JP2007250918A - 直接冷却型電力半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに対向する第1の主面と第2の主面を有しその第1の主面に電力半導体素子が樹脂層を介して又は直接設けられた金属ベース板と、電力半導体素子を冷却する冷却液が還流される凹部を有する冷却構造体とを備え、冷却構造体は、凹部が第2の主面に対向して配置されて、凹部の周りに設けられた弾性体からなるOリングを押圧するように、金属ベース板に取り付けられた直接冷却型電力半導体装置において、金属ベース板の第2の主面の一部であって、Oリングと金属ベース板との接触端の近傍に形成される隙間に滞留する冷却液に曝される部分に、腐食を防止する金属ベースコーティング膜を形成した。
【選択図】図2
Description
前記金属ベース板の前記第2の主面の一部であって、前記Oリングと前記金属ベース板との接触端の近傍に形成される隙間に滞留する冷却液に曝される部分に、腐食を防止する金属ベースコーティング膜を形成したことを特徴とする。
実施の形態1.
図1は、本発明に係る実施の形態1の直接液冷型電力半導体装置を示す断面図である。
この実施の形態1において、パワーモジュール100は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)等のパワーデバイス101と、銅配線パターン102と、熱の良伝導体である銅やアルミニウム等からなる金属ベース板105と、ケース106とを有してなる。このパワーモジュール100において、銅配線パターン102は、接着樹脂層104により金属ベース板105に接着され、例えば、複数のパワーデバイス101が、はんだ(図示せず)等により、銅配線パターン102上に固着され、パワーデバイス101の表面に設けられた電極(図示せず)がアルミワイヤ103等の金属細線により銅配線パターンの一部に電気的に接合されている。
尚、液冷構造体201は、アルミや銅等の金属、若しくはPPS(ポリ・フエニレン・サルファイド)、等の樹脂で作製することができる。
以下、シール部分の構成を詳細に説明する。
この図2に示すように、コーティング膜108は、金属ベース板105と液冷構造体201で締付られて横方向に拡がったOリング204の接触面の最大幅より広く形成され、これにより冷却液205の滞留による金属ベース板105の腐食を防止している。
また、コーティング膜108の膜厚は、金属ベース板105の表面の凹凸を被覆して滑らかにでき、ピンホールなどの欠陥がなく、冷却液205がコーティング膜を通して金属表面に到達しないような膜厚であれば良く、上記条件を満足する限り、出来るだけ薄いほうが良い。具体的には、0.002mm〜0.050mmの範囲の厚さに設定されることが好ましい。
また、柔らかい先端部に樹脂を染み込ませた治具をコーティングするエリア上に押し当てて金属ベース板105表面に樹脂を塗布する方法、塗布する形状に成型したスタンプ状の治具により樹脂を転写する方法により形成することもでき、特に、形成方法に制限はない。
したがって、本実施の形態1では、Oリング付近の特別な設計をすることがないので、半導体装置の小型化を阻害することもない。
実施の形態1の構成では、Oリングと金属ベース板105で作る隙間における冷却液205の滞留に起因する隙間腐食を防止できることを示した。
しかしながら、〇リング204によるシール部分では、金属ベース板105と液冷構造体201の隙間も小さく、この隙間への冷却液205の滞留が問題になる場合がる。
また、図3Aにおいて、図1及び図2と同様な部材には、同様の符号を付して示している。
すなわち、本発明では、内側に向かって金属ベース板105との間隔が、連続的に、又は段階的に拡がるような面であれば、傾斜面206bに代えて形成することができる。
言い換えれば、傾斜面206b又はそれに替わる面は、冷却液205が滞留しない領域が明確にわかり、コーティング膜の端部を決められるような面であれば良い。
本発明に係る実施の形態3の直接液冷型電力半導体装置は、図4に示すように、実施の形態1の直接液冷型電力半導体装置において、Oリング収納溝203の底面にコーティング膜208を形成し、Oリング収納溝203の底面とOリング204とが、コーティング膜208を介して接するようにしたことを特徴としている。
したがって、図4に示す実施の形態3の構造によれば、液冷構造体201を銅やアルミ等の金属で形成することができる。
尚、実施の形態3において、コーティング膜は、実施の形態1と同様のもので構成することが可能である。
本発明に係る実施の形態4の直接液冷型電力半導体装置は、図5に示すように、実施の形態2の直接液冷型電力半導体装置において、Oリング収納溝203の底面にコーティング膜208を形成し、Oリング収納溝203の底面とOリング204とが、コーティング膜208を介して接するようにし、さらに、コーティング膜208を隔壁上面206を経て傾斜面206bの途中まで延在するように形成している。
尚、実施の形態4において、コーティング膜208を傾斜面206bの途中まで延在させている理由は、その部分までが滞留する液冷体に曝されるためであり、傾斜面206b全体が滞留する液冷体に曝される恐れがある場合には、コーティング膜208を傾斜面206bの下端まで延在させれば良い。
また、傾斜部206bが形成されることによって、溝204の近辺において冷却液205が滞留する領域を狭くできることはいうまでもない。
また、金属ベース板105の材料と液冷構造体201が同一の材質であってもよく、その場合、コーティング剤は実施の形態1で例示した材料を用いて構成することができる。
また、液冷構造体201を金属ベース板105と異なる金属を用いて構成することもでき、その場合のコーティング膜の材料は、実施の形態1で例示した材料を用いることもできるし、液冷構造体201の材質に応じてより適した材質を選択することもできる。
本発明に係る実施の形態5の直接液冷型電力半導体装置は、Oリング204によるシール部分の構造が実施の形態1と異なっている以外は、実施の形態1と同様に構成される。
図6は、本実施の形態5における直接液冷型電力半導体装置のOリングシール部分の構造を示す断面図である。
本実施の形態5の直接液冷型電力半導体装置は、金属ベース板105と液冷構造体201間に挟まれたOリング204の表面、金属ベース板105裏面の一部及びOリング収納溝203の内面に渡って連続したコーティング膜が形成されていることを特徴としている。
本方法でき、まず、図7Aに示すように、パワーモジュール100に液冷構造体201を取り付ける前に、液冷構造体201のOリング収納溝203にOリング204を装着し、その状態で、コーティング樹脂の反応硬化前の液状のコーティング樹脂溶液208aを滴下する。
ここで、コーティング樹脂溶液208aとしては、金属ベース板105との密着性が高く、Oリング締付により変質を起こすことがなく、且つ、冷却液205に犯されない、例えば、シリコーン樹脂等を用いることができる。尚、液冷構造体201が樹脂製である場合には、その樹脂との密着性が高いことが求められる。
さらに、金属ベース板105表面や、特に、液冷構造体201を樹脂により構成されている場合であって、コーティング膜を形成するための樹脂溶液の密着性が低い場合には、表面にプライマー処理や、UV照射、プラズマ照射等の表面活性化処理を施せばよい。
本発明に係る実施の形態6の直接液冷型電力半導体装置は、図8及び図9に示すように、Oリング収納溝203の内側に位置する隔壁の内側に傾斜部209を形成して金属ベース板105との間隔を広げるようにし、溝内に形成されたコーティング膜207cをさらに、その傾斜部209に延在するように形成している。
尚、その傾斜部209に延在して形成された部分は、コーティング膜207dとして示している。
本発明に係る実施の形態7の直接液冷型電力半導体装置は、図10に示すように、樹脂溶液の内側への流入を防止する液溜り部210を形成したことを特徴とし、それ以外の部分は、実施の形態6の直接液冷型電力半導体装置と同様に構成される。
Claims (9)
- 互いに対向する第1の主面と第2の主面を有しその第1の主面に電力半導体素子が樹脂層を介して又は直接設けられた金属ベース板と、前記電力半導体素子を冷却する冷却液が還流される凹部を有する冷却構造体とを備え、前記冷却構造体が、前記第2の主面に前記凹部が対向するように配置されて、前記凹部の周りに設けられた弾性体からなるOリングを押圧するように前記金属ベース板に取り付けられてなる直接冷却型電力半導体装置において、
前記金属ベース板の前記第2の主面の一部であって、前記Oリングと前記金属ベース板との接触端の近傍に形成される隙間に滞留する冷却液に曝される部分に、腐食を防止する金属ベースコーティング膜を形成したことを特徴とする直接冷却型電力半導体装置。 - 前記冷却構造体は、前記凹部の周りにOリング収納溝を有し、該Oリング収納溝に前記Oリングが配置された請求項1記載の直接冷却型電力半導体装置。
- 前記Oリング収納溝内において、少なくとも前記Oリング収納溝の底面の一部であって、該底面と前記Oリングとの接触端の近傍に形成される隙間に滞留する冷却液に曝される部分に、該底面の腐食を防止する冷却構造体コーティング膜を形成したことを特徴とする請求項2記載の直接冷却型電力半導体装置。
- 前記冷却構造体は、前記Oリング収納溝と前記凹部とを隔てる隔壁の前記凹部側に、前記第2の主面との間隔が、前記凹部に近づくに従って連続的又は段階的に大きくなるように傾斜部を有し、前記金属ベースコーティング膜が該傾斜部に対向する部分にまで延在して設けられている請求項2又は3記載の直接冷却型電力半導体装置。
- 前記冷却構造体は、前記Oリング収納溝と前記凹部とを隔てる隔壁の前記凹部側に、前記第2の主面との間隔が、前記凹部に近づくに従って連続的又は段階的に大きくなるように傾斜部を有し、前記金属ベースコーティング膜が該傾斜部に対向する部分にまで延在して設けられている請求項3記載の直接冷却型電力半導体装置。
- 前記冷却構造体コーティング膜が前記傾斜部まで延在するように設けられた請求項5記載の直接冷却型電力半導体装置。
- 前記金属ベースコーティング膜の一部が、前記Oリングと前記金属ベース板の前記第2の主面に挟まれている請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の直接冷却型電力半導体装置。
- 前記冷却構造体コーティング膜の一部が、前記Oリングと前記Oリング収納溝の底面に挟まれている請求項3,5,6のうちのいずれか1つに記載の直接冷却型電力半導体装置。
- 前記Oリングの表面に設けられたOリングコーティング膜をさらに、前記金属ベースコーティング膜と、前記Oリングコーティング膜と、冷却構造体コーティング膜とが連続した一体の膜として形成された請求項3、5、6、8のうちのいずれか1つに記載の直接冷却型電力半導体装置。
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