JP2007208046A - Test method of semiconductor device - Google Patents

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Yoshinobu Sawada
佳伸 澤田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a test method for a semiconductor device which can shorten the test time efficiently. <P>SOLUTION: The test method includes a process (step S 13) to select a tested chip in a reference region on a wafer positioned to surround a test chip; a process (step S 14) to compile test items and their number of the selected tested chips identified to be failure, and to rearrange the sequence of the test items so that the test item with many failures may come first; and a process (step S 15) to carry out the test of the test chips in the order of rearranged test item sequence. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置の試験方法に関する。   The present invention relates to a method for testing a semiconductor device.

ウェハ上で行う半導体装置(形態的な側面からチップと称す)の良否判定のテストは、半導体装置の多機能化によりテスト項目数が増加する傾向にある。特にアナログ系の半導体装置においては、類似した内容のテストでも入力レベルを変化させたテストを行う必要があるため、テスト項目数は数百乃至それ以上に達する場合がある。   A test for determining whether or not a semiconductor device (referred to as a chip from a morphological side) is performed on a wafer tends to increase the number of test items due to the multi-functionalization of the semiconductor device. In particular, in an analog semiconductor device, it is necessary to perform a test in which the input level is changed even in a similar test, and therefore the number of test items may reach several hundred or more.

ウェハテストは、チップ毎に、ウェハ上の決められた位置から開始され、ウェハ上の配列の順番にテストが行われることが多い。それぞれのチップにおいて、第1のテスト項目から、例えば、数百番目のテスト項目まで設定された順番で行われる。テスト項目に不良が発見された時点で、不良品と判定される。良否判定においては、それ以上の測定は不要なので、プローバ及びテスタは次にテストすべきチップに移動する。次のチップにおいて、また、第1のテスト項目から設定された順番にテストを行うことを繰り返す。このため、アナログ系の半導体装置等におけるテスト項目数の増加は、ウェハテスト時間の増加に繋がり、ウェハテストのスループットを悪化させる。   The wafer test is started from a predetermined position on the wafer for each chip, and the test is often performed in the order of arrangement on the wafer. In each chip, the test is performed in the order set from the first test item to the several hundredth test item, for example. When a defect is found in the test item, it is determined as a defective product. In the pass / fail judgment, since no further measurement is required, the prober and tester move to the next chip to be tested. In the next chip, the test is repeated in the order set from the first test item. For this reason, an increase in the number of test items in an analog semiconductor device or the like leads to an increase in wafer test time and deteriorates the wafer test throughput.

そこで、良否判定のテストにおいて、最初のチップNo.1〜10は、いずれもテストプログラムに記述されたテスト項目の順にテストが行われ、次のチップNo.11〜20は、チップNo.1〜10のテスト結果に基づいて、不良数が多いテスト項目の順に並べ替えられてテストが行われ、以降同様にして10チップ毎にテスト項目の並べ替えが行われ、常に直前の10チップ分のテスト結果において不良数が多かったものから順に次のテストが行われる方法が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。   Therefore, in the pass / fail judgment test, the first chip No. 1 to 10 are all tested in the order of the test items described in the test program. 11 to 20 are chip numbers. Based on the test results 1 to 10, the test items are rearranged in the order of the test items having the largest number of defects, and then the test items are rearranged every 10 chips in the same manner, and the test items are always sorted for the immediately preceding 10 chips. A method is disclosed in which the next test is performed in order from the one with the largest number of defects in the test results (see, for example, Patent Document 1).

開示された試験方法は、測定時間が近い10チップに発生した不良テスト項目の頻度の順が、テストチップの測定に反映されるために、たまたま、直前の10チップの分布に同じ不良原因の分布が重なった場合、テストチップのテスト時、不良テスト項目に達する時間、すなわち、テスト時間の短縮が可能となる。しかしながら、ウェハという平面的な広がりの中にチップは形成されるので、参照される直前の10チップの分布と不良原因の分布とが異なる場合が少なくなく、テスト時間の短縮が期待するほど大きくならないという問題がある。
特開平9−181134号公報
In the disclosed test method, since the order of the frequency of defective test items occurring on 10 chips that are close to the measurement time is reflected in the measurement of the test chip, it happens that the distribution of failure causes that is the same as the distribution of the previous 10 chips. When the test pieces overlap, it is possible to shorten the time to reach the defective test item, that is, the test time when testing the test chip. However, since the chips are formed in the planar spread of the wafer, the distribution of the 10 chips immediately before being referenced is often different from the distribution of the cause of failure, and the test time is not so large as expected. There is a problem.
JP-A-9-181134

本発明は、テスト時間を効率的に短縮できる半導体装置の試験方法を提供する。   The present invention provides a method for testing a semiconductor device that can efficiently reduce the test time.

本発明の一態様の半導体装置の試験方法は、テストチップを取り囲む位置にあるウェハ上の参照領域内にあるテスト済みチップを選択する工程と、選択された前記テスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、不良数が多い前記テスト項目が先頭になるようにテスト項目の順番を並べ替える工程と、前記テストチップのテストは前記並べ替えられたテスト項目順に実施される工程とを有することを特徴とする。   A method for testing a semiconductor device according to an aspect of the present invention includes a step of selecting a tested chip in a reference region on a wafer at a position surrounding a test chip, and a test in which the selected tested chip is defective. A step of counting the items and the number thereof, rearranging the order of the test items so that the test item having a large number of defects comes first, and a step of performing the test of the test chip in the order of the rearranged test items; It is characterized by having.

また、本発明の別の態様の半導体装置の試験方法は、複数のショットに分けて形成されたパターンを有するウェハを用意する工程と、テストチップと前記ショット内の同価の位置にある前記ウェハ上のテスト済みチップを選択する工程と、選択された前記テスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、不良数が多い前記テスト項目が先頭になるようにテスト項目の順番を並べ替える工程と、前記テストチップのテストは前記並べ替えられたテスト項目順に実施される工程とを有することを特徴とする。   According to another aspect of the present invention, there is provided a test method for a semiconductor device, the step of preparing a wafer having a pattern formed by dividing into a plurality of shots, and the test chip and the wafer at the same position in the shot. The step of selecting the above tested chip, the test items that have become defective in the selected tested chip, and the number of the test items are totaled, and the order of the test items is set so that the test item with the highest number of defects is at the top. The rearrangement step and the test of the test chip are performed in the order of the rearranged test items.

本発明によれば、テスト時間を効率的に短縮できる半導体装置の試験方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the test method of the semiconductor device which can shorten test time efficiently can be provided.

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付している。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the figure shown below, the same code | symbol is attached | subjected to the same component.

まず、ウェハテスト工程を実行するとき、図1に示すように、ウェハ1上に2次元的に配置されたチップ5をそれぞれ区別するために、チップ5位置を示す座標が与えられる。例えば、縦軸の行方向に、実質的なウェハ端部を始点として「1」を与え、以下、長方形のチップの辺に平行な縦方向ピッチ毎に1つずつ増加する番号とする。同様に、長方形のチップの辺に平行な横軸の列方向に、実質的なウェハ端部を始点として「1」を与え、以下チップの横方向ピッチ毎に1つずつ増加する番号とする。引き出し線(波線)の先端で示されたチップ5は、行番号「4」、列番号「7」となり、例えば、(4,7)と座標表示することができる。   First, when performing the wafer test process, as shown in FIG. 1, coordinates indicating the position of the chip 5 are given in order to distinguish each of the chips 5 arranged two-dimensionally on the wafer 1. For example, “1” is given in the row direction of the vertical axis, starting from a substantial wafer edge, and hereinafter, the number is incremented by 1 for each vertical pitch parallel to the sides of the rectangular chip. Similarly, in the row direction of the horizontal axis parallel to the sides of the rectangular chip, “1” is given starting from the substantial wafer edge, and the number is incremented by 1 for each horizontal pitch of the chip. The chip 5 indicated by the leading end of the lead-out line (wavy line) has a row number “4” and a column number “7”, and can be displayed with coordinates (4, 7), for example.

ウェハは、通常、円形をなしているので、行と列で表示された矩形の4つの角部、例えば、(1,1)、(1,16)、(16,1)、(16,16)等には、チップは存在せず、また、ウェハの周辺部に存在するチップは中心部にあるチップと比較して製造条件の違いが大きい、あるいは、完全なチップ形状を確保できない等の理由で、ウェハテスト工程では除外される。つまり、図1に示す円は、実際のウェハ1の外周より内側にあり、この円内にテストに値するチップ5が、例えば、164個分布している。   Since the wafer is generally circular, four corners of a rectangle displayed in rows and columns, for example, (1,1), (1,16), (16,1), (16,16) ) Etc., there is no chip, and the chip present in the peripheral part of the wafer has a large difference in manufacturing conditions compared to the chip in the central part, or a complete chip shape cannot be secured. Therefore, it is excluded in the wafer test process. That is, the circle shown in FIG. 1 is inside the outer periphery of the actual wafer 1, and 164 chips 5 worth testing are distributed in this circle, for example.

次に、ウェハテスト工程は、図2に模式的に示される試験装置100によって実施される。図2に示すように、半導体装置の試験装置100は、テスタ101とプローバ102がテスタサーバ104に接続され、テスタ101とテスタサーバ104が設定部106に接続されている。プローバ102の所定位置にウェハが載置され、移動機構でテストチップの位置を出し、テストチップの電極にプローブを接触させる。この接触した状態でテスタから電力供給及び試験信号供給が行われてウェハテストが実施される。通常、テスト項目は多く、チップの良否判定においては、テスト項目で不良が見つかった時点で、テストチップは不良チップと判定されて、次の、例えば、隣接したテストチップのテストに移行する。   Next, the wafer test process is performed by a test apparatus 100 schematically shown in FIG. As shown in FIG. 2, in the semiconductor device testing apparatus 100, a tester 101 and a prober 102 are connected to a tester server 104, and the tester 101 and the tester server 104 are connected to a setting unit 106. A wafer is placed at a predetermined position of the prober 102, the position of the test chip is brought out by the moving mechanism, and the probe is brought into contact with the electrode of the test chip. In this contact state, a power test and a test signal are supplied from the tester to perform a wafer test. Usually, there are many test items, and in determining whether a chip is good or bad, when a defect is found in the test item, the test chip is determined to be a defective chip, and the next test, for example, is performed on the adjacent test chip.

ウェハテスト結果は、テスタサーバ104に送られ、テストチップの座標と共に、良否及び不良テスト項目番号等が記憶される。設定部106は、入出力装置や記憶装置を備えたコンピュータからなり、テストチップの周辺に分布する参照領域の設定、テストチップと同価の位置にある同価チップを参照する設定、テスト条件の設定、テスト結果の解析・表示、ウェハ/ロットの品質チェック、及び、その他の機能を有するアプリケーション等がインストールされている。   The wafer test result is sent to the tester server 104, and the pass / fail test item number and the like are stored together with the coordinates of the test chip. The setting unit 106 includes a computer including an input / output device and a storage device. The setting unit 106 sets a reference area distributed around the test chip, sets a reference to a equivalent chip at a position equivalent to the test chip, Applications that have settings, analysis / display of test results, wafer / lot quality check, and other functions are installed.

良否判定のウェハテスト工程を経て、チップ毎の良否及び不良テスト項目をウェハ上のチップ分布に対応させて模式的に表わした図を、図3(a)及び図3(b)に例示する。なお、テストチップを全項目測定すると、複数のテスト項目で不良が出る場合でも、良否判定のテストでは、最初に不良が出たテスト項目が、そのテストチップの不良テスト項目として示されている。   3A and 3B are diagrams schematically showing the pass / fail test items for each chip in correspondence with the chip distribution on the wafer through the wafer test process for pass / fail determination. Note that when all the test chips are measured, even if a plurality of test items are defective, in the pass / fail judgment test, the test item in which the defect first appears is shown as a defect test item for the test chip.

図3(a)に示すように、ウェハ2は、良チップ11が多く存在する一方、ウェハ2上にほぼランダムに分布した不良チップ12、及び、比較的数字の小さい座標で示されるウェハ1の左上部に集中的に分布した不良チップ13を有している。例えば、ウェハ製造工程でのダストは、ランダムな不良分布を示すことが多く、化学的なプロセス等や装置状態起因による不良は一定の領域に広がった不良分布を示すことがあることが知られている。   As shown in FIG. 3A, the wafer 2 has many good chips 11, while the defective chips 12 distributed almost randomly on the wafer 2 and the wafer 1 indicated by relatively small coordinates. The defective chips 13 are intensively distributed in the upper left. For example, dust in the wafer manufacturing process often shows a random distribution of defects, and it is known that defects caused by chemical processes or equipment conditions may show a distribution of defects spread over a certain area. Yes.

図3(b)に示すように、ウェハ3は、良チップ21が多く存在する一方、行方向及び列方向に一定の間隔を持って、不良チップ22が分布する規則性を有している。この規則性は、後述するように、パターン転写工程で使用したステッパのショットに対応する。   As shown in FIG. 3B, the wafer 3 has regularity in which many good chips 21 are present and defective chips 22 are distributed with a constant interval in the row direction and the column direction. This regularity corresponds to the shot of the stepper used in the pattern transfer process, as will be described later.

本発明の実施例1に係る半導体装置の試験方法について、図4及び図5を参照しながら説明する。図4は、半導体装置の試験方法を模式的に示すフローチャートである。図5は半導体装置の試験方法において、テストチップに対する参照領域を模式的に示す図である。   A test method for a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a flowchart schematically showing a test method for a semiconductor device. FIG. 5 is a diagram schematically showing a reference region for a test chip in a semiconductor device testing method.

図4に示すように、テストチップのテスト項目の順序を決めるための参照領域を設定する(ステップS11)。チップがテストで不良となるには原因があり、その原因が及ぶ範囲は、テストチップ一つだけの場合もあるが、複数のチップに同じように及ぶ場合もある。範囲の広さは様々であるが、チップは、ウェハ上に2次元的に配置されているので、その原因によって発生する不良も2次元的な広がりを有していると考えるのが一般的である。そこで、参照領域は、テストチップを中心に置いて、テストチップの辺または角に平面的に接している、あるいは、接していた(「一重に取り囲む」という)チップであって、テスト前のチップを除外した領域、すなわち、テスト済みのチップからなる領域とする。なお、ウェハの最初及び最後にテストされるチップは、その座標を試験装置100に予め記憶させることが可能である。   As shown in FIG. 4, a reference area for determining the order of test items on the test chip is set (step S11). There is a cause for the failure of the chip in the test, and the range of the cause may be only one test chip, but may be the same for a plurality of chips. Although the range of the range is various, since the chips are two-dimensionally arranged on the wafer, it is common to think that defects caused by the cause also have a two-dimensional expansion. is there. Therefore, the reference area is a chip that is in contact with or in contact with the side or corner of the test chip with the test chip at the center (referred to as “singly surrounding”), and the chip before the test. A region excluding, ie, a region composed of tested chips. The coordinates of the chips to be tested at the beginning and end of the wafer can be stored in the test apparatus 100 in advance.

次に、最初にテストされるチップは、図5に示すように、例えば(2,6)に位置するが、このテストチップが参照するようなデータがないことは明らかなので、当初設定されたテスト項目順にテストが行なわれる(ステップS12)。不良が出た時点で、以降のテスト項目はスキップされる。   Next, as shown in FIG. 5, the first chip to be tested is located at (2, 6), for example. However, since it is clear that there is no data to be referred to by this test chip, the initially set test is performed. Tests are performed in the order of items (step S12). When a defect is found, subsequent test items are skipped.

次のテストチップに移行し、このテストチップの参照領域内にあるテスト済チップが選択される(ステップS13)。   The process proceeds to the next test chip, and a tested chip in the reference area of this test chip is selected (step S13).

参照領域内にあるテスト済チップの選択を説明する。図5に示すように、ウェハテストが進行中のある時点において、参照領域31は、テストチップ6を中心に置いて、その周囲を一重に取り囲むチップであって、テスト前のチップを除外した領域と定義してあるので、テストチップ6を(4,7)とすると、参照領域31には、(3,6)、(3,7)、(3,8)、(4,6)のチップが含まれる。なお、ウェハテストの順序は、ウェハ端部の(2,6)のチップを始点として同一の行に沿って、ウェハ2の周辺部まで進み、周辺部では、図示された矢印の方向に向きを替えて、次の行に沿って進み、以下同様に、行番号が増える方向にテストされる。また、テストチップがウェハ2の内部にあるときは、参照領域31として4個のチップが選択可能であるが、テストチップが、例えば、(3,13)のように、ウェハ2の周辺部にあるときは、参照領域31の中に、テスト済のチップがなくなる場合がある。また、図5の各チップ位置に記入されたp、f3、f9は、それぞれ、合格すなわち良、テスト項目番号「3」の不良、テスト項目番号「9」の不良を表わしている。   The selection of the tested chip within the reference area will be described. As shown in FIG. 5, at a certain point in time when the wafer test is in progress, the reference area 31 is a chip that surrounds the test chip 6 at the center and surrounds the periphery of the test chip 6, and excludes the pre-test chip. Therefore, if the test chip 6 is (4, 7), the reference area 31 has chips (3, 6), (3, 7), (3, 8), (4, 6). Is included. The wafer test sequence proceeds from the (2,6) chip at the end of the wafer to the peripheral portion of the wafer 2 along the same row, and the peripheral portion is oriented in the direction of the arrow shown in the figure. Instead, the process proceeds along the next line, and similarly, the test is performed in the direction of increasing the line number. When the test chip is inside the wafer 2, four chips can be selected as the reference region 31. However, the test chip is located at the periphery of the wafer 2, for example, (3, 13). In some cases, there may be no tested chip in the reference area 31. In addition, p, f3, and f9 written in each chip position in FIG. 5 respectively indicate a pass, that is, a defect, a test item number “3” defect, and a test item number “9” defect.

次に、参照領域内にあるテスト済チップの内の不良と判定されたチップのテスト項目及びその個数を集計し、個数の多いテスト項目順に並べて、このテスト項目順を先頭に置いた新たなテスト項目順を作成する(ステップS14)。新たなテスト項目順は、例えば、図5に示す場合では、不良個数3個のテスト項目番号「9」が先頭に、次に不良個数1個のテスト項目番号「3」が続き、以下、この2項目を除外した当初設定したテスト項目順となる。なお、例えば、(3,13)のように、参照領域31の中に、テスト済のチップがなくなる場合は、1つ前のテストチップ、(2,11)のチップで採用したテスト項目の順番を採用する。   Next, the test items and the number of chips determined to be defective among the tested chips in the reference area are totaled, arranged in order of the test items with the largest number, and a new test with this test item order at the top. Item order is created (step S14). For example, in the case shown in FIG. 5, the new test item order is such that the test item number “9” having three defects is first, followed by the test item number “3” having one defect. The test items are initially set in the order excluding 2 items. For example, when there is no tested chip in the reference area 31 as in (3, 13), the order of the test items adopted in the previous test chip and the chip in (2, 11) Is adopted.

次に、テストチップは、新たなテスト項目順に従って、テストが行われ、不良が出た時点で、以降のテスト項目はスキップされ、次のチップのテストに移行する(ステップS15)。   Next, the test chip is tested according to the new test item order, and when a defect occurs, the subsequent test items are skipped and the process proceeds to the next chip test (step S15).

次に、最後のテストチップのテストが済んだかどうか、予め入力したチップの座標で確認する(ステップS16)。ウェハ内の全チップがテスト済みでない場合、ステップS13に戻り、次のテストチップ、例えば、図5に示す場合では、(4,8)のテストに移行する。   Next, whether or not the test of the last test chip has been completed is confirmed by the coordinates of the previously input chip (step S16). If all the chips in the wafer have not been tested, the process returns to step S13, and the process proceeds to the next test chip, for example, the test of (4, 8) in the case shown in FIG.

ウェハ内の全チップがテスト済みの場合、次に、ロット構成された最後のウェハがテスト済みかどうか、予め入力したウェハの番号で確認する(ステップS17)。   If all the chips in the wafer have been tested, it is next checked with the wafer number inputted in advance whether the last wafer in the lot structure has been tested (step S17).

ロット内の全ウェハがテスト済みでない場合、次のテストウェハを設定する(ステップS18)。そして、ステップS12に戻り、テストチップのテストを開始する。   If all the wafers in the lot have not been tested, the next test wafer is set (step S18). Then, the process returns to step S12 and the test of the test chip is started.

一方、ロット内の全ウェハがテスト済みの場合は、ウェハテスト終了へ進める(ステップS17)。   On the other hand, if all the wafers in the lot have been tested, the process proceeds to the end of the wafer test (step S17).

上述したように、本実施例では、テストチップ6を一重に取り囲むチップ、すなわち、平面的に隣接するチップであって、テスト前のチップを除外した参照領域31内にあるテスト済みチップを選択し、選択されたテスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、テスト項目の順番を、不良数が多いテスト項目の順番に並べ替えてテスト項目の先頭に置いて、テストチップ6のテストは並べ替えられたテスト項目順に実施される。   As described above, in this embodiment, a chip that surrounds the test chip 6 in a single layer, that is, a chip that is adjacent in plan and is in the reference region 31 excluding the chip before the test is selected. Then, the test items that have become defective in the selected tested chip and the number of the test items are totaled, the order of the test items is rearranged in the order of the test items having the highest number of defects, and placed at the top of the test items, and the test chip 6 The tests are performed in the order of the sorted test items.

その結果、テスト済みチップと同様の原因でテストチップ6が不良となる場合は、テスト項目順の早い時点で不良と判定される。しかも、テストチップ6を取り囲むテスト済みチップの分布する参照領域31は、テスト前チップの分布する領域と平面をほぼ2分する関係にあるので、連続して分布した複数のチップに及ぶような範囲を有する原因による不良の約半分は、テストチップ6のテスト項目順に反映することができ、テスト開始の早い時点で不良と判定することが可能となる。すなわち、本実施例によれば、単に、時間的に接近して測定したチップの不良項目に基づくテスト項目順によるウェハテストと比較して、テスト時間をより効率的に短縮することが可能となる。   As a result, when the test chip 6 becomes defective due to the same cause as the tested chip, it is determined as defective at an early point in the order of the test items. In addition, since the reference area 31 in which the tested chips surrounding the test chip 6 are distributed has a relation that bisects the area in which the pre-test chips are distributed in a plane, the range covers a plurality of continuously distributed chips. About half of the defects due to the cause can be reflected in the order of the test items of the test chip 6 and can be determined to be defective at the beginning of the test. That is, according to the present embodiment, it is possible to shorten the test time more efficiently as compared with the wafer test based on the test item order based on the defective item of the chip measured close in time. .

次に、本発明の実施例1の変形例を図6を参照しながら説明する。図6は半導体装置の試験方法において、テストチップに対する参照領域を模式的に示す図である。図6に示すように、参照領域32は、テストチップ6を中心に置いて、テストチップ6を一重に取り囲むチップ及び一重に取り囲むチップの辺または角に平面的に接している、あるいは、接していた(「二重に取り囲む」という)チップであって、テスト前のチップを除外した領域とする点が実施例1の半導体装置の測定方法と異なる。実施例1とは異なる構成部分について説明する。   Next, a modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram schematically showing a reference region for a test chip in a semiconductor device testing method. As shown in FIG. 6, the reference region 32 is placed in contact with or in contact with the chip that surrounds the test chip 6 and the side or corner of the chip that surrounds the test chip 6 with the test chip 6 at the center. In addition, the method is different from the measurement method of the semiconductor device according to the first embodiment in that the chip is an area excluding the chip before the test (referred to as “double surround”). Components different from the first embodiment will be described.

半導体装置の試験方法は、上記実施例1の半導体装置の試験方法と同様である。   The semiconductor device test method is the same as the semiconductor device test method of the first embodiment.

参照領域32内にあるテストチップの選択を説明する。図6に示すように、ウェハテストが進行中のある時点において、参照領域32は、テストチップ6を中心において、その周囲を二重に取り囲むチップであって、テスト済みのチップからなる領域なので、テストチップ6を(4,7)とすると、参照領域32には、(2,6)、(2,7)、(2,8)、(2,9)、(3,5)、(3,6)、(3,7)、(3,8)、(3,9)、(4,5)、(4,6)のチップが含まれる。なお、テストチップがウェハ1の内部にあるときは、参照領域32として最大12個のチップが選択可能である。   The selection of the test chip in the reference area 32 will be described. As shown in FIG. 6, at a certain point in time when the wafer test is in progress, the reference region 32 is a chip that double surrounds the periphery of the test chip 6 and is composed of tested chips. If the test chip 6 is (4, 7), the reference area 32 has (2, 6), (2, 7), (2, 8), (2, 9), (3, 5), (3 , 6), (3, 7), (3, 8), (3, 9), (4, 5), and (4, 6) chips are included. When the test chip is inside the wafer 1, a maximum of 12 chips can be selected as the reference area 32.

本変形例の半導体装置の試験方法は、実施例1とは、参照領域32が広くなった点が異なるだけなので、実施例1の半導体装置の試験方法と同様な効果を有している。その上、参照領域32が広くなったので、ウェハ2の面内に非連続的に分布する原因による不良を捉え、テストチップ6のテスト項目順に反映させることが可能となり、テスト項目順の早い時点でテストチップ6を不良と判定することが可能となる。   The test method for the semiconductor device of this modification is different from the test method of the first embodiment only in that the reference region 32 is widened, and thus has the same effect as the test method of the semiconductor device of the first embodiment. In addition, since the reference area 32 is widened, it is possible to catch defects caused by discontinuous distribution in the plane of the wafer 2 and reflect them in the order of the test items of the test chip 6. Thus, it is possible to determine that the test chip 6 is defective.

なお、本変形例の参照領域32は、テストチップ6を中心に置いて、その周囲を二重に取り囲むチップを含む領域としたが、より広い平面的な範囲、例えば、三重に取り囲むチップを含む領域等を参照領域とすることは可能である。また、テストチップ6からの距離で限定した範囲に含まれるテスト済みチップからなる領域を、参照領域とすることは差し支えない。   Note that the reference region 32 of this modification is a region including a chip that surrounds the test chip 6 around the doubly, and includes a chip that surrounds the periphery of the test chip 6 in a wider area, for example, a chip that surrounds the test chip 6 An area or the like can be used as a reference area. In addition, an area composed of tested chips included in a range limited by the distance from the test chip 6 can be used as a reference area.

本発明の実施例2に係る半導体装置の試験方法について、図7乃至図9を参照しながら説明する。図7はチップ毎の良否をウェハ上のチップ分布に対応させ、ショット領域に相当する繰り返し単位を重ねて模式的に示した図である。図8は半導体装置の試験方法を模式的に示すフローチャートである。図9は半導体装置の試験方法において、テストチップに対する参照チップを模式的に示す図である。本実施例は、テストチップに対する繰り返し単位の整数倍だけずらした位置にある同価チップの不良テスト項目を参照して、テスト項目順を作成する点が上記実施例1及びその変形例と異なる。以下では、上記実施例1または変形例と同一構成部分には同一の符号を付し、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。   A method for testing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a diagram schematically showing the quality of each chip corresponding to the chip distribution on the wafer, and repeating units corresponding to the shot areas. FIG. 8 is a flowchart schematically showing a semiconductor device testing method. FIG. 9 is a diagram schematically showing a reference chip for the test chip in the semiconductor device testing method. The present embodiment is different from the first embodiment and the modification thereof in that the test item order is created by referring to the defect test item of the equivalent chip at a position shifted by an integral multiple of the repeating unit with respect to the test chip. Below, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as the said Example 1 or a modification, the description is abbreviate | omitted, and a different component is demonstrated.

図7に示すように、テスト済みのウェハ3は、図3(b)に示されたウェハ上の良否判定済みチップ分布に、パターン転写工程で使用したステッパのショットに対応した単位の枠を繰り返し単位33として重ねて表示してある。繰り返し単位33は、始点を(1,1)において、ウェハ3を全てカバーするように並べられている。不良チップの多くは、繰り返し単位33の特定の位置に出現している。なお、合否判定のウェハテストでは、繰り返し単位33の大きさがショットの大きさに対応していれば、繰り返し単位33の配置とショットの配置がぴったりと重ならなくても差し支えない。   As shown in FIG. 7, in the tested wafer 3, the frame of the unit corresponding to the shot of the stepper used in the pattern transfer process is repeated on the pass / fail judgment chip distribution on the wafer shown in FIG. The unit 33 is displayed in an overlapping manner. The repeating units 33 are arranged so as to cover all the wafers 3 with the starting point being (1, 1). Many of the defective chips appear at specific positions of the repeating unit 33. In the pass / fail wafer test, if the size of the repeat unit 33 corresponds to the size of the shot, the arrangement of the repeat unit 33 and the shot may not exactly overlap.

本実施例の半導体装置の試験方法は、複数枚構成のロットの中の1枚のウェハテストが終了し、ショットに対応した繰り返しの不良があると判定される場合、ウェハ製造工程でショットに対応した不良原因があると予め把握または予想される場合、あるいは、過去のウェハテストデータに基づきショットに対応した不良が出易い傾向にある場合等に適用される。   The test method of the semiconductor device according to the present embodiment is applicable to shots in the wafer manufacturing process when one wafer test in a lot having a plurality of wafers is completed and it is determined that there is a repeated defect corresponding to the shot. This method is applied to the case where it is grasped or predicted in advance that there is a cause of failure, or the case where a failure corresponding to a shot tends to occur based on past wafer test data.

図8に示すように、テストチップのテスト項目の順序を決めるために、ショットに相当する繰り返し単位を設定する(ステップS21)。繰り返し単位は、行及び列方向のチップ数、例えば、4行×3列で規定される。そして、繰り返し単位を基準にして、テストチップを中に有する繰り返し単位の周囲を一重に取り囲む繰り返し単位(テストチップを有する繰り返し単位の辺または角に平面的に接する繰り返し単位)の中の同価チップであって、テスト前の同価チップを除外したテスト済みの同価チップが参照される。なお、ウェハの最初及び最後にテストされるチップは、その座標を試験装置100に予め設定させることが可能である。   As shown in FIG. 8, in order to determine the order of the test items of the test chip, a repeat unit corresponding to a shot is set (step S21). The repetition unit is defined by the number of chips in the row and column directions, for example, 4 rows × 3 columns. Based on the repeating unit, the equivalent chip in the repeating unit (repeating unit that is in plane contact with the side or corner of the repeating unit having the test chip) that surrounds the periphery of the repeating unit having the test chip in a single layer. Then, a tested equivalent chip excluding the equivalent chip before the test is referred to. Note that the coordinates of the chips to be tested at the beginning and end of the wafer can be set in advance in the test apparatus 100.

次に、最初にテストされるチップは、図9に示すように、例えば(2,6)に位置するが、このテストチップが参照するようなデータがないことは明らかなので、当初設定されたテスト項目順にテストが行なわれる(ステップS22)。不良が出た時点で、以降のテスト項目はスキップされる。   Next, as shown in FIG. 9, the chip to be tested first is located at (2, 6), for example. However, since it is clear that there is no data to be referred to by this test chip, the initially set test is performed. Tests are performed in the order of items (step S22). When a defect is found, subsequent test items are skipped.

次のテストチップに移行し、このテストチップの同価チップが選択される(ステップS23)。   The process proceeds to the next test chip, and the equivalent chip of this test chip is selected (step S23).

テスト済の同価チップの選択を説明する。図9に示すように、ウェハテストが進行中のある時点において、例えば、座標(8,9)のテストチップ8に対して、同価の位置にある(4,6)、(4,9)、(4,12)、(8,6)の同価チップ9が選択される。これらの同価チップ9は、テストチップ8を有する繰り返し単位33を、一重に取り囲む繰り返し単位33の中の同等の位置にあるチップである。なお、ウェハテストの順序は、実施例1と同様である。また、各チップ位置に記入されたp、f2は、それぞれ、合格すなわち良、テスト項目番号「2」の不良を表わしている。   Describe the selection of tested equivalent chips. As shown in FIG. 9, at a certain point in time when the wafer test is in progress, for example, (4, 6), (4, 9) at the equivalent position with respect to the test chip 8 at coordinates (8, 9). , (4, 12), (8, 6) equivalent chips 9 are selected. These equivalent chips 9 are chips at equivalent positions in the repeating unit 33 that surrounds the repeating unit 33 having the test chip 8 in a single layer. The order of the wafer test is the same as that in the first embodiment. In addition, p and f2 written in each chip position indicate a pass, that is, good, or a failure of the test item number “2”, respectively.

図9に示されるテストチップの座標を、例えば、(a,b)とし、繰り返し単位を(m,n)とすると、行を左から右にテストしつつある場合は、(a−m,b−n)、(a−m,b)、(a−m,b+n)、及び(a,b−n)、また、行を右から左にテストしつつある場合は、4番目が(a,b+n)で表わされるチップが、テスト済みの同価チップとなる。   If the coordinates of the test chip shown in FIG. 9 are (a, b) and the repetition unit is (m, n), for example, if the row is being tested from left to right, (a−m, b -N), (am, b), (am, b + n), and (a, b-n), and if the row is being tested from right to left, the fourth is (a, The chip represented by b + n) is the tested equivalent chip.

また、テストチップがウェハ3の中心部乃至その近辺にあるときは、同価チップとして4個のチップが選択可能であるが、テストチップが、ウェハ3の周辺部にあるときは、同価チップを選択できなくなる場合がある。   In addition, when the test chip is at or near the center of the wafer 3, four chips can be selected as equivalent chips. However, when the test chip is at the peripheral part of the wafer 3, the equivalent chip is selected. May not be available.

次に、テスト済同価チップの内の不良と判定されたチップのテスト項目及びその個数を集計し、個数の多いテスト項目順に並べて、このテスト項目順を先頭に置いた新たなテスト項目順を作成する(ステップS24)。新たなテスト項目順は、例えば、図9に示す場合では、不良個数4個のテスト項目番号「2」が先頭に来て、以下、このテスト項目番号「2」を除外した当初設定したテスト項目順となる。なお、同価チップを選択できない場合は、1つ前のテストチップで採用したテスト項目の順番を採用する。   Next, the test items and the number of chips determined to be defective among the tested equivalent chips are aggregated, arranged in the order of the test items with the largest number, and a new test item order with this test item order at the top is added. Create (step S24). The new test item order is, for example, in the case shown in FIG. 9, the test item number “2” having four defects comes to the top, and the test items that are initially set excluding this test item number “2” will be described below. In order. When the equivalent chip cannot be selected, the order of the test items adopted in the previous test chip is adopted.

次に、テストチップは、新たなテスト項目順に沿って、テストが行われ、不良が出た時点で、以降のテスト項目はスキップされ、次のチップのテストに移行する(ステップS25)。   Next, the test chips are tested in the order of new test items, and when a defect occurs, the subsequent test items are skipped and the process proceeds to the next chip test (step S25).

次に、最後のテストチップのテストが済んだかどうか、予め入力したチップの座標で確認する(ステップS26)。ウェハ内の全チップがテスト済みでない場合、ステップS23に戻り、次のテストチップ、例えば、図9に示す場合では、(8,10)のテストに移行する。   Next, whether or not the test of the last test chip has been completed is confirmed with the coordinates of the previously input chip (step S26). If all the chips in the wafer have not been tested, the process returns to step S23, and the process proceeds to the next test chip, for example, the test of (8, 10) in the case shown in FIG.

ウェハ内の全チップがテスト済みの場合、次に、ロット構成された最後のウェハがテスト済みかどうか、予め入力したウェハの番号で確認する(ステップS27)。   If all the chips in the wafer have been tested, it is next checked with the wafer number input in advance whether the last wafer in the lot structure has been tested (step S27).

ロット内の全ウェハがテスト済みでない場合、次のテストウェハを設定する(ステップS28)。そして、ステップS22に戻り、テストチップのテストを開始する。   If all the wafers in the lot have not been tested, the next test wafer is set (step S28). Then, the process returns to step S22, and the test of the test chip is started.

一方、ロット内の全ウェハがテスト済みとなった場合は、ウェハテスト終了へ進める(ステップS27)。   On the other hand, if all the wafers in the lot have been tested, the process proceeds to the end of the wafer test (step S27).

上述したように、本実施例では、テストチップ8と同価の位置にあるウェハ3上のテスト済み同価チップを選択し、選択された同価チップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、テスト項目の順番を、不良数が多いテスト項目の順番に並べ替えてテスト項目の先頭に置いて、テストチップ8のテストは並べ替えられたテスト項目順に実施される。   As described above, in this embodiment, the tested equivalent chip on the wafer 3 at the same position as the test chip 8 is selected, and the test items and the number of the defective equivalent chips are selected. The test items are tabulated, and the order of the test items is rearranged in the order of the test items having the highest number of defects and placed at the top of the test items, and the test of the test chip 8 is performed in the order of the rearranged test items.

その結果、同価チップと同様の原因でテストチップ8が不良となる場合は、テスト項目順の早い時点で不良と判定される。すなわち、本実施例によれば、不良チップの平面的な規則性に基づくテスト項目の順番が設定されているので、単に、時間的に接近して測定したチップの不良項目に基づいてなされたテスト項目順に比較して、テスト時間をより効率的に短縮することが可能となる。   As a result, when the test chip 8 becomes defective due to the same cause as the equivalent chip, it is determined as defective at an early point in the order of the test items. That is, according to the present embodiment, since the order of the test items based on the planar regularity of the defective chip is set, the test performed simply based on the defective items of the chip measured close in time Compared with the item order, the test time can be shortened more efficiently.

なお、本実施例では、繰り返し単位を基準にして、テストチップを中に有する繰り返し単位の周囲を一重に取り囲む繰り返し単位の中の同価チップであって、テスト済みの同価チップが参照されたが、二重に取り囲む繰り返し単位(一重に取り囲む繰り返し単位及びこれらの辺または角に平面的に接する繰り返し単位)、あるいは、それ以上、例えば、ウェハ全面の中の同価チップであって、テスト済みの同価チップが参照されることは差し支えない。   In the present embodiment, the equivalent chip in the repeating unit that surrounds the repeating unit having the test chip in a single layer with reference to the repeating unit, and the tested equivalent chip was referred to. Is a double-enclosing repeat unit (single-enclosed repeat unit and repeat unit that touches these sides or corners in a plane), or more, for example, an equivalent chip in the entire wafer and tested It is safe to refer to equivalent chips.

以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。   As mentioned above, this invention is not limited to the said Example, In the range which does not deviate from the summary of this invention, it can change and implement variously.

例えば、実施例1では、テストチップを取り囲む参照領域の中のテスト済みチップの不良テスト項目の数に基づくテスト項目順を作成し、実施例2では、テストチップに対する繰り返し単位だけ離れた同価チップの不良テスト項目の数に基づくテスト項目順を作成したが、テストチップに対する参照チップとして実施例1で示した参照領域と実施例2で示した同価チップの両方を選択して、テストチップのテスト項目順は、実施例1で得られる不良テスト項目及びその数と実施例2で得られる不良テスト項目及びその数を合計した不良テスト項目及びその数に基づいて作成されて、ウェハテストが実施されることは差し支えない。   For example, in the first embodiment, the test item order based on the number of defective test items of the tested chip in the reference area surrounding the test chip is created, and in the second embodiment, the equivalent chip separated by the repeating unit with respect to the test chip. The order of the test items based on the number of defective test items is created, and both the reference area shown in the first embodiment and the equivalent chip shown in the second embodiment are selected as reference chips for the test chip, and The test item order is created based on the defect test items obtained in the first embodiment and the number thereof and the defect test items obtained in the second embodiment and the total number of the defect test items and the number thereof, and the wafer test is performed. It can be done.

また、実施例2では、例えば、複数枚のウェハからなるロットの中の1枚のウェハのテストが終了し、ショットに対応した繰り返しの不良があると別途判定された後に行う試験方法の例として示したが、実施例2のテストを実施するステップ21の前に、前記ショットに相当する繰り返し単位が存在するかどうかを判定する工程を追加して、連続的にテストを行うことは可能である。   Further, in the second embodiment, for example, as an example of a test method to be performed after a test of one wafer in a lot consisting of a plurality of wafers is completed and it is separately determined that there is a repeated defect corresponding to a shot. Although shown, it is possible to add a step of determining whether or not there is a repeating unit corresponding to the shot before the step 21 of performing the test of the second embodiment, and to perform the test continuously. .

また、実施例2では、ウェハテストの繰り返し単位をステッパのショットに基づく繰り返し単位としているが、ウェハ製造工程上のその他の繰り返し単位がウェハテストの繰り返し単位として選択されることは差し支えない。   In the second embodiment, the repeat unit of the wafer test is a repeat unit based on the shot of the stepper, but other repeat units in the wafer manufacturing process may be selected as the repeat unit of the wafer test.

本発明の実施例に係るウェハ上のチップ(半導体装置)の位置を示すための座標を模式的に示す図。The figure which shows typically the coordinate for showing the position of the chip | tip (semiconductor device) on the wafer which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る半導体装置の試験に使用される試験装置の構成を模式的に示すブロック図。The block diagram which shows typically the structure of the test apparatus used for the test of the semiconductor device which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るチップの良否判定結果をウェハ上のチップ分布に対応させて模式的に示す図。The figure which shows typically the quality determination result of the chip | tip which concerns on the Example of this invention corresponding to the chip distribution on a wafer. 本発明の実施例1に係る半導体装置の試験方法を模式的に示すフローチャート。1 is a flowchart schematically showing a test method for a semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施例1に係る半導体装置の試験方法におけるテストチップに対する参照領域を模式的に示す図。FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a reference region for a test chip in the semiconductor device testing method according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施例1の変形例に係る半導体装置の試験方法におけるテストチップに対する参照領域を模式的に示す図The figure which shows typically the reference area | region with respect to the test chip in the testing method of the semiconductor device which concerns on the modification of Example 1 of this invention. 本発明の実施例2に係るチップ毎の良否をウェハ上のチップ分布に対応させ、ショット領域に相当する繰り返し単位領域を重ねて模式的に示す図。The figure which shows the quality of every chip | tip which concerns on Example 2 of this invention corresponding to the chip distribution on a wafer, and shows repeatedly the repeating unit area | region equivalent to a shot area | region. 本発明の実施例2に係る半導体装置の試験方法を模式的に示すフローチャート。9 is a flowchart schematically showing a semiconductor device testing method according to Embodiment 2 of the present invention. 本発明の実施例2に係る半導体装置の試験方法におけるテストチップに対する参照チップ(同価チップ)を模式的に示す図。The figure which shows typically the reference chip (equivalent chip | tip) with respect to the test chip in the testing method of the semiconductor device which concerns on Example 2 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1、2、3 ウェハ
5 チップ
6、8 テストチップ
9 同価チップ
11、21 良チップ
12、13、22 不良チップ
31、32 参照領域
33 繰り返し単位
100 試験装置
101 テスタ
102 プローバ
104 テスタサーバ
106 設定部
1, 2, 3 Wafer 5 Chip 6, 8 Test chip 9 Equivalent chip 11, 21 Good chip 12, 13, 22 Bad chip 31, 32 Reference area 33 Repeat unit 100 Test device 101 Tester 102 Prober 104 Tester server 106 Setting unit

Claims (5)

テストチップを取り囲む位置にあるウェハ上の参照領域内にあるテスト済みチップを選択する工程と、
選択された前記テスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、不良数が多い前記テスト項目が先頭になるようにテスト項目の順番を並べ替える工程と、
前記テストチップのテストは前記並べ替えられたテスト項目順に実施される工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の試験方法。
Selecting a tested chip in a reference area on the wafer in a position surrounding the test chip;
Totalizing the test items and the number of defective test items of the selected tested chip, and rearranging the order of the test items so that the test items with a large number of defects are first,
A test of the test chip is performed in the order of the sorted test items;
A method for testing a semiconductor device, comprising:
前記参照領域は、前記テストチップを中心に置いて、前記テストチップの辺または角に接しているチップを少なくとも含むチップであって、テスト済みのチップからなる領域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の試験方法。   The reference area is a chip including at least a chip that is in contact with a side or a corner of the test chip with the test chip as a center, and the reference area is an area made of a tested chip. 2. A test method for a semiconductor device according to 1. 複数のショットに分けて形成されたパターンを有するウェハを用意する工程と、
テストチップと前記ショット内の同価の位置にある前記ウェハ上のテスト済みチップを選択する工程と、
選択された前記テスト済みチップの不良となったテスト項目及びその数を集計し、不良数が多い前記テスト項目が先頭になるようにテスト項目の順番を並べ替える工程と、
前記テストチップのテストは前記並べ替えられたテスト項目順に実施される工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の試験方法。
Preparing a wafer having a pattern formed by dividing into a plurality of shots;
Selecting a tested chip on the wafer at the same position in the shot as the test chip;
Totalizing the test items and the number of defective test items of the selected tested chip, and rearranging the order of the test items so that the test items with a large number of defects are first,
A test of the test chip is performed in the order of the sorted test items;
A method for testing a semiconductor device, comprising:
前記同価の位置にあるテスト済みチップは、前記テストチップを中に有する前記ショットに相当する大きさの繰り返し単位の辺または角に接している前記繰り返し単位の中の同価の位置にあるテスト済みチップを含んでいることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の試験方法。   The tested chip at the equivalent position is a test at the equivalent position in the repeating unit that is in contact with a side or corner of the repeating unit having a size corresponding to the shot having the test chip therein. 4. The method of testing a semiconductor device according to claim 3, further comprising a finished chip. 前記ウェハのテストを行う前に得られた別ウェハのデータを基に、前記ショットに相当する繰り返し単位が存在すると判定する工程を、更に有することを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置の試験方法。   5. The semiconductor according to claim 3, further comprising a step of determining that a repeating unit corresponding to the shot exists based on data of another wafer obtained before testing the wafer. 6. Equipment test method.
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