JP2007233362A5

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Publication number: JP2007233362A5
Application number: JP2007017020A
Authority: JP
Filing date: 2007-01-26
Publication date: 2010-02-25
Anticipated expiration: 2027-01-26

Claims

第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板または前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、を有し、
前記積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板または前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第１の基板または前記第２の基板と、前記積層された偏光子との間に設けられた位相差板と、を有し、
前記積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
請求項２において、
前記積層された偏光子の吸収軸と、前記位相差板の遅相軸は、４５°ずれるように配置されていることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記積層された偏光子は、消衰係数が同じであることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸は、クロスニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸は、パラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第１の基板と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子との間に設けられた第１の位相差板と、
前記第２の基板と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸は、クロスニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第１の基板と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子との間に設けられた第１の位相差板と、
前記第２の基板と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸は、パラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
請求項７または請求項８において、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第１の位相差板の遅相軸は、４５°ずれるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の位相差板の遅相軸は、４５°ずれるように配置されていることを特徴とする表示装置。
請求項５乃至請求項９のいずれか１項において、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、消衰係数が同じであり、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、消衰係数が同じであることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記表示素子は、液晶素子であることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。
請求項１２において記載された表示装置は、両面発光型の表示装置であることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に、微結晶状態の半導体材料を用いて設けられたトランジスタを有することを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。
請求項１５において記載された電子機器とは、テレビジョン装置、カメラ、携帯電話装置、携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、音響再生装置、または記録媒体を備えた画像再生装置であることを特徴とする電子機器。