JP2007226093A - 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】コモン電位の長期通電による不安定さを改善し、長期にわたって良好な表示品質を維持することのできる液晶装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置は、基板10上に接続端子202を有する液晶装置であって、前記接続端子202の表面に酸化防止膜209が設けられ、前記酸化防止膜209が導体(Ti,TiN,Ta等)又はエネルギーギャップが5.5eV以下の半導体(TiO2,Ta2O5等)からなることを特徴とする。
【選択図】図8
【解決手段】本発明の液晶装置は、基板10上に接続端子202を有する液晶装置であって、前記接続端子202の表面に酸化防止膜209が設けられ、前記酸化防止膜209が導体(Ti,TiN,Ta等)又はエネルギーギャップが5.5eV以下の半導体(TiO2,Ta2O5等)からなることを特徴とする。
【選択図】図8
Description
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器に関するものである。
従来、プロジェクタの空間光変調装置として、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置が知られている。この種の液晶装置では、開口率を向上させるために、走査線、データ線等の配線が層間絶縁膜を介して画素電極の下に形成されている。ここで、アルミニウム膜からなるデータ線は耐酸性、耐アルカリ性が弱く、後工程の各種薬品処理によって腐食や断線を生じやすい。そこで、特許文献1では、データ線の表面に耐食性の高い金属窒化物膜を形成する技術が開示されている。
特開平7−52297号公報
ところで、データ線が形成された基板には、該データ線と電気的に接続される接続端子が形成されている。接続端子は、データ線と共通の工程で形成される。すなわち、データ線と接続端子を形成し、その表面に酸化防止膜を形成した後、層間絶縁膜を形成し、さらにその上に画素電極を形成する。したがって、電子部品を接続端子上に接続するに際し、接続端子上に形成された層間絶縁膜を除去する工程が必要となる。このとき、従来は、層間絶縁膜と同時に酸化防止膜を除去していたため、アルミニウム膜からなる接続端子の表面が酸化され、高い抵抗を有するアルミナが形成されていた。このため、液晶を長期間駆動した場合にコモン電位が変動し、正確な電圧を印加できなくなるという問題があった。
また、液晶プロジェクタのように高出力光源を備えた機器では、無機配向膜の採用が検討されているが、無機配向膜は酸化シリコン等の硬い材料からなるため、このような無機配向膜が接続端子上に形成された場合に、無機配向膜が障害となって上述の問題をより顕在化させる虞がある。つまり、接続端子上に異方性導電フィルムを配置し、その上にフレキシブル回路基板等の実装部品を圧着する場合、異方性導電フィルム中の導電粒子が無機配向膜を貫通し、接続端子の表面に接触するが、このとき、押し潰された無機配向膜が導電粒子の隙間に入り込み、接続端子との電気的接続を阻害することがある。ポリイミド配向膜の場合には、導電粒子を加圧して変形させることで、隙間の配向膜を容易に排出できるが、無機配向膜の場合は配向膜自体が硬い材料であるため、加圧によっては容易に排出されず、そのまま隙間に挟まって接続端子との接触面積を小さくしてしまうのである。
また、ポリイミド配向膜の場合は、導電粒子を更に加圧することで、接続端子上の酸化防止膜を貫通させることができるが、無機配向膜の場合は、導電粒子の隙間に入った無機配向膜が障害となって酸化防止膜を貫通できなくなる。したがって、無機配向膜と酸化防止膜が2重の障壁となって、より大きなコモン電位の変動を生じるようになる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、コモン電位の長期通電による不安定さを改善し、長期にわたって良好な表示品質を維持することのできる液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、基板上に接続端子を有する液晶装置であって、前記接続端子の表面に酸化防止膜が設けられ、前記酸化防止膜が導体又はエネルギーギャップが5.5eV以下の半導体からなることを特徴とする。
前述のように、液晶のコモン電位が変動するのは、接続端子の表面に形成された酸化防止膜と無機配向膜が可変抵抗を形成するからである。したがって、これらの膜のうち少なくとも一方を抵抗の低い膜とすれば、コモン電位の変動を最小限に抑えることができる。ここで、無機配向膜の材料は、良好な成膜性及び良好な配向特性が得られる材料に限定されるため、選択の余地は殆どない。一方、酸化防止膜は、接続端子を大気中の水分等から保護すればよいので、材料選択の幅は比較的広い。そこで、本発明では、酸化防止膜の材料に着目した。本発明によれば、酸化防止膜が抵抗の低い材料又はエネルギーギャップの小さい材料によって形成されているので、長期の駆動を行なってもコモン電位が変動せず、焼き付き等の生じない信頼性の高い映像表示が実現される。
前述のように、液晶のコモン電位が変動するのは、接続端子の表面に形成された酸化防止膜と無機配向膜が可変抵抗を形成するからである。したがって、これらの膜のうち少なくとも一方を抵抗の低い膜とすれば、コモン電位の変動を最小限に抑えることができる。ここで、無機配向膜の材料は、良好な成膜性及び良好な配向特性が得られる材料に限定されるため、選択の余地は殆どない。一方、酸化防止膜は、接続端子を大気中の水分等から保護すればよいので、材料選択の幅は比較的広い。そこで、本発明では、酸化防止膜の材料に着目した。本発明によれば、酸化防止膜が抵抗の低い材料又はエネルギーギャップの小さい材料によって形成されているので、長期の駆動を行なってもコモン電位が変動せず、焼き付き等の生じない信頼性の高い映像表示が実現される。
本発明においては、前記酸化防止膜が、Ti,TiN,TiO2,Ta,Ta2O5のいずれかの材料からなることが望ましい。
これらの材料は耐食性が高いため、後工程の各種薬品処理によっても接続端子に断線等が生じない。また、TiやTaは導電性が高く、配線抵抗を小さくすることができるため、表示品質の向上に寄与する。
これらの材料は耐食性が高いため、後工程の各種薬品処理によっても接続端子に断線等が生じない。また、TiやTaは導電性が高く、配線抵抗を小さくすることができるため、表示品質の向上に寄与する。
本発明においては、前記基板上に画素スイッチング素子が設けられ、前記酸化防止膜が遮光性材料からなり、前記酸化防止膜が前記画素スイッチング素子と平面的に重なるように配置されていることが望ましい。
この構成によれば、酸化防止膜が遮光膜として機能するので、画素スイッチング素子への光の入射を防止し、光リーク電流等のないコントラストの高い映像表示が実現される。
この構成によれば、酸化防止膜が遮光膜として機能するので、画素スイッチング素子への光の入射を防止し、光リーク電流等のないコントラストの高い映像表示が実現される。
本発明の液晶装置の製造方法は、基板上に、接続端子と、該接続端子と電気的に接続される配線とを形成する工程と、前記接続端子及び前記配線の表面に、導体又はエネルギーギャップが5.5eV以下の半導体からなる酸化防止膜を形成する工程と、前記酸化防止膜上に層間絶縁膜を介して画素電極を形成する工程と、前記接続端子上の層間絶縁膜を除去する工程と、前記接続端子上に露出した前記酸化防止膜を介して前記接続端子上に電子部品を実装する工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、接続端子上の酸化防止膜が抵抗の低い材料又はエネルギーギャップの小さい材料によって形成されているので、長期の駆動を行なってもコモン電位が変動せず、焼き付き等の生じない信頼性の高い映像表示が実現される。
この方法によれば、接続端子上の酸化防止膜が抵抗の低い材料又はエネルギーギャップの小さい材料によって形成されているので、長期の駆動を行なってもコモン電位が変動せず、焼き付き等の生じない信頼性の高い映像表示が実現される。
本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶装置又は前述した本発明の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、コモン電位の長期通電による不安定さを改善し、長期にわたって良好な表示品質を維持することのできる電子機器を提供できる。
この構成によれば、コモン電位の長期通電による不安定さを改善し、長期にわたって良好な表示品質を維持することのできる電子機器を提供できる。
以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。
以下の実施形態では、液晶装置の一例として、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を説明する。この液晶装置は、例えばプロジェクタのライトバルブ(光変調手段)として好適に採用可能なものである。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
以下の実施形態では、液晶装置の一例として、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を説明する。この液晶装置は、例えばプロジェクタのライトバルブ(光変調手段)として好適に採用可能なものである。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1実施形態の液晶装置100を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図2は、図1のH−H’線に沿う断面図である。図3は、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
図1は、本発明の第1実施形態の液晶装置100を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図2は、図1のH−H’線に沿う断面図である。図3は、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
図1に示すように、液晶装置100は、シール材52によって貼り合わされたTFTアレイ基板10と対向基板20とを有する。シール材52は対向基板20の外周に沿って平面視矩形枠状に設けられており、このシール材52によって区画された領域に液晶が封入されている。シール材52の形成領域の内側には、遮光性材料からなる平面視矩形枠状の遮光膜(周辺見切り)53が形成されている。そして、この遮光膜53の内側の領域が画像表示領域10aとなっている。シール材52の形成領域の外側には、データ線駆動回路201及び外部回路実装端子(接続端子)202がTFTアレイ基板10の1辺(図示下辺)に沿って形成されており、この1辺に隣接する2辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路204,204が形成されている。TFTアレイ基板10の残る1辺(図示上辺)には、画像表示領域10aの両側の走査線駆動回路204,204間を接続する複数の配線205が形成されている。また、対向基板20の各角部には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間の電気的導通をとるための導電粒子である基板間導通材206が配設されている。
次に、図2の断面構造を見ると、本実施形態の液晶装置100は、一対の透明基板を有し、その一方の基板をなすTFTアレイ基板10と、これに対向配置された他方の基板をなす対向基板20との間に液晶層50が挟持されている。TFTアレイ基板10の内面側(液晶層50側)には画素電極9が形成されており、さらに画素電極9を覆って配向膜16が形成されている。他方、対向基板20の内面側(液晶層50側)には、TFTアレイ基板10上のデータ線、走査線、画素スイッチング用TFTの形成領域に対向して、平面視格子状の遮光膜23が形成されている。また、遮光膜23を覆って対向基板20の全面に対向電極(共通電極)21が形成されており、さらに対向電極21を覆って配向膜22が形成されている。
TFTアレイ基板10には、対向基板20の外側に張り出す張出部10Pが設けられている。この張出部10Pには、データ線駆動回路201及び外部回路実装端子202が形成されている。外部回路実装端子202は、画素電極9と電気的に接続される第1接続端子と、対向電極21と電気的に接続される第2接続端子とを含む。第2接続端子は、導電部である図示略の引き廻し配線に接続されている。引き廻し配線は、対向電極21と対向する領域まで引き廻されており、該引き廻し配線と対向電極21との間に挟まれた基板間導通材206を介して対向電極21と電気的に接続されている。外部回路実装端子202には、導電部材208を介して、電子部品であるフレキシブル回路基板207が電気的に接続されている。
図3は、液晶装置100の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示す図である。
図3に示すように、画像表示領域10aには複数の画素Dがマトリクス状に構成されている。これらの画素Dの各々には、画素スイッチング素子であるTFT30が形成されており、画素信号S1、S2、…、Snを供給するデータ線6aがTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画素信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画素信号S1、S2、…、Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、…、Snは、図2に示す対向基板20の対向電極21との間で一定期間保持される。また、保持された画素信号S1、S2、…、Snがリークするのを防ぐために、画素電極9と対向電極21との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量17が付加されている。符号3bは蓄積容量17を構成する容量線である。
図3に示すように、画像表示領域10aには複数の画素Dがマトリクス状に構成されている。これらの画素Dの各々には、画素スイッチング素子であるTFT30が形成されており、画素信号S1、S2、…、Snを供給するデータ線6aがTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画素信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画素信号S1、S2、…、Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、…、Snは、図2に示す対向基板20の対向電極21との間で一定期間保持される。また、保持された画素信号S1、S2、…、Snがリークするのを防ぐために、画素電極9と対向電極21との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量17が付加されている。符号3bは蓄積容量17を構成する容量線である。
次に、図4および図5に基づいて、本実施形態の液晶装置のTFTアレイ基板の画素部の構造について詳細に説明する。図4は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板10の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図5は図4のA−A’線に沿う断面図である。なお、図5においては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側(観察者側)である場合について図示している。
図4に示すように、液晶装置100のTFTアレイ基板10上には、マトリクス状に複数の画素電極9(点線部9aにより輪郭が示されている)が設けられている。また、画素電極9の縦横の境界に各々沿ってデータ線6a、走査線3aおよび容量線3bが設けられている。データ線6aは、コンタクトホール5を介して半導体層1aのソース領域に電気的に接続されており、画素電極9は、コンタクトホール8を介して半導体層1aのドレイン領域に電気的に接続されている。走査線3aは、半導体層1aのチャネル領域(図中右上がりの斜線の領域)に対向するように配置されており、走査線3a自体がゲート電極として機能する。半導体層1aのドレイン領域は、データ線6a及び走査線3aの下に延設されており、同じくデータ線6a及び走査線3aに沿って伸びる容量線3bと対向配置されている。半導体層1aのうち容量線3bと対向する部分は第1蓄積容量電極(半導体層)1fとされ、第1蓄積容量電極1fと容量線3bとが平面的に重なる部分によって蓄積容量17が形成されている。また、第1蓄積容量電極1fは、同じくデータ線6a及び走査線3aに沿って伸びる第1遮光膜11aと対向配置されており、第1遮光膜11aのうち第1蓄積容量電極1fと対向する部分は第3蓄積容量電極とされ、第1蓄積容量電極1fと第3蓄積容量電極とが平面的に重なる部分によって蓄積容量が形成されている。
容量線3bは、走査線3aに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部(すなわち、平面的に見て、走査線3aに沿って形成された第1領域)と、データ線6aと交差する箇所からデータ線6aに沿って前段側(図中上向き)に突出した突出部(すなわち、平面的に見て、データ線6aに沿って延設された第2領域)とを有している。そして、図中右上がりの斜線で示した領域には、複数の第1遮光膜11aが設けられている。より具体的には、第1遮光膜11aは、画素部において半導体層1aのチャネル領域を含むTFTをTFTアレイ基板の側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線3bの本線部に対向して走査線3aに沿って直線状に伸びる本線部と、データ線6aと交差する箇所からデータ線6aに沿って隣接する後段側(図中下向き)に突出した突出部とを有している。第1遮光膜11aの各段(画素行)における下向きの突出部の先端は、データ線6a下において次段における容量線3bの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、第1遮光膜11aと容量線3bとを相互に電気的に接続するコンタクトホール13が設けられている。すなわち、本実施の形態では、第1遮光膜11aは、コンタクトホール13により前段あるいは後段の容量線3bに電気的に接続されている。
次に断面構造を見ると、図5に示すように、本実施の形態の液晶装置は、一対の透明基板を有しており、その一方の基板をなすTFTアレイ基板10と、これに対向配置された他方の基板をなす対向基板20との間に液晶層50が挟持されている。液晶層50は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなり、当該透過型液晶装置は垂直配向モードの表示装置となっている。
TFTアレイ基板10は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体10Aと、その内側(液晶層50側)に形成されたTFT30、画素電極9、配向膜16等を備えている。一方の対向基板20は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体20Aと、その内側に形成された対向電極21、配向膜22等を備えている。
TFTアレイ基板10の基体である基板本体10A上に、クロム等からなる第1遮光膜11aが部分的に形成されている。第1遮光膜11aを覆って、酸化シリコン等からなる第1層間絶縁膜12が形成されている。第1層間絶縁膜12上に、ポリシリコン膜からなる半導体層1aがパターン形成されている。半導体層1aの表面に、酸化シリコン等からなるゲート絶縁膜2が形成されており、ゲート絶縁膜2を介して半導体層1aと部分的に対向する走査線3aが形成されている。半導体層1aにおける走査線3aとの対向部分にはチャネル領域1a’が形成され、その両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。
TFT30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を採用しており、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域(LDD領域)とが形成されている。すなわち、ソース領域には低濃度ソース領域1bと高濃度ソース領域1dとが形成され、ドレイン領域には低濃度ドレイン領域1cと高濃度ドレイン領域1eとが形成されている。
ゲート絶縁膜2および走査線3aを覆って、酸化シリコン等からなる第2層間絶縁膜4が形成されている。第2層間絶縁膜4上に、アルミニウム等からなるデータ線6aが形成され、第2層間絶縁膜4を貫通して半導体層1aに達するコンタクトホール5を介して、高濃度ソース領域1dと電気的に接続されている。データ線6aを覆って、窒化チタン等からなる表面保護膜19が形成されている。表面保護膜19は、データ線6a及びTFT30のチャネル領域1a′を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。表面保護膜19は耐食性の高い材料からなり、エッチング液等の薬液からデータ線6aを保護する。また、TiN等の遮光性材料を用いることで、対向基板20側から入射した光がTFT30のチャネル領域1a′等に入射するのを防止する。表面保護膜19を覆って、酸化シリコン等からなる第3層間絶縁膜7が形成されている。第3層間絶縁膜7の表面に、ITO等の透明導電材料からなる画素電極9が形成され、第3層間絶縁膜7及び第2層間絶縁膜4を貫通して半導体層1aに達するコンタクトホール8を介して、高濃度ドレイン領域1eと電気的に接続されている。さらに、画素電極9を覆って、酸化シリコン等の無機物からなる配向膜(無機配向膜)16が形成されている。
また、図4に示したように、半導体層1aを延設して平面視略L形とした第1蓄積容量電極1fが画素電極9の一辺の角部に沿って配置されている。第1蓄積容量電極1fの表面には、ゲート絶縁膜2を延設してなる誘電体膜が形成されており、かかる誘電体膜(ゲート絶縁膜2)上に形成された容量線3bのうち、当該誘電体膜を介して対向する部分が第2蓄積容量電極を形成し、前記第1蓄積容量電極1fとともに蓄積容量17を構成している。
TFT30の基板本体10A側に形成された前記第1遮光膜11aは、液晶パネル60に入射した光が半導体層1aのチャネル領域1a'、低濃度ソース領域1bおよび低濃度ドレイン領域1cに入射して光リークを生じるのを防止する。第1遮光膜11aは、第1層間絶縁膜12を貫通して形成されたコンタクトホール13を介して前段あるいは後段の容量線3bと電気的に接続されている。これにより、第1遮光膜11aは蓄積容量17の第3蓄積容量電極として機能し、第1層間絶縁膜12を誘電体膜として、第1蓄積容量電極1fとの間に容量を形成するようになっている。
データ線6a、走査線3aおよびTFT30の形成領域に対応する基板本体20Aの表面には、クロム等からなる第2遮光膜23が形成されている。第2遮光膜23を覆って、基板本体20Aのほぼ全面にITO等の透明導電材料からなる対向電極(共通電極)21が形成されている。対向電極21の表面には酸化シリコン等の無機物からなる配向膜(無機配向膜)22が形成されている。そして、この配向膜22と配向膜16によって、液晶分子は電圧を印加しない状態(初期配向状態)において基板に略垂直方向に配向される。
次に、画像表示領域周辺部の構成について説明する。
図6は、図2のうち張出部10Pの近傍を拡大した拡大断面図である。図6に示すように、張出部10Pには外部回路実装端子202が設けられている。外部回路実装端子202上には、フレキシブル回路基板207が平面的に重なるように配置されている。そして、これらの間に設けられた導電部材208によって、外部回路実装端子202とフレキシブル回路基板207の端子207aとが電気的に接続されている。
図6は、図2のうち張出部10Pの近傍を拡大した拡大断面図である。図6に示すように、張出部10Pには外部回路実装端子202が設けられている。外部回路実装端子202上には、フレキシブル回路基板207が平面的に重なるように配置されている。そして、これらの間に設けられた導電部材208によって、外部回路実装端子202とフレキシブル回路基板207の端子207aとが電気的に接続されている。
図7は、端子202,207aの接続領域を対向基板20側からみた平面図である。図7に示すように、同領域には複数の外部回路実装端子202と、複数のフレキシブル回路基板の端子207aとが図示上下方向に沿って配列されている。TFTアレイ基板上の端子202は、データ線駆動回路201又は走査線駆動回路204(より詳細には当該端子202に対応する走査線又はデータ線等の配線。図1,図3参照)と電気的に接続されており、フレキシブル回路基板上の各端子207aは、フレキシブル回路基板上に形成された金属配線を介して外部回路250と電気的に接続されている。そして、上記接続領域において、各外部回路実装端子202と各フレキシブル回路基板側端子207aとが平面的に重なって配置されており、複数の導通端子208aに跨って上下方向に延在する導電部材208の導電粒子208aのうち、端子202、207a間に挟まれたものが両端子202、207aを電気的に接続している。その余の導電粒子208aは、端子202,207a間の電気的接続に寄与せず、したがって上下方向に関して隣接する端子202、207aが短絡しない構造となっている。
本実施形態の場合、導通部材208は、エポキシ樹脂等の絶縁フィルム208bの内部に導電粒子208aを分散させた異方性導フィルム(ACF)であり、導電粒子208aは、表面に金属膜が被覆された樹脂粒子や金属粒子である。そして、上記異方性導電フィルム208は、フレキシブル回路基板207と外部回路接続端子202との接続に際して、フレキシブル回路基板207の端子207a上に貼着され、基板10,207を貼り合わせることで導電粒子208aが互いに対向する端子202及び端子207aに接触し、両者を導通するようになっている。なお、導電部材208としては、上記異方性導電フィルムに限らず、異方性導電ペースト(導電粒子を内部に分散させた絶縁ペースト)も問題なく用いることができる。
図8は、導電粒子208aによる端子202,207a間の接続部分を拡大した断面図である。図8に示すように、外部回路実装端子202上には窒化チタン等からなる表面保護膜(酸化防止膜)209と、無機材料からなる配向膜16が形成されている。外部回路実装端子202は、図5に示したデータ線6aと同じ工程で作製されたものである。すなわち、図5に示した第2層間絶縁膜4上に、データ線6aと同一工程で外部回路実装端子202が形成され、この外部回路実装端子202上に、表面保護膜19と同一工程で表面保護膜209が形成され、さらに表面保護膜209上に第3層間絶縁膜7が形成される。表面保護膜209上の第3層間絶縁膜7は、配向膜16を形成する前に除去され、表面保護膜209上に配向膜16が形成される。
ここで、従来の液晶装置では、表面保護膜209は、外部回路実装端子202を露出させるために第3層間絶縁膜7と同時に除去されていた。しかしながら、表面保護膜209を除去してしまうと、アルミニウム等からなる外部回路実装端子202の表面が酸化されてしまい、大きな抵抗を有するアルミナ等が形成されてしまう。このような酸化膜は、液晶のコモン電位を大きく変動させると共に、長期通電によって焼き付き等の原因となる。また、配向膜16が外部回路実装端子202上に形成されている場合には、導電粒子208aによって押し潰された配向膜16Aが導電粒子208aの隙間に入り込み、外部回路実装端子202との接触面積を小さくしてしまう。ポリイミド配向膜等の有機配向膜の場合には、導電粒子208aを更に加圧することでこのような配向膜を容易に排出できるが、無機配向膜の場合は配向膜自体が硬い材料で形成されるため、導電粒子208aを加圧するだけではこのような配向膜16Aは容易に排出できない。したがって、無機配向膜16Aと表面保護膜209とが2重の障害となって、可変抵抗がより一層大きなものとなってしまう。
そこで、本実施形態では、第3層間絶縁膜7を除去する際に表面保護膜209を除去せずに、その一部又は全部を酸化防止膜として残している。そして、外部回路実装端子202上に露出した表面保護膜209を介して外部回路実装端子202上に電子部品を実装している。この場合、表面保護膜209として抵抗の低い導体又はエネルギーギャップの小さい半導体を用いれば、従来よりも接続部の抵抗を小さくすることができ、その結果、コモン電位の変動による映像のチラツキや焼き付き等の生じない表示品質の高い映像表示を実現できる。
図9は、表面保護膜209を半導体で構成した場合のエネルギーギャップとコモン電位の変動量との関係を示す図である。映像のチラツキ等を防止するためには、コモン電位の変動量を例えば0.05eV以下の範囲に抑えることが必要である。図9によれば、コモン電位の変動量を上記範囲に抑えるには、表面保護膜209のエネルギーギャップを5.5eV以下の範囲とすることが必要である。このような材料としては、TiO2(3.0eV)、Ta2O5(4.4eV)等を用いることができる。
なお、図9ではエネルギーギャップが4.5eV以下の範囲でコモン電位変動が0となっている。これは、表面保護膜209内に、電荷(キャリア)を捕獲する多数の捕獲サイトが存在し、これにより電荷のポテンシャル障壁が低下することによる。つまり、表面保護膜209内にこのような捕獲サイトが存在すると、表面保護膜209のエネルギーバンドには、当該捕獲サイトに起因したエネルギー準位が形成される。このエネルギー準位のポテンシャル障壁は表面保護膜本来のポテンシャル障壁(エネルギーギャップ)よりも低いため、表面保護膜209のエネルギーギャップが0にならなくてもトンネル効果によって電荷が容易に伝導できる場合があるのである。表面保護膜209として形成されるTiO2等には酸素欠損等が多く含まれるため、それらが電荷の捕獲サイトとなってエネルギー準位を形成すると考えられる。
また、表面保護膜209が抵抗の低い導電材料で形成されていれば、コモン電位の変動量はゼロとなるため、焼き付き等の問題は生じない。このような導電材料としては、Ti,TiN,Taを用いることができる。Ti,TiN,Taは遮光性を有するため、これらの材料によって表面保護膜209を形成すれば、表面保護膜209が遮光膜となって、対向基板20側から入射される光がTFT30のチャネル領域1a′又はLDD領域(低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1c)に入射するのを防止することができる。
なお、本実施形態では、外部回路実装端子202上の表面保護膜209とデータ線6a上の表面保護膜19とを同じ材料で形成したが、これらの材料は必ずしも同じである必要はない。表面保護膜19と表面保護膜209に要求される機能は必ずしも一致しないからである。
例えば、第3層間絶縁膜7を除去した後、外部回路実装端子202上に露出した表面保護膜を、より適切な材料に転換することが可能である。この場合、まず、外部回路実装端子202及びデータ線6aの表面に、データ線6aの保護膜として好適な材料からなる第1表面保護膜(第1酸化防止膜)を形成する。そして、この第1表面保護膜上に第3層間絶縁膜7を介して画素電極9を形成し、外部回路実装端子202上の第3層間絶縁膜7を除去した後、外部回路実装端子202上に露出した第1表面保護膜を改質し、所定の導電性を有する導体又は所定のエネルギーギャップ(5.5eV以下)を有する半導体からなる第2表面保護膜(第2酸化防止膜)を形成する。第1表面保護膜を改質する工程は、第1表面保護膜の表面に配向膜16を形成し、この配向膜16の表面に設けられた細孔を介して第1表面保護膜に改質材を供給することにより行なうことができる。配向膜16の表面には下地の第1表面保護膜に通じる多数の細孔が形成されているからである。また、第1表面保護膜を改質する工程は、TFTアレイ基板10をシール材52を介して対向基板20と貼り合わせた後に行なうことが望ましい。こうすることで、基板10,20がマスクとなってパネル内部が保護され、品質低下の防止及び歩留まりの向上が図られるからである。
このような構成として、例えば、第1表面保護膜(データ線6a上の表面保護膜19)をTiNとし、第2表面保護膜(外部回路実装端子202上の表面保護膜209)をTiNとTiO2の積層膜とする構成が挙げられる。第2表面保護膜209は、第1表面保護膜であるTiN膜の表面を酸化処理することにより形成される。酸化処理は、例えば、酸素を改質材とするプラズマ処理により行なわれる。この構成によれば、画素部の表面保護膜19を遮光膜として利用しつつ、外部回路実装端子202の表面保護膜209をエネルギーギャップの制御された適切な材料とすることができる。
また、第3層間絶縁膜7を除去した後、外部回路実装端子202上に露出した第1表面保護膜上に下地膜を形成し、該下地膜と該第1表面保護膜によって新たな第2表面保護膜を形成することも可能である。この場合、まず、外部回路実装端子202及びデータ線6aの表面に、データ線6aの保護膜として好適な材料からなる第1表面保護膜(第1酸化防止膜)を形成する。そして、この第1表面保護膜上に第3層間絶縁膜7を介して画素電極9を形成し、外部回路実装端子202上の第3層間絶縁膜7を除去した後、外部回路実装端子202上に露出した第1表面保護膜を含む基板全面に、配向膜16の下地膜を形成する。そして、この下地膜と第1表面保護膜とで、所定の導電性を有する導体又は所定のエネルギーギャップ(5.5eV以下)を有する半導体からなる第2表面保護膜(第2酸化防止膜)を形成する。下地膜は、その表面に形成される配向膜16と密着性が高く、且つ下地の第1表面保護膜とも密着性が高い材料が選択される。例えば、第1表面保護膜をTiNで形成し、配向膜16をSiO2等の無機酸化物膜で形成した場合には、下地膜としてTiOxが選択される。また、第1表面保護膜をTa又はTaNで形成し、配向膜16をSiO2等の無機酸化物膜で形成した場合には、下地膜としてTa2O5が選択される。
以上説明したように、本実施形態においては、外部回路実装端子202上の表面保護膜209が抵抗の低い材料又はエネルギーギャップの小さい材料によって形成されているので、長期の駆動を行なってもコモン電位が変動せず、焼き付き等の生じない信頼性の高い映像表示が実現される。
[電子機器]
次に、本発明の電子機器の一例であるプロジェクタの一実施形態を図10を用いて説明する。図10は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前述した実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
次に、本発明の電子機器の一例であるプロジェクタの一実施形態を図10を用いて説明する。図10は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前述した実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
図10において、810は光源、813、814はダイクロイックミラー、815、816、817は反射ミラー、818は入射レンズ、819はリレーレンズ、820は出射レンズ、822、823、824は本発明の液晶装置からなる光変調手段、825はクロスダイクロイックプリズム、826は投射レンズである。光源810は、メタルハライド等のランプ811とランプの光を反射するリフレクタ812とからなる。
ダイクロイックミラー813は、光源810からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー817で反射されて、赤色光用光変調手段822に入射される。また、ダイクロイックミラー813で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー814によって反射され、緑色光用光変調手段823に入射される。さらに、ダイクロイックミラー813で反射された青色光は、ダイクロイックミラー814を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ818、リレーレンズ819および出射レンズ820を含むリレーレンズ系からなる導光手段821が設けられている。この導光手段821を介して、青色光が青色光用光変調手段824に入射される。
各光変調手段822、823、824により変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム825に入射する。このクロスダイクロイックプリズム825は4つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがX字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ826によってスクリーン827上に投影され、画像が拡大されて表示される。
このプロジェクタは、上述した本発明の液晶装置を光変調手段として備えている。このため、コモン電位の長期通電による不安定さを改善し、長期にわたって良好な表示品質を維持することのできるプロジェクタとなる。
なお、本発明の技術的範囲は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、前述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、前記実施形態ではスイッチング素子としてTFTを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード(Thin Film Diode)等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、前記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、前記実施形態ではVA(Vertical Alignment)モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、TN(Twisted Nematic)モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態では3板式の投射型表示装置(プロジェクタ)を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばICカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、DSP装置、PDA、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
6a…データ線(配線)、7…層間絶縁膜、9…画素電極、10…TFTアレイ基板、16,22…配向膜(無機配向膜)、19…表面保護膜(第1酸化防止膜)、20…対向基板、30…TFT(画素スイッチング素子)、52…シール材、100…液晶装置、202…外部回路実装端子(接続端子)、207…フレキシブル回路基板(電子部品)、209…表面保護膜(第2酸化防止膜)
Claims (5)
- 基板上に接続端子を有する液晶装置であって、
前記接続端子の表面に酸化防止膜が設けられ、前記酸化防止膜が導体又はエネルギーギャップが5.5eV以下の半導体からなることを特徴とする液晶装置。 - 前記酸化防止膜が、Ti,TiN,TiO2,Ta,Ta2O5のいずれかの材料からなることを特徴とする請求項1記載の液晶装置。
- 前記基板上に画素スイッチング素子が設けられ、
前記酸化防止膜が遮光性材料からなり、
前記酸化防止膜が前記画素スイッチング素子と平面的に重なるように配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載の液晶装置。 - 基板上に、接続端子と、該接続端子と電気的に接続される配線とを形成する工程と、
前記接続端子及び前記配線の表面に、導体又はエネルギーギャップが5.5eV以下の半導体からなる酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜上に層間絶縁膜を介して画素電極を形成する工程と、
前記接続端子上の層間絶縁膜を除去する工程と、
前記接続端子上に露出した前記酸化防止膜を介して前記接続端子上に電子部品を実装する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかの項に記載の液晶装置又は請求項4記載の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2006049775A JP2007226093A (ja) | 2006-02-27 | 2006-02-27 | 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器 |
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-
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