面側に設置される。熱処理装置1には、メンテナンス時にランプハウス5をチャンバー6に対して相対的に上昇させて水平方向にスライド移動させるランプハウス移動機構55がさらに設けられる。
キセノンフラッシュランプ69は、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設されたガラス管と、該ガラス管の外周面上に巻回されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのジュール熱でキセノンガスが加熱されて光が放出される。このキセノンフラッシュランプ69においては、予め蓄えられていた静電エネルギーが0.1ミリセカンドないし10ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。
図5は、熱処理装置1のランプハウス5を上方から見た平面図である。本実施形態のランプハウス5は平面視で矩形形状を有している。チャンバー6についても、内壁は円筒形状であるものの、その外径は平面視でランプハウス5に対応する矩形を有している。また、図1,4では図示を省略しているが、熱処理装置1の全体はアウターパネル2によって囲まれている。アウターパネル2は、熱処理装置1のメンテナンス時などに開放或いは取り外すことも可能であるが、半導体ウェハーWの加熱処理を行うときには安全上の観点から必ず設置されているものであり、装置起動中にアウターパネル2が開放されると電源が強制的にOFF状態となるようなインターロック機構が設けられている。また、図5の紙面上においてランプハウス5の右側には、チャンバー6に半導体ウェハーWを搬出入するための搬送ロボットを内蔵する搬送チャンバー(図示省略)が設けられている。
ランプハウス5とチャンバー6との間には、チャンバー6に対するランプハウス5の傾斜を調整する4個のウォームギア10が設けられている。4個のウォームギア10は、平面視でランプハウス5の矩形の四隅のそれぞれに設けられている。各ウォームギア10は、その設置位置におけるランプハウス5とチャンバー6との間の距離を調整する。また、ランプハウス5の四隅のそれぞれにはダイヤルゲージ20も設けられている。各ダイヤルゲージ20は、ウォームギア10の近傍に設けられており、当該ウォームギア10近傍におけるランプハウス5とチャンバー6との間の距離を測定する。
図6は、図5の紙面上にて左下に位置するウォームギア10およびダイヤルゲージ20を模式的に示す平面図である。また、図7は、図6の矢印AR6の向きから見たウォームギア10およびダイヤルゲージ20を示す正面図である。なお、他の位置の3個のウォームギア10についても図6および図7に示したのと同様の構成を有している。ウォームギア10は、送りねじであるウォーム15と、その送りねじに対応した角度を有する歯を付けた歯車であるウォームホイール11とを組み合わせた歯車対である。なお、本実施形態のウォームギア10は円筒ウォームギアであるが、鼓形ウォームギアであっても良い。
ウォームホイール11は、略鉛直方向に沿った回転軸12を有しており、その回転軸12の周りに回転可能である。回転軸12の周面の一部または全部にはネジ山が螺刻されて雄ネジ13とされている。本実施形態では、ウォームホイール11の中心を上下に貫通する回転軸12のホイールより下部が雄ネジ13とされている。この雄ネジ13はウォームホイール11に固設されており、ウォームホイール11の回転に伴って回転する。
回転軸12の上端は摺動自在にランプハウス5の下端部(厳密にはランプハウス5の台座)に当接している。一方、雄ネジ13はチャンバー6の上端部に螺刻された雌ネジ6aと螺合している。従って、ウォームホイール11が一方向に回転すると雄ネジ13がチャンバー6に嵌入し、当該ウォームホイール11の設置位置におけるランプハウス5とチャンバー6との間の距離が小さくなる。ウォームホイール11がそれとは逆方向に回転すると雄ネジ13がチャンバー6から抜け出る方向に上昇し、当該ウォームホイール11の設置位置におけるランプハウス5とチャンバー6との間の距離が大きくなる。
また、ウォーム15は、その送りねじ部分において、ウォームホイール11と歯合している。ウォーム15とウォームホイール11とが歯合することによって、ウォーム15の水平方向を軸とする回転がウォームホイール11の鉛直方向を軸とする回転に変換される。このようなウォームギア10の特徴として減速比が非常に大きい。
ウォーム15の一端部は軸受け17によって支持され、その他端部には四角柱形状の突起16が凸設されている。突起16は、その中心軸をウォーム15の回転軸に一致させるように設けられている。この突起16は、クランクハンドル25のソケット26と嵌合可能である。クランクハンドル25は、ウォーム15を回転させるための工具である。なお、クランクハンドル25の材質は熱伝導率が低く、しかも電気的に絶縁性を有する素材にて形成するのが好ましい。
アウターパネル2のうちウォーム15の回転軸と交わる部分の近傍には開口2aが形成されており、装置のオペレータは、その開口2aからクランクハンドル25のソケット26を挿入して突起16に嵌合させることができる。また、アウターパネル2の開口2aの近傍には覗き窓として機能する開口2bも形成されており、開口2bからオペレータが視認可能な位置にダイヤルゲージ20が設けられている。ダイヤルゲージ20はウォームギア10の近傍に設置されており、当該ウォームギア10近傍におけるランプハウス5とチャンバー6との間の距離またはその変位を測定してその値を指針が指し示す。
装置のオペレータは、開口2aからクランクハンドル25を挿入してソケット26を突起16に嵌合させ、しかる後、開口2bからダイヤルゲージ20を視認しつつ、クランクハンドル25を正または逆方向に回転させることによってウォームギア10を駆動し、該ウォームギア10の設置位置におけるランプハウス5とチャンバー6との間の距離を伸縮して調整することができる。
図1に戻り、制御部3のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部3は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。制御部3は、モータ40、弁82,87およびフラッシュランプ69への電源供給回路を制御する。
なお、上述の構成以外にも、本実施形態の熱処理装置1は、半導体ウェハーWの熱処理時にフラッシュランプ69およびホットプレート71から発生する熱エネルギーによるチャンバー6およびランプハウス5の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造(図示省略)を備えている。例えば、チャンバー6のチャンバー側部63およびチャンバー底部62には水冷管が設けられており、ランプハウス5は内部に気体を供給する供給管とサイレンサ付きの排気管が設けられて空冷構造とされている。また、透光板61とランプハウス5(の光拡散板53)との間隙には圧縮空気が供給され、ランプハウス5および透光板61を冷却するとともに、間隙に存在する有機物等を排除して熱処理時における光拡散板53および透光板61への付着を抑制する。
次に、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順について簡単に説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーWはイオン注入法により不純物が添加された半導体基板であり、添加された不純物の活性化が熱処理装置1による熱処理により行われる。
まず、保持部7が図1に示すようにチャンバー底部62に近接した位置に配置される。以下、図1における保持部7のチャンバー6内における位置を「受渡位置」という。保持部7が受渡位置にあるとき、支持ピン70の先端は、保持部7を貫通して保持部7の上方に突出する。
次に、弁82および弁87が開かれてチャンバー6の熱処理空間65内に常温の窒素ガスが導入される。続いて、搬送開口部66が開放され、上記搬送チャンバーの搬送ロボットにより搬送開口部66を介してイオン注入後の半導体ウェハーWがチャンバー6内に搬入され、複数の支持ピン70上に載置される。
半導体ウェハーWの搬入時におけるチャンバー6への窒素ガスのパージ量は約40リットル/分とされ、供給された窒素ガスはチャンバー6内においてガス導入バッファ83から図2中に示す矢印AR4の方向へと流れ、図1に示す排出路86および弁87を介してユーティリティ排気により排気される。また、チャンバー6に供給された窒素ガスの一部は、べローズ47の内側に設けられる排出口(図示省略)からも排出される。なお、以下で説明する各ステップにおいて、チャンバー6には常に窒素ガスが供給および排気され続けており、窒素ガスのパージ量は半導体ウェハーWの処理工程に合わせて様々に変更される。
半導体ウェハーWがチャンバー6内に搬入されると、ゲートバルブ185により搬送開口部66が閉鎖される。そして、図4に示す如く、保持部昇降機構4により保持部7が透光板61に近接した位置(以下、「処理位置」という)まで上昇される。このとき、半導体ウェハーWは支持ピン70から保持部7のサセプタ72へと渡され、サセプタ72の上面に載置・保持される。
ホットプレート71の6つのゾーン711〜716のそれぞれは、各ゾーンの内部(上部プレート73と下部プレート74との間)に個別に配設された抵抗加熱線により所定の温度まで加熱されている。保持部7が処理位置まで上昇して半導体ウェハーWが保持部7と接触することにより、その半導体ウェハーWは予備加熱されて温度が次第に上昇する。
この処理位置にて約60秒間の予備加熱が行われ、半導体ウェハーWの温度が予め設定された予備加熱温度T1まで上昇する。予備加熱温度T1は、半導体ウェハーWに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、200℃ないし600℃程度、好ましくは350℃ないし550℃程度とされる。また、保持部7と透光板61との間の距離は、保持部昇降機構4のモータ40の回転量を制御することにより任意に調整することが可能とされている。
約60秒間の予備加熱時間が経過した後、保持部7が処理位置に位置したまま制御部3の制御によりランプハウス5のフラッシュランプ69から半導体ウェハーWへ向けてフラッシュ光が照射される。このとき、フラッシュランプ69から放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー6内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ52により反射されてからチャンバー6内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーWのフラッシュ加熱が行われる。フラッシュ加熱は、フラッシュランプ69からの閃光照射により行われるため、半導体ウェハーWの表面温度を短時間で上昇することができる。
すなわち、ランプハウス5のフラッシュランプ69から照射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が0.1ミリ秒ないし10ミリ秒程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプ69からの閃光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーWの表面温度は、瞬間的に1000℃ないし1100℃程度の処理温度T2まで上昇し、半導体ウェハーWに添加された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置1では、半導体ウェハーWの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーWに添加された不純物の熱による拡散(この拡散現象を、半導体ウェハーW中の不純物のプロファイルがなまる、ともいう)を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、添加不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、0.1ミリセカンドないし10ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。
また、フラッシュ加熱の前に保持部7により半導体ウェハーWを予備加熱しておくことにより、フラッシュランプ69からの閃光照射によって半導体ウェハーWの表面温度を処理温度T2まで速やかに上昇させることができる。
フラッシュ加熱が終了し、処理位置における約10秒間の待機の後、保持部7が保持部昇降機構4により再び図1に示す受渡位置まで下降し、半導体ウェハーWが保持部7から支持ピン70へと渡される。続いて、ゲートバルブ185により閉鎖されていた搬送開口部66が開放され、支持ピン70上に載置された半導体ウェハーWは装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置1における半導体ウェハーWのフラッシュ加熱処理が完了する。
既述のように、熱処理装置1における半導体ウェハーWの熱処理時には窒素ガスがチャンバー6に継続的に供給されており、そのパージ量は、保持部7が処理位置に位置するときには約30リットル/分とされ、保持部7が処理位置以外の位置に位置するときには約40リットル/分とされる。
ところで、本実施形態の熱処理装置1においては、ホットプレート71が200℃ないし600℃程度にまで昇温して半導体ウェハーWを予備加熱しているため、保持部7を支持するシャフト41も熱伝導によってある程度昇温する。その結果、保持部7が常温のときよりも微妙に傾く可能性がある。このような場合には、ランプハウス5の傾斜を調整して複数のフラッシュランプ69の配列と保持部7とを平行にする必要がある。
しかしながら、ランプハウス5自体もフラッシュランプ69およびホットプレート71から発生する熱エネルギーによって温度が上昇している。このため、高温のランプハウス5等に直接作業者が触れることのないように、処理中は常に熱処理装置1の周囲がアウターパネル2によって囲まれている。また、処理中にアウターパネル2を開放すると装置電源が強制的にOFF状態となることも既述した通りである。
このため、本実施形態の熱処理装置1においては、アウターパネル2を開放することなく、パネル外部からクランクハンドル25を用いて操作可能なウォームギア10をランプハウス5の傾斜調整機構として設けている。ウォームギア10は平面視でランプハウス5の矩形の四隅のそれぞれに設けられており、4個のウォームギア10を個別に操作することによってチャンバー6に対するランプハウス5の傾斜を調整することが可能である。各ウォームギア10の操作手法は上述の通りのものであり、開口2bからダイヤルゲージ20を視認しつつ、突起16に嵌合させたクランクハンドル25を正または逆方向に回転させることによって該ウォームギア10の設置位置におけるランプハウス5とチャンバー6との間の距離を伸縮する。
このようにすれば、アウターパネル2を開けることなく、パネル外部から4個のウォームギア10を操作してランプハウス5の傾斜を調整することができるため、従来のように装置電源を落としてホットプレート71の温度が低下するのを待ってからランプハウス5の傾斜を調整するのと比較して傾斜調整に要する時間を飛躍的に短くすることができる。また、アウターパネル2の外部からクランクハンドル25によってウォームギア10を操作するため、装置電源をOFF状態にせずとも安全にランプハウス5の傾斜調整を行うことができる。
ウォームギア10は、他の形式のギアに比較して小さな容積で大きな減速比が得られるという特長を有する。それ故、ウォームギア10のギア効率は余り良くない(つまり、ウォームホイール11を1回転させるのにウォーム15を多数回転させる必要がある)ものの、上記のようなランプハウス5の傾斜の微調整であればウォームホイール11をそれ程回転させる必要がないため傾斜調整の操作性を低下させることはない。また、ランプハウス5は複数のフラッシュランプ69の他にもリフレクタ52、光拡散板53、ランプ電源回路、冷却機構等を備えており、その重量は約160kgwにも達するのであるが、ウォームギア10が大きな減速比を有するが故に重いランプハウス5の傾斜を容易に調整することができ、しかもランプハウス5の重量によってウォームギア10が動作するおそれもない。
また、保持部7と複数のフラッシュランプ69の配列とが平行に近づくようにランプハウス5の傾斜を調整すれば、半導体ウェハーWの面内照度分布が均一となり、その結果面内温度分布も均一とすることができる。
また、4個のウォームギア10を取り付けるだけで、安全なランプハウス5の傾斜調整が可能となるため、従来と比較しても大きなコストアップになるおそれはない。なお、ウォームギア10に代えてパルスモータ等を設けてランプハウス5の傾斜を自動調整するという手法もあり得るが、このようにするとモータの他に別途新たなセンサや制御機構も必要となり大幅なコスト増に繋がり、傾斜調整を行う頻度を考慮すると現実的ではない。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、チャンバー6に雌ネジ6aを刻設するとともにウォームホイール11の回転軸12の下部に雄ネジ13を形成していたが、これに代えてまたはこれと併せてランプハウス5の下端部に雌ネジを刻設して回転軸12の上部に雄ネジ13を形成するようにしても良い。すなわち、チャンバー6および/またはランプハウス5に雄ネジ13と螺合する雌ネジを形成する形態であれば良い。
また、上記実施形態においては、平面視でランプハウス5の矩形の四隅のそれぞれにウォームギア10を設けるようにしていたが、ランプハウス5の平面視形状は矩形に限定されるものではなく、ランプハウス5とチャンバー6との間の少なくとも一部にウォームギア10を設置するようにしても良い。
また、上記各実施形態においては、ランプハウス5に30本のフラッシュランプ69を備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプ69の本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプ69はキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。
また、上記各実施形態においては、アシスト加熱手段としてホットプレート71を使用していたが、半導体ウェハーWを保持する保持部7の下方に複数のランプ群(例えば複数のハロゲンランプ)を設け、それらからの光照射によってアシスト加熱を行うようにしても良い。
また、上記各実施形態においては、半導体ウェハーに光を照射してイオン活性化処理を行うようにしていたが、本発明にかかる熱処理装置による処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではない。例えば、窒化シリコン膜や多結晶シリコン膜等の種々のシリコン膜が形成されたガラス基板に対して本発明にかかる熱処理装置による処理を行っても良い。一例として、CVD法によりガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜にシリコンをイオン注入して非晶質化した非晶質シリコン膜を形成し、さらにその上に反射防止膜となる酸化シリコン膜を形成する。この状態で、本発明にかかる熱処理装置により非晶質のシリコン膜の全面に光照射を行い、非晶質のシリコン膜が多結晶化した多結晶シリコン膜を形成することもできる。
また、ガラス基板上に下地酸化シリコン膜、アモルファスシリコンを結晶化したポリシリコン膜を形成し、そのポリシリコン膜にリンやボロン等の不純物をドーピングした構造のTFT基板に対して本発明にかかる熱処理装置により光照射を行い、ドーピング工程で打ち込まれた不純物の活性化を行うこともできる。
1 熱処理装置
2 アウターパネル
5 ランプハウス
6 チャンバー
6a 雌ネジ
7 保持部
10 ウォームギア
11 ウォームホイール
12 回転軸
13 雄ネジ
15 ウォーム
16 突起
20 ダイヤルゲージ
25 クランクハンドル
65 熱処理空間
69 フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
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5 ランプハウス
6 チャンバー
6a 雌ネジ
7 保持部
10 ウォームギア
11 ウォームホイール
12 回転軸
13 雄ネジ
15 ウォーム
16 突起
20 ダイヤルゲージ
25 クランクハンドル
65 熱処理空間
69 フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (3)
- 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
フラッシュ光を出射するフラッシュランプを内蔵するランプハウスと、
前記ランプハウスの下方に設けられ、基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持部と、
前記ランプハウスと前記チャンバーとの間の少なくとも一部に設けられ、前記チャンバーに対する前記ランプハウスの傾斜を調整するウォームギアと、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記ランプハウスは平面視で矩形を有し、
前記矩形の四隅のそれぞれにウォームギアを設けるとともに、
各ウォームギアは、
略鉛直方向に沿った回転軸を有するウォームホイールと、
前記回転軸に沿って前記ウォームホイールに固設された雄ネジと、
前記ウォームホイールに歯合されたウォームと、
前記ウォームに固設され、前記ウォームを回転させるための外部工具が嵌合する嵌合部と、
を備え、
前記チャンバーおよび/または前記ランプハウスに前記雄ネジと螺合する雌ネジを螺刻することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記矩形の四隅のそれぞれに設けられたウォームギアの近傍に、各ウォームギアの近傍における前記チャンバーと前記ランプハウスとの間の距離を測定するダイヤルゲージをさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006090331A JP2007266368A (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 熱処理装置 |
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JP2006090331A JP2007266368A (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 熱処理装置 |
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JP2006090331A Pending JP2007266368A (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 熱処理装置 |
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JP (1) | JP2007266368A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7433936B2 (ja) | 2020-01-31 | 2024-02-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
-
2006
- 2006-03-29 JP JP2006090331A patent/JP2007266368A/ja active Pending
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