JP2007241275A - 電磁妨害波吸収材料を備えた光ファイバトランシーバモジュール、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電磁妨害波(EMI)吸収材料を使用した光ファイバモジュール、及びその製造方法。EMI吸収材料は、モジュールのハウジングによって規定される内側領域の中に配置される。EMI吸収材料は、電磁妨害波を吸収する電気特性を持ち、モジュールからのEMI放射を低減する。
【選択図】図1
Description
1.内側領域を規定するように構成されたハウジングと、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置されたプリント回路基板と、
前記プリント回路基板に電気的に接続された光電気デバイスと、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置された電磁妨害波吸収材料と
を含む光ファイバモジュールであって、前記電磁妨害波吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持ち、前記光ファイバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するように構成される、光ファイバモジュール。
2.前記電磁妨害波吸収材料は、電磁妨害波吸収材料の層として構成される、1に記載の光ファイバモジュール。
3.前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、1に記載の光ファイバモジュール。
4.前記電磁妨害波吸収材料は、電磁妨害波吸収材料のシートとして構成される、1に記載の光ファイバモジュール。
5.前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する磁性体装荷エポキシド材料を含む、1に記載の光ファイバモジュール。
6.前記プリント回路基板は、大量の電子部品が実装された主表面を有し、前記電磁妨害波吸収材料は、前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面と、前記プリント回路基板の前記副表面に近い方の前記ハウジングの面との間に配置される、1に記載の光ファイバモジュール。
7.前記プリント回路基板に電気的に接続された光送信サブアセンブリを更に含む、1に記載の光ファイバモジュール。
8.前記プリント回路基板に電気的に接続された光受信サブアセンブリを更に含む、1に記載の光ファイバモジュール。
9.前記ハウジングに取り付けられたコネクタインタフェース構造を更に含み、前記コネクタインタフェース構造は、光ファイバケーブルに接続されるように構成される、1に記載の光ファイバモジュール。
10.前記ハウジングは、SFP(Small Factor Pluggable)トランシーバのためのMSA(Multi Source Agreement)に実質的に準拠する、1に記載の光ファイバモジュール。
11.内側領域を規定するように構成されたハウジングと、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置されたプリント回路基板と、
前記プリント回路基板に電気的に接続された光送信サブアセンブリと、
前記プリント回路基板に電気的に接続された光受信サブアセンブリと、
前記ハウジングによって規定される前記内側領域の中に配置された電磁妨害波吸収材料と
を含む光ファイバトランシーバモジュールであって、前記電磁妨害波吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持ち、前記光ファイバトランシーバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するように構成される、光ファイバトランシーバモジュール。
12.前記電磁妨害波吸収材料は、電磁妨害波吸収材料の層として構成される、11に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
13.前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、11に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
14.前記電磁妨害波吸収材料は、電磁妨害波吸収材料のシートとして構成される、11に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
15.前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する磁性体装荷エポキシド材料を含む、11に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
16.前記プリント回路基板は、大量の電子部品が実装された主表面を有し、前記電磁妨害波吸収材料は、前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面と、前記プリント回路基板の前記副表面に近い方の前記ハウジングの面との間に配置される、11に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
17.光ファイバモジュールを製造する方法であって、
内側領域を規定するように構成された、前記光ファイバモジュールのハウジングを設けるステップと、
プリント回路基板を設けるステップと、
光電気デバイスを設けるステップと、
電磁放射を吸収する電気特性を有する電磁妨害波吸収材料を設けるステップと、
前記ハウジング、前記プリント回路基板、前記光電気デバイス、及び前記電磁妨害波吸収材料を組み立て、前記光ファイバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するために、前記電磁妨害波吸収材料を前記ハウジングによって規定される前記内側領域の中に位置決めするステップと
からなる方法。
18.前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、17に記載の方法。
19.前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する磁性体装荷エポキシド材料を含む、17に記載の方法。
20.前記プリント回路基板は、大量の電子部品が実装された主表面を有し、前記位置決めするステップは、前記電磁妨害波吸収材料を前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面と、前記プリント回路基板の前記副表面に近い方の前記ハウジングの面との間に位置決めすることを含む、17に記載の方法。
112 下側カバー
208 内部領域
222 プリント回路基板
228 電磁妨害波吸収材料
230 光電気デバイス
234 主表面
236 副表面
Claims (10)
- 内側領域を規定するように構成されたハウジング(104)と、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置されたプリント回路基板(222)と、
前記プリント回路基板に電気的に接続された光電気デバイス(230, 232)と、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置された電磁妨害波吸収材料(228)と
を含む光ファイバモジュールであって、前記電磁妨害波吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持ち、前記光ファイバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するように構成される、光ファイバモジュール。 - 前記電磁妨害波吸収材料(228)は、電磁妨害波吸収材料の層として構成される、請求項1に記載の光ファイバモジュール。
- 前記電磁妨害波吸収材料(228)は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、請求項1又は請求項2に記載の光ファイバモジュール。
- 前記電磁妨害波吸収材料(228)は、電磁妨害波吸収材料のシートとして構成される、請求項1又は請求項2に記載の光ファイバモジュール。
- 前記プリント回路基板(222)は、大量の電子部品(224)が実装された主表面(234)を有し、前記電磁妨害波吸収材料(228)は、前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面(236)と、前記副表面に近い方の前記プリント回路基板の前記ハウジング(104)の面(112)との間に配置される、請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の光ファイバモジュール。
- 前記ハウジング(104)は、SFP(Small Factor Pluggable)トランシーバのためのMSA(Multi Source Agreement)に実質的に準拠する、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の光ファイバモジュール。
- 光ファイバモジュールを製造する方法であって、
内側領域を規定するように構成された、前記光ファイバモジュールのハウジング(104)を設けるステップ(602)と、
プリント回路基板(222)を設けるステップ(604)と、
光電気デバイス(230, 232)を設けるステップ(606)と、
電磁放射を吸収する電気特性を有する電磁妨害波吸収材料(228)を設けるステップ(608)と、
前記ハウジング、前記プリント回路基板、前記光電気デバイス、及び前記電磁妨害波吸収材料を組み立て(610)、前記光ファイバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するために、前記電磁妨害波吸収材料を前記ハウジングによって規定される前記内側領域の中に位置決めするステップと
からなる方法。 - 前記電磁妨害波吸収材料(228)は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する磁性体装荷エポキシド材料を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記プリント回路基板(222)は、大量の電子部品(224)が実装された主表面(234)を有し、前記位置決めするステップは、前記電磁妨害波吸収材料(228)を前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面(236)と、前記プリント回路基板の前記副表面に近い方の前記ハウジングの面(104)との間に位置決めすることを含む、請求項7〜9のうちのいずれか一項に記載の方法。
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