JP2007220710A - Cmp装置における研磨終了点検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】適正な光量で研磨終了点の検出を行うことが可能なCMP装置における研磨終了点検出方法を提供する。
【解決手段】回転する被研磨体保持装置21上に被研磨体8を保持し、その上に研磨液25を供給しながら、前記被研磨体8の上方から研磨体23を前記被研磨体8に接触させ、前記研磨体23を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体8の研磨を行うCMP装置において、前記被研磨体8表面に光源1から照射光を照射し、光検出器27で検出された反射光の特性から研磨終了点を検出する方法であって、研磨終了点検出工程の初めに、前記研磨体23のn(nは1以上の整数)揺動周期分の前記反射光の強度の測定値の平均を算出し、当該平均値が所定値になるように、前記照射光の強度を調整する工程を有することを特徴とするCMP装置における研磨終了点検出方法。
【選択図】 図2
【解決手段】回転する被研磨体保持装置21上に被研磨体8を保持し、その上に研磨液25を供給しながら、前記被研磨体8の上方から研磨体23を前記被研磨体8に接触させ、前記研磨体23を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体8の研磨を行うCMP装置において、前記被研磨体8表面に光源1から照射光を照射し、光検出器27で検出された反射光の特性から研磨終了点を検出する方法であって、研磨終了点検出工程の初めに、前記研磨体23のn(nは1以上の整数)揺動周期分の前記反射光の強度の測定値の平均を算出し、当該平均値が所定値になるように、前記照射光の強度を調整する工程を有することを特徴とするCMP装置における研磨終了点検出方法。
【選択図】 図2
Description
本発明は、CMP装置における研磨終了点検出方法に関するものである。
半導体デバイスの高密度化は限界を見せず進展を続けており、高密度化するにつれ、多層配線と、それに伴う層間絶縁膜形成や、プラグ、ダマシンなどの電極形成の技術の重要度は大きく増加している。当然こうした層間絶縁膜や金属膜の厚みや形状(正しく埋め込まれているかどうかなど)のモニタは大きな課題となる。勿論、膜厚のモニタは薄膜形成やエッチングといった工程でも必要とされるが、最近特に問題視されているのは、平坦化プロセスにおける研磨終了点の検知である。
このような研磨終了点の検出には、光学的な手法が使用される。すなわち、研磨終了点におけるウエハ等の研磨対象物の分光反射スペクトルを予め求めておき、研磨中に観測される研磨体対象物の分光反射スペクトルが予め求めておいた分光反射スペクトルに近くなったとき、研磨終了点と判定するものである。このような方法は、例えば、特許第3360610号公報(特許文献1)に記載されている。
特許第3360610号公報
このような研磨終了点の検出においては、検出の開始時点において、反射光の強さを測定し、その強さが所定値となるように照射光の強さを設定することが行われている。一方、CMP装置には、回転する被研磨体保持装置上に被研磨体を保持し、その上に研磨液を供給しながら、前記被研磨体の上方から研磨体を前記被研磨体に接触させ、前記研磨体を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体の研磨を行うものがある。このようなCMP装置においては、研磨体と機械的に干渉しない位置に投受光器を設け、非研磨体の上方から照射光を照射して、その反射光を検出する方法が採用されている。
しかしながら、このようなCMP装置においては、研磨液の厚さが、研磨体の揺動位置に応じて変化し、その結果、検出される反射光の大きさが周期的に変化する。よって、研磨開始時において反射光量を測定するタイミングが、研磨液の厚い状態である場合は、検出される反射光量が少なくなるため、それを基準にして照射光の強さを調整すると、照射光量が多くなりすぎ、研磨液の厚さが薄くなったときに、検出される反射光が、測定器の測定レンジを超えてしまうことがある。逆に、研磨開始時において反射光量を測定するタイミングが、研磨液の薄い状態である場合は、検出される反射光量が多くなるため、それを基準にして照射光の強さを調整すると、照射光量が少なくなりすぎ、研磨液の厚さが厚くなったときに、検出される反射光が小さくなり、S/N比が低下してしまうことがある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、回転する被研磨体保持装置上に被研磨体を保持し、その上に研磨液を供給しながら、前記被研磨体の上方から研磨体を前記被研磨体に接触させ、前記研磨体を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体の研磨を行う方式のCMP装置においても、適正な光量で研磨終了点の検出を行うことが可能なCMP装置における研磨終了点検出方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するための第1の手段は、回転する被研磨体保持装置上に被研磨体を保持し、その上に研磨液を供給しながら、前記被研磨体の上方から研磨体を前記被研磨体に接触させ、前記研磨体を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体の研磨を行うCMP装置において、前記被研磨体表面に照射光を照射し、反射光の特性から研磨終了点を検出する方法であって、研磨終了点検出工程の初めに、前記研磨体のn(nは1以上の整数)揺動周期分の前記反射光の強度の測定値の平均を算出し、当該平均値が所定値になるように、前記照射光の強度を調整する工程を有することを特徴とするCMP装置における研磨終了点検出方法である。
本手段においては、研磨終了点検出工程の初めに、前記研磨体のn(nは1以上の整数)揺動周期分の前記反射光の強度の測定値の平均を算出し、平均値が所定値になるように、前記照射光の強度を調整する工程を有しているので、研磨体の揺動に伴う研磨液の厚さの変動があっても、その1周期分の平均的な反射光の強度を基準にして照射光の強度を決定することができ、その結果、研磨終了判定時における測定値のオーバフローによる測定誤差の発生や、測定値が小さいことによる測定精度の悪化を少なくすることができる。
前記課題を解決するための第2の手段は、回転する被研磨体保持装置上に被研磨体を保持し、その上に研磨液を供給しながら、前記被研磨体の上方から研磨体を前記被研磨体に接触させ、前記研磨体を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体の研磨を行うCMP装置において、前記被研磨体表面に照射光を照射し、反射光の分光特性から研磨終了点を検出する方法であって、研磨終了点検出工程の初めに、前記研磨体のn(nは1以上の整数)揺動周期分の前記反射光の測定値の分光強度の最大値の平均を算出し、当該平均値が所定値になるように、前記照射光の強度を調整する工程を有することを特徴とするCMP装置における研磨終了点検出方法である。
本手段は、前記第1の手段と同様の作用効果を奏する。
前記課題を解決するための第3の手段は、前記第2の手段であって、前記反射光の測定値の分光強度を所定波長間隔で測定し、測定された値で所定値を超えたものがある場合には、その個数に応じて、前記反射光の測定値の分光強度の最大値を決定することを特徴とするものである。
場合によっては、反射光の測定値の分光強度の最大値を算出しようとしたとき、その最大値が、測定器の有効測定範囲をオーバして、有効な測定ができないことがある。本手段においては、そのようなとき、反射光の測定値の分光強度を所定波長間隔で測定し、測定された値で所定値を超えたものがある場合には、その個数に応じて、反射光の測定値の分光強度の最大値を決定するようにしている。よって、最大値が、測定器の有効測定範囲をオーバしている場合でも、仮の最大値を得ることができ、この値を平均値の算出に使用することができる。「所定値」は、適当に決めることができるが、有効測定範囲の限界の値、又はその近傍で、有効測定範囲の限界を超えない値とすることが好ましい。
本発明によれば、回転する被研磨体保持装置上に被研磨体を保持し、その上に研磨液を供給しながら、前記被研磨体の上方から研磨体を前記被研磨体に接触させ、前記研磨体を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体の研磨を行う方式のCMP装置においても、適正な光量で研磨終了点の検出を行うことが可能なCMP装置における研磨終了点検出方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態であるCMP装置における研磨終了点検出方法を使用したCMP研磨終了点検出装置の光学系の例を示す図である。
光源である白色LED1からの光は、レンズ2により平行光束に変換され、可変NDフィルタ3、照明エリア制御スリット4を通った後、レンズ5によりビームスプリッタ6に集光される。ビームスプリッタ6を通過した光は、レンズ7により再び平行光束とされ、研磨対象物である被測定ウエハ8の表面に照射される。
被測定ウエハ8よりの反射光は、再びレンズ7を通してビームスプリッタ6に集光される。ビームスプリッタ6において、反射光は90°方向を変えられ、レンズ9により平行光束とされる。そして、ミラー10で反射され、レンズ11で、0次光のみを選別する開口を有する遮光手段であるスリット12上に集光される。そして、散乱光、回折光等のノイズ成分を除去され、レンズ13を介して分光手段である回折格子14に投射され、分光される。分光された光は、光電変換素子であるリニアセンサ15に入射し、分光強度が測定される。
この光学系において、白色LED1の像はビームスプリッタ6に結像し、その結像位置がレンズ7の前方焦点に位置している。よって、被測定ウエハ8面は一様に、かつほぼ垂直な平行光により照明される。また、スリット12は、被測定ウエハ8からの垂直反射光の集光位置に設けられている。よって、その開口の径を調整することにより、反射光のNA、すなわちその開口を通過する光の反射角度を調整することができる。なお、ビームスプリッタ6が偏光ビームスプリッタである場合には、レンズ7と被測定ウエハ8の間にλ/4板が挿入される。
このような光学系を有する研磨終了点検出装置と、実際のCMP装置との関係を図2に示す。図2において、図1に示された構成要素と同じ構成要素には、同じ符号を付してその説明を省略する。21は研磨対象物保持部(以下、ホルダという)、22は研磨板、23は研磨体、24は研磨液供給部、25は研磨液(スラリー)、26は研磨終了点検出装置、27は光検出器、28はカバーである。光検出器27は、図1における、ビームスプリッタ6で反射された後に光が通過する光学系をまとめて図示している。
研磨装置本体はホルダ21、研磨板22、研磨板22に貼り付けられている研磨体23、及び研磨液供給部24から構成されている。そして、ホルダ21には研磨対象物である被測定ウエハ8が取り付けられ、研磨液供給部24は研磨液25を供給する。
研磨体23としては、発泡ポリウレタンよりなるシート状の研磨パッド、あるいは表面に溝構造を有した無発泡樹脂の研磨パッドが使用されている。ホルダ21は適当な手段により軸Aを中心に矢印aの方向に回転され、研磨板22は適当な手段により軸Bを中心に矢印bの方向に回転される。更に軸Bは、矢印cのように、軸Aに直線的に近づいたり離れたりする揺動を行う。これらの過程で、研磨液25と研磨体23との作用により、被測定ウエハ8の研磨面(研磨体23と接触している面)が研磨される。
研磨終了点検出装置26は、被測定ウエハ8の上部に設置されている。研磨終了点検出装置26への研磨液の飛散を防止するために、研磨終了点検出装置26はカバー28でほぼ覆われている。
研磨終了点検出装置26の構成要素として、図においては白色LED光源1、ビームスプリッタ6、光検出器27のみを示し、細部は図示を省略しているが、研磨終了点検出装置26の実際の光学系は、図1に示されたものが用いられている。
本発明の第1の実施の形態においては、研磨終了点検出開始の最初の研磨体23の揺動の1周期において、所定揺動間隔毎に被測定ウエハ8よりの反射光を測定し、その分光反射特性を求める。例えば、この所定間隔は、リニアセンサ15の蓄積時間をa[s]とし、研磨体23の平均揺動速度をv[mm/s]とするとき、a×v[mm]とし、往復のサンプリング点数は、研磨体23の揺動ストロークをd[mm]とするとき、2d/(a×v)個とする。
そして、各サンプリング点で求まった分光反射特性のうち、スペクトルの最大値を抽出し、各サンプリング点毎のスペクトルの最大値を、研磨体23の揺動ストローク1周期分について平均する。この平均値をSとし、そのときの照射光の強さをB、前記平均値の目標値をSOとすると、照射光の強さが、
B×SO/S
となるように調整する。これにより、研磨終了点検出時における、分光反射スペクトルが測定可能範囲をオーバフローしたり、小さすぎてS/N比が低下することを防止することができる。
B×SO/S
となるように調整する。これにより、研磨終了点検出時における、分光反射スペクトルが測定可能範囲をオーバフローしたり、小さすぎてS/N比が低下することを防止することができる。
以上のような方法において、照射光の強さを決定するために分光反射スペクトルをとったとき、その測定値において、スペクトルの最大値が測定有効範囲をオーバしてしまい、正確な値が求まらないことがある。本実施の形態においては、このようなとき、分光反射スペクトルを所定波長ピッチで測定し、これらの測定値のうち測定有効範囲をオーバしたものの個数と、スペクトルの最大値との関係を示すテーブルを予め作っておき、測定有効範囲をオーバしたものの個数とこのテーブルから、仮のスペクトルの最大値を求め、それを前述の平均値の算出に使用するようにしている。
このテーブルの作成方法は、例えば以下のようなものである。まず、研磨中でなく、研磨液が安定した状態で、照射光の強さを調整して、分光反射スペクトルの最大値が測定有効範囲をオーバしないようにする。そのときの、照射光の強度をC、スペクトルの最大値の値をDとする。
そして、照射光の強さを強め、分光スペクトルが1つの波長で測定有効範囲をオーバフローするようにする。そのときの照射光の強さをC1とすると、オーバフローの個数が1のときのテーブルの値を、D×C1/Cとする。続いて、照射光の強さをさらに強め、分光スペクトルが2つの波長で測定有効範囲をオーバフローするようにする。そのときの照射光の強さをC2とすると、オーバフローの個数が2のときのテーブルの値を、D×C2/Cとする。このようにして、オーバフローの個数を3、4、…と増やしていき、適当なところで打ち切って表を完成させる。
以上説明した実施の形態は、研磨終了点の検出に分光反射スペクトルを使用しているものであったが、本発明は、単に反射光の強さから研磨終了点を判定しているものにも使用できる。このときは、前記第1の手段で説明したように、単に、研磨終了点検出工程の初めに、前記研磨体のn(nは1以上の整数)揺動周期分の反射光の強度の測定値の平均を算出し、平均値が所定値になるように、照射光の強度を調整するようにすればよい。
なお、実際にCMP装置における研磨終了点検出を行う方法については、例えば特許文献1に記載されているような公知の方法を適宜使用すればよいので、その説明を省略する。
1…白色LED、2…レンズ、3…可変NDフィルタ、4…照明エリア制御スリット、5…レンズ、6…ビームスプリッタ、7…レンズ、8…被測定ウエハ、9…レンズ、10…ミラー、11…レンズ、12…スリット、13…レンズ、14…回折格子、15…リニアセンサ、21…ホルダ、22…研磨板、23…研磨体、24…研磨液供給部、25…研磨液、26…研磨終了点検出装置、27…光検出器、28…カバー
Claims (3)
- 回転する被研磨体保持装置上に被研磨体を保持し、その上に研磨液を供給しながら、前記被研磨体の上方から研磨体を前記被研磨体に接触させ、前記研磨体を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体の研磨を行うCMP装置において、前記被研磨体表面に照射光を照射し、反射光の特性から研磨終了点を検出する方法であって、研磨終了点検出工程の初めに、前記研磨体のn(nは1以上の整数)揺動周期分の前記反射光の強度の測定値の平均を算出し、当該平均値が所定値になるように、前記照射光の強度を調整する工程を有することを特徴とするCMP装置における研磨終了点検出方法。
- 回転する被研磨体保持装置上に被研磨体を保持し、その上に研磨液を供給しながら、前記被研磨体の上方から研磨体を前記被研磨体に接触させ、前記研磨体を回転、かつ揺動しながら前記被研磨体の研磨を行うCMP装置において、前記被研磨体表面に照射光を照射し、反射光の分光特性から研磨終了点を検出する方法であって、研磨終了点検出工程の初めに、前記研磨体のn(nは1以上の整数)揺動周期分の前記反射光の測定値の分光強度の最大値の平均を算出し、当該平均値が所定値になるように、前記照射光の強度を調整する工程を有することを特徴とするCMP装置における研磨終了点検出方法。
- 請求項2に記載のCMP装置における研磨終了点検出方法であって、前記反射光の測定値の分光強度を所定波長間隔で測定し、測定された値で所定値を超えたものがある場合には、その個数に応じて、前記反射光の測定値の分光強度の最大値を決定することを特徴とするCMP装置における研磨終了点検出方法。
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JP2006036196A JP2007220710A (ja) | 2006-02-14 | 2006-02-14 | Cmp装置における研磨終了点検出方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2010062818A2 (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | Applied Materials, Inc. | Two-line mixing of chemical and abrasive particles with endpoint control for chemical mechanical polishing |
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2006
- 2006-02-14 JP JP2006036196A patent/JP2007220710A/ja active Pending
Cited By (2)
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WO2010062818A2 (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | Applied Materials, Inc. | Two-line mixing of chemical and abrasive particles with endpoint control for chemical mechanical polishing |
WO2010062818A3 (en) * | 2008-11-26 | 2010-08-12 | Applied Materials, Inc. | Two-line mixing of chemical and abrasive particles with endpoint control for chemical mechanical polishing |
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