JP2007233364A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 第１の基板と、
   第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子と、
   前記第１の基板又は前記第２の基板の外側に、積層された偏光子を含む層と、を有し、
   前記積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルからずれるように配置されていることを特徴とする表示装置。
2. 第１の基板と、
   第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子と、
   前記第１の基板又は前記第２の基板の外側に、積層された偏光子を含む層と、
   前記第１の基板又は前記第２の基板と、前記積層された偏光子を含む層との間に設けられた位相差板と、を有し、
   前記積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルからずれるように配置されていることを特徴とする表示装置。
3. 第１の基板と、
   第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子と、
   前記第１の基板の外側に、第１の積層された偏光子を含む層と、
   前記第２の基板の外側に、第２の積層された偏光子を含む層と、を有し、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルからずれるように配置され、
   前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
4. 第１の基板と、
   第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子と、
   前記第１の基板の外側に、第１の積層された偏光子を含む層と、
   前記第２の基板の外側に、第２の積層された偏光子を含む層と、
   前記第１の基板と、前記第１の積層された偏光子を含む層との間に設けられた第１の位相差板と、
   前記第２の基板と、前記第２の積層された偏光子を含む層との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルからずれるように配置され、
   前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
5. 第１の基板と、
   第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子と、
   前記第１の基板の外側に、第１の積層された偏光子を含む層と、
   前記第２の基板の外側に、第２の積層された偏光子を含む層と、を有し、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルからずれるように配置され、
   前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、少なくとも前記第１の基板側より順に積層された第１の偏光子及び第２の偏光子を有し、
   前記第１の偏光子と、前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子とは、互いの吸収軸がクロスニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
6. 第１の基板と、
   第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子と、
   前記第１の基板の外側に、第１の積層された偏光子を含む層と、
   前記第２の基板の外側に、第２の積層された偏光子を含む層と、
   前記第１の基板と、前記第１の積層された偏光子を含む層との間に設けられた第１の位相差板と、
   前記第２の基板と、前記第２の積層された偏光子を含む層との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、吸収軸に対する消衰係数が異なり、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルからずれるように配置され、
   前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子は、少なくとも前記第１の基板側より順に積層された第１の偏光子及び第２の偏光子を有し、
   前記第１の偏光子と、前記第２の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子とは、互いの吸収軸がクロスニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
7. 請求項３乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第２の積層された偏光子を含む層の外側に光源を有することを特徴とする表示装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記第１の積層された偏光子を含む層及び前記第２の積層された偏光子を含む層は、それぞれ一対の保護層の間に設けられていることを特徴とする表示装置。
9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記第１の積層された偏光子を含む層が有する複数の偏光子の少なくとも一つは、一対の保護層の間に設けられていることを特徴とする表示装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記第１の基板及び前記第２の基板は、それぞれ透光性を有することを特徴とする表示装置。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記表示素子は、液晶素子であることを特徴とする表示装置。
12. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。
13. 請求項１２において記載された表示装置は、両面発光型の表示装置であることを特徴とする表示装置。
14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
    前記第１の基板と前記第２の基板との間に、微結晶状態の半導体材料を用いて設けられたトランジスタを有することを特徴とする表示装置。
15. 請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。
16. 請求項１５において記載された電子機器とは、テレビジョン装置、カメラ、携帯電話装置、携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、音響再生装置、または記録媒体を備えた画像再生装置であることを特徴とする電子機器。