JP2007241275A

JP2007241275A - 電磁妨害波吸収材料を備えた光ファイバトランシーバモジュール、及びその製造方法

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Publication number: JP2007241275A
Application number: JP2007047227A
Authority: JP
Inventors: James J Dudley; ジェイムス・ジェイ・ダドレイ
Original assignee: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd
Current assignee: Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Priority date: 2006-03-03
Filing date: 2007-02-27
Publication date: 2007-09-20
Also published as: US7195404B1

Abstract

【課題】光ファイバトランシーバモジュールにおいて機械的干渉問題を引き起こすことなく電磁妨害波の放射を低減すること。
【解決手段】電磁妨害波（ＥＭＩ）吸収材料を使用した光ファイバモジュール、及びその製造方法。ＥＭＩ吸収材料は、モジュールのハウジングによって規定される内側領域の中に配置される。ＥＭＩ吸収材料は、電磁妨害波を吸収する電気特性を持ち、モジュールからのＥＭＩ放射を低減する。
【選択図】図１

Description

本発明は光ファイバ・トランシーバモジュールに関し、特に、電磁妨害波吸収材料を備えた光ファイバ・トランシーバモジュールとその製造方法に関する。

光ファイバケーブルは、装置間のデータ送受信に広く使用され、場合によっては、同一の装置内で使用されることもある。光ファイバケーブルは、従来の金属ケーブル、すなわち銅線に比べて、幾つかの利点を有する。例えば、光ファイバケーブルは、電磁妨害波に強く、高い伝送速度と広い伝送帯域幅を有する。

光ファイバケーブルの使用には、光ファイバケーブルを介して伝送される光信号をエンコード、デコード、並直列変換、非直列化、及びクロック修復といった種々の機能を実施する電子部品に結合するために、電気信号から光信号への変換が必要となる。したがって、光電気装置は、出力電気信号を光ファイバケーブルで伝送される光信号に変換するための光送信機と、光ファイバケーブルからの入力光信号を電気信号に変換するための光受信機とを必要とする。光送信機と光受信機は通常、光送信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ）、及び光受信サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）とそれぞれ一般に呼ばれる別々の部品としてパッケージングされる。一般に、ＴＯＳＡとＲＯＳＡは、光ファイバトランシーバモジュールの中に一緒に組み込まれ、光ファイバトランシーバモジュールは光電気デバイスに取り付けることができる。光ファイバトランシーバモジュールのタイプが異なれば、それらのモジュールのサイズや形、及び他の機能も異なる可能性がある。それらのモジュールは通常、何らかの規格、又は、ＳＦＰ（Small Form Factor Pluggable）のためのＭＳＡ（Multi-Source Agreement）のようなＭＳＡに準拠している。

光ファイバトランシーバモジュールにおける心配事は、モジュールによって生成される電磁妨害波（ＥＭＩ）の量である。デジタル電子機器に対する電磁妨害波（ＥＭＩ）の量は、米国では連邦通信委員会（ＦＣＣ）のような機関によって規制され、ヨーロッパでは国際無線障害特別委員会の（ＣＩＳＰＲ）ような機関によって規制されている。光電気デバイスは多数の光ファイバトランシーバモジュールを有する可能性があるため、要求された制限を満たすためには、光ファイバトランシーバモジュールからのＥＭＩ放射を最小限に抑えなければならない。また、光ファイバトランシーバモジュールからのＥＭＩ放射は、周囲の電子部品の動作に影響を与える可能性もある。

光ファイバトランシーバモジュールからのＥＭＩ放射を低減するための従来の解決法としては、モジュールの周りにバネ指を備えた金属カラー（襟状部材）を配置したり、モジュールの周りにＥＭＩガスケットを配置したりするものがある。しかしながら、こうした金属カラーやＥＭＩガスケットは、モジュールからのＥＭＩ放射を十分に低減することが出来ない場合があり、また、モジュールが配置される光電気デバイスのケースとの間に機械的干渉問題が発生する場合もある。さらに、光電気デバイスは、種々の設計のケースを使用することがあり、金属カラーやＥＭＩガスケットは、どのようなタイプのケースでも十分良好に機能する訳ではない。さらに、金属カラーは、簡単に入手することができず、特注設計であるため、モジュールの製造コストや複雑さを増加させることになる。

上記の問題を鑑みて、こうした問題のうちの幾つかを解消するＥＭＩ低減手段を備えた光ファイバトランシーバモジュールが必要とされている。

モジュールのハウジングによって規定される内側領域に配置された電磁妨害波吸収材料を有する光ファイバモジュール、及びその製造方法。ＥＭＩ吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持ち、モジュールからのＥＭＩ放射を低減する。ＥＭＩ吸収材料がハウジングの内側に配置されるため、金属カラーやＥＭＩガスケットのような従来のＥＭＩ低減手段が有する機械的干渉問題を回避することが出来る。また、ハウジング内部にＥＭＩ吸収材料を使用することで、従来のＥＭＩ低減手段に比べてモジュールからのより多くのＥＭＩ放射を低減することができる。

本発明の一実施形態による光ファイバモジュールは、内側領域を規定するように構成されたハウジングと、該ハウジングによって規定される内側領域内に配置されたプリント回路基板と、該プリント回路基板に電気的に接続された１以上の光電気デバイスと、前記ハウジングによって規定される内側領域内に配置されたＥＭＩ吸収材料とを含む。ＥＭＩ吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持ち、モジュールからのＥＭＩ放射を低減する。

本発明の一実施形態による光トランシーバモジュールは、内側領域を規定するように構成されたハウジングと、該ハウジングが有する内側領域内に配置されたプリント回路基板と、該プリント回路基板に電気的に接続された光送信サブアセンブリと、前記プリント回路基板に電気的に接続された光受信サブアセンブリと、前記ハウジングによって規定される内側領域内に配置されたＥＭＩ吸収材料とを含む。ＥＭＩ吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持ち、モジュールからのＥＭＩ放射を低減する。

本発明の一実施形態による光ファイバモジュールの製造方法は、内側領域を規定するように構成された、モジュールのハウジングを設けるステップと、プリント回路基板を設けるステップと、光電気デバイスを設けるステップと、電磁放射を吸収する電気特性を有するＥＭＩ吸収材料を設けるステップと、前記ハウジング、前記プリント回路基板、前記光電気デバイス、及び前記ＥＭＩ吸収材料を組み立て、前記モジュールからのＥＭＩ放射を低減するために、前記ＥＭＩ吸収材料を前記ハウジングによって規定される内側領域内に位置決めするステップとを含む。

本発明の他の態様、及び利点は、本発明の原理を例として示す添付の図面を参照して、下記の詳細な説明を読むことで明らかになるであろう。

図１を参照し、本発明の一実施形態による光ファイバトランシーバモジュール１００について説明する。以下で詳しく説明するように、光ファイバトランシーバモジュール１００は、モジュールからの電磁妨害波（ＥＭＩ）を低減する手段を有する。金属カラーやＥＭＩガスケットのような従来のＥＭＩ低減手段と異なり、光ファイバトランシーバモジュール１００のＥＭＩ低減手段は、モジュールの内部に設けられる。したがって、光ファイバトランシーバモジュール１００では、従来のＥＭＩ低減手段の使用に関わる機械的干渉問題が発生することはない。また、光ファイバトランシーバモジュール１００のＥＭＩ低減手段は、従来のＥＭＩ低減手段に比べて、モジュールからより多くのＥＭＩ放射を低減することができる。光ファイバトランシーバモジュールのＥＭＩ低減手段は、幾つかの従来のＥＭＩ低減手段と併用してもよいし、従来のＥＭＩ低減手段は使用しなくてもよい。本明細書では、光ファイバモジュール１００は、光ファイバトランシーバモジュールとして説明されるが、光ファイバモジュールは、光ファイバ送信機モジュールや光ファイバ受信機モジュールであってもよい。

図１に示すように、光ファイバトランシーバモジュール１００は、コネクタインタフェースアセンブリ１０２、及びハウジング１０４を有する。コネクタインタフェースアセンブリ１０２、及びハウジング１０４は、光ファイバトランシーバモジュール１００のサイズや形を規定する。一実施形態として、光ファイバトランシーバモジュール１００のサイズや形は実質的に、ＳＦＰ（Small Form Factor Pluggable）トランシーバのためのＭＳＡ（Multi-Source Agreement）に準拠する。したがって、この実施形態の場合、光ファイバトランシーバモジュール１００は、プラグ接続可能な光ファイバモジュールである。ただし、他の実施形態では、光ファイバトランシーバモジュール１００は、他の規格、又はＭＳＡに準拠する場合もある。

コネクタインタフェースアセンブリ１０２は、光ファイバケーブル（図示せず）の２つのコネクタを受容するように設計され、光ファイバケーブルを光ファイバトランシーバモジュール１００に光学的に接続することができる。コネクタインタフェースアセンブリ１０２は２つのポートを有し、そこに、光ファイバケーブルコネクタを挿入することができる。コネクタインタフェースアセンブリ１０２は、モジュールが挿入された光電気デバイス（図示せず）からユーザが光ファイバトランシーバモジュール１００を簡単に取り外すことができるようにするための取り外し手段１０６を有する。

ハウジング１０４は、コネクタインタフェースアセンブリ１０２に取り付けられ、光ファイバトランシーバモジュール１００の内部部品の保護カバーとして機能するシェルのように構成される。図２に示すように、ハウジング１０４は４つの主側面を有し、光ファイバトランシーバモジュール１００の内側矩形領域２０８はそれらの４つの主側面によって実質的に規定される。図２では、光ファイバトランシーバモジュールの内部部品を示すために、ハウジング１０４は影として描かれている。ハウジング１０４は、上側カバー１１０と下側カバー１１２とを有し、それらのカバーは、側面を有するフレーム１１４に取り付けられる。ただし、他の実施形態として、ハウジング１０４は、もっと少ない部品から構成される場合もあれば、もっと多くの部品から構成される場合もある。あるいは、ハウジング１０４は、単一の一体型構造であってもよい。一実施形態として、ハウジング１０４は、光ファイバトランシーバモジュール１００の内部電子部品からのＥＭＩ放射の一部を遮蔽するために、金属材料から構成される。ただし、他の実施形態では、ハウジング１０４は、任意の材料、又は複数の材料の組み合わせから構成される場合もある。

図１に示すように、光ファイバトランシーバモジュール１００は、任意選択で、バネ指を備えた金属カラー１１６を有する場合がある。金属カラー１１６は、ハウジング１０４の周りに配置され、光ファイバトランシーバモジュール１００の内部電子部品から放射されるＥＭＩ放射を低減する。金属カラー１１６は既知の従来のＥＭＩ低減手段であるため、本明細書で詳しい説明はしない。光ファイバトランシーバモジュール１００は、他の従来のＥＭＩ低減手段（複数の場合も有り）を有する場合もある。

図２に示すように、光ファイバトランシーバモジュールの内部部品には、光送信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ）２１８、光受信サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）２２０、プリント回路基板（ＰＣＢ）２２２、多数の電子部品２２４、及びＥＭＩ吸収材料層２２８の形をした内部ＥＭＩ低減手段が含まれる。ＴＯＳＡ２１８、及びＲＯＳＡ２２０は、光ファイバトランシーバモジュール１００に接続される光ファイバケーブルに接続されるように設計される。ＴＯＳＡ２１８は、受信電気信号に応答して光信号を生成する働きをし、ＲＯＳＡ２２０は、受信光信号に応答して電気信号を生成する働きをする。ＴＯＳＡ２１８、及びＲＯＳＡ２２０は、当該技術分野で既知のものであるから、本明細書では簡単にしか説明しない。ＴＯＳＡ２１８は、受信電気信号（すなわち、駆動信号）に応答して光を放射し、光信号を生成するための少なくとも１つの光電気デバイス２３０（例えば、面発光レーザ）を含む。ＲＯＳＡ２２０は、受信光信号に応答して光電流を生成し、電気信号を生成するための少なくとも１つの光電気デバイス２３２（例えば、フォトダイオード）を含む。

ＴＯＳＡ２１８とＲＯＳＡ２２０は、ＰＣＢ２２２に電気的に接続される。さらに、電子部品２２４が、ＰＣＢ２２２の表面２３４に実装される。電子部品２２４には、ＴＯＳＡ２１８に駆動信号を提供する駆動用集積回路（ＩＣ）チップ、ＲＯＳＡ２２０からの電気信号を増幅し、量子化するための増幅ＩＣチップ、及びマイクロコントローラＩＣチップが含まれる。図２には３つの電子部品２２４しか描かれていないが、光ファイバトランシーバモジュール１００は、ＰＣＢ２２２上に実装された更に別のＩＣチップや電子部品を有する場合がある。あるいは、光ファイバトランシーバモジュール１００は、種々の特定用途向けＩＣチップの代わりに、幾つかのＳＯＣ（システム・オン・チップ）を有する場合がある。電子部品２２４が実装されるＰＣＢ２２２の表面２３４は、本明細書では、主表面と呼ばれる。本明細書で使用されるように、ＰＣＢ２２２の主表面２３４は、全ての、又は大量の電子部品が実装される表面である。図３は、ハウジング１０４を影として示した、光ファイバトランシーバモジュール１００の側面図である。図３に示すように、ＰＣＢ２２２の主表面２３４とは反対側の表面２３６は、本明細書では、副表面と呼ばれる。ＰＣＢの副表面２３６は、下側カバー１１２に近い方のＰＣＢ２２２の表面、すなわち、ＰＣＢの下側面である。

ＥＭＩ吸収材料の層２２８は、ＰＣＢ２２２の副表面２３６と、下側カバー１１２、すなわちハウジング１０４の下側面との間に配置される。したがって、ＥＭＩ吸収材料の層２２８は、ハウジング１０４によって規定される内部矩形領域２０８の中に配置される。ＥＭＩ吸収材料の層２２８は、薄くても厚くてもよい。一実施形態として、ＥＭＩ吸収材料の層２２８は、ＰＣＢの副表面上にＥＭＩ吸収材料を付着させることによって形成された、ＰＣＢ２２２の副表面上に形成された層である。ＥＭＩ吸収材料２２８は、ＰＣＢ２２２の副表面２３６に付着させることができる。あるいは、ＥＭＩ吸収材料２２８は、必要に応じて、ＥＭＩ吸収材料が存在しない幾つかの領域を残すようにして、ＰＣＢ２２２の副表面２３６の一部にのみ付着させてもよい。さらに別の実施形態として、ＥＭＩ吸収材料の層２２８は、下側カバー１１２、すなわちハウジング１０４の内側表面の少なくとも一部にＥＭＩ吸収材料を付着させることによって、下側カバー１１２、すなわちハウジング１０４の下側面の内側に形成された層であってもよい。これら３つの実施形態において、ＥＭＩ吸収材料２２８は、電磁放射を吸収する電気特性を持つ、金属粒子が埋め込まれた任意の硬化材料であってよい。例えば、ＥＭＩ吸収材料２２８には、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型（ＲＴＶ）シリコーンゴム材料を使用することができる。室温加硫型シリコーンゴム材料は、エマーソン・アンド・カミングが販売する「ＣＲＳ−１１７」や「ＣＲＳ−１２４」のような製品の電磁放射も吸収する。さらに別の実施形態として、ＥＭＩ吸収材料２２８には、ＥＭＩ吸収材料のシート（複数の場合も有り）を使用することもでき、シートは、ＰＣＢ２２８の副表面２３６と、下側カバー１１２、すなわちハウジング１０４の下側面との間に配置される。ＥＭＩ吸収材料２２８のシートは、電磁放射を吸収する電気特性を有するものであればどのようなものであってもよく、剛性のシートであっても可撓性のシートであってもよい。例えば、ＥＭＩ吸収材料２２８のシートには、マイクロ波吸収特性を有する磁性体装荷エポキシド材料の剛性シートが使される。このシートは、エマーソン・アンド・カミングが販売する「ＭＦ−１１０」、「ＭＦ−１１２」、「ＭＦ−１１４」、「ＭＦ−１１６」、「ＭＦ−１１７」、「ＭＦ−１２４」、「ＭＦ−１７５」、及び「ＭＲ−１９０」のような製品の電磁放射も吸収する。この実施形態では、ＰＣＢ２２２の副表面上に電子部品は何も実装されていない。ただし、他の実施形態では、ＰＣＢ２２の副表面上に幾つかの電子部品が実装される場合もある。

ＥＭＩ吸収材料の層２２８は、ＰＣＢ２２２の副表面と、下側カバー１１２、すなわちハウジング１０４の下側面との間に配置されるものとして図示説明されているが、ＥＭＩ吸収材料の層２２８は、ハウジング１０４内部の他の位置に配置してもよい。ただし、ＥＭＩ吸収材料の層２２８を不適当な位置に配置すると、光ファイバトランシーバモジュール１００の信号完全性が低下したり、ＥＭＩ放射レベルに与える作用が何もなくなったり、ＥＭＩ放射レベルが増大したりすることもある。例えば、一般的な予想とは逆に、ＥＭＩ吸収材料の層２２８をＰＣＢ２２２の主表面の上や、上側カバー１１０、すなわちハウジング１０４の上側面の上に配置した場合、光ファイバトランシーバモジュール１００のＥＭＩ放射レベルは増大する可能性がある。

ＰＣＢ２２２の副表面２３６と、下側カバー１１２、すなわちハウジング１０４の下側面との間のＥＭＩ吸収材料の層２２８の位置決めを確認するためのシミュレーションは有用である。図４Ａ、及び図４Ｂは、光ファイバトランシーバモジュール１００における電界を示している。図４Ａは、光ファイバトランシーバモジュール１００の垂直断面４３８に沿った電界を示している。図４Ｂは、モジュールの底部付近における光ファイバトランシーバモジュール１００の垂直断面４４０に沿った電界を示している。図の断面４３８及び４４０において、強い電界ほど黒い領域として描かれている。これらのシミュレーションは、下側カバー１１２、すなわちハウジング１０４の下側面と、ＰＣＢ２２２との間のＥＭＩ空洞共振を示している。また、他のシミュレーションは、下側カバー１１２上、すなわちハウジング１０４の下側面上における表面電流のピークを示している。したがって、これらのピークの場所にＥＭＩ吸収材料の層２２８を配置することにより、ＥＭＩ放射を低減することができる。

図５は、本発明の一実施形態による、ＣＲＳ−１１７及びＣＲＳ−１２４を使用した光ファイバトランシーバモジュールに関する、種々の周波数にわたるＥＭＩ放射の低減度を示すグラフである。図５のグラフは、アバゴテクノロジーズの製品番号ＡＦＣＴ−５７Ｒ５ＡＰＺの光ファイバトランシーバモジュールを使用したテスト結果から得られたものである。図５に示すように、これらのテスト結果は、測定周波数に応じて、ＥＭＩ放射の平均低減度が２ｄＢ〜７ｄＢになることを示している。

本発明の一実施形態による光ファイバトランシーバモジュールの製造方法について、図６を参照して説明する。ブロック６０２では、モジュールのハウジングを設ける。ハウジングは、その側面によって内側領域を規定するように構成される。ブロック６０４では、モジュールのプリント回路基板を設ける。ブロック６０６では、モジュールの光電気デバイスを設ける。ブロック６０８では、モジュールの電磁妨害波吸収材料を設ける。電磁妨害波吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持つ。ブロック６１０では、ハウジング、プリント回路基板、光電気デバイス、及び電磁妨害波吸収材料を組み立て、モジュールを作成する。ブロック６１０では、モジュールの電磁妨害波の放射を低減するために、ハウジングによって規定される内側領域の中に電磁妨害波吸収材料を位置決めする。

特定の幾つかの実施形態について図示説明したが、本発明が、図示説明した特定の形態や、図示説明した部品構成に制限されることはない。本発明の範囲は、特許請求の範囲、及びその均等によって規定される。

本発明の種々の例示的実施形態を以下に列挙する。
１．内側領域を規定するように構成されたハウジングと、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置されたプリント回路基板と、
前記プリント回路基板に電気的に接続された光電気デバイスと、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置された電磁妨害波吸収材料と
を含む光ファイバモジュールであって、前記電磁妨害波吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持ち、前記光ファイバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するように構成される、光ファイバモジュール。
２．前記電磁妨害波吸収材料は、電磁妨害波吸収材料の層として構成される、１に記載の光ファイバモジュール。
３．前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、１に記載の光ファイバモジュール。
４．前記電磁妨害波吸収材料は、電磁妨害波吸収材料のシートとして構成される、１に記載の光ファイバモジュール。
５．前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する磁性体装荷エポキシド材料を含む、１に記載の光ファイバモジュール。
６．前記プリント回路基板は、大量の電子部品が実装された主表面を有し、前記電磁妨害波吸収材料は、前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面と、前記プリント回路基板の前記副表面に近い方の前記ハウジングの面との間に配置される、１に記載の光ファイバモジュール。
７．前記プリント回路基板に電気的に接続された光送信サブアセンブリを更に含む、１に記載の光ファイバモジュール。
８．前記プリント回路基板に電気的に接続された光受信サブアセンブリを更に含む、１に記載の光ファイバモジュール。
９．前記ハウジングに取り付けられたコネクタインタフェース構造を更に含み、前記コネクタインタフェース構造は、光ファイバケーブルに接続されるように構成される、１に記載の光ファイバモジュール。
１０．前記ハウジングは、ＳＦＰ（Small Factor Pluggable）トランシーバのためのＭＳＡ（Multi Source Agreement）に実質的に準拠する、１に記載の光ファイバモジュール。
１１．内側領域を規定するように構成されたハウジングと、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置されたプリント回路基板と、
前記プリント回路基板に電気的に接続された光送信サブアセンブリと、
前記プリント回路基板に電気的に接続された光受信サブアセンブリと、
前記ハウジングによって規定される前記内側領域の中に配置された電磁妨害波吸収材料と
を含む光ファイバトランシーバモジュールであって、前記電磁妨害波吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持ち、前記光ファイバトランシーバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するように構成される、光ファイバトランシーバモジュール。
１２．前記電磁妨害波吸収材料は、電磁妨害波吸収材料の層として構成される、１１に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
１３．前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、１１に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
１４．前記電磁妨害波吸収材料は、電磁妨害波吸収材料のシートとして構成される、１１に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
１５．前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する磁性体装荷エポキシド材料を含む、１１に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
１６．前記プリント回路基板は、大量の電子部品が実装された主表面を有し、前記電磁妨害波吸収材料は、前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面と、前記プリント回路基板の前記副表面に近い方の前記ハウジングの面との間に配置される、１１に記載の光ファイバトランシーバモジュール。
１７．光ファイバモジュールを製造する方法であって、
内側領域を規定するように構成された、前記光ファイバモジュールのハウジングを設けるステップと、
プリント回路基板を設けるステップと、
光電気デバイスを設けるステップと、
電磁放射を吸収する電気特性を有する電磁妨害波吸収材料を設けるステップと、
前記ハウジング、前記プリント回路基板、前記光電気デバイス、及び前記電磁妨害波吸収材料を組み立て、前記光ファイバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するために、前記電磁妨害波吸収材料を前記ハウジングによって規定される前記内側領域の中に位置決めするステップと
からなる方法。
１８．前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、１７に記載の方法。
１９．前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する磁性体装荷エポキシド材料を含む、１７に記載の方法。
２０．前記プリント回路基板は、大量の電子部品が実装された主表面を有し、前記位置決めするステップは、前記電磁妨害波吸収材料を前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面と、前記プリント回路基板の前記副表面に近い方の前記ハウジングの面との間に位置決めすることを含む、１７に記載の方法。

本発明の一実施形態による光ファイバトランシーバモジュールを示す斜視図である。モジュールのハウジングが影として描かれていることを除き、図１と同様の光ファイバトランシーバモジュールを示す同様の斜視図である。モジュールのハウジングが影として描かれた、図１の光ファイバトランシーバモジュールを示す側面図である。図１の光ファイバトランシーバモジュールにおける電界を示す図である。図１の光ファイバトランシーバモジュールにおける電界を示す図である。本発明の一実施形態による光ファイバトランシーバモジュールに関する、種々の周波数にわたるＥＭＩ放射の低減を示すグラフである。本発明の一実施形態による光ファイバトランシーバモジュールの製造方法を示すフロー図である。

符号の説明

１０４ハウジング
１１２下側カバー
２０８内部領域
２２２プリント回路基板
２２８電磁妨害波吸収材料
２３０光電気デバイス
２３４主表面
２３６副表面

Claims

内側領域を規定するように構成されたハウジング(104)と、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置されたプリント回路基板(222)と、
前記プリント回路基板に電気的に接続された光電気デバイス(230, 232)と、
前記ハウジングによって規定される内側領域の中に配置された電磁妨害波吸収材料(228)と
を含む光ファイバモジュールであって、前記電磁妨害波吸収材料は、電磁放射を吸収する電気特性を持ち、前記光ファイバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するように構成される、光ファイバモジュール。
前記電磁妨害波吸収材料(228)は、電磁妨害波吸収材料の層として構成される、請求項１に記載の光ファイバモジュール。
前記電磁妨害波吸収材料(228)は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、請求項１又は請求項２に記載の光ファイバモジュール。
前記電磁妨害波吸収材料(228)は、電磁妨害波吸収材料のシートとして構成される、請求項１又は請求項２に記載の光ファイバモジュール。
前記プリント回路基板(222)は、大量の電子部品(224)が実装された主表面(234)を有し、前記電磁妨害波吸収材料(228)は、前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面(236)と、前記副表面に近い方の前記プリント回路基板の前記ハウジング(104)の面(112)との間に配置される、請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の光ファイバモジュール。
前記ハウジング(104)は、ＳＦＰ（Small Factor Pluggable）トランシーバのためのＭＳＡ（Multi Source Agreement）に実質的に準拠する、請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の光ファイバモジュール。
光ファイバモジュールを製造する方法であって、
内側領域を規定するように構成された、前記光ファイバモジュールのハウジング(104)を設けるステップ(602)と、
プリント回路基板(222)を設けるステップ(604)と、
光電気デバイス(230, 232)を設けるステップ(606)と、
電磁放射を吸収する電気特性を有する電磁妨害波吸収材料(228)を設けるステップ(608)と、
前記ハウジング、前記プリント回路基板、前記光電気デバイス、及び前記電磁妨害波吸収材料を組み立て(610)、前記光ファイバモジュールからの電磁妨害波の放射を低減するために、前記電磁妨害波吸収材料を前記ハウジングによって規定される前記内側領域の中に位置決めするステップと
からなる方法。
前記電磁妨害波吸収材料(228)は、マイクロ波吸収特性を有する室温加硫型シリコーンゴム材料を含む、請求項７に記載の方法。
前記電磁妨害波吸収材料は、マイクロ波吸収特性を有する磁性体装荷エポキシド材料を含む、請求項７に記載の方法。
前記プリント回路基板(222)は、大量の電子部品(224)が実装された主表面(234)を有し、前記位置決めするステップは、前記電磁妨害波吸収材料(228)を前記プリント回路基板の前記主表面とは反対側の副表面(236)と、前記プリント回路基板の前記副表面に近い方の前記ハウジングの面(104)との間に位置決めすることを含む、請求項７〜９のうちのいずれか一項に記載の方法。