JP2007220780A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】キャビティーと貫通孔を同一基板に効率よく形成することが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】機能素子12が形成された半導体基板11と、該半導体基板11と接合される接合基材20とを備え、接合基材20は、半導体基板11の機能素子12に臨んで一定の空間13が形成されるように設けられたキャビティー22と、接合基材20の両面21、23に開口した貫通孔24とを有する半導体デバイス10の製造方法において、接合基材20の一方の面21からキャビティー22の形成と同時に貫通孔24の位置にキャビティー22の深さまで有底孔25を形成する工程と、接合基材20の他方の面23から前記有底孔25に連通する連通孔26を形成して前記貫通孔24を貫通する工程とを有する方法により、接合基材20を加工する。これにより、加工精度の向上が図れる。
【選択図】図1
【解決手段】機能素子12が形成された半導体基板11と、該半導体基板11と接合される接合基材20とを備え、接合基材20は、半導体基板11の機能素子12に臨んで一定の空間13が形成されるように設けられたキャビティー22と、接合基材20の両面21、23に開口した貫通孔24とを有する半導体デバイス10の製造方法において、接合基材20の一方の面21からキャビティー22の形成と同時に貫通孔24の位置にキャビティー22の深さまで有底孔25を形成する工程と、接合基材20の他方の面23から前記有底孔25に連通する連通孔26を形成して前記貫通孔24を貫通する工程とを有する方法により、接合基材20を加工する。これにより、加工精度の向上が図れる。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧力センサや高周波デバイス等、気密パッケージを必要とするデバイスのウエハレベルパッケージに用いるのに好適な半導体デバイスの製造方法に関する。
圧力センサや各種フィルタに代表される高周波デバイスにおいては、デバイスの特性や信頼性を確保するため、気密パッケージが必要な場合が多い。気密パッケージとした半導体デバイスの一例として、例えば特許文献1に記載された圧力センサは、図1(d)に示すように、センサ回路(図示略)が形成されるシリコン基板11と、圧力センサのダイアフラム12に対応するようにキャビティー22を有するガラス台座20とが接合されてなり、ガラス台座20には圧力センサと電気的に接続できるよう貫通孔24に導電性物質を充填してなる貫通配線15が形成されている。キャビティー22とダイアフラム12とに囲まれた空間13には、デバイスの特性を維持するために気密性が要求される。
この圧力センサ10は、センサ回路が形成されたシリコン基板11とキャビティー22及び貫通孔24が形成されたガラス台座20とをウエハレベルで接合し、各工程を通過した後、最後に個片化することで、ウエハレベルチップスケールパッケージ(WLCSP)が実現できる。
特開2004−177343号公報
この圧力センサ10は、センサ回路が形成されたシリコン基板11とキャビティー22及び貫通孔24が形成されたガラス台座20とをウエハレベルで接合し、各工程を通過した後、最後に個片化することで、ウエハレベルチップスケールパッケージ(WLCSP)が実現できる。
ところで、このパッケージ構造においては、気密空間13が形成されるキャビティー22と、貫通配線15が形成される貫通孔24とが、同じ一つの台座20に形成されている。このように加工面積及び基板の垂直方向への深さが異なる2つの構造体を同一基板に形成することは一般に容易ではなく、加工時間や形状が大きく異なるため、加工法の選定やプロセスの設計が大変重要な課題となる。しかしながら特許文献1では、貫通孔を形成した後にキャビティーを形成する方法を例示しているものの(特許文献1の図2参照)、キャビティーと貫通孔を一つの台座に形成するための基板の加工方法及びプロセスの最適化については、特に検討されてはいない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、キャビティーと貫通孔を同一基板に効率よく形成することが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、本発明は、機能素子が形成された半導体基板と、該半導体基板と接合される接合基材とを備え、前記接合基材は、前記半導体基板の機能素子に臨んで一定の空間が形成されるように設けられたキャビティーと、前記接合基材の両面に開口した貫通孔とを有する半導体デバイスの製造方法において、前記接合基材の加工は、該基材の一方の面から前記キャビティーの形成と同時に前記貫通孔の位置に前記キャビティーの深さまで有底孔を形成する工程と、前記基材の他方の面から前記有底孔に連通する連通孔を形成して前記貫通孔を貫通する工程とを有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法を提供する。
前記キャビティー及び有底孔の形成、並びに前記連通孔の形成は、エッチング、レーザー加工、サンドブラストのうちいずれか一つを含むことが好ましい。
前記接合基材は、シリコン、ガラス、セラミック、樹脂、又はこれらの複合材からなるものであることが好ましい。
前記キャビティー及び有底孔の形成、並びに前記連通孔の形成は、エッチング、レーザー加工、サンドブラストのうちいずれか一つを含むことが好ましい。
前記接合基材は、シリコン、ガラス、セラミック、樹脂、又はこれらの複合材からなるものであることが好ましい。
本発明の半導体デバイスの製造方法によれば、基材の一方の面からの加工によりキャビティー及び該キャビティーと同程度の深さの孔を同時に形成した後、基材の他方の面からの加工により孔を連通させて貫通孔を貫通するようにしたので、加工深さが深くなるに従って生じる加工速度の低下や加工精度のばらつきを低減できるとともに、加工不良を少なくすることができる。
また本発明によれば、接合基材を高精度に加工できるので高機能なモジュールを実現できる上、半導体基板と接合される接合基材として、シリコン、ガラス、セラミック、樹脂、又はこれらの複合材など、多様な材料を採用することが可能であるので、多種多様な半導体パッケージの製造に適用が可能である。
また本発明によれば、接合基材を高精度に加工できるので高機能なモジュールを実現できる上、半導体基板と接合される接合基材として、シリコン、ガラス、セラミック、樹脂、又はこれらの複合材など、多様な材料を採用することが可能であるので、多種多様な半導体パッケージの製造に適用が可能である。
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
本発明により製造される半導体デバイスは、図1(d)に示すように、機能素子12が形成された半導体基板11と、この半導体基板11と接合される接合基材20とを備える。ここで、接合基材20は、半導体基板11の機能素子12に臨んで一定の空間13が形成されるよう接合基材20の一方の面21に設けられたキャビティー22と、貫通配線15の形成のため接合基材20の両面21、23に開口した貫通孔24とを有するものである。
なお、本発明において接合基材20の一方の面21とはキャビティー22が設けられる側の面であり、接合基材20の他方の面23とはその反対側の面である。
本発明により製造される半導体デバイスは、図1(d)に示すように、機能素子12が形成された半導体基板11と、この半導体基板11と接合される接合基材20とを備える。ここで、接合基材20は、半導体基板11の機能素子12に臨んで一定の空間13が形成されるよう接合基材20の一方の面21に設けられたキャビティー22と、貫通配線15の形成のため接合基材20の両面21、23に開口した貫通孔24とを有するものである。
なお、本発明において接合基材20の一方の面21とはキャビティー22が設けられる側の面であり、接合基材20の他方の面23とはその反対側の面である。
図1は、一例として圧力センサに用いられる半導体デバイス10及びその製造方法を示す図面であって、この半導体デバイス10は機能素子としてダイアフラム12を有する。このダイアフラム12とキャビティー22との間には、半導体基板11に形成されたダイアフラム12が変位して接合基材20に接触することを避けるため空間13が確保されている。
半導体基板11は不図示のセンサ回路を有し、該センサ回路はメタルパッド14に接続された貫通配線15を介して外部と電気的に接続できるようになっている。ここで貫通配線15は、貫通孔24への導電性物質の充填により形成することができる。
半導体基板11と接合基材20とが接合される面には、センサ回路を封止するためのシール用メタル(不図示)が設けられ、パッケージの内部を気密に封止している。
半導体基板11と接合基材20とが接合される面には、センサ回路を封止するためのシール用メタル(不図示)が設けられ、パッケージの内部を気密に封止している。
この例に示すように、キャビティー22と貫通孔24を有する接合基材20を作製するため、本発明では、まず第1工程として図1(a)に示すように、接合基材20の一方の面21からキャビティー22の形成と同時に貫通孔24を形成すべき位置にキャビティー22の深さまで有底孔25を形成し、次いで第2工程として図1(b)に示すように、接合基材20の他方の面23から有底孔25に連通する連通孔26を形成して、貫通孔24を貫通するようにしている。
接合基材20の材料は特に限定されないが、好適なものとしては、ガラス、シリコン等の半導体、セラミック、樹脂、又はこれらの複合材からなる基材が例示できる。接合基材20の厚さも特に限定されないが、例えば150μm〜1mm程度が好適である。具体例としては、大きさが4インチで厚さが約300μmのガラス基板(例えばパイレックス(登録商標)製)が挙げられる。
第1工程におけるキャビティー22及び有底孔25の形成、並びに第2工程における連通孔26の形成は、特に限定されないが、好適にはエッチング、レーザー加工、サンドブラストのうちいずれか一つを含む方法、すなわち、上記の手法から選択した1つによってもよく、複数の手法を組み合わせてもよい。これらの方法を用いて孔あけ加工を行うことにより、ウエハ面内で均一な加工を行うことが可能となる。
エッチングとしては、エッチングガスを用いるドライエッチング、エッチング溶液を用いるウェットエッチング等が挙げられる。
エッチングとしては、エッチングガスを用いるドライエッチング、エッチング溶液を用いるウェットエッチング等が挙げられる。
本発明の第1工程においては、キャビティー22と有底孔25とを同時に加工する結果、有底孔25の深さは、キャビティー22の深さと同程度となる。また、有底孔25の径は、目的とする貫通孔24の径に合わせて設定される。
キャビティー22の深さ及び有底孔25の径は特に限定されないが、例えばキャビティー22の深さは数μm〜100μm程度まで適宜設定でき、有底孔25の径は、孔の加工方法に依存するものであるが、50μm〜300μm程度まで適宜設定できる。
一例として、キャビティー22の深さを50μm、貫通孔24の径を150μmとするとき、有底孔25としては、深さが約50μm、径が約150μmの微細孔を形成する。
キャビティー22の深さ及び有底孔25の径は特に限定されないが、例えばキャビティー22の深さは数μm〜100μm程度まで適宜設定でき、有底孔25の径は、孔の加工方法に依存するものであるが、50μm〜300μm程度まで適宜設定できる。
一例として、キャビティー22の深さを50μm、貫通孔24の径を150μmとするとき、有底孔25としては、深さが約50μm、径が約150μmの微細孔を形成する。
また、第2工程における連通孔26の加工の深さは、該連通孔26が第1工程における有底孔25の底部に達する(連通する)まで行われる。連通孔26の径は、目的とする貫通孔24の径に合わせて設定され、有底孔25と同径にされる。
例えば、接合基材20の厚さが約300μm、有底孔25の深さが約50μmである場合には、接合基材20の他方の面23から連通孔26を加工する残りの深さは、約250μmである。連通孔26の径は、孔の加工方法に依存するものであるが、50μm〜300μm程度まで適宜設定できる。
例えば、接合基材20の厚さが約300μm、有底孔25の深さが約50μmである場合には、接合基材20の他方の面23から連通孔26を加工する残りの深さは、約250μmである。連通孔26の径は、孔の加工方法に依存するものであるが、50μm〜300μm程度まで適宜設定できる。
本発明により作製した接合基材20を用いて半導体デバイス10を製造方法は特に限定されないが、例えば、図1(c)に示すように、キャビティー22と機能素子12、貫通孔24とメタルパッド14がそれぞれ面内で対応するように接合基材20と半導体基板11とを接合した後、図1(d)に示すように、メタルパッド14と電気的に接続された貫通配線15を貫通孔24内に形成する方法が挙げられる。
接合基材20と半導体基板11との接合は、陽極接合等の手法により、双方がウェハの状態で接合することができる。この際、半導体基板11と接合基材20とに挟まれた空間の気密が取れるように接合される。
貫通配線15の形成方法としては、スクリーン印刷法、溶融金属吸引法等によって貫通孔24内に導電性物質を充填する方法等が挙げられる。あるいは、スパッタ法や蒸着法、無電解めっき等により貫通孔24の孔壁に導電性物質の膜を形成し、この膜を給電層にして電解めっきで導電性物質を成長させる方法を用いても良い。接合基材20の他方の面23には、貫通配線15への電気的接続を容易にするため、必要に応じて、導電性のバンプやパッド等(不図示)を形成することができる。
接合基材20と半導体基板11とをウェハの状態で接合した場合、ウエハ上の各デバイスの加工工程が完了した後、最後に個片化することで、ウエハレベルチップスケールパッケージ(WLCSP)を実現することができる。
貫通配線15の形成方法としては、スクリーン印刷法、溶融金属吸引法等によって貫通孔24内に導電性物質を充填する方法等が挙げられる。あるいは、スパッタ法や蒸着法、無電解めっき等により貫通孔24の孔壁に導電性物質の膜を形成し、この膜を給電層にして電解めっきで導電性物質を成長させる方法を用いても良い。接合基材20の他方の面23には、貫通配線15への電気的接続を容易にするため、必要に応じて、導電性のバンプやパッド等(不図示)を形成することができる。
接合基材20と半導体基板11とをウェハの状態で接合した場合、ウエハ上の各デバイスの加工工程が完了した後、最後に個片化することで、ウエハレベルチップスケールパッケージ(WLCSP)を実現することができる。
ここで、キャビティー22及び貫通孔24を有する接合基材20を製造する方法として、本発明による方法(図2)と、普通に考えられる片面からの加工方法(図3)とを比較することにより、本発明の効果を説明する。
本発明においては、接合基材20は以下のようにして加工することができる。
まず、図2(a)に示すように接合基材20の一方の面21にレジスト(第1のレジスト)31を塗布し、次いで図2(b)に示すようにフォトリソグラフィーによりキャビティー22に対応する箇所32及び貫通孔24に対応する箇所33でレジスト31を除去してパターニングする。次いで図2(c)に示すように、サンドブラスト等で所定の深さまで孔あけ加工し、キャビティー22及び有底孔25を形成する。さらに裏面加工に先立って図2(d)に示すように残りのレジスト31を除去する。
図2(e)に示すように接合基材20の他方の面23から貫通孔24の残りの部分を加工するため、他方の面23にレジスト(第2のレジスト)34を塗布し、次いで図2(f)に示すようにフォトリソグラフィーにより一方の面21から形成した有底孔25に対応する箇所35をパターニングする。次いで図2(g)に示すように、サンドブラスト等で有底孔25に連通するまで連通孔26を孔あけ加工し、有底孔25と連通孔26とにより、貫通孔24を貫通する。最後に、図2(h)に示すように残りのレジスト34を除去して、キャビティー22及び貫通孔24を有する接合基材20が完成する。
まず、図2(a)に示すように接合基材20の一方の面21にレジスト(第1のレジスト)31を塗布し、次いで図2(b)に示すようにフォトリソグラフィーによりキャビティー22に対応する箇所32及び貫通孔24に対応する箇所33でレジスト31を除去してパターニングする。次いで図2(c)に示すように、サンドブラスト等で所定の深さまで孔あけ加工し、キャビティー22及び有底孔25を形成する。さらに裏面加工に先立って図2(d)に示すように残りのレジスト31を除去する。
図2(e)に示すように接合基材20の他方の面23から貫通孔24の残りの部分を加工するため、他方の面23にレジスト(第2のレジスト)34を塗布し、次いで図2(f)に示すようにフォトリソグラフィーにより一方の面21から形成した有底孔25に対応する箇所35をパターニングする。次いで図2(g)に示すように、サンドブラスト等で有底孔25に連通するまで連通孔26を孔あけ加工し、有底孔25と連通孔26とにより、貫通孔24を貫通する。最後に、図2(h)に示すように残りのレジスト34を除去して、キャビティー22及び貫通孔24を有する接合基材20が完成する。
これに対して図3に示す片面からの加工方法は以下のとおりである。
まず、図3(a)に示すように接合基材20の一方の面21にレジスト(第1のレジスト)41を塗布し、次いで図3(b)に示すようにフォトリソグラフィーによりキャビティー22に対応する箇所42及び貫通孔24に対応する箇所43でレジスト41を除去してパターニングする。次いで図3(c)に示すように、サンドブラスト等で所定の深さまで孔あけ加工し、キャビティー22及び有底孔25を形成する。さらに貫通孔24に対応する箇所を引き続き加工するためには、キャビティー22を保護しなければならないため、図3(d)に示すように残りのレジスト41を除去する。
まず、図3(a)に示すように接合基材20の一方の面21にレジスト(第1のレジスト)41を塗布し、次いで図3(b)に示すようにフォトリソグラフィーによりキャビティー22に対応する箇所42及び貫通孔24に対応する箇所43でレジスト41を除去してパターニングする。次いで図3(c)に示すように、サンドブラスト等で所定の深さまで孔あけ加工し、キャビティー22及び有底孔25を形成する。さらに貫通孔24に対応する箇所を引き続き加工するためには、キャビティー22を保護しなければならないため、図3(d)に示すように残りのレジスト41を除去する。
そして図3(e)に示すように接合基材20の一方の面21に再度レジスト(第2のレジスト)44を塗布し、次いで図3(f)に示すようにフォトリソグラフィーにより有底孔25に対応する箇所45をパターニングする。次いで図3(g)に示すように、サンドブラスト等で接合基材20の他方の面23に達するまで有底孔25の底から孔あけ加工し、貫通孔24を貫通する。最後に、図3(h)に示すように残りのレジスト44を除去して、キャビティー22及び貫通孔24を有する接合基材20が完成する。
このように、いずれの方法においても工程数は同じであるが、図3に示す片面からの加工では、いくつかの大きな問題が存在する。
まず、図3(e)の工程において、片面からの加工では、キャビティー22及び有底孔25が形成されている面21に対してレジスト44の塗布を行うため、レジスト44がキャビティー22及び有底孔25に流れ落ちてしまう。このためキャビティー22の段差の部分46をきちんと保護できず、結果として、段差の部分46のレジスト不足がキャビティー22の加工不良の原因となる。
また、図3(f)の工程において、有底孔25に対応する部分のレジスト47を除去する際、図3(e)の工程で塗布したレジストが有底孔25に流れ落ちているため、これを完全に除去することは難しく、結果として、有底孔25内のレジスト47の残留が貫通孔24の加工不良の原因となる。
さらに、図3(g)の工程において、有底孔25を延長して貫通孔24を貫通する際、片面からの加工となるため、孔あけ加工の深さが深くなるに従い、加工速度の低下や加工精度のばらつきが生じ、その結果、貫通孔24の加工不良の原因となる。
まず、図3(e)の工程において、片面からの加工では、キャビティー22及び有底孔25が形成されている面21に対してレジスト44の塗布を行うため、レジスト44がキャビティー22及び有底孔25に流れ落ちてしまう。このためキャビティー22の段差の部分46をきちんと保護できず、結果として、段差の部分46のレジスト不足がキャビティー22の加工不良の原因となる。
また、図3(f)の工程において、有底孔25に対応する部分のレジスト47を除去する際、図3(e)の工程で塗布したレジストが有底孔25に流れ落ちているため、これを完全に除去することは難しく、結果として、有底孔25内のレジスト47の残留が貫通孔24の加工不良の原因となる。
さらに、図3(g)の工程において、有底孔25を延長して貫通孔24を貫通する際、片面からの加工となるため、孔あけ加工の深さが深くなるに従い、加工速度の低下や加工精度のばらつきが生じ、その結果、貫通孔24の加工不良の原因となる。
以上述べたように、これらの問題は、いずれも加工不良や歩留まり低下の原因となってしまう。一方、本発明による製造方法では、一方の面21にキャビティー22と貫通孔24の一部25を同時に形成し、貫通孔24の残りの部分26は反対側の面23から加工するため、これらの問題は全く発生せず、基板の面内での加工歩留まりを大きく向上することが可能となる。
本発明は、キャビティーと貫通孔を有する接合基材を半導体基板と接合した半導体デバイスに対して、特に制限なく適用することが可能であり、このような半導体デバイスの例としては、圧力センサの他、各種フィルタに代表される高周波デバイス等が挙げられる。本発明は、気密パッケージを必要とする半導体デバイスをウエハレベルパッケージで製造するとき、接合基材となるウエハに対して多数のキャビティー及び貫通孔の形成を高精度に行うことができ、かつ歩留まりを向上できるので、特に好適である。
10…圧力センサ(半導体デバイス)、11…シリコン基板(半導体基板)、12…ダイアフラム(機能素子)、13…空間、14…メタルパッド、15…貫通配線、20…ガラス台座(接合基材)、21…キャビティー側の面(一方の面)、22…キャビティー、23…反対側の面(他方の面)、24…貫通孔、25…微細孔(有底孔)、26…連通孔。
Claims (3)
- 機能素子が形成された半導体基板と、該半導体基板と接合される接合基材とを備え、前記接合基材は、前記半導体基板の機能素子に臨んで一定の空間が形成されるように設けられたキャビティーと、前記接合基材の両面に開口した貫通孔とを有する半導体デバイスの製造方法において、
前記接合基材の加工は、該基材の一方の面から前記キャビティーの形成と同時に前記貫通孔の位置に前記キャビティーの深さまで有底孔を形成する工程と、前記基材の他方の面から前記有底孔に連通する連通孔を形成して前記貫通孔を貫通する工程とを有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記キャビティー及び有底孔の形成、並びに前記連通孔の形成は、エッチング、レーザー加工、サンドブラストのうちいずれか一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記接合基材は、シリコン、ガラス、セラミック、樹脂、又はこれらの複合材からなるものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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