JP2007220882A - 埋込配線の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 配線溝孔3をエッチングした後に、バリア膜及びメッキシード層を成膜し、次いで、配線溝孔3をメッキ法により導電体層4で埋め込んだのち、気体状態の有機系ガス5により導電体層4の熱処理を行う。
【選択図】 図1
Description
その際用いられるアニール条件は、大気または不活性ガス雰囲気で100〜400℃で、5秒〜1 時間程度行われる。
従来のアニール処理は、大気中または不活性ガス中で行われるが、アニールにより銅粒界がある程度は成長し、成長にともないめっき中のボイドがめっき層の上部に移動し、上部に移動したボイドはCMP工程において取除かれる。
この残留した銅酸化物は配線抵抗上昇の原因となる。
なお、図における符号1は、下層の配線である。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、埋込配線6の形成方法において、配線溝孔3をエッチングした後に、バリア膜及びメッキシード層を成膜し、次いで、配線溝孔3をメッキ法により導電体層4で埋め込んだのち、気体状態の有機系ガス5により導電体層4の熱処理を行う工程を有することを特徴とする
この時、導電体層4内部のボイドは元来粒界に分布していることから、銅酸化物の移動と共に表面に移動することとなる。
したがって、従来のアニール効果による粒成長加え、有機系ガス5による処理による粒界内不純物除去により、信頼性の高いデバイスを提供することができる。
なお、カルボン酸の分子量が大きくなるほど反応がソフトになる。
,Cl)〕を用いて還元して清浄化される。
例えば、カルボン酸としてギ酸〔HCOOH:メタン酸(methanoic acid)〕を用いた場合、酸化銅(CuO)は反応式、
HCOOH+CuO→Cu+CO2 +H2 O
に基づいて、また、亜酸化銅(Cu2 O)は反応式、
HCOOH+Cu2 O→2Cu+CO2 +H2 O
に基づいて、それぞれ金属銅に還元される。
即ち、この還元反応は、金属銅を生成する方向に進行し易く、この方向に反応が進行する還元温度で処理を行うことにより、半導体装置の製造過程で電極や配線に生成した酸化銅あるいは亜酸化銅を還元することができるようになる。
酢酸〔CH3 COOH:エタン酸(ethanoic acid )〕
プロピオン酸〔C2 H5 COOH:プロパン酸(propanoic acid)〕 酪酸〔C3 H7 COOH:ブタン酸(butanoic acid )〕
などの比較的沸点の低いものを用いるのが好ましい。
図2参照
図2は本発明の実施に用いる熱処理装置の概念的構成図である。
この熱処理装置は、アッシング装置を兼ねる熱処理装置であり、ガス導入口12及び排気口13を備えた処理チャンバー11、処理チャンバー11内に設けられたステージを兼ねる下部電極14、下部電極14と対向するように設けられたリング状上部電極15、リング状上部電極15の中央部に移動可能に嵌め込まれた有機系ガス噴出シャワーヘッド16、有機系材料を貯蔵する貯蔵槽19と有機系ガス噴出シャワーヘッド16との間に接続された有機系ガス供給用配管17、有機系ガス供給用配管17の途中に設けられ有機系材料を加熱して気化して有機系ガスとする気化器18、及び、ステージを兼ねる下部電極14の下部に配置されて被処理基板21を加熱するヒータ20によって構成される。
図3参照
まず、p型シリコン基板31に素子分離絶縁膜32を形成したのち、ゲート絶縁膜33を介してゲート電極34を設け、このゲート電極34をマスクとしてn型不純物を導入することによってn型エクステンション領域35を形成し、次いで、サイドウォール36を形成したのち、再び、n型不純物を導入することによって、n型ソース・ドレイン領域37を形成する。
次いで、被処理基板を処理チャンバー11より取り出したのち、CMP法によって不要部を除去することによって第1Cu埋込配線49を形成する。
次いで、次いで、再び、配線用溝55及びビアホール56をTaNからなるバリア膜57を介してCu埋込層58で埋め込む(なお、Cuメッキシード層を図示を省略する)。
図6参照
まず、図示を省略するが、図4と全く同様にMOSFET及びn型ソース・ドレイン領域上に設けたCoシリサイド電極に接続するWプラグ44を形成したのち、プラズマCVD法を用いてSiOCからなる第1配線用絶縁膜45を堆積させたのち、Wプラグ44を露出する配線用溝を形成する。
次いで、TaNからなるバリア膜63を介してCu埋込層64で電気メッキ法によって埋め込んだのち(なお、Cuメッキシード層を図示を省略する)、被処理基板を処理チャンバー11内に移し、有機系ガス噴出シャワーヘッド16から気化器18によって気化された蟻酸ガス65を蟻酸ガス65の分圧が200Paになるように導入して、ヒータ20によって基板温度を150℃とし、全圧が200Torrの状態で還元時間2分で被処理基板を還元処理して、Cu埋込層64の表面を蟻酸化反応によって処理、還元反応で生成されたCO2 及び水蒸気(H2 O)とともに、不純物を排気口13から排気除去する。
次いで、再び、フロロカーボン系のエッチングガスを用いたプラズマエッチングによって、第2配線用絶縁膜53にCuビア66に達する幅が例えば、0.12μmの配線用溝67を形成する。
2 層間絶縁膜
3 配線溝孔
4 導電体層
5 有機系ガス
6 埋込配線
11 処理チャンバー
12 ガス導入口
13 排気口
14 下部電極
15 リング状上部電極
16 有機系ガス噴出シャワーヘッド
17 有機系ガス供給用配管
18 気化器
19 貯蔵槽
20 ヒータ
21 被処理基板
31 p型シリコン基板
32 素子分離絶縁膜
33 ゲート絶縁膜
34 ゲート電極
35 n型エクステンション領域
36 サイドウォール
37 n型ソース・ドレイン領域
38 Coシリサイド電極
39 Coシリサイド電極
40 SiO2 膜
41 BPSG膜
42 SiCN膜
43 バリア膜
44 Wプラグ
45 第1配線用絶縁膜
46 バリア膜
47 Cu埋込層
48 蟻酸ガス
49 第1Cu埋込配線
50 SiCN膜
51 ビア形成用絶縁膜
52 SiCN膜
53 第2配線用絶縁膜
54 SiCN膜
55 配線用溝
56 ビアホール
57 バリア膜
58 Cu埋込層
59 蟻酸ガス
60 Cuビア
61 第2Cu埋込配線
62 ビアホール
63 バリア膜
64 Cu埋込層
65 蟻酸ガス
66 Cuビア
67 配線用溝
68 バリア膜
69 Cu埋込雄
70 蟻酸ガス
71 第2Cu埋込配線
Claims (5)
- 配線溝孔エッチング後に、バリア膜及びメッキシード層を成膜し、次いで、前記配線溝孔をメッキ法により導電体層で埋め込んだのち、気体状態の有機系ガスにより前記導電体層の熱処理を行う工程を有することを特徴とする埋込配線の形成方法。
- 上記有機系ガスがカルボン酸を有することを特徴とする請求項1記載の埋込配線の形成方法。
- 上記カルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸或いは酪酸の内のいずれか1種であるであることを特徴とする請求項2記載の埋込配線の形成方法。
- 上記有機系ガスがアルコール類であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の埋込配線の形成方法。
- 上記導電体層が、銅或いは銅を含む合金からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の埋込配線の形成方法。
Priority Applications (1)
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JP2006039263A JP2007220882A (ja) | 2006-02-16 | 2006-02-16 | 埋込配線の形成方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012144755A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Hitachi Chemical Co Ltd | 金属銅膜の作製方法及び印刷金属銅パターン |
JP5450780B1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-03-26 | 有限会社 ナプラ | 微細空間内に導体を形成する方法 |
JP2017050339A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ハロゲン除去方法および半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
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JP2003533880A (ja) * | 2000-05-15 | 2003-11-11 | エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ | 集積回路の製造方法 |
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2006
- 2006-02-16 JP JP2006039263A patent/JP2007220882A/ja active Pending
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