JP2007264164A - 金属パターンの形成方法および光接続構造の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光の伝搬損失を抑えることができる光接続構造の製造方法を提供することにある。
【解決手段】傾斜面6以外のパラジウム7が付着したコア3の表面を露光し、エッチングした後、パラジウム7の触媒作用を利用して、上記傾斜面6に無電解めっきを施す。
【選択図】図3H
【解決手段】傾斜面6以外のパラジウム7が付着したコア3の表面を露光し、エッチングした後、パラジウム7の触媒作用を利用して、上記傾斜面6に無電解めっきを施す。
【選択図】図3H
Description
この発明は、例えば、光配線と電気配線とが形成されている光電気回路モジュールにおいて、金属パターンの形成方法、および、光電変換素子と光導波路との間の入出光を精度よく接続するための光接続構造の製造方法に関する。
21世紀の高度情報化社会では、情報ニーズの高度化、多様化およびデジタル化が進み、ネットワークを介して流通する情報量は、現在とは比較にならないほど増大すると予測されている。この膨大な情報を円滑に伝送および処理するためには、通信装置やコンピュータの処理能力を飛躍的に向上させる必要がある。半導体集積回路(LSI)などの電気素子の性能は着実に向上しているが、信号高速化に伴うクロストーク、電磁輻射およびノイズ等の電気配線に係る問題が、ボトルネックになっている。
この解決のため、電気配線の一部を光導波路による光配線に置き換え、電気信号の代わりに光信号を利用することが考えられている。当初、光配線として石英製の光ファイバーが用いられていたが、配線数が増加すると接続が困難になることから、最近では高分子系の光導波路が検討されており、高分子系の光導波路の材料としては、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、エポキシ樹脂、ポリイミドまたはポリシランなどが用いられている。上記光導波路は、コア層とクラッド層とからなり、コア層の屈折率をクラッド層より大きくすることにより、光は、コア層とクラッド層との界面で全反射しながらコア層を伝搬する。
光配線と電気配線とが形成されている光電気回路基板に、発光素子や受光素子等の光電変換素子と、これら光電変換素子を制御するための電子部品とを、搭載する際、従来から電気回路基板実装に用いられている表面実装技術を適用できることが望ましい。
そのためには、光電気回路基板面と平行に配線されている光配線と、基板表面に実装された光電変換素子とを、光結合させる必要があり、光配線上に光路を90°変換するためのミラー等を形成する必要がある。
例えば、基板上に実装された面受光型フォトダイオードの下面の受光面に、光導波路のコア層を伝搬してきた光を入射させるために、光導波路の端部に対向する位置に、反射面として45°面を持つミラーを形成し、このミラーで光をフォトダイオードの下面の受光面に入射させる方法がある。
このミラーの形成方法として様々な提案がなされており、例えば、半導体用ダイサーを用いて光配線に45°端面を形成し、この端面に金属蒸着してミラーを形成する方法や、基板を傾斜させてドライエッチングを行って45°端面を形成し、この端面に金属蒸着してミラーを形成する方法などがある。
一方、高分子系の光導波路の材料の中で、紫外線露光により屈折率変化を生じることから、近年,ポリシランが注目されている。
そして、従来、ポリシラン膜に金属パターンを形成する方法として、以下の、第1の金属パターンの形成方法または第2の金属パターンの形成方法がある(特開2000−138442号公報:特許文献1参照)。
上記第1の金属パターンの形成方法は、ポリシラン膜を形成後にパラジウム塩溶液で処理して、ポリシラン表面にパラジウムコロイドを析出させる工程と、このパラジウムコロイド上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂に露光および現像を行ってパターンを形成する工程と、無電界めっきを行って金属パターンを形成する工程とを備える。
上記第2の金属パターンの形成方法は、ポリシラン膜を形成後に光照射し、その上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂に露光および現像を行ってパターンを形成する工程と、パラジウム塩溶液で処理して、露出したポリシラン表面にパラジウムコロイドを析出させる工程と、無電界めっきを行って金属パターンを形成する工程とを備える。
しかしながら、上記第1の金属パターンの形成方法または上記第2の金属パターンの形成方法を電気配線パターンの形成などに適用した場合、金属パターンを形成した後に感光性樹脂を除去する工程は、煩雑であると共に、多量の感光性樹脂および剥離溶剤を必要として、コストが高くなるという問題があった。
一方、上記第1の金属パターンの形成方法または上記第2の金属パターンの形成方法を光路変換用ミラーの形成に適用した場合、コア上面と、コア端面および45°の傾斜面との間には段差があるため、感光性樹脂をこの上に塗布した場合、45°の傾斜面上の感光性樹脂厚が厚くなって、感光性樹脂の露光および現像によるパターン形状が悪くなり、傾斜面以外の部分も露出して、傾斜面以外にもめっき膜が析出してしまう問題があった。この不要箇所のめっき膜は、めっき膜の剥離の起点となる可能性が高く、ミラーの剥離やミラー上への付着などが起こり、散乱を引き起こす可能性がある。
さらに、金属パターンを形成した後に感光性樹脂を除去する工程は、煩雑であると共に、多量の感光性樹脂および剥離溶剤を必要として、コストが高くなるという問題があった。
さらに、金属パターンを形成した後に感光性樹脂を有機溶剤で除去する必要があるが、この際、ポリシラン膜が有機溶剤で浸食され、導波路表面および導波路端面が荒れてしまって、散乱などにより伝搬損失が大きくなってしまうという問題があった。
特開2000−138442号公報
そこで、この発明の課題は、プロセスが簡単な金属パターンの形成方法、および、光の伝搬損失を抑えることができる光接続構造の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の金属パターンの形成方法は、
紫外線の照射によって可溶性に変化する樹脂の表面に、無電解めっき用触媒を付着する工程と、
所定パターンを形成したマスクを通して上記樹脂の表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記樹脂の照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記樹脂を無電解めっき液中に浸漬して、上記樹脂の表面に付着された上記触媒の作用によって、上記樹脂の表面に金属めっき膜を形成する工程と
を備えることを特徴としている。
紫外線の照射によって可溶性に変化する樹脂の表面に、無電解めっき用触媒を付着する工程と、
所定パターンを形成したマスクを通して上記樹脂の表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記樹脂の照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記樹脂を無電解めっき液中に浸漬して、上記樹脂の表面に付着された上記触媒の作用によって、上記樹脂の表面に金属めっき膜を形成する工程と
を備えることを特徴としている。
この発明の金属パターンの形成方法によれば、金属パターンを必要とする場所以外の無電解めっき用触媒が付着した樹脂の表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して無電解めっきを施す。このように、工程が簡単で、感光性樹脂や剥離溶剤を削減することができて、コストを低減することができる。
また、この発明の光接続構造の製造方法は、
透光性の樹脂からなるクラッドを基板上に形成する工程と、
紫外線の照射によって可溶性に変化する透光性の樹脂からなるコアを上記クラッド上に形成する工程と、
上記コアの一部に、両端面を有すると共に光導波路としての島部を形成し、かつ、この島部の各端面に対向する上記コアの他の一部の端部に、上記基板に対して傾斜する傾斜面を形成する工程と、
上記コアの表面に無電解めっき用触媒を付着する工程と、
上記傾斜面を除いた上記コアの表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記コアの照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記コアを無電解めっき液中に浸漬して、上記コアの傾斜面に付着された上記触媒の作用によって、上記コアの傾斜面に金属めっき膜を形成する工程と
を備えることを特徴としている。
透光性の樹脂からなるクラッドを基板上に形成する工程と、
紫外線の照射によって可溶性に変化する透光性の樹脂からなるコアを上記クラッド上に形成する工程と、
上記コアの一部に、両端面を有すると共に光導波路としての島部を形成し、かつ、この島部の各端面に対向する上記コアの他の一部の端部に、上記基板に対して傾斜する傾斜面を形成する工程と、
上記コアの表面に無電解めっき用触媒を付着する工程と、
上記傾斜面を除いた上記コアの表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記コアの照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記コアを無電解めっき液中に浸漬して、上記コアの傾斜面に付着された上記触媒の作用によって、上記コアの傾斜面に金属めっき膜を形成する工程と
を備えることを特徴としている。
この発明の光接続構造の製造方法によれば、傾斜面以外の無電解めっき用触媒が付着したコアの表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して傾斜面に無電解めっきを施す。このように、工程が簡単で、感光性樹脂や剥離溶剤を削減することができて、コストを低減することができる。さらに、傾斜面以外の不要な場所にめっき膜が析出することがなく、ミラーの剥離やミラー上への異物付着などによる散乱を防ぐことができる。さらに、コア(光導波路)の表面荒れが生じず、散乱などによる光導波路の伝搬損失の増加を防ぐことができる。
また、一実施形態の光接続構造の製造方法では、上記クラッドの樹脂および上記コアの樹脂は、ポリシランである。
この一実施形態の光接続構造の製造方法によれば、ポリシランは、紫外線の露光によって、屈折率を変化できる(屈折率を低下できる)ので、光導波路の形成が容易になる。
また、一実施形態の光接続構造の製造方法では、上記金属めっき膜は、銅である最下層と、金または銀である最上層とを有する。
この一実施形態の光接続構造の製造方法によれば、上記金属めっき膜の最上層(ミラーの最表面)は、金または銀であるので、反射率が高くて、光の伝搬損失を一層抑えることができる。例えば、上記無電解めっき液は、無電解銅めっき液であり、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、金、ニッケルおよび銅を有し、または、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、銀、ニッケルおよび銅を有し、または、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、銀および銅を有する。
また、一実施形態の光接続構造の製造方法では、上記金属めっき膜は、ニッケル−リンである最下層と、金または銀である最上層とを有する。
この一実施形態の光接続構造の製造方法によれば、上記金属めっき膜の最上層(ミラーの最表面)は、金または銀であるので、反射率が高くて、光の伝搬損失を一層抑えることができる。例えば、上記無電解めっき液は、無電解ニッケルめっき液であり、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、金およびニッケル−リン、または、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、銀およびニッケル−リンを有する。
また、一実施形態の光接続構造の製造方法では、上記無電解めっき用触媒の溶液は、パラジウム−スズコロイドを含む溶液、または、パラジウムイオンを含む溶液である。
この発明の金属パターンの形成方法によれば、金属パターンを必要とする場所以外の無電解めっき用触媒が付着した樹脂の表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して無電解めっきを施すので、工程が簡単で、コストを低減できる。
また、この発明の光接続構造の製造方法によれば、傾斜面以外の無電解めっき用触媒が付着したコアの表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して傾斜面に無電解めっきを施すので、工程が簡単で、コストを低減でき、光の伝搬損失を抑えることができる。
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
図9は、この発明の光接続構造の一実施形態である概略図を示している。図9に示すように、この光接続構造100は、基板1と、この基板1上に形成された第1のクラッド2と、この第1のクラッド2上に形成されたコア3と、このコア3上に形成された第2のクラッド4とを備える。すなわち、この光接続構造100は、光導波路基板である。なお、図9では、部材間を判別し易くするために、ハッチングを用いている。
上記コア3の一部に、上記基板1に対して平行な水平方向の光導波路5aが形成されている。上記水平方向の光導波路5aは、両端面を有する。上記水平方向の光導波路5aの各端面に対向する上記コア3の他の一部の端部に、上記基板1に対して傾斜する共に上記基板1と反対側を向く傾斜面6が形成されている。この傾斜面6の上記基板1に対する内角は、約45°である。
上記傾斜面6上の上記第2のクラッド4の部位に、上記基板1に対して垂直な垂直方向の光導波路5bが形成されている。この垂直方向の光導波路5bは、上記第2クラッド4の表面まで延びている。
上記傾斜面6の表面には、無電解めっき膜によるミラー(金属めっき膜)14が形成されている。上記第2クラッド4の表面には、上記垂直方向の光導波路5bを中心に電極29が形成されている。上記傾斜面6、上記ミラー14、上記垂直方向の光導波路5bおよび上記電極29は、上記水平方向の光導波路5aを挟んだ両側のそれぞれにある。
この光接続構造100には、上記各電極29を介して、面発光レーザー26および光検出器27が搭載されている。すなわち、上記面発光レーザー26は、一方の上記垂直方向の光導波路5b(以下、入射側の光導波路5bという。)の上側に配置される。上記光検出器27は、他方の上記垂直方向の光導波路5b(以下、出射側の光導波路5bという。)の上側に配置される。
そして、上記面発光レーザー26は、上記入射側の光導波路5bの端部へ、レーザー光を出射し、この光導波路5bへ入射したレーザー光は、この光導波路5b内を伝搬して、上記傾斜面6の表面に形成された上記ミラー14に到達する。
このミラー14で反射したレーザー光は、光路を90°変換されて、上記水平方向の光導波路5aに入射し、この光導波路5a内を伝搬して、この光導波路5aに関して上記入射側の傾斜面6と反対側の出射側の傾斜面6の表面に形成されたミラー14に到達する。
この出射側のミラー14に到達したレーザー光は、進行方向を再び90°曲げられて、上記出射側の光導波路5bに入射し、この光導波路5b内を伝搬して、この光導波路5bの端部から出射されて、上記光検出器27に入射し、電気信号に変換される。
次に、この発明の光接続構造の製造方法を、図1A〜図8Sを用いて、説明する。なお、図1A〜図8Sでは、部材間を判別し易くするために、ハッチングを用いている。
まず、図1Aに示すように、石英からなる基板1上に、ポリシランを主成分とする溶液(例えば、日本ペイント製のグラシアWG−302)を、膜厚10μmとなるようにスピンナーを用いてスピンコートし、150℃で予備乾燥し、さらに350℃で焼成し、屈折率が1.58(波長633nm)の第1のクラッド2を形成する。
次に、図1Bに示すように、上記第1のクラッド2より高屈折率用のポリシランを主成分とする溶液(例えば、日本ペイント製のグラシアWG−301)を、上記第1のクラッド2上に膜厚約20μmになるようにスピンコートし、約150℃で予備乾燥しコア3を形成する。
次に、図1Cに示すように、上記コア3上にフォトマスク30を配置し、図2Dに示すように、上記フォトマスク30を通して紫外光Lを上記コア3に照射して、上記コア3に選択的に露光部31を形成する。
このフォトマスク30は、傾斜面6の潜像を形成するために、この傾斜面6と対応する箇所において、光透過率が100〜0%へ漸減するグレーマスクパターンの光透過部32を有している。
このため、上記光透過部32のうち、光透過率が高い部分を介して露光された部分は、上記コア3の深くまで露光が進み、光透過率が低い部分を介して露光された部分は、上記コア3の表層近傍のみ露光され、結果として、上記コア3に傾斜面6の潜像を有する上記露光部31が形成される。
このとき、光源は、500WのディープUV用ランプを用いて、波長300〜400nmの紫外線の照射光量が、ポリシラン膜厚1μm当り200mJ/cm2となるように露光する。
次に、上記コア3をアルカリ水溶液(例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムの10〜20%水溶液)に浸漬し、上記露光部31をエッチング除去して、図2Eに示すように、上記傾斜面6を形成する。
すなわち、上記コア3の一部に、両端面3b,3bを有すると共に上記基板1に対して平行な水平方向の島部3aを形成する。同時に、上記島部3aの各端面3bに対向する上記コア3の他の一部の端部に、上記基板1に対して傾斜すると共に上記基板1と反対側を向く傾斜面6を形成する。要するに、上記島部3aの端面3bと上記傾斜面6との間に奥程幅が狭くなる溝8を形成する。
次に、塩化パラジウムが約0.03%、塩化第1スズが約2%、塩酸が約20%の触媒液に、約25℃で約5分間、基板1を浸漬する。この基板1を水洗後、約10%の塩酸水溶液に約2分間浸漬し、再度水洗を行う。これにより、図3Fに示すように、上記コア3の表面の全体に、パラジウム7が析出する。なお、図3Fでは、わかりやすくするために、上記パラジウム7を大きく描いている。
次に、図3Gに示すように、上記傾斜面6に対応する遮光部42を有するフォトマスク40を介して、上記コア3に紫外光Lを約10秒程度照射する。この際、上記パラジウム7は、上記コア3の表面に点在しているため、光をさえぎることはなく、上記コア3の露光部41には、シラノール基が形成され、アルカリ溶液に可溶となる。
このようにして得られた基板1をアルカリ水溶液(例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムの10〜20%水溶液)に浸漬して、上記露光部41をエッチング除去して、図3Hに示すように、上記傾斜面6上にのみ上記パラジウム7を残存させる。すなわち、紫外線が照射された上記コア3の照射部(露光部41)を、この照射部に付着された上記パラジウム7と共に、除去する。
次に、図4Iに示すように、上記島部3aに対応する形状の遮光部52を有するフォトマスク50を介して、上記コア3に紫外光Lを照射する。これにより、図4Jに示すように、照射部位の屈折率が低下して、非照射部位の屈折率が相対的に高められる。結果として、上記島部3aに,屈折率1.6(波長633nm)の光導波路5aが形成される。
次に、得られた上記基板1を350℃で30分間焼成し、上記コア3(上記光導波路5a)を化学的に安定させる。この際、上記コア3(上記光導波路5a)は、収縮するが、上記傾斜面6に残存している上記パラジウム7は、上記傾斜面6の表面にまばらに点在しているだけなので、収縮による影響は受けない。
次に、得られた上記基板1を水洗し、硫酸銅1%、ロシェル塩4%、ホルムアルデヒド1%、水酸化ナトリウム1%を含む無電解銅めっき液(液温25℃)に15分間浸漬する。
これにより、上記傾斜面6に析出していたパラジウム7の触媒作用によって、無電解銅めっき液中の銅が傾斜面6に析出し、その後、銅の自己触媒作用によって、めっき膜が成長し、図5Kに示すように、上記傾斜面6に、膜厚0.2μmの銅めっき膜11が形成される。
次に、得られた基板を水洗し、10%の硫酸水溶液で洗浄し、再度水洗し、塩化パラジウム0.02%を含む触媒液(液温25℃)に5分間浸漬する。これにより、先の工程で形成された銅めっき膜11とパラジウムイオンとの置換反応が起こり、銅めっき膜11上にパラジウム7が析出する。
次に、得られた基板1を水洗し、硫酸ニッケル2%、ホスフィン酸ナトリウム1.5%、クエン酸ナトリウム3%を含む無電解ニッケルめっき液(液温80℃)に5分間浸漬する。これにより、図5Lに示すように、上記銅めっき膜11上に、膜厚2μmのニッケル−リンめっき膜12が形成される。
さらに、得られた基板1を水洗し、シアン化金カリウム0.1%、シアン化ナトリウム1%を含む金めっき液(液温85℃)に10分間浸漬し、次いで、亜硫酸金ナトリウム1%、ジメチルアミンボラン2%を含む無電解めっき液(液温60℃)に60分間浸漬することにより、ニッケル−リンめっき膜12上に、膜厚0.5μmの金めっき膜13が形成される。
このように、上記傾斜面6の表面には、上記傾斜面6の表面から順に配置された銅めっき膜11、ニッケル−リンめっき膜12および金めっき膜13の3層構造からなるミラー14が形成される。なお、図5Lでは、わかりやすくするために、上記ミラー14を大きく描いている。
その後、図5Mに示すように、上記コア3(上記光導波路5a)および上記ミラー14上に、上記コア3を構成するポリシランと同じポリシランを主成分とする溶液(例えば、日本ペイント製のグラシアWG−301)を、膜厚30μmとなるようにスピンナーを用いてスピンコートし、150℃で予備乾燥し、第2のクラッド4を形成する。
次に、塩化パラジウムが約0.03%、塩化第1スズが約2%、塩酸が約20%の触媒液に、約25℃で約5分間、上記基板1を浸漬する。この基板1を水洗後、約10%の塩酸水溶液に約2分間浸漬し、再度水洗を行う。これにより、図6Nに示すように、第2のクラッド4の表面に、上記パラジウム7が析出する。
次に、図6Oに示すように、上記第2のクラッド4の電極パターン部28に対応する遮光部62を有するフォトマスク60を介して、上記第2のクラッド4に紫外光Lを約10秒程度照射する。この際、上記パラジウム7は、上記第2のクラッド4の表面に点在しているため、光をさえぎることはなく、上記第2のクラッド4の露光部61には、シラノール基が形成され、アルカリ溶液に可溶となる。
このようにして得られた基板1をアルカリ水溶液(例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムの10〜20%水溶液)に浸漬して、上記露光部61をエッチング除去して、図7Pに示すように、上記電極パターン部28にのみ上記パラジウム7を残存させる。すなわち、紫外線が照射された上記第2のクラッド4の照射部(露光部61)を、この照射部に付着された上記パラジウム7と共に、除去する。
次に、図7Qに示すように、上記ミラー14上に対向する遮光部72を有するフォトマスク70を通して、紫外光Lを第2のクラッド4に照射して、上記ミラー14上以外を露光する。
このとき、光源は、500WのディープUV用ランプを用いて、波長300〜400nmの紫外線の照射光量が、ポリシラン膜厚1μm当り200mJ/cm2となるように露光する。
次に、上記基板1を約350℃で焼成し、図8Rに示すように、上記第2のクラッド4に、屈折率が1.58(波長633nm)の低屈折率部を形成すると共に、上記第2のクラッド4の上記ミラー14上部に、周囲より屈折率の高い光導波路5bを形成する。
すなわち、この光導波路5bは、上記基板1に対して垂直な方向に延びている。この垂直方向の光導波路5bは、上記水平方向の光導波路5aを挟んだ両側のそれぞれに形成される。
この際、上記コア3は、既に焼成工程を経ているので、上記第2のクラッド4の焼成により、上記ミラー14に剥離や皺などが生じることはない。
次に、得られた基板1を水洗し、硫酸銅2%、ロシェル塩4%、ホルムアルデヒド2%、水酸化ナトリウム1%を含む無電解銅めっき液(液温60℃)に30分間浸漬する。
これにより、上記電極パターン部28に析出していたパラジウム7の触媒作用によって、無電解銅めっき液中の銅が析出し始め、その後、銅の自己触媒作用によって、めっき膜が成長し、図8Sに示すように、膜厚約2μmの銅めっきによる電極29が形成される。なお、この銅めっき上に、さらに、ニッケル−リンめっき、および、金めっきを、順に、施してもよい。
このようにして、上記第1のクラッド2と上記第2のクラッド4に挟まれた上記水平方向の光導波路5aの両端の近傍にミラー14を備え、この各ミラー14の上側に上記垂直方向の光導波路5bを備え、この各光導波路5bを中心に上記第2のクラッド2上に電極29を備えた上記光接続構造(光導波路基板)100が完成する。
その後、図9に示すように、上記光接続構造100の一方の上記垂直方向の光導波路5bの上側に、上記電極29を介して、上記面発光レーザー26を搭載する。上記光接続構造100の他方の上記垂直方向の光導波路5bの上側に、上記電極29を介して、上記光検出器27を搭載する。
上記光接続構造100の製造方法によれば、上記傾斜面6以外の無電解めっき用触媒(上記パラジウム7)が付着した上記コア3の表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して上記傾斜面6に無電解めっきを施す。このように、工程が簡単で、感光性樹脂や剥離溶剤を削減することができて、コストを低減することができる。さらに、上記傾斜面6以外の不要な場所にめっき膜が析出することがなく、上記ミラー14の剥離や上記ミラー14上への異物付着などによる散乱を防ぐことができる。さらに、上記コア3(上記光導波路5a,5b)の表面荒れが生じず、散乱などによる上記光導波路5a,5bの伝搬損失の増加を防ぐことができる。
また、上記電極29(金属パターン)の形成方法によれば、金属パターンを必要とする場所以外の無電解めっき用触媒(上記パラジウム7)が付着した樹脂(上記第2のクラッド4)の表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して無電解めっきを施す。このように、工程が簡単で、感光性樹脂や剥離溶剤を削減することができて、コストを低減することができる。
また、上記クラッド2,4の樹脂および上記コア3の樹脂は、ポリシランであるので、ポリシランは、紫外線の露光によって、屈折率を変化できて(屈折率を低下できて)、上記光導波路5a,5bの形成が容易になる。
また、上記ミラー14の最表面は、金または銀であるので、反射率が高くて、光の伝搬損失を一層抑えることができる。
なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、上記パラジウム触媒液を用いる代わりに、塩化パラジウムを約0.1%含む触媒液に約25℃で約5分間浸漬し、水洗後、ジメチルアミンボランを約5%含む還元剤液に約30℃で約3分浸漬して、ポリシラン表面にパラジウムを析出させるようにしてもよい。
また、上記ミラー形成用めっき液として、厚膜用の無電解銅めっきを用いて約2〜3μmの銅めっき膜を形成し、硝酸銀約1%、水酸化アンモニウム約7%、亜硫酸ナトリウム約10%等を含む銀めっき液に浸漬して、銅めっき上に銀めっきを施すことも可能である。また、金めっきの代わりに銀めっき液を用いて、ニッケル−リンめっき上に銀めっきを施すことも可能である。
また、上記ミラー形成時の工程において、パラジウムを析出させた後、焼成し、無電解めっき液に浸漬する場合、無電解ニッケル−リンめっき液を用いることもできる。
その際、基板を水洗後、硫酸ニッケル約2%、ホスフィン酸ナトリウム約1.5%、クエン酸ナトリウム約3%等を含む無電解ニッケルめっき液に、約80℃で5分間浸漬する。パラジウムの触媒作用により無電解ニッケルが析出し、その後はニッケルの自己触媒作用によりめっき膜が成長する。この結果、上記傾斜面6に約2μm厚のニッケル−リンめっきが形成される。
そして、基板水洗後、シアン化金カリウム約0.1%、シアン化ナトリウム約1%等を含む約85℃の金めっき液に基板を約10分間浸漬し、次いで、亜硫酸金ナトリウム約1%、ジメチルアミンボラン約2%等を含む約60℃の無電解金めっき液に約60分浸漬する。この結果、ニッケル−リンめっき上に約0.5μm厚の金めっきが形成され、上記傾斜面6に金表面を持つミラーが形成される。なお、このミラーは、上層から下層へ順に、銀およびニッケル−リンを有するようにしてもよい。
1 基板
2 第1のクラッド
3 コア
3a 島部
3b 端面
4 第2のクラッド
5a (水平方向の)光導波路
5b (垂直方向の)光導波路
6 傾斜面
7 パラジウム(無電解めっき用触媒)
8 溝
11 銅めっき膜
12 ニッケル−リンめっき膜
13 金めっき膜
14 ミラー(金属めっき膜)
26 面発光レーザー(光電変換素子)
27 光検出器(光電変換素子)
28 電極パターン部
29 電極
30,40,50、60、70 フォトマスク
31、41、61 露光部(照射部)
32 光透過部
42,52、62、72 遮光部
100 光接続構造(光導波路基板)
L 紫外光
2 第1のクラッド
3 コア
3a 島部
3b 端面
4 第2のクラッド
5a (水平方向の)光導波路
5b (垂直方向の)光導波路
6 傾斜面
7 パラジウム(無電解めっき用触媒)
8 溝
11 銅めっき膜
12 ニッケル−リンめっき膜
13 金めっき膜
14 ミラー(金属めっき膜)
26 面発光レーザー(光電変換素子)
27 光検出器(光電変換素子)
28 電極パターン部
29 電極
30,40,50、60、70 フォトマスク
31、41、61 露光部(照射部)
32 光透過部
42,52、62、72 遮光部
100 光接続構造(光導波路基板)
L 紫外光
Claims (5)
- 紫外線の照射によって可溶性に変化する樹脂の表面に、無電解めっき用触媒を付着する工程と、
所定パターンを形成したマスクを通して上記樹脂の表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記樹脂の照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記樹脂を無電解めっき液中に浸漬して、上記樹脂の表面に付着された上記触媒の作用によって、上記樹脂の表面に金属めっき膜を形成する工程と
を備えることを特徴とする金属パターンの形成方法。 - 透光性の樹脂からなるクラッドを基板上に形成する工程と、
紫外線の照射によって可溶性に変化する透光性の樹脂からなるコアを上記クラッド上に形成する工程と、
上記コアの一部に、両端面を有すると共に光導波路としての島部を形成し、かつ、この島部の各端面に対向する上記コアの他の一部の端部に、上記基板に対して傾斜する傾斜面を形成する工程と、
上記コアの表面に無電解めっき用触媒を付着する工程と、
上記傾斜面を除いた上記コアの表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記コアの照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記コアを無電解めっき液中に浸漬して、上記コアの傾斜面に付着された上記触媒の作用によって、上記コアの傾斜面に金属めっき膜を形成する工程と
を備える光接続構造の製造方法。 - 請求項2に記載の光接続構造の製造方法において、
上記クラッドの樹脂および上記コアの樹脂は、ポリシランであることを特徴とする光接続構造の製造方法。 - 請求項2に記載の光接続構造の製造方法において、
上記金属めっき膜は、銅である最下層と、金または銀である最上層とを有することを特徴とする光接続構造の製造方法。 - 請求項2に記載の光接続構造の製造方法において、
上記金属めっき膜は、ニッケル−リンである最下層と、金または銀である最上層とを有することを特徴とする光接続構造の製造方法。
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JP2006087105A JP2007264164A (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 金属パターンの形成方法および光接続構造の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-03-28 JP JP2006087105A patent/JP2007264164A/ja active Pending
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