JP2007217778A

JP2007217778A - Plasma treatment method, method for producing copper clad laminate, method for producing printed circuit board, copper clad laminate and printed circuit board

Info

Publication number: JP2007217778A
Application number: JP2006042356A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Matsuura; 雅晴松浦; Fumio Inoue; 文男井上; Akira Shimizu; 明清水; Toyoki Ito; 豊樹伊藤; Tomoaki Yamashita; 智章山下; Yasuo Inoue; 康雄井上; Akishi Nakaso; 昭士中祖
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2006-02-20
Filing date: 2006-02-20
Publication date: 2007-08-30

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma treatment method where the burning of a sample can be prevented, to provide a satisfactory copper clad laminate and a satisfactory printed circuit board free from burning using the plasma treatment method, and to provide a method for producing the printed circuit board. <P>SOLUTION: In the plasma treatment method by which a part of metal in at least one electrode of two or more electrodes for applying voltage is exposed, and the sample is arranged at the metal exposed part in the electrode, thereby applying the plasma treatment to the sample, a dielectric substance is inserted into a space between the sample and the metal exposed part in the electrode where the sample is arranged. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、プラズマ処理法、銅張積層板の製造法、プリント配線基板の製造法、銅張積層板、プリント配線基板に関する。 The present invention relates to a plasma processing method, a method for producing a copper clad laminate, a method for producing a printed wiring board, a copper clad laminate, and a printed wiring board.

近年、電子機器の小型、軽量、高速化の要求が高まり、プリント配線基板やフレキシブルプリント配線基板の高密度化が進んでいる。そのため、この分野で従来から用いられているウエットプロセスに加えて、半導体の分野で用いられているドライプロセスをプリント配線基板やフレキシブルプリント配線基板の製造方法に用いる検討が行われている。検討が行われているドライプロセスの一つとして、プラズマ処理があげられる。プラズマ処理は、有機絶縁層と配線の接着力向上のための前処理、レーザー穴あけ後のデスミア処理などに適用され始めている。例えば、有機樹脂層と配線の接着力を向上させるために、プラズマ処理を試料表面に施した後、配線層を形成する技術（特許文献１）が知られている。また配線形成後に、試料表面にプラズマ処理を施すことによって、配線とその上に形成する有機樹脂層の接着力を向上させる技術（特許文献２）も知られている。 In recent years, there has been an increasing demand for electronic devices that are smaller, lighter, and faster, and the density of printed wiring boards and flexible printed wiring boards is increasing. Therefore, in addition to the wet process conventionally used in this field, studies are being made to use a dry process used in the field of semiconductors for a method of manufacturing a printed wiring board or a flexible printed wiring board. One dry process that has been studied is plasma treatment. Plasma treatment has begun to be applied to pretreatment for improving the adhesion between the organic insulating layer and the wiring, and desmear treatment after laser drilling. For example, in order to improve the adhesive force between the organic resin layer and the wiring, a technique (Patent Document 1) is known in which a wiring layer is formed after plasma treatment is performed on a sample surface. In addition, a technique (Patent Document 2) is known that improves the adhesive force between a wiring and an organic resin layer formed thereon by performing plasma treatment on the sample surface after the wiring is formed.

特開平８−３３０６９４号公報JP-A-8-330694 特許第２７９２４１３号公報Japanese Patent No. 2792413 特開平７−３３５６２６号公報JP 7-335626 A 特開２００４−１１５７３１号公報JP 2004-115731 A 特開２００４−２０７１４５号公報JP 2004-207145 A

ところが、絶縁体で覆われていない電極（金属が露出した部分）上に試料を配置して、上記のようなプラズマ処理を施した場合において、プラズマ処理によって帯電した試料表面の電位が上昇することによって、試料表面と電極間の電位差が大きくなり、試料の耐電圧を超え、試料が絶縁破壊を起こし、試料の一部が損傷する問題が発生した。しかも、プラズマ処理を施す試料（基板など）の厚さは、年々薄型化する傾向にあり、プラズマ処理の際に絶縁破壊を起こす可能性が年々高くなってきている。本発明は、試料の焼損を防ぐことができるプラズマ処理法、ならびにこれを用いて焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板、その製造法を提供することを目的とする。 However, when the sample is placed on an electrode that is not covered with an insulator (where the metal is exposed) and the plasma treatment is performed as described above, the potential of the sample surface charged by the plasma treatment increases. As a result, the potential difference between the sample surface and the electrode increased, the breakdown voltage of the sample was exceeded, the sample caused dielectric breakdown, and a part of the sample was damaged. In addition, the thickness of a sample (substrate or the like) subjected to plasma processing tends to be reduced year by year, and the possibility of causing dielectric breakdown during plasma processing is increasing year by year. An object of the present invention is to provide a plasma processing method capable of preventing the sample from burning, a good copper-clad laminate and printed wiring board using the same, and a method for producing the same.

すなわち、本発明は以下の通りである。
１．電圧を印加する２つ以上の電極のうち、少なくとも１つの電極の一部の金属が露出しており、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入することを特徴とするプラズマ処理方法。
２．前記２つ以上の電極に印加する電圧が、交流またはパルス状であることを特徴とする項１に記載のプラズマ処理方法。
３．前記プラズマ処理が、真空中で行われることを特徴とする項１または２に記載のプラズマ処理方法
４．前記プラズマ処理が、逆スパッタリング法であることを特徴とする項１〜３いずれかに記載のプラズマ処理法。
５．前記プラズマ処理が、反応性イオンエッチング法であることを特徴とする項１〜３いずれかに記載のプラズマ処理法。
６．項１〜５いずれかに記載のプラズマ処理法を有する銅張積層板の製造法。
７．項１〜５いずれかに記載の前記プラズマ処理法を有するプリント配線基板の製造法。
８．項６に記載の銅張積層板の製造法により製造された銅張積層板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか１つ以上が形成されていることを特徴とする銅張積層板。
９．項７に記載のプリント配線基板の製造法により製造されたプリント配線基板であって、表面に、ビア、スルーホール、金属層、配線、樹脂層のうち、いずれか１つ以上が形成されていることを特徴とするプリント配線基板。 That is, the present invention is as follows.
1. In a plasma processing method in which a part of metal of at least one electrode of two or more electrodes to which a voltage is applied is exposed, a sample is disposed on the metal exposed portion of the electrode, and the sample is subjected to plasma processing A plasma processing method comprising inserting a dielectric between the sample and a metal exposed portion of an electrode on which the sample is disposed.
2. The plasma processing method according to claim 1, wherein the voltage applied to the two or more electrodes is alternating current or pulsed.
3. Item 3. The plasma processing method according to Item 1 or 2, wherein the plasma processing is performed in a vacuum. Item 4. The plasma processing method according to any one of Items 1 to 3, wherein the plasma processing is a reverse sputtering method.
5). Item 4. The plasma processing method according to any one of Items 1 to 3, wherein the plasma processing is a reactive ion etching method.
6). The manufacturing method of the copper clad laminated board which has a plasma processing method in any one of claim | item 1 -5.
7). Item 6. A method for producing a printed wiring board comprising the plasma processing method according to any one of Items 1 to 5.
8). Item 7. A copper clad laminate produced by the method for producing a copper clad laminate according to Item 6, wherein any one or more of vias, through holes, metal layers, wirings, and resin layers are formed on the surface. A copper-clad laminate, characterized in that
9. Item 8. A printed wiring board manufactured by the method for manufacturing a printed wiring board according to Item 7, wherein one or more of vias, through holes, metal layers, wirings, and resin layers are formed on the surface. A printed wiring board characterized by that.

本発明のプラズマ処理法において、電極と試料の間に誘電体を挿入することで、試料の焼損を防ぐことができる。これによって、焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板、その製造法を得ることができる。 In the plasma processing method of the present invention, the sample can be prevented from being burned by inserting a dielectric between the electrode and the sample. As a result, it is possible to obtain a good copper-clad laminate and printed wiring board without burning, and a method for manufacturing the same.

以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。本発明のプラズマ処理法は、電圧を印加する２つ以上の電極のうち、少なくとも１つの前記電極の一部の金属が露出し、前記電極の金属露出部に試料を配置して、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料と、前記試料を配置している電極の金属露出部との間に、誘電体を挿入することを特徴としている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. According to the plasma processing method of the present invention, at least one of the two or more electrodes to which a voltage is applied is exposed, and a sample is disposed on the exposed metal portion of the electrode, and the sample is subjected to plasma. In the plasma processing method for performing the processing, a dielectric is inserted between the sample and a metal exposed portion of an electrode on which the sample is arranged.

（電極）
電極はプラズマを発生させるために、電圧を印加する金属である。形状や厚さは特に問わなく、様々な形の電極がある。例えば、平行平板型のプラズマ処理装置では、電極の形状は１対の平板である。スパッタリング法を用いた成膜の前処理として使用されている逆スパッタリング処理では、電極の形状は、一方はスパッタリング装置内の試料台であり、もう一方は真空槽外壁である。電極に使用される金属の材質は特に問わないが、ステンレス鋼、アルミニウム鋼などが使用できる。 (electrode)
The electrode is a metal that applies a voltage in order to generate plasma. There are various shapes of electrodes regardless of the shape and thickness. For example, in a parallel plate type plasma processing apparatus, the shape of the electrodes is a pair of flat plates. In the reverse sputtering treatment used as a pretreatment for film formation using the sputtering method, one of the electrode shapes is a sample stage in the sputtering apparatus and the other is a vacuum chamber outer wall. The metal material used for the electrode is not particularly limited, but stainless steel, aluminum steel, and the like can be used.

（絶縁体）
プラズマ処理の際に、例えば特許文献３に示すように、主に試料に重金属が混入することを防止するために、電極をアルマイト、フッ素系樹脂やガラスなどで被覆する場合がある。本発明で言う絶縁体とは、これら電極を被覆した絶縁物をいう。逆スパッタリング処理において使用される真空槽や試料台、あるいは試料台が金属製である場合、あるいは電極の一部が露出したプラズマ処理装置などは、絶縁体によって電極のすべて、あるいは一部が被覆されていない。電極のすべてが絶縁体で覆われている場合は、絶縁体にも電圧が印加されるため、絶縁破壊が発生しにくい。しかし、少なくとも１つの電極の一部の金属が露出している場合（電極のすべて、あるいは一部が絶縁体で覆われていない場合）は、絶縁体で覆われていない部分の電極と試料表面間の電圧は、試料のみに印加されるため、絶縁破壊が発生しやすい。 (Insulator)
In plasma processing, for example, as shown in Patent Document 3, in order to prevent heavy metals from being mixed into a sample mainly, an electrode may be covered with alumite, fluorine-based resin, glass, or the like. The insulator referred to in the present invention refers to an insulator covering these electrodes. When the vacuum chamber, sample stage, or sample stage used in the reverse sputtering process is made of metal, or in a plasma processing apparatus where a part of the electrode is exposed, all or part of the electrode is covered with an insulator. Not. When all of the electrodes are covered with an insulator, voltage is also applied to the insulator, so that dielectric breakdown is unlikely to occur. However, when some metal of at least one electrode is exposed (when all or part of the electrode is not covered with an insulator), the electrode and the sample surface of the portion not covered with the insulator Since the voltage between them is applied only to the sample, dielectric breakdown is likely to occur.

（プラズマ処理）
プラズマ処理は、電極間に電圧を印加して、電極間に存在するガスをプラズマ化し、その中のイオン、電子やラジカルを試料に当てることによって、試料表面の改質や粗化を行う処理である。プラズマ処理は試料表面を均一処理できるよう、グロー放電であることが望ましい。プラズマ処理方法には、真空プラズマと大気圧プラズマがあるが、イオンなどのエネルギーは真空中の方が大きいために、本発明は真空プラズマの方で絶縁破壊が発生しやすい。そのため、本発明は真空プラズマに適用することが好ましい。 (Plasma treatment)
Plasma treatment is a treatment that modifies and roughens the sample surface by applying a voltage between the electrodes, turning the gas existing between the electrodes into plasma, and bombarding the sample with ions, electrons, and radicals therein. is there. The plasma treatment is preferably glow discharge so that the sample surface can be uniformly treated. The plasma processing method includes vacuum plasma and atmospheric pressure plasma. Since the energy of ions and the like is larger in the vacuum, the present invention is more likely to cause dielectric breakdown in the vacuum plasma. Therefore, the present invention is preferably applied to vacuum plasma.

真空プラズマには等方性エッチングである真空プラズマ法、異方性エッチングとして用いられる反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）、スパッタリング蒸着と同室で処理を施す逆スパッタリング法などがある。逆スパッタリング法は、スパッタリング蒸着室で処理を行うため、電極が絶縁体で覆われていない場合が多い。従って、本発明を適用することが好ましい。また、ＲＩＥ法は真空プラズマ法と比較して、イオンが持っているエネルギーが高いため、長期使用によって電極の一部分が露出する場合がある。このため、ＲＩＥ法に本発明を適用することも好ましい。 The vacuum plasma includes a vacuum plasma method that is isotropic etching, a reactive ion etching method (RIE) that is used as anisotropic etching, and a reverse sputtering method in which processing is performed in the same chamber as sputtering deposition. In the reverse sputtering method, since the treatment is performed in the sputtering vapor deposition chamber, the electrode is often not covered with an insulator. Therefore, it is preferable to apply the present invention. In addition, since the RIE method has higher energy than ions in the vacuum plasma method, a part of the electrode may be exposed by long-term use. For this reason, it is also preferable to apply this invention to RIE method.

大気圧プラズマには、例えば特許文献４のような電極間に試料を配置する「ダイレクト方式」と、電極から離れた場所に試料を配置する特許文献５のような「リモート方式」があるが、本発明は試料の絶縁破壊の対策であるため、大気圧プラズマにおいては「ダイレクト方式」に適用することが好ましい。 Atmospheric pressure plasma includes, for example, a “direct method” in which a sample is disposed between electrodes as in Patent Document 4, and a “remote method” in which Patent is disclosed in Patent Document 5 in which a sample is disposed away from an electrode. Since the present invention is a countermeasure against dielectric breakdown of a sample, it is preferably applied to the “direct method” in atmospheric pressure plasma.

プラズマ処理に用いるガスは特に限定しないが、Ａｒ、Ｏ_２、窒化系ガス、フッ素系ガス、塩素系ガス、酸素系ガスなどがある。電極に印加する電圧は、プラズマがグロー放電となる電圧が好ましい。グロー放電となる電圧は、プラズマ処理方法、使用するガス、電極形状や装置などによって影響を受けるため、あらかじめ実験等により最適な電圧値を求めるのが好ましい。 A gas used for the plasma treatment is not particularly limited, and examples thereof include Ar, O ₂ , a nitriding gas, a fluorine-based gas, a chlorine-based gas, and an oxygen-based gas. The voltage applied to the electrode is preferably a voltage at which plasma becomes glow discharge. Since the voltage that causes glow discharge is affected by the plasma processing method, the gas used, the electrode shape, the apparatus, and the like, it is preferable to obtain an optimum voltage value beforehand through experiments or the like.

（誘電体）
誘電体とは、絶縁体と同じく電気抵抗値が大きな物質である。誘電体の材質は電気抵抗値が大きな物質であればよく、特に限定されるものではないが、例えば、有機絶縁基材、セラミック基材、ガラス基材などがある。誘電体の厚さは絶縁破壊を起こさない厚さであることが好ましい。絶縁破壊を起こさない厚さは、使用する誘電体の材質、電極に印加する電圧、使用するガス、プラズマ処理方法などによって影響を受けるため、あらかじめ実験等により厚さを決めておくことが好ましい。 (Dielectric)
A dielectric is a substance having a large electrical resistance value, similar to an insulator. The material of the dielectric is not particularly limited as long as it is a substance having a large electric resistance value, and examples thereof include an organic insulating substrate, a ceramic substrate, and a glass substrate. The thickness of the dielectric is preferably a thickness that does not cause dielectric breakdown. The thickness at which dielectric breakdown does not occur is affected by the material of the dielectric used, the voltage applied to the electrode, the gas used, the plasma processing method, and the like, and therefore it is preferable to determine the thickness beforehand by experiments or the like.

（電極に印加する電圧）
電極に印加する電圧は、直流、交流またはパルス状のいずれでもかまわないが、交流またはパルス状である電圧が好ましい。この理由としては、電極に印加する電圧が、直流と交流またはパルス状を比較した場合、交流またはパルス状の方が、試料表面の電位の上昇を低減できるため、絶縁破壊が発生しにくくなるためである。また、電極に印加する電圧が交流またはパルス状である場合、波形は特に問わない。電極間に印加する電圧が交流またはパルス状のプラズマ処理としては、通常の真空プラズマ、逆スパッタリング、ＲＦプラズマ、異方性プラズマがある。 (Voltage applied to the electrode)
The voltage applied to the electrode may be any of direct current, alternating current, or pulsed form, but an alternating current or pulsed voltage is preferable. The reason for this is that when the voltage applied to the electrode is compared between direct current and alternating current or pulsed, the alternating current or pulsed can reduce the increase in potential on the sample surface, so that dielectric breakdown is less likely to occur. It is. Further, when the voltage applied to the electrode is alternating or pulsed, the waveform is not particularly limited. Examples of plasma treatment in which the voltage applied between the electrodes is AC or pulsed include normal vacuum plasma, reverse sputtering, RF plasma, and anisotropic plasma.

（銅張積層板およびプリント配線基板）
本発明の銅張積層板およびプリント配線基板は、以下のように製造できる。 (Copper-clad laminate and printed wiring board)
The copper-clad laminate and the printed wiring board of the present invention can be manufactured as follows.

（樹脂層）
本発明の銅張積層板およびプリント配線基板の樹脂層としては、熱硬化性の絶縁材料、熱可塑性の絶縁材料、またはそれらの混合絶縁材料が使用できるが、絶縁層は熱硬化性の絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性の絶縁材料としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ノルボルネン樹脂等を用いることができる。熱可塑性の絶縁材料としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。絶縁材料には充填材を添加しても良い。充填材としては、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。 (Resin layer)
As the resin layer of the copper clad laminate and the printed wiring board of the present invention, a thermosetting insulating material, a thermoplastic insulating material, or a mixed insulating material thereof can be used, but the insulating layer is a thermosetting insulating material. Is preferably the main component. Thermosetting insulating materials include phenol resin, urea resin, melamine resin, alkyd resin, acrylic resin, unsaturated polyester resin, diallyl phthalate resin, epoxy resin, silicone resin, resin synthesized from cyclopentadiene, tris (2- Resins containing hydroxyethyl) isocyanurate, resins synthesized from aromatic nitriles, trimerized aromatic dicyanamide resins, resins containing triallyl trimetallate, furan resins, ketone resins, xylene resins, including condensed polycyclic aromatics A thermosetting resin, a benzocyclobutene resin, a norbornene resin, or the like can be used. Examples of the thermoplastic insulating material include polyimide resin, polyphenylene oxide resin, polyphenylene sulfide resin, aramid resin, and liquid crystal polymer. A filler may be added to the insulating material. Examples of the filler include silica, talc, aluminum hydroxide, aluminum borate, aluminum nitride, and alumina.

（ビア）
プリント配線基板において、各層の配線を電気的に接続するためのバイアホールを設けることができる。ビアは、樹脂層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で充填し形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザー加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。 (Via)
In the printed wiring board, via holes for electrically connecting the wirings of the respective layers can be provided. The via can be formed by providing a hole for connection in the resin layer and filling the hole with a conductive paste or plating. Examples of the hole processing method include mechanical processing such as punching and drilling, laser processing, chemical etching processing using a chemical solution, and dry etching processing using plasma.

（スルーホール）
プリント配線基板において、各層を電気的に接続させるためにスルーホールを設けることができる。スルーホールは、樹脂層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で電気的に接続し、形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザー加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング加工などがある。 (Through hole)
In the printed wiring board, through holes can be provided to electrically connect the layers. The through hole can be formed by providing a hole for connection in the resin layer and electrically connecting the hole with a conductive paste or plating. Examples of the hole processing method include mechanical processing such as punching and drilling, laser processing, chemical etching processing using a chemical solution, and dry etching processing using plasma.

（金属層）
金属層は、配線と樹脂層の接着力を向上させる金属からなることが好ましく、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｗ、Ｃｕなどが使用でき、またこれらの金属を２種類以上組み合せて形成することもできる。また、複数層形成してもよい。 (Metal layer)
The metal layer is preferably made of a metal that improves the adhesion between the wiring and the resin layer. For example, Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Zr, Mo, Pd, W, Cu or the like can be used, and two or more of these metals can be combined to form. A plurality of layers may be formed.

（金属層の形成方法）
樹脂層上に金属層を形成する方法は、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長（ＣＶＤ）のようなドライプロセスを用いて形成する方法や、めっき等のようなウエット系プロセスを用いて形成することができる。例えば、金属層をスパッタリングによって形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、２極スパッタリング、３極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。 (Metal layer formation method)
The metal layer can be formed on the resin layer by using a dry process such as sputtering, ion plating, cluster ion beam, or chemical vapor deposition (CVD), or wet such as plating. It can be formed using a system process. For example, when the metal layer is formed by sputtering, the sputtering apparatus used can use multipolar sputtering such as bipolar sputtering and tripolar sputtering, magnetron sputtering, RF sputtering, mirrortron sputtering, and reactive sputtering. .

金属層と樹脂層の接着性をよくするために、金属層を形成する前に、樹脂層表面に前処理を施してもかまわない。前処理としては、プラズマ処理などのドライ系処理や、酸やアルカリ液などを用いたウエット系処理が例としてある。特にドライ系処理は本発明が有効である。金属層と樹脂層の接着力を向上させる方法としては、金属層を薄く形成した後、プラズマ処理を施す方法がある。この際の金属層の厚みは、０．１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であると金属層と樹脂層の接着力が向上するため好ましく、さらに０．１ｎｍ〜１０ｎｍがより好ましく、特に、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲で金属層と樹脂層の接着力が最も向上するため好ましい。金属層の厚みが１００ｎｍを超えると金属層と樹脂層の接着力が低下する傾向がある。また、０．１ｎｍ未満の場合には、後に形成される配線間の絶縁抵抗値が下がる傾向がある。金属層の厚みは、埋め込む方法や処理条件によって影響を受けるため、あらかじめ実験等により最適な厚みを求めるのが好ましい。 In order to improve the adhesion between the metal layer and the resin layer, the surface of the resin layer may be pretreated before the metal layer is formed. Examples of the pretreatment include dry treatment such as plasma treatment, and wet treatment using an acid or an alkali solution. In particular, the present invention is effective for dry processing. As a method for improving the adhesion between the metal layer and the resin layer, there is a method in which a plasma treatment is performed after the metal layer is formed thin. In this case, the thickness of the metal layer is preferably in the range of 0.1 nm to 100 nm because the adhesion between the metal layer and the resin layer is improved, more preferably 0.1 nm to 10 nm, and particularly in the range of 1 nm to 8 nm. It is preferable because the adhesive strength between the metal layer and the resin layer is most improved. When the thickness of the metal layer exceeds 100 nm, the adhesive force between the metal layer and the resin layer tends to decrease. On the other hand, when the thickness is less than 0.1 nm, the insulation resistance value between wirings to be formed later tends to decrease. Since the thickness of the metal layer is affected by the embedding method and processing conditions, it is preferable to obtain the optimum thickness in advance by experiments or the like.

スパッタリングのような真空中で金属層を形成する方法は、金属層の形成速度が遅いという欠点がある。そこで、真空中で金属層を薄く堆積し、シード層を形成した後、電気めっきを用いて厚付けする方法を用いてもかまわない。 A method of forming a metal layer in a vacuum such as sputtering has a drawback that the formation rate of the metal layer is slow. Therefore, a method of depositing a thin metal layer in a vacuum and forming a seed layer and then thickening using electroplating may be used.

（銅張積層板形成方法）
本発明の銅張積層板は、先に述べたようなプラズマ処理の際に、試料と電極の間に誘電体を挿入することによって、作製することができる。 (Copper-clad laminate forming method)
The copper-clad laminate of the present invention can be produced by inserting a dielectric between the sample and the electrode during the plasma treatment as described above.

（配線形成方法）
本発明のプリント配線基板の製造方法は、樹脂層表面に配線を形成する工程を有しており、その配線の形成方法としては、樹脂層上に金属箔を形成し、金属箔の不要な箇所をエッチングで除去する方法（サブトラクト法）、樹脂層上の必要な箇所にのみ、めっきにより配線を形成する方法（アディティブ法）、樹脂層上にシード層（薄い金属層）を形成し、その後、電解めっきで必要な配線を形成した後、シード層をエッチングで除去する方法（セミアディティブ法）がある。本発明は、サブトラクト法及びセミアディティブ法による配線形成に特に有効である。 (Wiring formation method)
The method for producing a printed wiring board of the present invention includes a step of forming a wiring on the surface of the resin layer. As a method of forming the wiring, a metal foil is formed on the resin layer, and an unnecessary portion of the metal foil is formed. Is removed by etching (subtract method), a method of forming a wiring by plating only at a necessary position on the resin layer (additive method), a seed layer (thin metal layer) is formed on the resin layer, and then There is a method (semi-additive method) in which a seed layer is removed by etching after a necessary wiring is formed by electrolytic plating. The present invention is particularly effective for wiring formation by the subtractive method and the semi-additive method.

（エッチングによる配線形成）
樹脂層上に金属箔を形成し、さらに金属箔の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して、不要な金属箔をエッチング除去し、配線を形成することができる。例えば、金属箔として銅箔を用いる場合、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用できる。例えばレジストインクをシルクスクリーン印刷してエッチングレジストを形成したり、またエッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去してエッチングレジストを形成する。 (Wiring formation by etching)
A metal foil is formed on the resin layer, and an etching resist is formed at a portion that becomes a wiring of the metal foil, and a chemical etching solution is sprayed and sprayed onto a portion exposed from the etching resist to remove unnecessary metal foil by etching. Wiring can be formed. For example, when a copper foil is used as the metal foil, an etching resist material that can be used for an ordinary wiring board can be used as the etching resist. For example, a resist ink is silk-screen printed to form an etching resist, or a negative photosensitive dry film for etching resist is laminated on a copper foil, and a photomask that transmits light is superimposed on the wiring shape. Then, an etching resist is formed by exposing with ultraviolet light and removing the unexposed portion with a developer.

（めっきによる配線形成）
また、配線は、樹脂層上の必要な箇所にのみ、めっきを行うことで形成することも可能であり、通常のめっきによる配線形成技術を用いることができる。例えば、本発明の処理方法をコア基板に施した後、無電解めっき用触媒を付着させる。その後、めっきが行われない表面部分にめっきレジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっきレジストに覆われていない箇所にのみ、無電解めっきを行い、配線を形成する。 (Wiring formation by plating)
Further, the wiring can be formed only by performing plating only on a necessary portion on the resin layer, and a wiring forming technique by normal plating can be used. For example, after applying the treatment method of the present invention to the core substrate, an electroless plating catalyst is adhered. Thereafter, a plating resist is formed on the surface portion where plating is not performed, and is immersed in an electroless plating solution, and electroless plating is performed only on portions not covered with the plating resist to form wiring.

（セミアディティブ法による配線形成）
セミアディティブ法による配線形成法は、シード層を形成し、その上にめっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、配線が形成できる。 (Wiring formation by semi-additive method)
In the wiring formation method by the semi-additive method, a seed layer is formed, a plating resist is formed in a necessary pattern thereon, and wiring is formed by electrolytic copper plating through the seed layer. Thereafter, the plating resist is peeled off, and finally the seed layer is removed by etching or the like to form a wiring.

（セミアディティブ法のシード層の形成方法）
シード層はセミアディティブ法における電気めっき工程において、電流を流すことができる厚さを必要とする。樹脂層上に、セミアディティブ法のシード層を形成する方法は、蒸着またはめっきによる方法と、金属箔を貼り合わせる方法がある。また同様の方法で、サブトラクト法の金属箔を形成することもできる。 (Semi-additive seed layer formation method)
In the electroplating process in the semi-additive method, the seed layer requires a thickness that allows a current to flow. There are two methods for forming the seed layer of the semi-additive method on the resin layer: a method by vapor deposition or plating, and a method of bonding a metal foil. Also, a subtractive metal foil can be formed by the same method.

（蒸着又はめっきによるシード層の形成）
シード層の形成法は、樹脂層上に蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長（ＣＶＤ）、めっき等によって、シード層を形成することができる。本発明は、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、化学的気相成長でシード層を形成する場合に、特に有効な手段である。例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、２極スパッタリング、３極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。スパッタリングに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｗ、Ｃｕおよびそれらの合金を一層、もしくはそれ以上の層を下地金属として用い、０．１〜５０ｎｍスパッタリングする。その後、銅をターゲットにして１００〜５００ｎｍスパッタリングして薄膜銅層を形成できる。また、コア基板表面または樹脂層上にシード層としてめっき銅を、０．５〜３μｍ無電解銅めっきし、形成することもできる。 (Formation of seed layer by vapor deposition or plating)
The seed layer can be formed on the resin layer by vapor deposition, sputtering, ion plating, cluster ion beam, chemical vapor deposition (CVD), plating, or the like. The present invention is a particularly effective means for forming a seed layer by vapor deposition, sputtering, ion plating, cluster ion beam, or chemical vapor deposition. For example, when a base metal and a thin film copper layer are formed by sputtering as a seed layer, the sputtering apparatus used is multipolar sputtering such as bipolar sputtering and tripolar sputtering, magnetron sputtering, RF sputtering, mirrortron sputtering, reaction Sputtering etc. can be used. The target used for sputtering is, for example, Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Zr, Mo, Pd, W, Cu, and alloys thereof in order to ensure adhesion. Alternatively, more layers are used as a base metal and sputtering is performed at 0.1 to 50 nm. Then, a copper thin film layer can be formed by sputtering 100 to 500 nm using copper as a target. Alternatively, it can be formed by electroless copper plating of 0.5 to 3 μm as a seed layer on the surface of the core substrate or on the resin layer.

（金属箔を貼り合わせる方法）
樹脂層に接着機能がある場合は、金属箔をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。しかし、薄い金属箔を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属箔を貼り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属箔を貼り合わせた後にキャリア層を剥離する方法などがある。例えば前者としては、キャリア銅／ニッケル／薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去すればよい。後者としては、アルミ、銅、絶縁フィルムなどをキャリアとしたピーラブル銅箔などが使用でき、５μｍ以下のシード層を形成できる。また、厚み９〜１８μｍの銅箔を貼り付け、５μｍ以下になるように、エッチングにより均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。 (Method of bonding metal foil)
When the resin layer has an adhesive function, the seed layer can also be formed by bonding metal foils by pressing or laminating. However, since it is very difficult to directly bond thin metal foils, methods such as etching after thin metal foils are bonded, methods of peeling the carrier layer after bonding metal foils with carriers, etc. There is. For example, as the former, there is a three-layer copper foil of carrier copper / nickel / thin film copper, and carrier copper may be removed with an alkaline etching solution and nickel with a nickel etching solution. As the latter, a peelable copper foil using aluminum, copper, an insulating film or the like as a carrier can be used, and a seed layer of 5 μm or less can be formed. Alternatively, a 9 to 18 μm thick copper foil may be attached, and the seed layer may be formed by etching so that the thickness is 5 μm or less.

（銅張積層板の製造方法）
本発明を用いた銅張積層板は、例えば、以下のような工程で製造できる。図１の（ａ）〜（ｅ）に、本発明における銅張積層板の製造方法の実施形態の一例を断面模式図で示す。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。 (Copper-clad laminate manufacturing method)
A copper-clad laminate using the present invention can be produced, for example, by the following steps. 1A to 1E are schematic cross-sectional views showing an example of an embodiment of a method for producing a copper-clad laminate in the present invention. However, the order of the manufacturing process is not particularly limited as long as it does not depart from the object of the present invention.

（工程ａ）
（工程ａ）は図１（ａ）に示したように、樹脂層１００を誘電体１０１上に配置する工程である。誘電体上にすべり無く配置するために、貼り付けることが好ましい。貼り付ける方法は特に限定しないが、テープで試料の端部を誘電体に貼り付ける方法や、接着剤を用いる方法や、圧着法などを用いて誘電体１０１と樹脂層１００を貼り付ける方法がある。なお誘電体１０１は、エッチング法や、引き剥がし法などの方法によって、樹脂層１００から取り除くことができる材料を用いることが好ましい。 (Process a)
(Step a) is a step of disposing the resin layer 100 on the dielectric 101 as shown in FIG. In order to dispose the material without slipping on the dielectric, it is preferable to apply it. The method for attaching is not particularly limited, but there are a method for attaching the end of the sample to the dielectric with a tape, a method using an adhesive, and a method for attaching the dielectric 101 and the resin layer 100 using a pressure bonding method or the like. . The dielectric 101 is preferably made of a material that can be removed from the resin layer 100 by an etching method or a peeling method.

（工程ｂ）
（工程ｂ）は図１（ｂ）に示したように、樹脂層１００上に金属層１０２を形成する工程である。樹脂層１００上に金属層１０２を形成する方法は、スパッタリング、イオンプレーティング、クラスターイオンビーム、または化学的気相成長（ＣＶＤ）のようなドライプロセスを用いて形成する方法や、めっき等のようなウエット系プロセスを用いて形成することができる。例えば、金属層をスパッタリングによって形成する場合、使用されるスパッタリング装置は、２極スパッタリング、３極スパッタリングなどの多極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ミラートロンスパッタリング、反応性スパッタリング等を用いることができる。 (Process b)
(Step b) is a step of forming the metal layer 102 on the resin layer 100 as shown in FIG. The method for forming the metal layer 102 on the resin layer 100 includes a method of forming using a dry process such as sputtering, ion plating, cluster ion beam, or chemical vapor deposition (CVD), plating, and the like. It can be formed using a simple wet process. For example, when the metal layer is formed by sputtering, the sputtering apparatus used can use multipolar sputtering such as bipolar sputtering and tripolar sputtering, magnetron sputtering, RF sputtering, mirrortron sputtering, and reactive sputtering. .

（工程ｃ）
（工程ｃ）は図１（ｃ）に示したように、プラズマ処理を施す工程である。プラズマ処理は、プラズマ処理装置に試料を投入し、絶縁体で覆われていない電極１０３上に、金属層１０２を形成した樹脂層１００および誘電体１０１を配置し、プラズマ処理を施す。工程である。プラズマ処理を施した後、装置から試料を取り出す。なお、プラズマ処理後に金属層１０２を形成してもかまわない。金属層１０２の形成方法は（工程ｂ）で示したものと同様の方法でかまわない。また、（工程ｃ）でプラズマ処理を施した後、更に金属層（不図示）を形成してもかまわない。 (Process c)
(Step c) is a step of performing plasma treatment as shown in FIG. In the plasma treatment, a sample is put into a plasma treatment apparatus, the resin layer 100 on which the metal layer 102 is formed and the dielectric 101 are arranged on the electrode 103 that is not covered with an insulator, and plasma treatment is performed. It is a process. After the plasma treatment, the sample is taken out from the apparatus. Note that the metal layer 102 may be formed after the plasma treatment. The formation method of the metal layer 102 may be the same as that shown in (Step b). Further, a metal layer (not shown) may be formed after the plasma treatment in (Step c).

（工程ｄ）
（工程ｄ）は図１（ｄ）に示したように、樹脂層１００から誘電体１０１を除去する工程である。除去する方法は、貼り付けた方法に影響されるため、実験等によってあらかじめ方法や条件を決めておくことが好ましい。 (Process d)
(Step d) is a step of removing the dielectric 101 from the resin layer 100 as shown in FIG. Since the removal method is affected by the pasted method, it is preferable to determine the method and conditions in advance by experiments or the like.

（工程ｅ）
（工程ｅ）は図１（ｅ）に示したように、金属層１０２上に銅層１０４を形成する工程である。銅層の形成方法としては、スパッタリング、蒸着、無電解めっきなどで銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを用いて所望の厚みまで銅めっきすることにより銅層１０４が得られる。 (Process e)
(Step e) is a step of forming the copper layer 104 on the metal layer 102 as shown in FIG. As a method for forming the copper layer, a copper thin film is formed by sputtering, vapor deposition, electroless plating, or the like, and then copper plating is performed to a desired thickness using electrolytic copper plating, whereby the copper layer 104 is obtained.

（工程ｆ）
試料を１８０°回転し、（工程ａ）〜（工程ｅ）を繰り返すことによって、銅層を形成した裏面にも同様に、図１（ｆ）に示すように金属層１０２および銅層１０４を形成することによって、両面銅張積層板を形成することができる。なお、（工程ｆ）における誘電体は、試料を１８０°回転させた後、（工程ｅ）で形成した銅層１０４と電極の間に配置する。 (Process f)
By rotating the sample 180 ° and repeating (step a) to (step e), the metal layer 102 and the copper layer 104 are similarly formed on the back surface on which the copper layer is formed as shown in FIG. By doing so, a double-sided copper-clad laminate can be formed. Note that the dielectric in (Step f) is disposed between the copper layer 104 formed in (Step e) and the electrode after rotating the sample by 180 °.

（プリント配線基板の製造方法）
本発明を用いたプリント配線基板は、例えば、以下のような工程で製造できる。図２の（ｇ）〜（ｌ）に、本発明におけるプリント配線基板の製造方法の実施形態の一例として、片面に配線を形成したプリント配線基板を作製したときの断面模式図で示す。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。 (Printed wiring board manufacturing method)
A printed wiring board using the present invention can be manufactured, for example, by the following steps. 2 (g) to (l) are schematic cross-sectional views when a printed wiring board in which wiring is formed on one side is produced as an example of an embodiment of a method for manufacturing a printed wiring board in the present invention. However, the order of the manufacturing process is not particularly limited as long as it does not depart from the object of the present invention.

（工程ｇ）
（工程ｇ）は図２（ｇ）に示したように、樹脂層１００を誘電体１０１上に配置する工程である。配置する方法としては、（工程ａ）で示した方法と同じでかまわない。 (Process g)
(Step g) is a step of disposing the resin layer 100 on the dielectric 101 as shown in FIG. The arrangement method may be the same as the method shown in (Step a).

（工程ｈ）
（工程ｈ）は図２（ｈ）に示したように、樹脂層１００上に金属層１０２を形成する工程である。金属層１０２の形成方法としては、（工程ｂ）で示した方法と同じでかまわない。 (Process h)
(Step h) is a step of forming the metal layer 102 on the resin layer 100 as shown in FIG. The method for forming the metal layer 102 may be the same as the method shown in (Step b).

（工程ｉ）
（工程ｉ）は図２（ｉ）に示したように、プラズマ処理を施す工程である。プラズマ処理は、プラズマ処理装置に試料を投入し、絶縁体で覆われていない電極１０３上に、金属層１０２を形成した樹脂層１００および誘電体１０１を配置し、プラズマ処理を施す。工程である。プラズマ処理を施した後、装置から試料を取り出す。なお、プラズマ処理後に金属層１０２を形成してもかまわない。金属層１０２の形成方法は（工程ｂ）で示したものと同様の方法でかまわない。また、（工程ｉ）でプラズマ処理を施した後、更に金属層（不図示）を形成してもかまわない。 (Process i)
(Step i) is a step of performing plasma treatment as shown in FIG. In the plasma treatment, a sample is put into a plasma treatment apparatus, the resin layer 100 on which the metal layer 102 is formed and the dielectric 101 are arranged on the electrode 103 that is not covered with an insulator, and plasma treatment is performed. It is a process. After the plasma treatment, the sample is taken out from the apparatus. Note that the metal layer 102 may be formed after the plasma treatment. The formation method of the metal layer 102 may be the same as that shown in (Step b). Further, a metal layer (not shown) may be formed after the plasma treatment in (Step i).

（工程ｊ）
（工程ｊ）は図２（ｊ）に示したように、樹脂層１００から誘電体１０１を除去する工程である。除去する方法は、（工程ｄ）で示した方法と同じでかまわない。 (Process j)
(Step j) is a step of removing the dielectric 101 from the resin layer 100 as shown in FIG. The removal method may be the same as the method shown in (Step d).

（工程ｋ）
（工程ｋ）は図２（ｋ）に示したように、金属層１０２上に銅層１０４を形成する工程である。銅層の形成方法としては、（工程ｅ）と同じでかまわない。 (Process k)
(Step k) is a step of forming the copper layer 104 on the metal layer 102 as shown in FIG. The method for forming the copper layer may be the same as in (Step e).

（工程ｌ）
（工程ｌ）は図２（ｌ）に示したように、配線１０５を形成する工程である。配線の形成方法としては、まず、銅層１０４上にパターン状にレジストを形成し、エッチング法を用いて不要な部分の銅層１０４および金属層１０２を除去する。この方法によって、配線１０５が得られる。 (Process l)
(Step l) is a step of forming the wiring 105 as shown in FIG. As a method for forming the wiring, first, a resist is formed in a pattern on the copper layer 104, and unnecessary portions of the copper layer 104 and the metal layer 102 are removed using an etching method. By this method, the wiring 105 is obtained.

以下、本発明の好適な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
図１を用いて本発明の第１の実施例を説明する。
（工程ａ）
図１（ａ）に示すように、２０ｃｍ□の面積で、樹脂層１００として、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるユーピレックス−２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）を用意し、片面に２５ｃｍ□で、１２５μｍの厚さの誘電体１０１であるユーピレックス−１２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）に貼り付けた。貼り付け方法は、７５μｍポリイミドテープであるＮＩＴＴＯＴＡＰＥ（日東電工（株）社製、商品名）を用いて、樹脂層１００である２０ｃｍ□のポリイミドフィルムの四隅を１２５μｍの厚さのポリイミドフィルムに貼り付けた。なお、樹脂層１００を誘電体１０１に貼り付ける際には、樹脂層１００にしわが発生しないように貼り付けを行った。 EXAMPLES Hereinafter, although the suitable Example of this invention is described, this invention is not limited to these Examples.
Example 1
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
(Process a)
As shown in FIG. 1 (a), an upirex-25S (trade name, manufactured by Ube Industries, Ltd.), which is a polyimide film with a thickness of 25 μm, is prepared as a resin layer 100 with an area of 20 cm □, The film was affixed to Upilex-125S (trade name, manufactured by Ube Industries, Ltd.), which is a dielectric 101 having a thickness of 25 μm and a thickness of 125 μm. The paste method is NITTO TAPE (product name, manufactured by Nitto Denko Corporation) which is a 75 μm polyimide tape, and the four corners of a 20 cm □ polyimide film as the resin layer 100 are pasted on a 125 μm thick polyimide film. I attached. Note that when the resin layer 100 was attached to the dielectric 101, the resin layer 100 was attached so as not to cause wrinkles.

（工程ｂ）
図１（ｂ）に示すように、スパッタリング法を用いて、樹脂層１００であるポリイミドフィルムの表面に金属層１０２であるＣｒ層を５ｎｍ作製した。スパッタリングは、ロードロック式スパッタリング装置型式ＳＩＨ−３５０−Ｔ０８（（株）アルバック社製、商品名）を用いて以下に示した条件１で行った。
条件１
パワー：５００Ｗ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：７．０×１０^−１Ｐａ
温度：室温（２５℃）
成膜レート：３４ｎｍ／ｍｉｎ (Process b)
As shown in FIG.1 (b), 5 nm of Cr layers which are the metal layers 102 were produced on the surface of the polyimide film which is the resin layer 100 using sputtering method. Sputtering was performed under the condition 1 shown below using a load lock type sputtering apparatus model SIH-350-T08 (trade name, manufactured by ULVAC, Inc.).
Condition 1
Power: 500W
Argon flow rate: 100 SCCM
Degree of vacuum: 7.0 × 10 ⁻¹ Pa
Temperature: Room temperature (25 ° C)
Deposition rate: 34 nm / min

（工程ｃ）
図１（ｃ）に示すように、プラズマ処理として、逆スパッタリング処理を試料表面に施した。逆スパッタリング処理は、（工程ｂ）において金属層１０２であるＣｒ層を形成した後、真空から取り出すことなく、同一装置内の電極１０３上において、条件２で行った。電極１０３は絶縁体で覆われていない状態で行った。
条件２
印加電圧：８００Ｖ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：７．０×１０^−１Ｐａ
温度：室温（２５℃）
処理時間：３０秒
交流周波数：１３．５６ＭＨｚ (Process c)
As shown in FIG.1 (c), the reverse sputtering process was performed to the sample surface as a plasma process. The reverse sputtering treatment was performed under condition 2 on the electrode 103 in the same apparatus without taking out the vacuum after forming the Cr layer as the metal layer 102 in (Step b). The electrode 103 was not covered with an insulator.
Condition 2
Applied voltage: 800V
Argon flow rate: 100 SCCM
Degree of vacuum: 7.0 × 10 ⁻¹ Pa
Temperature: Room temperature (25 ° C)
Processing time: 30 seconds AC frequency: 13.56 MHz

さらに、真空から取り出すことなく、逆スパッタリング処理を施した表面に、同一装置（ロードロック式スパッタリング装置型式ＳＩＨ−３５０−Ｔ０８（（株）アルバック社製、商品名））内で、Ｃｒ層を５ｎｍ作製し、さらにＣｕ薄膜層を２００ｎｍ作製した。Ｃｒ層の作製は、条件１と同様の条件で行い、Ｃｕ薄膜層の形成は条件３で行った。
条件３
パワー：５００Ｗ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：７．０×１０^−１Ｐａ
温度：室温（２５℃）
成膜レート：５２ｎｍ／ｍｉｎ Further, the Cr layer was formed on the surface subjected to the reverse sputtering treatment without taking out from the vacuum in the same apparatus (load lock type sputtering apparatus type SIH-350-T08 (trade name, manufactured by ULVAC, Inc.)) by 5 nm. Then, a Cu thin film layer was formed to 200 nm. The Cr layer was produced under the same conditions as in Condition 1, and the Cu thin film layer was formed under Condition 3.
Condition 3
Power: 500W
Argon flow rate: 100 SCCM
Degree of vacuum: 7.0 × 10 ⁻¹ Pa
Temperature: Room temperature (25 ° C)
Deposition rate: 52 nm / min

（工程ｄ）
次に、図１（ｄ）に示したように、スパッタリング装置から取り出した後、ポリイミドテープを引き剥がし、誘電体１０１であるポリイミドフィルムを取り外した。 (Process d)
Next, as shown in FIG.1 (d), after taking out from the sputtering apparatus, the polyimide tape was peeled off and the polyimide film which is the dielectric material 101 was removed.

（工程ｅ）
その後、（工程ｂ）および（工程ｃ）において形成したＣｒ層とＣｕ薄膜層をシード層として、電気めっきを用いてＣｕ層１０４を８μｍ形成した。 (Process e)
Thereafter, using the Cr layer and the Cu thin film layer formed in (Step b) and (Step c) as seed layers, 8 μm of Cu layer 104 was formed by electroplating.

（工程ｆ）
その後、試料を１８０°回転し、（工程ａ）〜（工程ｅ）を繰り返し、金属層１０２を形成した後、（工程ｃ）と同じ条件で逆スパッタリング処理を施し、さらにＣｒ層とＣｕ薄膜層をシード層として形成し、電気めっきを用いてＣｕ層１０４を８μｍ形成することによって、両面銅張積層板を作製した。 (Process f)
Thereafter, the sample is rotated 180 °, (Steps a) to (Step e) are repeated, and after forming the metal layer 102, reverse sputtering treatment is performed under the same conditions as in (Step c), and the Cr layer and Cu thin film layer Was formed as a seed layer, and a Cu layer 104 was formed to have a thickness of 8 μm by using electroplating to produce a double-sided copper-clad laminate.

（実施例２）
（実施例１）の（工程ｂ）、（工程ｃ）および（工程ｆ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例１）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例１）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件４
パワー：５００Ｗ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：７．０×１０^−１Ｐａ
温度：室温（２５℃）
成膜レート：２９ｎｍ／ｍｉｎ (Example 2)
In (Process b), (Process c) and (Process f) of (Example 1), a Ni layer was formed instead of a Cr layer. The film thickness of Ni was the same as that of the Cr layer of (Example 1). The Ni layer was formed under the condition 4 below. Other steps were the same as in Example 1 to produce a double-sided copper-clad laminate.
Condition 4
Power: 500W
Argon flow rate: 100 SCCM
Degree of vacuum: 7.0 × 10 ⁻¹ Pa
Temperature: Room temperature (25 ° C)
Deposition rate: 29 nm / min

（実施例３）
（実施例１）の（工程ｃ）および（工程ｆ）において、逆スパッタリング処理ではなく、ＲＩＥ処理を用いた。ＲＩＥ処理はＲＩＥＣＳＥ−１１１０（（株）アルバック社製、商品名）を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件５行った。それ以外の工程は、（実施例１）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件５
印加電圧：５００Ｖ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：１．０Ｐａ
温度：室温（２５℃）
処理時間：１２０秒
交流周波数：１３．５６ＭＨｚ (Example 3)
In (Step c) and (Step f) of (Example 1), RIE treatment was used instead of reverse sputtering treatment. The RIE treatment was performed under condition 5 using RIE CSE-1110 (trade name, manufactured by ULVAC, Inc.) with a part of the electrode under the sample exposed. Other steps were the same as in Example 1 to produce a double-sided copper-clad laminate.
Condition 5
Applied voltage: 500V
Argon flow rate: 100 SCCM
Degree of vacuum: 1.0 Pa
Temperature: Room temperature (25 ° C)
Processing time: 120 seconds AC frequency: 13.56 MHz

（実施例４）
（実施例３）の（工程ｂ）、（工程ｃ）および（工程ｆ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例３）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例３）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。 Example 4
In (Step b), (Step c) and (Step f) of (Example 3), a Ni layer was formed instead of a Cr layer. The film thickness of Ni was the same as the Cr layer of (Example 3). The Ni layer was formed under the condition 4 below. Other processes were the same as in (Example 3), and a double-sided copper-clad laminate was produced.

（実施例５）
（実施例１）の（工程ｃ）および（工程ｆ）において、逆スパッタリング処理ではなく、真空プラズマ処理を用いた。真空プラズマ処理はプラズマリアクターＰＲ−５０１Ａ（ヤマト科学（株）社製、商品名）を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件６で行った。それ以外の工程は、（実施例１）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。
条件５
印加電圧：４００Ｖ
アルゴン流量：１００ＳＣＣＭ
真空度：１０．０Ｐａ
温度：室温（２５℃）
処理時間：３００秒
交流周波数：１３．５６ＭＨｚ (Example 5)
In (Step c) and (Step f) of (Example 1), vacuum plasma treatment was used instead of reverse sputtering treatment. The vacuum plasma treatment was performed under condition 6 using a plasma reactor PR-501A (trade name, manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd.) with a part of the electrode under the sample exposed. Other steps were the same as in Example 1 to produce a double-sided copper-clad laminate.
Condition 5
Applied voltage: 400V
Argon flow rate: 100 SCCM
Degree of vacuum: 10.0Pa
Temperature: Room temperature (25 ° C)
Processing time: 300 seconds AC frequency: 13.56 MHz

（実施例６）
（実施例５）の（工程ｂ）、（工程ｃ）および（工程ｆ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例５）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例５）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。 (Example 6)
In (Step b), (Step c) and (Step f) of (Example 5), not the Cr layer but the Ni layer was formed. The film thickness of Ni was the same as the Cr layer of (Example 5). The Ni layer was formed under the condition 4 below. Other processes were the same as in (Example 5), and a double-sided copper-clad laminate was produced.

（実施例７）
（実施例１）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）ではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。 (Example 7)
The resin layer 100 of Example 1 is not UPILEX-25S (trade name, manufactured by Ube Industries Co., Ltd.), but Kapton 100EN (made by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm. Product name). Other processes were the same as in Example 1, and a double-sided copper-clad laminate was produced.

（実施例８）
（実施例２）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例２）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。 (Example 8)
As the resin layer 100 of Example 2, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other processes were the same as in (Example 2), and a double-sided copper-clad laminate was produced.

（実施例９）
（実施例３）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例３）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。 Example 9
As the resin layer 100 of Example 3, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other processes were the same as in (Example 3), and a double-sided copper-clad laminate was produced.

（実施例１０）
（実施例４）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例４）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。 (Example 10)
As the resin layer 100 of Example 4, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other processes were the same as in (Example 4), and a double-sided copper-clad laminate was produced.

（実施例１１）
（実施例５）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例５）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。 (Example 11)
As the resin layer 100 of Example 5, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other processes were the same as in (Example 5), and a double-sided copper-clad laminate was produced.

（実施例１２）
（実施例６）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例６）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。 (Example 12)
As the resin layer 100 of Example 6, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other processes were the same as in (Example 6), and a double-sided copper-clad laminate was produced.

（実施例１３）
（工程ｇ）
図２（ｇ）に示すように、２０ｃｍ□の面積で、樹脂層１００として、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるユーピレックス−２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）を用意し、片面に２５ｃｍ□で、１２５μｍの厚さの誘電体１０１であるユーピレックス−１２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）に貼り付けた。貼り付け方法は、７５μｍポリイミドテープであるＮＩＴＴＯＴＡＰＥ（日東電工（株）社製、商品名）を用いて、樹脂層１００である２０ｃｍ□のポリイミドフィルムの四隅を１２５μｍの厚さのポリイミドフィルムに貼り付けた。なお、樹脂層１００を誘電体１０１に貼り付ける際には、樹脂層１００にしわが発生しないように貼り付けを行った。 (Example 13)
(Process g)
As shown in FIG. 2 (g), an upirex-25S (trade name, manufactured by Ube Industries, Ltd.), which is a polyimide film with a thickness of 25 μm, is prepared as a resin layer 100 with an area of 20 cm □. The film was affixed to Upilex-125S (trade name, manufactured by Ube Industries, Ltd.), which is a dielectric 101 having a thickness of 25 μm and a thickness of 125 μm. The paste method is NITTO TAPE (product name, manufactured by Nitto Denko Corporation) which is a 75 μm polyimide tape, and the four corners of a 20 cm □ polyimide film as the resin layer 100 are pasted on a 125 μm thick polyimide film. I attached. Note that when the resin layer 100 was attached to the dielectric 101, the resin layer 100 was attached so as not to cause wrinkles.

（工程ｈ）
図２（ｈ）に示すように、スパッタリング法を用いて、樹脂層１００であるポリイミドフィルムの表面に金属層１０２であるＣｒ層を５ｎｍ作製した。スパッタリングは、ロードロック式スパッタリング装置型式ＳＩＨ−３５０−Ｔ０８（（株）アルバック社製、商品名）を用いて以下に示した条件１で行った。 (Process h)
As shown in FIG. 2 (h), a Cr layer as the metal layer 102 was formed to 5 nm on the surface of the polyimide film as the resin layer 100 by using a sputtering method. Sputtering was performed under the condition 1 shown below using a load lock type sputtering apparatus model SIH-350-T08 (trade name, manufactured by ULVAC, Inc.).

（工程ｉ）
図２（ｉ）に示すように、プラズマ処理として、逆スパッタリング処理を試料表面に施した。逆スパッタリング処理は、（工程ｈ）において金属層１０２であるＣｒ層を形成した後、真空から取り出すことなく、同一装置内の電極１０３上において、条件２で行った。電極１０３は絶縁体で覆われていない状態で行った。さらに、真空から取り出すことなく、逆スパッタリング処理を施した表面に、同一装置（ロードロック式スパッタリング装置型式ＳＩＨ−３５０−Ｔ０８（（株）アルバック社製、商品名））内で、Ｃｒ層を５ｎｍ作製し、さらにＣｕ薄膜層を２００ｎｍ作製した。Ｃｒ層の作製は、条件１と同様の条件で行い、Ｃｕ薄膜層の形成は条件３で行った。 (Process i)
As shown in FIG. 2 (i), a reverse sputtering treatment was performed on the sample surface as a plasma treatment. The reverse sputtering treatment was performed under the condition 2 on the electrode 103 in the same apparatus without removing from the vacuum after forming the Cr layer as the metal layer 102 in (Step h). The electrode 103 was not covered with an insulator. Further, the Cr layer was formed on the surface subjected to the reverse sputtering treatment without taking out from the vacuum in the same apparatus (load lock type sputtering apparatus type SIH-350-T08 (trade name, manufactured by ULVAC, Inc.)) by 5 nm. Then, a Cu thin film layer was formed to 200 nm. The Cr layer was produced under the same conditions as in Condition 1, and the Cu thin film layer was formed under Condition 3.

（工程ｊ）
次に、図２（ｊ）に示したように、スパッタリング装置から取り出した後、ポリイミドテープを引き剥がし、誘電体１０１であるポリイミドフィルムを取り外した。 (Process j)
Next, as shown in FIG. 2 (j), after taking out from the sputtering apparatus, the polyimide tape was peeled off, and the polyimide film as the dielectric 101 was removed.

（工程ｋ）
その後、（工程ｈ）および（工程ｉ）において形成したＣｒ層とＣｕ薄膜層をシード層として、電気めっきを用いてＣｕ層１０４を８μｍ形成した。 (Process k)
Thereafter, using the Cr layer and Cu thin film layer formed in (Step h) and (Step i) as seed layers, Cu layer 104 was formed to 8 μm by electroplating.

（工程ｌ）
Ｃｕ層１０４の上に、レジストを形成し、パターン状に露光を行った後、サブトラクティブ法を用いてＣｕ層、Ｃｕ薄膜層およびＣｒ層を、エッチング液を用いて除去することによって、配線１０５を形成した。Ｃｕ層およびＣｕ薄膜層のエッチング液としては、塩化第二鉄系エッチング液を用い、Ｃｒ層のエッチング液としては、フェリシアン化カリウム系エッチング液を用いた。このようにして、プリント配線基板を作製した。 (Process l)
After forming a resist on the Cu layer 104 and performing exposure in a pattern, the Cu layer, the Cu thin film layer, and the Cr layer are removed using an etching solution by using a subtractive method, whereby the wiring 105 Formed. A ferric chloride etching solution was used as the etching solution for the Cu layer and the Cu thin film layer, and a potassium ferricyanide etching solution was used as the etching solution for the Cr layer. In this way, a printed wiring board was produced.

（実施例１４）
（実施例１３）の（工程ｈ）および（工程ｉ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例１３）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成は、条件４と同じ条件で行った。それ以外の工程は、（実施例１３）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 (Example 14)
In (Step h) and (Step i) of (Example 13), a Ni layer was formed instead of a Cr layer. The film thickness of Ni was the same as that of the Cr layer of (Example 13). The Ni layer was formed under the same condition as condition 4. Other steps were the same as in (Example 13), and a printed wiring board was produced.

（実施例１５）
（実施例１３）の（工程ｉ）において、逆スパッタリング処理ではなく、ＲＩＥ処理を用いた。ＲＩＥ処理はＲＩＥＣＳＥ−１１１０（（株）アルバック社製、商品名）を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件５行った。それ以外の工程は、（実施例１３）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 (Example 15)
In (Step i) of (Example 13), RIE treatment was used instead of reverse sputtering treatment. The RIE treatment was performed under condition 5 using RIE CSE-1110 (trade name, manufactured by ULVAC, Inc.) with a part of the electrode under the sample exposed. Other steps were the same as in (Example 13), and a printed wiring board was produced.

（実施例１６）
（実施例１５）の（工程ｈ）および、（工程ｉ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例１５）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例１５）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 (Example 16)
In (Process h) and (Process i) of (Example 15), a Ni layer was formed instead of a Cr layer. The film thickness of Ni was the same as that of the Cr layer of (Example 15). The Ni layer was formed under the condition 4 below. Other steps were the same as in Example 15 to fabricate a printed wiring board.

（実施例１７）
（実施例１３）の（工程ｉ）において、逆スパッタリング処理ではなく、真空プラズマ処理を用いた。真空プラズマ処理はプラズマリアクターＰＲ−５０１Ａ（ヤマト科学（株）社製、商品名）を用い、試料下の電極の一部が露出した状態で、条件６行った。それ以外の工程は、（実施例１３）と同様にして、両面銅張積層板を作製した。 (Example 17)
In (Step i) of (Example 13), vacuum plasma treatment was used instead of reverse sputtering treatment. The vacuum plasma treatment was performed under condition 6 using a plasma reactor PR-501A (trade name, manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd.) with a part of the electrode under the sample exposed. Other steps were the same as in Example 13, and a double-sided copper-clad laminate was produced.

（実施例１８）
（実施例１７）の（工程ｈ）および、（工程ｉ）においてＣｒ層ではなく、Ｎｉ層を形成した。Ｎｉの膜厚は、（実施例１７）のＣｒ層と同じにした。Ｎｉ層の形成条件は、条件４で行った。それ以外の工程は、（実施例１７）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 (Example 18)
In (Step h) and (Step i) of (Example 17), not the Cr layer but the Ni layer was formed. The film thickness of Ni was the same as the Cr layer of (Example 17). The Ni layer was formed under the condition 4 below. Other processes were the same as in (Example 17), and a printed wiring board was produced.

（実施例１９）
（実施例１３）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓ（宇部興産（株）社製、商品名）ではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１３）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 Example 19
As the resin layer 100 of (Example 13), Kupton 100EN (made by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film with a thickness of 25 μm, is not used as Upilex-25S (trade name, manufactured by Ube Industries, Ltd.) Product name). Other processes were the same as in (Example 13), and a printed wiring board was produced.

（実施例２０）
（実施例１４）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１４）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 (Example 20)
As the resin layer 100 of Example 14, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other processes were the same as in (Example 14), and a printed wiring board was produced.

（実施例２１）
（実施例１５）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１５）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 (Example 21)
As the resin layer 100 of Example 15, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other steps were the same as in (Example 15), and a printed wiring board was produced.

（実施例２２）
（実施例１６）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１６）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 (Example 22)
As the resin layer 100 of Example 16, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other processes were the same as in (Example 16), and a printed wiring board was produced.

（実施例２３）
（実施例１７）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１７）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 (Example 23)
As the resin layer 100 of Example 17, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other steps were the same as in (Example 17), and a printed wiring board was produced.

（実施例２４）
（実施例１８）の樹脂層１００として、ユーピレックス−２５Ｓではなく、２５μｍの厚さのポリイミドフィルムであるカプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン（株）社製、商品名）を用いた。それ以外の工程は（実施例１８）と同様にして、プリント配線基板を作製した。 (Example 24)
As the resin layer 100 of Example 18, Kupton 100EN (trade name, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), which is a polyimide film having a thickness of 25 μm, was used instead of Upilex-25S. Other steps were the same as in (Example 18), and a printed wiring board was produced.

（比較例１）
（実施例１）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例１）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 1)
In (Step a) and (Step f) of (Example 1), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, the same process as in Example 1 was used to produce a double-sided copper-clad laminate.

（比較例２）
（実施例２）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例２）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 2)
In (Step a) and (Step f) of (Example 2), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 2.

（比較例３）
（実施例３）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例３）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 3)
In (Step a) and (Step f) of (Example 3), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was prepared using the same steps as in Example 3.

（比較例４）
（実施例４）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例４）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 4)
In (Step a) and (Step f) of (Example 4), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 4.

（比較例５）
（実施例５）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例５）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 5)
In (Step a) and (Step f) of (Example 5), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 5.

（比較例６）
（実施例６）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例６）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 6)
In (Step a) and (Step f) of (Example 6), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 6.

（比較例７）
（実施例７）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例７）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 7)
In (Step a) and (Step f) of (Example 7), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 7.

（比較例８）
（実施例８）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例８）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 8)
In (Step a) and (Step f) of (Example 8), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 8.

（比較例９）
（実施例９）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例９）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 9)
In (Step a) and (Step f) of (Example 9), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 9.

（比較例１０）
（実施例１０）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例１０）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 10)
In (Step a) and (Step f) of (Example 10), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 10.

（比較例１１）
（実施例１１）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例１１）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 11)
In (Step a) and (Step f) of (Example 11), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 11.

（比較例１２）
（実施例１２）の（工程ａ）、（工程ｆ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｄ）を行わなかった。その他は（実施例１２）と同じ工程を用いて、両面銅張積層板を作製した。 (Comparative Example 12)
In (Step a) and (Step f) of (Example 12), the dielectric 101 was not used and (Step d) was not performed. Otherwise, a double-sided copper-clad laminate was produced using the same steps as in Example 12.

（比較例１３）
（実施例１３）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１３）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 13)
In (Step g) of (Example 13), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Otherwise, a printed wiring board was produced using the same steps as in Example 13.

（比較例１４）
（実施例１４）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１４）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 14)
In (Step g) of (Example 14), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Otherwise, a printed wiring board was produced using the same steps as in Example 14.

（比較例１５）
（実施例１５）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１５）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 15)
In (Step g) of (Example 15), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Otherwise, a printed wiring board was produced using the same steps as in Example 15.

（比較例１６）
（実施例１６）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１６）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 16)
In (Step g) of (Example 16), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Otherwise, a printed wiring board was fabricated using the same steps as in (Example 16).

（比較例１７）
（実施例１７）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１７）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 17)
In (Step g) of (Example 17), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Others were the same steps as in Example 17 to produce a printed wiring board.

（比較例１８）
（実施例１８）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１８）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 18)
In (Step g) of (Example 18), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Others were the same steps as in Example 18 to produce a printed wiring board.

（比較例１９）
（実施例１９）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例１９）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 19)
In (Step g) of (Example 19), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Others were the same steps as in Example 19 to produce a printed wiring board.

（比較例２０）
（実施例２０）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２０）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 20)
In (Step g) of (Example 20), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Otherwise, a printed wiring board was fabricated using the same steps as in Example 20.

（比較例２１）
（実施例２１）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２１）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 21)
In (Step g) of (Example 21), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Otherwise, a printed wiring board was produced using the same steps as in Example 21.

（比較例２２）
（実施例２２）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２２）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 22)
In (Step g) of (Example 22), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Otherwise, a printed wiring board was fabricated using the same steps as in (Example 22).

（比較例２３）
（実施例２３）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２３）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 23)
In (Step g) of (Example 23), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Otherwise, a printed wiring board was produced using the same steps as in Example 23.

（比較例２４）
（実施例２４）の（工程ｇ）において、誘電体１０１を用いず、（工程ｊ）を行わなかった。その他は（実施例２４）と同じ工程を用いて、プリント配線基板を作製した。 (Comparative Example 24)
In (Step g) of (Example 24), the dielectric 101 was not used and (Step j) was not performed. Others were the same steps as in Example 24 to produce a printed wiring board.

以上のように作製した実施例１〜１２および比較例１〜１２で作製した両面銅張積層板について、外観を観察した。同様に、実施例１３〜２４および比較例１３〜２４で作製したプリント配線基板について、外観を観察した。外観は、目視によって判別し、絶縁破壊による焼損の有無を調べた。試料はそれぞれ２５個作製し、焼損が見られた試料についてはＮＧとした。下記表１に、ＮＧとなった試料数を示す。 The external appearance was observed about the double-sided copper clad laminated board produced in Examples 1-12 and Comparative Examples 1-12 produced as mentioned above. Similarly, the external appearance was observed about the printed wiring board produced in Examples 13-24 and Comparative Examples 13-24. The appearance was visually determined and examined for the presence of burnout due to dielectric breakdown. Twenty-five samples were prepared for each sample, and NG was used for samples that showed burnout. Table 1 below shows the number of samples that became NG.

実施例１〜１２で作製した両面銅張積層板および実施例１３〜２４で作製したプリント配線基板に示したように、本発明の場合、絶縁破壊による試料の焼損は見られなかった。それに対して、比較例１〜１２で作製した両面銅張積層板および比較例１３〜２４で作製したプリント配線基板に示したように、本発明を用いなかった場合は、ほとんどの試料で絶縁破壊による焼損が見られた。 As shown in the double-sided copper-clad laminate produced in Examples 1-12 and the printed wiring board produced in Examples 13-24, in the case of the present invention, no sample burnout due to dielectric breakdown was observed. On the other hand, as shown in the double-sided copper-clad laminate produced in Comparative Examples 1-12 and the printed wiring board produced in Comparative Examples 13-24, dielectric breakdown was observed in most samples when the present invention was not used. Burnout was observed.

本発明により、プラズマ処理において電極と試料の間に誘電体を挿入することで、試料の焼損を防ぐことができる。これによって、焼損のない、良好な銅張積層板およびプリント配線基板を製造できる。 According to the present invention, burning of the sample can be prevented by inserting a dielectric between the electrode and the sample in the plasma treatment. Thereby, it is possible to manufacture a good copper-clad laminate and printed wiring board without burning.

（ａ）〜（ｆ）は本発明の銅張積層板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。(A)-(f) is process drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the copper clad laminated board of this invention. （ｇ）〜（ｌ）は本発明のプリント配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。(G)-(l) is process drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board of this invention.

Explanation of symbols

１００樹脂層
１０１誘電体
１０２金属層
１０３プラズマを発生させる電極（絶縁体で被覆されていない）
１０４電気めっき銅層
１０５配線

DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Resin layer 101 Dielectric body 102 Metal layer 103 Electrode which generates plasma (It is not coat | covered with the insulator.)
104 Electroplated copper layer 105 Wiring

Claims

In a plasma processing method in which a part of metal of at least one electrode of two or more electrodes to which a voltage is applied is exposed, a sample is disposed on the metal exposed portion of the electrode, and the sample is subjected to plasma processing A plasma processing method comprising inserting a dielectric between the sample and a metal exposed portion of an electrode on which the sample is disposed.

The plasma processing method according to claim 1, wherein the voltage applied to the two or more electrodes is alternating current or pulsed.

The plasma processing method according to claim 1, wherein the plasma processing is performed in a vacuum.

The plasma processing method according to claim 1, wherein the plasma processing is a reverse sputtering method.

The plasma processing method according to claim 1, wherein the plasma processing is a reactive ion etching method.

The manufacturing method of the copper clad laminated board which has a plasma processing method in any one of Claims 1-5.

The manufacturing method of the printed wiring board which has the said plasma processing method in any one of Claims 1-5.

It is a copper clad laminated board manufactured by the manufacturing method of the copper clad laminated board of Claim 6, Comprising: At least one of a via, a through hole, a metal layer, a wiring, and a resin layer is formed in the surface A copper-clad laminate characterized by being made.

A printed wiring board manufactured by the method for manufacturing a printed wiring board according to claim 7, wherein one or more of vias, through holes, metal layers, wirings, and resin layers are formed on the surface. A printed wiring board characterized by comprising: