JP2007242419A - Organic electroluminescent panel, and its manufacturing method - Google Patents

Organic electroluminescent panel, and its manufacturing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent panel which can be used also for sealing the upper face light emitting panel and which is not deteriorated for a long period even if it is a narrow frame panel, and to provide a manufacturing method by providing a transparent sealing method of low moisture permeability. <P>SOLUTION: The organic electroluminescent element is not formed in a box shaped barrier rib 3 positioned at least at the outmost peripheral part out of a plurality of box shaped barrier ribs 3, and the outmost peripheral box shaped barrier rib group 3A is constituted of the box shaped barrier rib 3 positioned at the outmost peripheral part in which those organic electroluminescent elements are not formed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、テレビやパソコンモニタ、携帯電話等の携帯端末などに使用されるフラットパネルディスプレイや、面発光光源、照明、発光型広告体などとして、幅広い用途が期待される有機エレクトロルミネッセンスパネル(以下、有機ELパネルという)に関するものである。   The present invention is an organic electroluminescence panel (hereinafter referred to as a flat panel display used for a mobile terminal such as a television, a personal computer monitor, a mobile phone, etc.), a surface emitting light source, an illumination, a light emitting advertising body, etc. , An organic EL panel).

有機ELパネルは、広視野角、応答速度が速い、低消費電力などの利点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに変わるフラットパネルディスプレイとして期待されている。   The organic EL panel is expected as a flat panel display that replaces a cathode ray tube or a liquid crystal display because of its advantages such as a wide viewing angle, a high response speed, and low power consumption.

有機ELパネルは、陽極層と陰極層との間に有機発光媒体層を挟持した構造であり、両電極間に電圧を印加し電流を流すことにより有機発光媒体層で発光が生じる自発光型の表示素子である。一般的に、陽極層には透明電極が用いられ、有機発光媒体層で生じた光は透明陽極層側から取り出される。   The organic EL panel has a structure in which an organic light emitting medium layer is sandwiched between an anode layer and a cathode layer, and a self-luminous type in which light is emitted from the organic light emitting medium layer when a voltage is applied between both electrodes and a current flows. It is a display element. Generally, a transparent electrode is used for the anode layer, and light generated in the organic light emitting medium layer is extracted from the transparent anode layer side.

ディスプレイの駆動方式としては、パッシブマトリクス駆動とアクティブマトリクス駆動があるが、ディスプレイを大型、高精細化するためには、TFTにより画素毎に駆動するアクティブマトリクス駆動が低電圧駆動できるため有利である。しかし、TFT基板上に透明陽極層を形成し、透明陽極層側から光を取り出す従来型の下面発光素子を作製すると、TFTや配線などにより開口率が制限され、光の取出し効率が低下するといった問題があった。   There are passive matrix driving and active matrix driving as display driving methods. To increase the size and definition of the display, it is advantageous because the active matrix driving driven for each pixel by TFT can be driven at a low voltage. However, forming a transparent anode layer on a TFT substrate and producing a conventional bottom surface light emitting device that extracts light from the transparent anode layer side limits the aperture ratio due to TFTs and wiring, and decreases the light extraction efficiency. There was a problem.

これに対して、近年、陰極層を透明電極化したり、陽極層と陰極層を形成する順序を逆にした上面発光型パネル(トップエミッションパネル)が考案され、従来の下面発光型パネル(ボトムエミッションパネル)よりも開口率を大きくすることができるため、光の取出し効率が向上すると言われている(特許文献1参照)。   On the other hand, in recent years, a top-emitting panel (top emission panel) in which the cathode layer is made into a transparent electrode or the order in which the anode layer and the cathode layer are formed has been devised, and a conventional bottom-emitting panel (bottom emission) is devised. Since the aperture ratio can be made larger than that of a panel), it is said that the light extraction efficiency is improved (see Patent Document 1).

しかし、有機ELパネルの一般的な封止方法であるキャップ封止法は、非透光性の乾燥剤を内包しているため、上面発光パネルには使用できない。そこで、近年、有機ELパネル上にパッシベーション膜を積層し、その上から接着剤と透明基材をべたで張り合わせる固体封止法が提案されている(特許文献2参照)。   However, a cap sealing method, which is a general sealing method for organic EL panels, cannot be used for a top-emitting panel because it contains a non-light-transmitting desiccant. Therefore, in recent years, there has been proposed a solid sealing method in which a passivation film is laminated on an organic EL panel, and an adhesive and a transparent substrate are stuck together on the organic EL panel (see Patent Document 2).

特開平2001―43980号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-43980 特開2004−95551号公報JP 2004-95551 A

従来の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法では、乾燥剤を内包できないため、接着剤端面からの水の浸入を抑制する手段は、接着剤層の薄膜化、低透湿化、広額縁化やパッシベーション膜の低透湿化に頼らざるを得なく、近年の狭額縁化要求を満たす封止性能を実現するのは困難であるという課題があった。   In conventional organic electroluminescence panel manufacturing methods, a desiccant cannot be included, and means for suppressing the ingress of water from the end face of the adhesive include thinning the adhesive layer, reducing moisture permeability, widening the frame, and passivation film. Therefore, there is a problem that it is difficult to realize a sealing performance that satisfies the recent demand for narrowing the frame.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、低透湿性の透明封止方法を提供することにより、上面発光パネルの封止にも使用することができ、狭額縁パネルでも長期にわたり劣化しない有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法を提供することにある。   This invention is made | formed in view of such a situation, The objective can be used also for sealing of an upper surface light emission panel by providing the low moisture-permeable transparent sealing method, and is narrow. An object of the present invention is to provide an organic electroluminescence panel that does not deteriorate over a long period of time even in a frame panel and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するために、本発明は、絶縁性を有する複数のボックス状隔壁と、陽極層、有機発光媒体層および陰極層が少なくとも前記ボックス状隔壁内に積層されて形成された有機エレクトロルミネッセンス素子とを備えた有機エレクトロルミネッセンスパネルであって、複数のボックス状隔壁のうち少なくとも最外周部に位置するボックス状隔壁には前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されておらず、それら有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されていない最外周部に位置するボックス状隔壁によりボックス状隔壁群が構成されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention provides an organic electroluminescence formed by laminating a plurality of box-shaped partition walls having insulating properties, an anode layer, an organic light emitting medium layer, and a cathode layer at least in the box-shaped partition walls. An organic electroluminescence panel provided with an element, wherein the organic electroluminescence element is not formed on a box-shaped partition located at least on the outermost peripheral portion among the plurality of box-shaped partitions, and the organic electroluminescence element is A box-shaped partition group is composed of box-shaped partitions located on the outermost peripheral portion that are not formed.

また、本発明は、絶縁性を有する複数のボックス状隔壁と、陽極層、有機発光媒体層および陰極層が少なくとも前記ボックス状隔壁内に積層されて形成された有機エレクトロルミネッセンス素子とを備えた有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、複数のボックス状隔壁のうち少なくとも最外周部に位置するボックス状隔壁には前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されておらず、それら有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されていない最外周部に位置するボックス状隔壁によりボックス状隔壁群を構成し、前記ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁を、CVD法で形成されているバリア膜で被覆することを特徴とする。   The present invention also provides an organic device comprising a plurality of box-shaped partition walls having insulating properties, and an organic electroluminescence element formed by laminating at least an anode layer, an organic light emitting medium layer, and a cathode layer in the box-shaped partition walls. A method for manufacturing an electroluminescence panel, wherein the organic electroluminescence element is not formed on a box-shaped partition located at least on the outermost periphery of a plurality of box-shaped partitions, and the organic electroluminescence element is formed. A box-shaped partition wall group is formed by box-shaped partition walls positioned at the outermost peripheral portion, and the box-shaped partition wall forming the box-shaped partition wall group is covered with a barrier film formed by a CVD method.

本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子が内部に積層されボックス状隔壁と、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されていない最外周部に位置するボックス状隔壁によりボックス状隔壁群を有するボックス状隔壁基板と、前記ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁の開口部に臨む複数の凸状隔壁からなる凸状隔壁を有する封止基材とを、接着剤層を介して張り合わせることにより長寿命の有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法を提供できる効果がある。   According to the present invention, an organic electroluminescent element is laminated inside a box-shaped partition wall, and a box-shaped partition wall substrate having a box-shaped partition wall group by a box-shaped partition wall located at the outermost peripheral portion where the organic electroluminescent element is not formed, A long-life organic material by adhering a sealing substrate having a convex partition made of a plurality of convex partition walls facing the opening of the box-shaped partition wall constituting the box-shaped partition group through an adhesive layer There exists an effect which can provide an electroluminescent panel and its manufacturing method.

以下、本発明における有機エレクトロルミネッセンスパネル(以下、有機ELパネルという)およびその製造方法の一実施の形態について説明する。図1は、本発明の有機ELパネルの製造方法の一実施の形態を示す説明図である。なお、上面発光パネルは、少なくとも陽極と陰極のどちらか一方が透光性であれば、上面発光側の電極層としては陽極でも陰極でも良い。   Hereinafter, an embodiment of an organic electroluminescence panel (hereinafter referred to as an organic EL panel) and a manufacturing method thereof in the present invention will be described. FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a method for producing an organic EL panel of the present invention. Note that in the top light-emitting panel, as long as at least one of the anode and the cathode is translucent, the electrode layer on the top light-emitting side may be an anode or a cathode.

基材1(基板)の材料としては、発光の取り出し方向に応じて選択することが好ましく、例えば、光を取り出したい場合にはガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の無機酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の無機弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの無機窒化物、酸窒化珪素などの無機酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材を用いることができ、光を取り出さない場合には、上記透光性基材の他に、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シートや、シリコン基板、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。   The material of the base material 1 (substrate) is preferably selected according to the direction of light emission. For example, when light is to be extracted, glass, quartz, polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, Plastic films and sheets such as polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc., or inorganic oxides such as silicon oxide and aluminum oxide, aluminum fluoride, magnesium fluoride, etc. on these plastic films and sheets Inorganic fluorides, inorganic nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride, inorganic oxynitrides such as silicon oxynitride, and polymer resin films such as acrylic resin, epoxy resin, silicone resin, and polyester resin are monolayered or laminated Transparency In the case where light is not extracted, in addition to the above-mentioned translucent substrate, a metal foil such as aluminum or stainless steel, a sheet, a silicon substrate, the plastic film or sheet, aluminum, copper A non-translucent base material in which metal films such as nickel and stainless steel are laminated can be used.

また、これら基材1は、必要に応じて、薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、駆動用基板として用いても良い。薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。活性層は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ(p-フェリレンビニレン)等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法、SiHガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Siガスを用いてLPCVD法により、また、SiHガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス)、減圧CVD法又はLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にn+ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が挙げられる。ゲート絶縁膜としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO ;ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO 等を用いることができる。ゲート電極としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。また、薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。 Moreover, these base materials 1 may form a thin film transistor (TFT) as needed and may be used as a drive substrate. A known thin film transistor can be used as the thin film transistor. Specifically, a thin film transistor mainly including an active layer in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film, and a gate electrode can be given. The structure of the thin film transistor is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type. The active layer is not particularly limited, and examples thereof include amorphous semiconductor materials such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, cadmium selenide, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene), and the like. It can be formed of an organic semiconductor material. These active layers are formed by, for example, depositing amorphous silicon by plasma CVD, ion doping, forming amorphous silicon by LPCVD using SiH 4 gas, and crystallizing amorphous silicon by solid phase growth. After obtaining silicon, ion doping is performed by ion implantation, LPCVD using Si 2 H 6 gas, and amorphous silicon is formed by PECVD using SiH 4 gas, and laser such as excimer laser is used. After annealing and crystallizing amorphous silicon to obtain polysilicon, polysilicon is deposited by ion doping (low temperature process), low pressure CVD or LPCVD, and thermally oxidized at 1000 ° C. or higher. Gate break Film is formed, a gate electrode of the n + polysilicon is formed thereon, then, a method of ion doping (high temperature process), and the like by an ion implantation method. As the gate insulating film, typically, it can be used that is used as a gate insulating film, for example, PECVD method, SiO formed by the LPCVD method or the like 2; SiO obtained polysilicon film was thermally oxidized 2 Etc. can be used. As a gate electrode, what is normally used as a gate electrode can be used, for example, metals, such as aluminum and copper, refractory metals, such as titanium, tantalum, and tungsten, polysilicon, silicide of a refractory metal, Polycide etc. are mentioned. The thin film transistor may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel.

本実施の形態の有機EL素子は薄膜トランジスタが有機EL素子のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極と有機EL素子の第一電極が電気的に接続されている。薄膜トランジスタとドレイン電極と有機EL素子の第一電極との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。   The organic EL element of this embodiment needs to be connected so that the thin film transistor functions as a switching element of the organic EL element, and the drain electrode of the transistor and the first electrode of the organic EL element are electrically connected. . The thin film transistor, the drain electrode, and the first electrode of the organic EL element are connected via a connection wiring formed in a contact hole that penetrates the planarization film.

はじめに、基材1上に陽極層2を設ける〔図1(a)〕。ここで、陽極層2の材料としては、有機発光媒体層への正孔注入性を損なわず、低抵抗な材料であれば特に制限はなく、金属酸化物等からなる透過膜を用いて透過型有機EL素子としてもよく、金属材料からなる非透過膜を用いて上面発光型有機EL素子としてもよい。電極材料としては、酸化インジウムや酸化すずなどの金属酸化物や、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。また、必要に応じて、下部電極層2の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。下部電極層2の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。陽極層2のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
陽極層は、有機EL素子の駆動方法がパッシブマトリックス方式の場合にはストライプ状に形成され、TFT基板を用いたアクティブマトリックス方式の場合はドット状に形成される。
First, the anode layer 2 is provided on the substrate 1 [FIG. 1 (a)]. Here, the material of the anode layer 2 is not particularly limited as long as it is a low resistance material that does not impair the hole injection property to the organic light emitting medium layer, and a transmission type using a transmission film made of a metal oxide or the like. It may be an organic EL element, or a top-emitting organic EL element using a non-transmissive film made of a metal material. Examples of electrode materials include metal oxides such as indium oxide and tin oxide, metal composite oxides such as ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, and zinc aluminum composite oxide, and gold and platinum. Either a single layer or a laminated layer of a metal material or a fine particle dispersion film in which fine particles of metal oxide or metal material are dispersed in an epoxy resin or an acrylic resin can be used. If necessary, a metal material such as copper or aluminum may be provided as an auxiliary electrode in order to reduce the wiring resistance of the lower electrode layer 2. Depending on the material, the lower electrode layer 2 can be formed by a dry film formation method such as a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method, a gravure printing method, a screen. A wet film forming method such as a printing method can be used. As a patterning method for the anode layer 2, an existing patterning method such as a mask vapor deposition method, a photolithography method, a wet etching method, or a dry etching method can be used depending on a material and a film forming method.
The anode layer is formed in a stripe shape when the driving method of the organic EL element is a passive matrix method, and is formed in a dot shape in the case of an active matrix method using a TFT substrate.

次に、陽極層2を形成後、陽極縁部を覆うようにしてボックス状隔壁3が形成される〔図1(b)〕。図2は前記ボックス状隔壁3のイメージ図である。ボックス状隔壁3は絶縁性を有する必要があり、感光性材料等を用いることができる。感光性材料としては、ポジ型であってもネガ型であってもよく、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアノエチルプルランや、SiO、TiO等を用いることもできる。 隔壁形成材料が感光性材料の場合、形成材料溶液をスリットコート法やスピンコート法により全面コーティングしたあと、露光、現像といったフォトリソ法によりパターニングがおこなわれる。また、凹版印刷法や凸版印刷法、平版印刷法を用いて、パターン形成してもよい。また、隔壁形成材料がSiO、TiOの場合、スパッタリング法、CVD法といった乾式成膜法で形成可能であり、隔壁のパターニングはマスクやフォトリソ法により行うことができる。 Next, after forming the anode layer 2, a box-shaped partition wall 3 is formed so as to cover the edge of the anode [FIG. 1 (b)]. FIG. 2 is an image view of the box-shaped partition wall 3. The box-shaped partition 3 needs to have insulating properties, and a photosensitive material or the like can be used. The photosensitive material may be a positive type or a negative type, a photo-curing resin of a photo radical polymerization system, a photo cationic polymerization system, or a copolymer containing an acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol. , Novolak resin, polyimide resin, cyanoethyl pullulan, SiO 2 , TiO 2, or the like can also be used. When the partition wall forming material is a photosensitive material, the entire surface of the forming material solution is coated by a slit coating method or a spin coating method, and then patterning is performed by a photolithography method such as exposure and development. Moreover, you may form a pattern using an intaglio printing method, a relief printing method, and a lithographic printing method. When the partition wall forming material is SiO 2 or TiO 2 , it can be formed by a dry film forming method such as a sputtering method or a CVD method, and patterning of the partition wall can be performed by a mask or a photolithography method.

特に、本実施の形態で使用するボックス状隔壁3は、後述するバリア層6の被覆成膜性を良好にするために、順テーパー形状であることが好ましく、上面および下面の開口部の形状が円状、楕円状、角丸四角形などの角のない形状であることが好ましく、ボックス状隔壁の側面部にも角がないことが好ましい。各ボックス状隔壁の配列は、格子状配列でも、デルタ配列でも、必要に応じて適宜配列パターンを選択可能である。また、後述の有機発光媒体層4の成膜方法に応じて、ボックス状隔壁3を撥水性にしても親水性にしてもよい。また、ボックス状隔壁3の厚みに特に制限はなく0.1μm〜50μm程度を適宜使用することができるが、本実施の形態においては、後述の接着剤層7の厚み以下であることがより望ましい。さらには、ボックス状隔壁3と、後述の封止基材8上に形成された凸状隔壁9とを重ねあわせるために、ボックス状隔壁3のうち、少なくとも最外周の対角部に位置するボックス状隔壁をアライメントマークとして使用できることが好ましく、アライメント精度に応じて、適宜十字マークや井マークなどのアライメントマーク形状とすることがより好ましい。   In particular, the box-shaped partition wall 3 used in the present embodiment preferably has a forward taper shape in order to improve the coating film forming property of the barrier layer 6 described later, and the shape of the openings on the upper surface and the lower surface. A shape without a corner such as a circle, an ellipse, or a rounded quadrangle is preferable, and a side wall of the box-shaped partition wall preferably has no corners. The arrangement of the box-shaped partition walls may be a lattice arrangement or a delta arrangement, and an arrangement pattern can be appropriately selected as necessary. Further, the box-shaped partition wall 3 may be water repellent or hydrophilic depending on the method of forming the organic light emitting medium layer 4 described later. Moreover, there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the box-shaped partition 3, Although about 0.1 micrometer-50 micrometers can be used suitably, In this Embodiment, it is more desirable to be below the thickness of the below-mentioned adhesive bond layer 7. . Furthermore, in order to overlap the box-shaped partition wall 3 and the convex partition wall 9 formed on the sealing substrate 8 described later, a box located at least on the outermost diagonal part of the box-shaped partition wall 3. It is preferable that the partition wall can be used as an alignment mark, and it is more preferable to appropriately form an alignment mark shape such as a cross mark or a well mark according to the alignment accuracy.

次に、ボックス状隔壁3の内部に、有機発光媒体層4を形成する〔図1(c)〕。ただし、少なくとも最外周のボックス状隔壁3には有機発光媒体層4が形成されない。これにより、複数のボックス状隔壁3のうち少なくとも最外周部に位置するボックス状隔壁3には有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されず、それら有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されない最外周部に位置するボックス状隔壁3により最外周ボックス状隔壁群3Aが構成されている。
本実施の形態における有機発光媒体層4としては、発光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。多層膜で形成する場合の構成例としては、正孔輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層、電子輸送層からなる2層構成や正孔輸送層、発光層、電子輸送層からなる3層構成、さらには、必要に応じて正孔(電子)注入機能と正孔(電子)輸送機能を分けたり、正孔(電子)の輸送をプロックする層などを挿入することにより、さらに多層形成することがより好ましい。
Next, the organic light emitting medium layer 4 is formed inside the box-shaped partition 3 [FIG. 1 (c)]. However, the organic light emitting medium layer 4 is not formed on at least the outermost box-shaped partition wall 3. Thereby, an organic electroluminescent element is not formed in the box-shaped partition 3 located in at least the outermost peripheral part among the plurality of box-shaped partitions 3, and the box-shaped partition located in the outermost peripheral part where these organic electroluminescent elements are not formed. 3 constitutes the outermost peripheral box-shaped partition wall group 3A.
The organic light emitting medium layer 4 in the present embodiment can be formed of a single layer film containing a light emitting substance or a multilayer film. Examples of the configuration in the case of forming a multilayer film include a hole transport layer, an electron transporting light emitting layer or a hole transporting light emitting layer, a two-layer structure comprising an electron transport layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. By further separating the hole (electron) injection function and the hole (electron) transport function as necessary, or by inserting a layer that blocks the transport of holes (electrons), if necessary, It is more preferable to form a multilayer.

正孔輸送材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。   Examples of hole transport materials include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, and metal-free phthalocyanines, quinacridone compounds, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) Cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, N, N′-di (1-naphthyl) -N, Aromatic amine low molecular hole injection and transport materials such as N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, polyaniline, polythiophene, polyvinylcarbazole, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) ) And polystyrene sulfonic acid and other polymer hole transport materials, polythiophene oligomer materials, and other existing hole transport materials It is possible to choose from.

発光材料としては、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノリノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス〔8−(パラ−トシル)アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ir錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これら高分子材料に前記低分子材料の分散または共重合した材料や、その他既存の発光材料を用いることができる。   As the light-emitting material, 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-8-) Quinolinolato) aluminum complex, bis (8-quinolinolato) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) aluminum complex, Bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) [4- (4- Cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, tri (8-quinolinolato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, poly-2,5- Diheptyloxy-para-phenylene vinylene, coumarin phosphor, perylene phosphor, pyran phosphor, anthrone phosphor, porphyrin phosphor, quinacridone phosphor, N, N'-dialkyl-substituted quinacridone phosphor , Naphthalimide-based phosphors, N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole-based phosphors, low-molecular light-emitting materials such as phosphorescent phosphors such as Ir complexes, polyfluorene, polyparaphenylene vinylene, polythiophene, polyspiro, etc. Of these low molecular weight materials. Or copolymerized material and can be used other existing luminescent materials.

電子輸送材料の例としては、2−(4−ビフィニルイル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。   Examples of the electron transport material include 2- (4-bifinylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1, 3,4-oxadiazole, oxadiazole derivatives, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complexes, triazole compounds, and the like can be used.

有機発光媒体層4の膜厚は、単層または積層により形成する場合においても1000nm以下であり、好ましくは50〜150nmである。特に、高分子EL素子の正孔輸送材料は、基材や陽極層の表面突起を覆う効果が大きく、50〜100nm程度厚い膜を成膜することがより好ましい。   The film thickness of the organic light emitting medium layer 4 is 1000 nm or less, preferably 50 to 150 nm, even when formed by a single layer or a stacked layer. In particular, the hole transport material of the polymer EL element has a large effect of covering the surface protrusions of the base material and the anode layer, and it is more preferable to form a film having a thickness of about 50 to 100 nm.

有機発光媒体層4の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着法や、スピンコート、スプレーコート、ノズルコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法や印刷法、インクジェット法などを用いることができる。   As a method of forming the organic light emitting medium layer 4, depending on the material, a vacuum deposition method, a coating method such as spin coating, spray coating, nozzle coating, flexo, gravure, micro gravure, intaglio offset, printing method, ink jet method, etc. Can be used.

特に、本実施の形態においては、有機発光媒体層4をボックス状隔壁3の内部にパターン形成できる形成方法が好ましく、特に、赤(R)、青(G)、緑(G)の発光材料を、カラー表示可能な配列でボックス状隔壁内部にパターン形成可能であることが望ましい。   In particular, in the present embodiment, a formation method in which the organic light emitting medium layer 4 can be formed into a pattern in the box-shaped partition wall 3 is preferable. In particular, red (R), blue (G), and green (G) light emitting materials are used. It is desirable that a pattern can be formed inside the box-shaped partition wall in an array capable of color display.

次に、有機発光媒体層4の上に陰極層5を形成する〔図1(d)〕。陰極層5の材料としては、Mg,Al, Yb等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界面にLiや酸化Li,LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いLi,Mg,Ca,Sr,La,Ce,Er,Eu,Sc,Y,Yb等の金属1種以上と、安定なAg,Al,Cu等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはMgAg,AlLi,CuLi等の合金が使用できる。さらには、これら仕事関数が低いLiやCsなどの材料を有機発光媒体層4中に少量ドーピングして使用することもできる。また、透光性電子注入電極層として利用する場合には、仕事関数が低いLi,Caを薄く設けた後に、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を積層してもよく、前記有機発光媒体層3に、仕事関数が低いLi,Caなどの金属を少量ドーピングして、ITOなどの金属酸化物を積層してもよい。陰極層5の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。陰極の厚さに特に制限はないが、10nm〜1000nm程度が望ましい。また、透光性電子注入電極層として利用する場合に、CaやLiなどの金属材料を用いる場合の膜厚は0.1〜10nm程度が望ましい。
陰極層は有機EL素子の駆動方式がパッシブマトリックス方式の場合は、ストライプ状にパターニングされた陽極層と直交するようにストライプ状に形成される。アクティブマトリックス方式の場合は、有機ELパネル全面に形成される。陰極層は隔壁上面に形成されても良い。
そして、陰極層5を形成することで有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されたボックス状隔壁3および最外周ボックス状隔壁群3Aを構成するボックス状隔壁3と基板1によりボックス状隔壁基板が構成されることになる。
Next, the cathode layer 5 is formed on the organic light emitting medium layer 4 [FIG. 1 (d)]. As the material of the cathode layer 5, a single metal such as Mg, Al, Yb is used, or a compound such as Li, oxidized Li, LiF, etc. is sandwiched about 1 nm at the interface in contact with the light emitting medium, and Al having high stability and conductivity. Alternatively, Cu or Cu may be laminated. Alternatively, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, one or more metals such as Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, and Yb having a low work function and stable Ag, Al An alloy system with a metal element such as Cu or Cu may be used. Specifically, alloys such as MgAg, AlLi, and CuLi can be used. Furthermore, a small amount of these materials such as Li and Cs having a low work function can be used in the organic light emitting medium layer 4. When used as a light-transmitting electron injecting electrode layer, a thin work piece of Li and Ca having a low work function is provided, and then ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, zinc aluminum composite oxide, etc. A metal oxide such as ITO may be laminated on the organic light emitting medium layer 3 by doping a small amount of a metal such as Li or Ca having a low work function. As a method for forming the cathode layer 5, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used depending on the material. Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of a cathode, About 10 nm-1000 nm are desirable. Moreover, when using as a translucent electron injection electrode layer, when using metal materials, such as Ca and Li, about 0.1-10 nm is desirable for film thickness.
When the driving method of the organic EL element is a passive matrix method, the cathode layer is formed in a stripe shape so as to be orthogonal to the anode layer patterned in a stripe shape. In the case of the active matrix method, it is formed on the entire surface of the organic EL panel. The cathode layer may be formed on the upper surface of the partition wall.
Then, by forming the cathode layer 5, the box-shaped barrier rib substrate 3 is formed by the box-shaped barrier rib 3 in which the organic electroluminescence element is formed and the box-shaped barrier rib 3 constituting the outermost peripheral box-shaped barrier rib group 3 A and the substrate 1. become.

次に、陰極層5上および最外周のボックス状隔壁3を被覆するようにバリア層6を積層する〔図1(e)〕。バリア層6としては、酸化珪素、酸化アルミニウム等の無機酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の無機弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化炭素などの無機窒化物、酸窒化珪素などの無機酸窒化物、炭化ケイ素などの無機炭化物などを用いることができる。特に、バリア性に優れた窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素を用いることが好ましい。また、これらバリア膜6として、必要に応じて、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜との積層膜を用いることもでき、さらには、上方から光を取り出さない場合には、アルミニウム、チタン、金などの金属膜を積層してもよい。バリア層6の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、CVD法を用いることができるが、特に、バリア性や透光性や段差被覆性の面でCVD法を用いることが好ましい。CVD法としては、熱CVD法、プラズマCVD法、触媒CVD法、VUV−CVD法などを用いることができる。また、CVD法における反応ガスとしては、モノシランや、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)やテトラエトキシシランなどの有機シリコン化合物に、N2、O2、NH3、H2、N2Oなどのガスを必要に応じて添加することができる。また、これらの膜には、使用する反応性ガスに応じて、膜中に水素や炭素が含有されていても良い。バリア層6の膜厚としては、有機EL素子の電極段差や基板の隔壁高さ、要求されるバリア特性などにより異なるが、10nm〜10000nm程度であることが好ましく、さらには、100nm〜1000nm程度が好ましい。また、バリア層6は、膜の残留応力が大きいと有機EL素子の膜剥離などが生じるために、少なくとも低密度膜が±100MPa以下であることが好ましい。   Next, the barrier layer 6 is laminated so as to cover the cathode layer 5 and the outermost box-shaped partition wall 3 [FIG. 1 (e)]. Examples of the barrier layer 6 include inorganic oxides such as silicon oxide and aluminum oxide, inorganic fluorides such as aluminum fluoride and magnesium fluoride, inorganic nitrides such as silicon nitride, aluminum nitride, and carbon nitride, and silicon oxynitride. Inorganic oxynitrides, inorganic carbides such as silicon carbide, and the like can be used. In particular, it is preferable to use silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride having excellent barrier properties. Moreover, as these barrier films 6, a laminated film with a polymer resin film such as an acrylic resin, an epoxy resin, a silicone resin, or a polyester resin can be used as required. Further, when light is not extracted from above. Alternatively, a metal film such as aluminum, titanium, or gold may be stacked. As a method for forming the barrier layer 6, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, or a CVD method can be used depending on the material. Further, it is preferable to use the CVD method in terms of translucency and step coverage. As the CVD method, a thermal CVD method, a plasma CVD method, a catalytic CVD method, a VUV-CVD method, or the like can be used. Further, as a reaction gas in the CVD method, a gas such as N2, O2, NH3, H2, or N2O is added to an organic silicon compound such as monosilane, hexamethyldisilazane (HMDS), or tetraethoxysilane as necessary. be able to. These films may contain hydrogen or carbon in the film depending on the reactive gas used. The film thickness of the barrier layer 6 varies depending on the electrode step of the organic EL element, the height of the partition walls of the substrate, the required barrier properties, etc., but is preferably about 10 nm to 10000 nm, and more preferably about 100 nm to 1000 nm. preferable. The barrier layer 6 preferably has a low-density film of ± 100 MPa or less because the organic EL element peels off when the residual stress of the film is large.

次に、接着層7を介して封止基材8を積層する前に、封止基材8上に凸状隔壁9およびバリア層10を設ける〔図1(f)、(g)〕。
凸状隔壁9は、最外周ボックス状隔壁群3Aを構成するボックス状隔壁3の開口部と略同位置に形成される。これにより、基材1と封止基材8を貼り合わせると同時に、最外周ボックス状隔壁群3Aを構成するボックス状隔壁3と凸状隔壁9の凹凸が重ね合わされるため、端部から侵入した水分が有機EL素子に到達するまでの経路を容易に長くすることができ、狭額縁パネルにおいても長期にわたり劣化のない有機ELパネルを作製することができる。また、各凸状隔壁9の大きさは、ボックス状隔壁3の開口部の大きさよりも略同形状よりも小さくすることにより、最外周ボックス状隔壁群3Aを構成するボックス状隔壁3と凸状隔壁9を重ね合わせる際に、凸状隔壁9が有機EL素子に接触するのを防ぐことができる。
Next, before laminating the sealing substrate 8 via the adhesive layer 7, the convex partition wall 9 and the barrier layer 10 are provided on the sealing substrate 8 [FIGS. 1 (f) and (g)].
The convex partition 9 is formed at substantially the same position as the opening of the box-shaped partition 3 constituting the outermost peripheral box-shaped partition group 3A. Thereby, since the base material 1 and the sealing base material 8 were bonded together, the unevenness of the box-shaped partition wall 3 and the convex partition wall 9 constituting the outermost peripheral box-shaped partition wall group 3A was overlapped, so that it entered from the end. The path for moisture to reach the organic EL element can be easily lengthened, and an organic EL panel that does not deteriorate over a long period of time can be produced even in a narrow frame panel. Further, the size of each convex partition wall 9 is made smaller than the size of the opening of the box-shaped partition wall 3 by substantially the same shape, so that the convex partition wall 3 constituting the outermost box-shaped partition wall group 3A and the convex shape are formed. When the partition walls 9 are overlapped, the convex partition walls 9 can be prevented from coming into contact with the organic EL element.

凸状隔壁9およびバリア層10の材料としては、前述のボックス状隔壁3およびバリア層6と同様の材料を用いることができ、バリア層10の被覆成膜性を良好にするために、凸状隔壁9の断面形状は順テーパー形状であることが好ましい。凸状隔壁9がボックス状隔壁3と異なる点は、隔壁の形状であり、ボックス状隔壁3の反転形状である凸状形状であり、隔壁自体が円状、楕円状、角丸四角形などの角のない形状であることが好ましい。凸状隔壁の配列は、基本的にはボックス状隔壁3の最外周パターンと同じであることが望ましいが、要求される耐湿性能に応じて、凹凸重ね合わせの列を増やすことにより、水分の浸入経路をより長くすることができるため、より好ましい。また、配列パターンとしては直線状配列よりも、デルタ配列などの非直線状の配列であった方がより侵入経路を長くすることができるため、より好適に用いることが可能である。   As the material of the convex partition wall 9 and the barrier layer 10, the same material as that of the above-described box-shaped partition wall 3 and barrier layer 6 can be used. In order to improve the coating film forming property of the barrier layer 10, The cross-sectional shape of the partition wall 9 is preferably a forward tapered shape. The difference between the convex partition wall 9 and the box-shaped partition wall 3 is the shape of the partition wall, which is a convex shape that is the inverted shape of the box-shaped partition wall 3, and the partition wall itself is a corner such as a circle, an ellipse, or a rounded rectangle. It is preferable that it is a shape without. It is desirable that the arrangement of the convex partition walls is basically the same as the outermost peripheral pattern of the box-shaped partition walls 3, but depending on the required moisture resistance performance, by increasing the number of rows of concave and convex layers, the intrusion of moisture Since a path | route can be made longer, it is more preferable. Further, since the invasion path can be made longer when the arrangement pattern is a non-linear arrangement such as a delta arrangement than the linear arrangement, it can be used more suitably.

次に、接着層7を介して、凸状隔壁9とバリア層10が形成された封止基材8を、基材1上に積層する〔図1(h)〕。
接着層7の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、や、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性接着性樹脂などを使用することができる。接着層7の形成方法としては、材料やパターンに応じて、スピンコート、スプレーコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法、印刷法や、インクジェット法、転写法、ラミネート法などを用いることができる。接着層7の厚みには特に制限はないが、なるべく薄い方が水分の透過量をが少なくできるため、5〜50μm程度が好ましく、さらには、ボックス状隔壁3と凸状隔壁9とを隙間無く均一に貼り合わせるために、少なくともボックス状隔壁3の高さ以上あることがより好ましい。
Next, the sealing base material 8 in which the convex partition wall 9 and the barrier layer 10 are formed is laminated on the base material 1 via the adhesive layer 7 [FIG. 1 (h)].
Examples of the material for the adhesive layer 7 include a photo-curing adhesive resin made of an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a thermosetting adhesive resin, and a thermoplastic adhesive resin made of an acid-modified product such as polyethylene or polypropylene. Etc. can be used. As a method of forming the adhesive layer 7, depending on the material and pattern, a coating method such as spin coating, spray coating, flexo, gravure, micro gravure, intaglio offset, printing method, ink jet method, transfer method, laminating method, etc. Can be used. Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the contact bonding layer 7, Since the amount of permeation | transmission of a water | moisture content can reduce less if it is as thin as possible, about 5-50 micrometers is preferable, and also the box-shaped partition 3 and the convex-shaped partition 9 have no gap. It is more preferable that the height is at least the height of the box-shaped partition wall 3 in order to bond them uniformly.

封止基材8の材料としては、前述の基材1と同様に、光の取り出し方向に応じて最適な基材を選択することが望ましく、ガラス、石英、バリアフィルム、金属箔などを用いることが可能である。   As the material of the sealing substrate 8, it is desirable to select an optimum substrate according to the light extraction direction, as in the case of the substrate 1 described above, and glass, quartz, a barrier film, a metal foil, or the like is used. Is possible.

次に、本実施の形態に基づいた実施例1を図1に従って説明する。
基材1としてガラスを用い、基材1上にスパッタリング法で陽極層2としてITO膜を150nm形成した〔図1(a)〕。
次に、ボックス状隔壁3として、ポジ型感光性のポリイミド樹脂をフォトリソ法を用いてパターン形成した〔図1(b)〕。
次に、高分子発光媒体層4として、正孔輸送層にポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物(20nm)、発光層にポリ[2−メトキシ−5−(2'−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレン ビニレン](MEHPPV)(100nm)をそれぞれスピンコート法により形成した〔図1(c)〕。
次に、陰極層5として、Ca(5nm)を真空蒸着法を用いて成膜した後に、ITO膜(150nm)をスパッタ法を用いて積層した〔図1(d)〕。
次に、バリア層6として、窒化珪素膜(300nm)をプラズマCVD法を用いて、ボックス状隔壁3および陰極層5が被覆されるように成膜した〔図1(e)〕。
一方、封止基材8上に、凸状隔壁9として、ポジ型感光性のポリイミド樹脂をフォトリソ法を用いてパターン形成した〔図1(f)〕後に、バリア層10として、窒化珪素膜(300nm)をプラズマCVD法を用いて、凸状隔壁9が被覆されるように封止基材8上に成膜した〔図1(g)〕。
最後に、接着剤層7として、熱硬化型のエポキシ系接着剤を介して、基材1と封止基材8を貼り合わせる。このとき、ボックス状隔壁3と凸状隔壁9の凹凸が重なるようにした〔図1(h)〕。
作製した有機ELパネルは、60℃90%RH下に3000Hr保存しても発光面積の減少は見られなかった。
Next, Example 1 based on this Embodiment is demonstrated according to FIG.
Glass was used as the substrate 1, and an ITO film having a thickness of 150 nm was formed as the anode layer 2 on the substrate 1 by a sputtering method [FIG. 1 (a)].
Next, a positive photosensitive polyimide resin was patterned as a box-shaped partition wall 3 by using a photolithography method [FIG. 1 (b)].
Next, as the polymer light-emitting medium layer 4, a poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid mixture (20 nm) is used for the hole transport layer, and poly [2-methoxy-5- ( 2′-Ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylene vinylene] (MEHPPV) (100 nm) was formed by spin coating [FIG. 1 (c)].
Next, as a cathode layer 5, Ca (5 nm) was formed using a vacuum deposition method, and then an ITO film (150 nm) was laminated using a sputtering method [FIG. 1 (d)].
Next, as the barrier layer 6, a silicon nitride film (300 nm) was formed by plasma CVD so as to cover the box-shaped partition walls 3 and the cathode layer 5 [FIG. 1 (e)].
On the other hand, after forming a pattern of a positive photosensitive polyimide resin on the sealing substrate 8 as a convex partition wall 9 by using a photolithography method (FIG. 1F), a silicon nitride film ( 300 nm) was formed on the sealing substrate 8 using the plasma CVD method so as to cover the convex partition wall 9 [FIG. 1 (g)].
Finally, as the adhesive layer 7, the base material 1 and the sealing base material 8 are bonded together through a thermosetting epoxy adhesive. At this time, the unevenness of the box-shaped partition wall 3 and the convex partition wall 9 was made to overlap [FIG. 1 (h)].
The produced organic EL panel did not show a reduction in light emitting area even when stored for 3000 hours at 60 ° C. and 90% RH.

次に、本実施の形態に基づいた比較例を図1に従って説明する。
<比較例1>
実施例1に記載した有機EL素子において、凸状隔壁9およびバリア層10を形成せずに、封止基材8を基材1に貼り合わせた。
作製した有機ELパネルを60℃90%RH下に3000Hr保存した結果、端部から侵入した水分により有機EL素子が劣化して、発光面積が50%以下に減少した。
<比較例2>
比較例1に記載した有機EL素子において、陰極層5上のバリア層6を積層せずに、封止基材8を貼り合わせた。
作製した有機ELパネルを60℃90%RH下に3000Hr保存した結果、端部から侵入した水分により有機EL素子が劣化して、発光しなくなった。
Next, a comparative example based on the present embodiment will be described with reference to FIG.
<Comparative Example 1>
In the organic EL element described in Example 1, the sealing substrate 8 was bonded to the substrate 1 without forming the convex partition walls 9 and the barrier layer 10.
The produced organic EL panel was stored at 60 ° C. and 90% RH for 3000 hours. As a result, the organic EL element was deteriorated by moisture entering from the end portion, and the light emitting area was reduced to 50% or less.
<Comparative example 2>
In the organic EL device described in Comparative Example 1, the sealing substrate 8 was bonded without the barrier layer 6 on the cathode layer 5 being laminated.
The produced organic EL panel was stored at 60 ° C. and 90% RH for 3000 hours, and as a result, the organic EL element deteriorated due to moisture penetrating from the end portion and no longer emitted light.

本発明の有機ELパネルの製造方法の一実施の形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the organic electroluminescent panel of this invention. 本発明の一実施の形態の有機ELパネルにおけるボックス状隔壁のイメージ図である。It is an image figure of the box-shaped partition in the organic electroluminescent panel of one embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1……基材、2……陽極層、3……ボックス状隔壁、4……有機発光媒体層、5……陰極層、6……バリア層、7……接着剤層、8……封止基材、9……凸状隔壁、10……バリア層。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material, 2 ... Anode layer, 3 ... Box-shaped partition, 4 ... Organic luminescent medium layer, 5 ... Cathode layer, 6 ... Barrier layer, 7 ... Adhesive layer, 8 ... Sealing Stop base material, 9 ... convex partition, 10 ... barrier layer.

Claims (14)

絶縁性を有する複数のボックス状隔壁と、陽極層、有機発光媒体層および陰極層が少なくとも前記ボックス状隔壁内に積層されて形成された有機エレクトロルミネッセンス素子とを備えた有機エレクトロルミネッセンスパネルであって、
複数のボックス状隔壁のうち少なくとも最外周部に位置するボックス状隔壁には前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されておらず、それら有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されていない最外周部に位置するボックス状隔壁により最外周ボックス状隔壁群が構成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
An organic electroluminescence panel comprising a plurality of box-shaped partition walls having insulating properties, and an organic electroluminescence element formed by laminating at least an anode layer, an organic light emitting medium layer, and a cathode layer in the box-shaped partition walls. ,
The box-shaped partition located at least at the outermost peripheral portion among the plurality of box-shaped partitions is not formed with the organic electroluminescence element, and the box-shaped partition located at the outermost peripheral portion where these organic electroluminescent elements are not formed An organic electroluminescence panel characterized in that the outermost peripheral box-shaped partition wall group is constituted by the above.
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されたボックス状隔壁および前記最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁はバリア膜で被覆されていることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   2. The organic electroluminescence panel according to claim 1, wherein the box-shaped partition walls forming the box-shaped partition walls on which the organic electroluminescence elements are formed and the outermost peripheral box-shaped partition wall group are covered with a barrier film. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されたボックス状隔壁および前記最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁の上面と下面にはそれぞれ開口部が形成され、それら開口部には、角が無いことを特徴とする請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   Openings are respectively formed on the upper and lower surfaces of the box-shaped partition wall in which the organic electroluminescence element is formed and the box-shaped partition wall constituting the outermost peripheral box-shaped partition wall group, and the openings have no corners. The organic electroluminescence panel according to claim 1 or 2, characterized in that 前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されたボックス状隔壁および前記最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁を構成する側面には、角が無いことを特徴とする請求項1または2または3記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   The side surface which comprises the box-shaped partition which comprises the box-shaped partition in which the said organic electroluminescent element was formed, and the said outermost peripheral box-shaped partition group has no corner, The corner of Claim 1 or 2 or 3 characterized by the above-mentioned. Organic electroluminescence panel. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されたボックス状隔壁および前記最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁は基板の上に設けられてそれらによりボックス状隔壁基板が構成され、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されたボックス状隔壁および前記最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁の上に接着剤層を介して封止基材が積層されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   The box-shaped barrier rib in which the organic electroluminescent element is formed and the box-shaped barrier rib constituting the outermost peripheral box-shaped barrier rib group are provided on a substrate, thereby forming a box-shaped barrier rib substrate, and the organic electroluminescent element is The sealing base material is laminated | stacked through the adhesive bond layer on the box-shaped partition which comprises the formed box-shaped partition and the said outermost periphery box-shaped partition group, The any one of Claim 1 thru | or 4 characterized by the above-mentioned. 2. The organic electroluminescence panel according to item 1. 前記封止基材には凸状隔壁群が設けられ、前記凸状隔壁群は前記最外周最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁の開口部と略同位置に形成された複数の凸状隔壁で構成され、前記各凸状隔壁は、前記最外周最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁の開口部よりも小さい大きさで形成されていることを特徴とする請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   The sealing substrate is provided with a convex partition group, and the convex partition group is a plurality of protrusions formed at substantially the same positions as the openings of the box-shaped partition walls constituting the outermost peripheral outermost box-shaped partition group. 6. The convex partition walls are formed, and each convex partition wall is formed in a size smaller than an opening of a box-shaped partition wall constituting the outermost peripheral outermost box-shaped partition wall group. Organic electroluminescence panel. 前記封止基材には、少なくとも前記最外周ボックス状隔壁群を被覆するように、バリア膜が積層されていることを特徴とする請求項6記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   The organic electroluminescence panel according to claim 6, wherein a barrier film is laminated on the sealing substrate so as to cover at least the outermost peripheral box-shaped partition wall group. 前記凸状隔壁群を構成する各凸状隔壁には角が無いことを特徴とする請求項6または7記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   The organic electroluminescence panel according to claim 6 or 7, wherein each of the convex partition walls constituting the convex partition group has no corners. 前記バリア膜が、少なくとも酸化珪素、酸窒化珪素、窒化珪素のいずれかであることを特徴とする請求項2または7記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   The organic electroluminescence panel according to claim 2 or 7, wherein the barrier film is at least one of silicon oxide, silicon oxynitride, and silicon nitride. 接着層の厚みが、少なくとも最外周ボックス状隔壁群をボックス状隔壁の高さ以上有することを特徴とする請求項5乃至8の何れか1項記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   The organic electroluminescence panel according to any one of claims 5 to 8, wherein the adhesive layer has a thickness of at least the outermost peripheral box-shaped partition group equal to or higher than the height of the box-shaped partition wall. 前記最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁のうち、少なくとも対角に位置する2個のボックス状隔壁および、それら2個のボックス状隔壁の開口部と略同位置に形成された2個の前記凸状隔壁がアライメントマークとなることを特徴とする請求項5乃至10の何れか1項記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。   Of the box-shaped partition walls constituting the outermost peripheral box-shaped partition group, at least two box-shaped partition walls positioned diagonally, and two formed substantially at the same positions as the openings of the two box-shaped partition walls The organic electroluminescence panel according to claim 5, wherein the convex partition wall is an alignment mark. 絶縁性を有する複数のボックス状隔壁と、陽極層、有機発光媒体層および陰極層が少なくとも前記ボックス状隔壁内に積層されて形成された有機エレクトロルミネッセンス素子とを備えた有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、
複数のボックス状隔壁のうち少なくとも最外周部に位置するボックス状隔壁には前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されておらず、それら有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されていない最外周部に位置するボックス状隔壁により最外周ボックス状隔壁群を構成し、
前記最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁を、CVD法で形成されているバリア膜で被覆することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
A method for manufacturing an organic electroluminescence panel comprising a plurality of box-shaped partition walls having insulating properties, and an organic electroluminescence element formed by laminating at least an anode layer, an organic light emitting medium layer, and a cathode layer in the box-shaped partition walls Because
The box-shaped partition located at least at the outermost peripheral portion among the plurality of box-shaped partitions is not formed with the organic electroluminescence element, and the box-shaped partition located at the outermost peripheral portion where these organic electroluminescent elements are not formed Constitute the outermost box-shaped partition wall group,
A method for manufacturing an organic electroluminescence panel, wherein the box-shaped partition walls constituting the outermost peripheral box-shaped partition group are covered with a barrier film formed by a CVD method.
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されたボックス状隔壁および前記最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁は基板の上に設けられそれらによりボックス状隔壁基板が構成され、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されたボックス状隔壁および前記最外周ボックス状隔壁群を構成するボックス状隔壁の上に接着剤層を介して封止基材が積層され、
前記接着剤層と前記封止基材は、減圧下で積層されることを特徴とする請求項12記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
The box-shaped partition wall in which the organic electroluminescence element is formed and the box-shaped partition wall constituting the outermost peripheral box-shaped partition wall group are provided on the substrate, thereby forming the box-shaped partition wall substrate,
A sealing substrate is laminated via an adhesive layer on the box-shaped partition wall in which the organic electroluminescence element is formed and the box-shaped partition wall constituting the outermost peripheral box-shaped partition wall group,
The method for producing an organic electroluminescence panel according to claim 12, wherein the adhesive layer and the sealing substrate are laminated under reduced pressure.
前記有機発光媒体層を高分子材料により構成し、印刷法を用いてパターン形成することを特徴とする請求項12または13記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
14. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 12, wherein the organic light emitting medium layer is made of a polymer material and is patterned using a printing method.
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