JP2007189378A - Piezoelectric device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device which can be miniaturized, and to provide a method of manufacturing the piezoelectric device. <P>SOLUTION: The piezoelectric device is provided with a crystal resonator package 10 in which a crystal resonation piece 12 is housed in the inside of a ceramic package 11 and its inside if hermetically sealed with a lid 15, and an integrated circuit element 20 connected to the external surface of the crystal resonator package 10. An electrode pad 16 formed on the external surface of the crystal resonator package 10 is connected to bumps 21 formed on an active surface 24 as one surface of the integrated circuit element 20, and an external connection terminal 23 is formed on the rear surface of the integrated circuit element 20. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子機器または通信機器に用いられる表面実装型の圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to a surface-mount type piezoelectric device used for electronic equipment or communication equipment, and a method for manufacturing the piezoelectric device.

近年、電子機器や通信機器の携帯性向上の要求から、機器の小型化が急速に進んでいる。このため、これらに用いられる水晶発振器などの圧電デバイスにもさらなる小型化・低背化が要求されている。
この圧電デバイスの小型化・低背化に対応した例として、特許文献1に示すような構造が知られている。この特許文献1では、圧電素子がセラミックパッケージ(収容器)内に気密封止され、セラミックパッケージの下面にIC(集積回路素子)がフェイスダウンボンディングされている。さらに、外部基板などとの接続のために、セラミックパッケージのIC実装面と同じ面に半田ボールが形成され、この半田ボールを外部接続端子としている。
In recent years, downsizing of devices is rapidly progressing due to demands for improving portability of electronic devices and communication devices. For this reason, piezoelectric devices such as crystal oscillators used in these devices are required to be further reduced in size and height.
As an example corresponding to the reduction in size and height of the piezoelectric device, a structure as shown in Patent Document 1 is known. In Patent Document 1, a piezoelectric element is hermetically sealed in a ceramic package (container), and an IC (integrated circuit element) is face-down bonded to the lower surface of the ceramic package. Furthermore, solder balls are formed on the same surface as the IC mounting surface of the ceramic package for connection to an external substrate or the like, and these solder balls are used as external connection terminals.

特開2005−151116号公報(図2)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-151116 (FIG. 2)

しかしながら、上記従来の圧電デバイスの構造において、さらなる圧電デバイスの小型化を図るにあたり、ICの大きさを変えないとすると、ICの大きさがセラミックパッケージの面積に対して相対的に大きな割合を占めてしまい、半田ボール(外部接続端子)を設けるスペースが確保できないという不具合が生じていた。このため、従来の構造では圧電デバイスの小型化に限界があった。   However, in the conventional piezoelectric device structure, if the size of the IC is not changed in order to further reduce the size of the piezoelectric device, the size of the IC occupies a relatively large proportion of the area of the ceramic package. As a result, there is a problem that a space for providing solder balls (external connection terminals) cannot be secured. For this reason, the conventional structure has a limit to miniaturization of the piezoelectric device.

本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は圧電デバイスの小型化を図ることのできる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a piezoelectric device and a method for manufacturing the piezoelectric device, which can reduce the size of the piezoelectric device.

上記課題を解決するために、本発明の圧電デバイスは、収容器の内部に圧電素子が収容され、その内部を気密に封止された圧電素子パッケージと、前記圧電素子パッケージの外表面に接続された集積回路素子とを備え、前記圧電素子パッケージの外表面に形成された電極パッドと前記集積回路素子の一方の面である能動面に形成された接続端子とが接続され、前記集積回路素子の他方の面には外部接続端子が形成されていることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a piezoelectric device according to the present invention is connected to a piezoelectric element package in which a piezoelectric element is housed and hermetically sealed, and an outer surface of the piezoelectric element package. An integrated circuit element, and an electrode pad formed on the outer surface of the piezoelectric element package and a connection terminal formed on an active surface, which is one surface of the integrated circuit element, are connected to each other. An external connection terminal is formed on the other surface.

この構成によれば、集積回路素子の一方の面(能動面)は圧電素子パッケージに接続され、他方の面には外部接続端子が設けられている。このことから、圧電素子パッケージが小さくなり、相対的に集積回路素子が占める面積の割合が大きくなっても、圧電素子パッケージに外部接続端子を設ける必要がなく、集積回路素子の他方の面に外部接続端子を配置するスペースを容易に確保できる。このことから、集積回路素子の大きさに左右されずに外部接続端子を形成でき、圧電デバイスの小型化を図ることができる。   According to this configuration, one surface (active surface) of the integrated circuit element is connected to the piezoelectric element package, and the external connection terminal is provided on the other surface. Therefore, even if the piezoelectric element package is small and the proportion of the area occupied by the integrated circuit element is relatively large, it is not necessary to provide an external connection terminal on the piezoelectric element package, and the external surface is not provided on the other surface of the integrated circuit element A space for arranging the connection terminals can be easily secured. Therefore, the external connection terminals can be formed without being influenced by the size of the integrated circuit element, and the piezoelectric device can be miniaturized.

また、本発明の圧電デバイスは、前記集積回路素子の平面視における大きさが、前記圧電素子パッケージの平面視における大きさと略同等であることが望ましい。   In the piezoelectric device of the present invention, it is desirable that the size of the integrated circuit element in a plan view is substantially the same as the size of the piezoelectric element package in a plan view.

このように、圧電素子パッケージと略同等な大きさの集積回路素子を用いれば、圧電素子パッケージの面積を有効に利用して回路素子を形成することができる。   Thus, if an integrated circuit element having a size substantially equal to that of the piezoelectric element package is used, the circuit element can be formed by effectively using the area of the piezoelectric element package.

また、本発明の圧電デバイスは、前記集積回路素子の他方の面に、前記外部接続端子に加えて前記集積回路素子内の回路を制御可能な調整端子が備えられていることが好ましい。   In the piezoelectric device of the present invention, it is preferable that an adjustment terminal capable of controlling a circuit in the integrated circuit element is provided on the other surface of the integrated circuit element in addition to the external connection terminal.

圧電デバイスの中でも、温度補償回路を内蔵した温度補償型圧電発振器やPLL回路を内蔵したPLL圧電発振器などにおいて、集積回路素子の記憶回路にデータを書き込む必要があり、この集積回路素子の他方の面に形成した調整端子を用いて集積回路素子の記憶回路などにデータを書き込むことが可能となる。   Among piezoelectric devices, in a temperature-compensated piezoelectric oscillator with a built-in temperature compensation circuit, a PLL piezoelectric oscillator with a built-in PLL circuit, etc., it is necessary to write data to the memory circuit of the integrated circuit element. Data can be written into a memory circuit or the like of the integrated circuit element by using the adjustment terminal formed in (1).

また、本発明の圧電デバイスは、前記圧電素子パッケージの側面に前記集積回路素子と導通し前記集積回路素子内の回路を制御可能な調整端子が備えられていることが好ましい。   In the piezoelectric device of the present invention, it is preferable that a side surface of the piezoelectric element package is provided with an adjustment terminal that is electrically connected to the integrated circuit element and can control a circuit in the integrated circuit element.

圧電デバイスの中でも、温度補償回路を内蔵した温度補償型圧電発振器やPLL回路を内蔵したPLL圧電発振器などにおいて、集積回路素子の記憶回路にデータを書き込む必要があり、圧電素子パッケージの側面に形成した調整端子を用いて集積回路素子の記憶回路などにデータを書き込むことが可能となる。   Among piezoelectric devices, in a temperature-compensated piezoelectric oscillator with a built-in temperature compensation circuit or a PLL piezoelectric oscillator with a built-in PLL circuit, it is necessary to write data to the memory circuit of the integrated circuit element, which is formed on the side surface of the piezoelectric element package. Data can be written into a memory circuit or the like of the integrated circuit element using the adjustment terminal.

また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、圧電素子を収容した圧電素子パッケージの外表面に形成した電極パッドと集積回路素子の一方の面である能動面に形成した接続端子とを接続し、前記集積回路素子の他方の面に外部接続端子を設けた圧電デバイスの製造方法であって、前記圧電素子パッケージに、その平面投影形状より大きく前記圧電素子パッケージの平面投影形状より延出する調整用延出部に調整端子を設けた前記集積回路素子を接続し、前記調整端子から前記集積回路素子内の記憶回路を制御し、その後、前記集積回路素子の前記調整用延出部を分離することを特徴とする。   Further, the piezoelectric device manufacturing method of the present invention connects the electrode pad formed on the outer surface of the piezoelectric element package containing the piezoelectric element and the connection terminal formed on the active surface which is one surface of the integrated circuit element, A method of manufacturing a piezoelectric device in which an external connection terminal is provided on the other surface of the integrated circuit element, wherein the piezoelectric element package is larger than the planar projection shape and extends from the planar projection shape of the piezoelectric element package. Connecting the integrated circuit element provided with an adjustment terminal to an extension part, controlling a memory circuit in the integrated circuit element from the adjustment terminal, and then separating the adjustment extension part of the integrated circuit element; It is characterized by.

この圧電デバイスの製造方法によれば、圧電素子パッケージの投影形状より延出する調整用延出部に形成した調整端子から前記集積回路素子内の記憶回路にデータを書き込むことができる。その後、集積回路素子の前記調整用延出部を分離することで小型化した圧電デバイスを得ることができる。このように、本発明の圧電デバイスの製造方法によれば、圧電デバイスの小型化が図られ調整端子を圧電デバイスに設けられない場合、あるいは調整作業の困難さが生じた場合に、容易に調整作業を行える圧電デバイスの製造方法を提供できる。   According to this method for manufacturing a piezoelectric device, data can be written to the storage circuit in the integrated circuit element from the adjustment terminal formed on the adjustment extension extending from the projected shape of the piezoelectric element package. Thereafter, the adjustment extension portion of the integrated circuit element is separated to obtain a miniaturized piezoelectric device. As described above, according to the piezoelectric device manufacturing method of the present invention, the piezoelectric device can be easily adjusted when the piezoelectric device is downsized and the adjustment terminal cannot be provided on the piezoelectric device, or when adjustment work is difficult. A method of manufacturing a piezoelectric device capable of performing work can be provided.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。以下の実施形態では、圧電デバイスとして水晶発振器を例にとり説明する。
(第1の実施形態)
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a crystal oscillator will be described as an example of a piezoelectric device.
(First embodiment)

図1は、第1の実施形態における水晶発振器の構成を示し、図1(a)は模式平面図、図1(b)は模式部分断面図、図1(c)は模式底面図である。
水晶発振器1は、圧電素子としての水晶振動片12を収容した水晶振動子パッケージ10と集積回路素子20を備えている。
水晶振動子パッケージ10には、収容器としてのセラミックパッケージ11の凹部に水晶振動片12が収容され、Agペーストなどの導電性接着剤14にて固定されている。また、セラミックパッケージ11の底面には複数の電極パッド16が設けられ、このうちの所定の電極パッド16は、セラミックパッケージ11内の配線(図示せず)により、前述した導電性接着剤14を介して水晶振動片12に形成された励振電極13に導通するように構成されている。さらに、セラミックパッケージ11の上部には蓋体15が設けられ、水晶振動片12が収容された凹部の空間を減圧雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保って、気密に封止されている。
1A and 1B show a configuration of a crystal oscillator according to the first embodiment. FIG. 1A is a schematic plan view, FIG. 1B is a schematic partial sectional view, and FIG. 1C is a schematic bottom view.
The crystal oscillator 1 includes a crystal resonator package 10 that houses a crystal vibrating piece 12 as a piezoelectric element and an integrated circuit element 20.
In the crystal resonator package 10, a crystal vibrating piece 12 is accommodated in a concave portion of a ceramic package 11 serving as a container, and is fixed by a conductive adhesive 14 such as an Ag paste. In addition, a plurality of electrode pads 16 are provided on the bottom surface of the ceramic package 11, and predetermined electrode pads 16 among these are connected via the conductive adhesive 14 described above by wiring (not shown) in the ceramic package 11. Thus, it is configured to be electrically connected to the excitation electrode 13 formed on the crystal vibrating piece 12. Further, a lid 15 is provided on the upper portion of the ceramic package 11 and is hermetically sealed while maintaining the space of the concave portion in which the crystal vibrating piece 12 is accommodated in a reduced pressure atmosphere or an inert gas atmosphere.

ICなどの集積回路素子20は、水晶振動子パッケージ10の平面視における大きさ(投影面積)と略同等に形成されている。集積回路素子20における一方の面には回路素子が形成され、この面を能動面24としている。また、集積回路素子20の能動面24には、電極パッド(図示せず)が形成され、この電極パッド上には接続端子としてAuなどの金属からなるバンプ21が形成されている。そして、このバンプ21と水晶振動子パッケージ10の電極パッド16とが接続され、集積回路素子20が水晶振動子パッケージ10の底面に、いわゆるフェイスダウンボンディングされている。
なお、この集積回路素子20には、水晶振動片12を励振させる発振回路、場合によりPLL回路、温度補償回路、記憶回路などを含んでいる。
また、集積回路素子20の能動面24に形成する電極パッドとして、グランド端子を複数配置したりダミー端子を配置して端子数を増やし、水晶振動子パッケージ10と集積回路素子20との接合強度を向上させてもよい。
The integrated circuit element 20 such as an IC is formed substantially equal to the size (projected area) of the crystal resonator package 10 in plan view. A circuit element is formed on one surface of the integrated circuit element 20, and this surface is used as an active surface 24. An electrode pad (not shown) is formed on the active surface 24 of the integrated circuit element 20, and a bump 21 made of a metal such as Au is formed as a connection terminal on the electrode pad. The bumps 21 and the electrode pads 16 of the crystal resonator package 10 are connected, and the integrated circuit element 20 is so-called face-down bonded to the bottom surface of the crystal resonator package 10.
The integrated circuit element 20 includes an oscillation circuit that excites the crystal resonator element 12, and a PLL circuit, a temperature compensation circuit, a memory circuit, and the like depending on circumstances.
Further, as electrode pads formed on the active surface 24 of the integrated circuit element 20, a plurality of ground terminals or dummy terminals are arranged to increase the number of terminals, thereby increasing the bonding strength between the crystal resonator package 10 and the integrated circuit element 20. It may be improved.

さらに、集積回路素子20における能動面24の他方の面である裏面25には、外部の基板などに接続される外部接続端子23が形成されている。外部接続端子23は、集積回路素子20の能動面24から開口されたスルーホール22を介して、能動面24の配線と接続されるように構成されている。   Further, an external connection terminal 23 connected to an external substrate or the like is formed on the back surface 25 which is the other surface of the active surface 24 in the integrated circuit element 20. The external connection terminal 23 is configured to be connected to the wiring of the active surface 24 through the through hole 22 opened from the active surface 24 of the integrated circuit element 20.

以上の構成の水晶発振器1は、集積回路素子20に備えられた発振回路により水晶振動片12が励振され、所定の外部接続端子23から所望の周波数信号を出力する。   In the crystal oscillator 1 having the above configuration, the crystal resonator element 12 is excited by the oscillation circuit provided in the integrated circuit element 20 and outputs a desired frequency signal from a predetermined external connection terminal 23.

この第1の実施形態の水晶発振器1によれば、集積回路素子20の能動面24は水晶振動子パッケージ10に接続され、集積回路素子20の裏面25には外部接続端子23が設けられている。このことから、水晶振動子パッケージ10が小さくなり、相対的に集積回路素子20が占める面積の割合が大きくなっても、水晶振動子パッケージ10に外部接続端子を設ける必要がなく、集積回路素子20の裏面25に外部接続端子23を配置するスペースを容易に確保できる。このことから、集積回路素子20の大きさに左右されずに外部接続端子23を形成でき、水晶発振器1の小型化を図ることができる。
また、水晶振動子パッケージ10と略同等な大きさの集積回路素子20を用いれば、水晶振動子パッケージ10の面積を有効に利用して回路素子を形成することができる。
(第2の実施形態)
According to the crystal oscillator 1 of the first embodiment, the active surface 24 of the integrated circuit element 20 is connected to the crystal resonator package 10, and the external connection terminal 23 is provided on the back surface 25 of the integrated circuit element 20. . Therefore, even if the crystal resonator package 10 is small and the proportion of the area occupied by the integrated circuit element 20 is relatively large, it is not necessary to provide an external connection terminal in the crystal resonator package 10, and the integrated circuit element 20 It is possible to easily secure a space for arranging the external connection terminals 23 on the back surface 25 of the. Therefore, the external connection terminal 23 can be formed regardless of the size of the integrated circuit element 20, and the crystal oscillator 1 can be downsized.
Further, if the integrated circuit element 20 having a size substantially equal to that of the crystal resonator package 10 is used, the circuit element can be formed by effectively using the area of the crystal resonator package 10.
(Second Embodiment)

次に、本発明の第2の実施形態として、集積回路素子に温度補償データの書き込みなどの調整を可能とする温度補償型の水晶発振器について説明する。
図2は、第2の実施形態における水晶発振器の構成を示し、図2(a)は模式平面図、図2(b)は模式部分断面図、図2(c)は模式底面図である。
第2の実施形態の水晶発振器2は、水晶振動子パッケージ10と集積回路素子30を備えており、水晶振動子パッケージ10は第1の実施形態と同様の構成であるため、同符号を付し説明を省略する。
Next, as a second embodiment of the present invention, a temperature-compensated crystal oscillator that enables adjustment such as writing temperature compensation data in an integrated circuit element will be described.
2A and 2B show a configuration of a crystal oscillator according to the second embodiment, in which FIG. 2A is a schematic plan view, FIG. 2B is a schematic partial sectional view, and FIG. 2C is a schematic bottom view.
The crystal oscillator 2 of the second embodiment includes a crystal resonator package 10 and an integrated circuit element 30. Since the crystal resonator package 10 has the same configuration as that of the first embodiment, the same reference numerals are given. Description is omitted.

ICなどの集積回路素子30は、水晶振動子パッケージ10の平面視における大きさ(投影面積)と略同等に形成されている。集積回路素子30における一方の面には回路素子が形成され、この面を能動面34としている。また、集積回路素子30の能動面34には、電極パッド(図示せず)が形成され、この電極パッド上にはAuなどの金属からなるバンプ31が形成されている。そして、このバンプ31と水晶振動子パッケージ10の電極パッド16とが接続され、集積回路素子30が水晶振動子パッケージ10の底面に、いわゆるフェイスダウンボンディングされている。
なお、この集積回路素子30には、水晶振動片12を励振させる発振回路、温度補償回路、記憶回路などを含んでいる。
The integrated circuit element 30 such as an IC is formed substantially equal to the size (projected area) of the crystal resonator package 10 in plan view. A circuit element is formed on one surface of the integrated circuit element 30, and this surface serves as an active surface 34. An electrode pad (not shown) is formed on the active surface 34 of the integrated circuit element 30, and a bump 31 made of a metal such as Au is formed on the electrode pad. The bumps 31 and the electrode pads 16 of the crystal resonator package 10 are connected, and the integrated circuit element 30 is so-called face-down bonded to the bottom surface of the crystal resonator package 10.
The integrated circuit element 30 includes an oscillation circuit that excites the quartz crystal vibrating piece 12, a temperature compensation circuit, a memory circuit, and the like.

また、集積回路素子30の裏面35には、外部の基板などに接続される外部接続端子33が形成されている。外部接続端子33は、集積回路素子30の能動面34から開口されたスルーホール32を介して、能動面34の配線と接続されるように構成されている。
さらに、集積回路素子30の裏面35には、調整端子37が形成されている。この調整端子37は、集積回路素子30の能動面34から開口されたスルーホール36を介して、能動面34の記憶回路と接続されるように構成されている。
An external connection terminal 33 connected to an external substrate or the like is formed on the back surface 35 of the integrated circuit element 30. The external connection terminal 33 is configured to be connected to the wiring of the active surface 34 through the through hole 32 opened from the active surface 34 of the integrated circuit element 30.
Further, an adjustment terminal 37 is formed on the back surface 35 of the integrated circuit element 30. The adjustment terminal 37 is configured to be connected to a memory circuit on the active surface 34 through a through hole 36 opened from the active surface 34 of the integrated circuit element 30.

このように、本実施形態の水晶発振器2において、集積回路素子30の裏面35に調整端子37が形成されていることから、この調整端子37を用いて集積回路素子30の記憶回路に温度補償データを書き込むことができる。
また、外部接続端子33と同じ方向に調整端子37が配置されているため、データ書き込みなどの調整時に一方向からコンタクトプローブなどの接触子を接触させることができ、調整作業を容易にすることができる。
以上のように、本実施形態の温度補償型の水晶発振器2によれば、データ書き込みなどの調整作業において、集積回路素子の記憶回路を制御できる小型化された水晶発振器2を提供することができる。
なお、集積回路素子に発振回路とPLL回路などを内蔵したPLL発振器においても、上記のような構成をとれば、調整端子から周波数データを書き込むことができ、小型化されたPLL水晶発振器を提供することができる。
(第3の実施形態)
As described above, in the crystal oscillator 2 of the present embodiment, the adjustment terminal 37 is formed on the back surface 35 of the integrated circuit element 30, and therefore the temperature compensation data is stored in the storage circuit of the integrated circuit element 30 using the adjustment terminal 37. Can be written.
Further, since the adjustment terminal 37 is arranged in the same direction as the external connection terminal 33, a contact such as a contact probe can be brought into contact from one direction at the time of adjustment such as data writing, thereby facilitating the adjustment work. it can.
As described above, according to the temperature-compensated crystal oscillator 2 of the present embodiment, it is possible to provide a miniaturized crystal oscillator 2 that can control the storage circuit of the integrated circuit element in adjustment work such as data writing. .
Even in a PLL oscillator in which an oscillation circuit and a PLL circuit are incorporated in an integrated circuit element, the frequency data can be written from the adjustment terminal by using the above configuration, and a downsized PLL crystal oscillator is provided. be able to.
(Third embodiment)

次に、本発明の第3の実施形態として、集積回路素子に温度補償データの書き込みなどの調整を可能とする、温度補償型の水晶発振器における他の実施形態について説明する。
図3は、第3の実施形態における水晶発振器の構成を示し、図3(a)は模式平面図、図3(b)は模式部分断面図、図3(c)は模式底面図である。
第3の実施形態の水晶発振器3は、水晶振動子パッケージ40と集積回路素子20を備えており、集積回路素子20は第1の実施形態と同様の構成であるため、同符号を付し説明を省略する。
Next, as a third embodiment of the present invention, another embodiment of a temperature-compensated crystal oscillator that enables adjustment such as writing of temperature compensation data to an integrated circuit element will be described.
3A and 3B show the configuration of the crystal oscillator according to the third embodiment. FIG. 3A is a schematic plan view, FIG. 3B is a schematic partial sectional view, and FIG. 3C is a schematic bottom view.
The crystal oscillator 3 of the third embodiment includes a crystal resonator package 40 and an integrated circuit element 20, and since the integrated circuit element 20 has the same configuration as that of the first embodiment, the same reference numerals are used for description. Is omitted.

水晶振動子パッケージ40には、収容器としてのセラミックパッケージ41の凹部に水晶振動片12が収容され、Agペーストなどの導電性接着剤14にて固定されている。また、セラミックパッケージ41の底面には複数の電極パッド46が設けられ、この内の所定の電極パッド46は、セラミックパッケージ41内の配線(図示せず)により、前述した導電性接着剤14を介して水晶振動片12に形成された励振電極13に導通するように構成されている。さらに、所定の電極パッド46は、セラミックパッケージ41内の配線47を介して、セラミックパッケージ41の対向する側面にそれぞれ設けられた調整端子48に接続されている。そして、セラミックパッケージ41の上部には蓋体15が設けられ、水晶振動片12が収容された凹部の空間を減圧雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保って、気密に封止されている。   In the crystal resonator package 40, the crystal vibrating piece 12 is accommodated in a recess of a ceramic package 41 as a container, and is fixed by a conductive adhesive 14 such as an Ag paste. In addition, a plurality of electrode pads 46 are provided on the bottom surface of the ceramic package 41, and the predetermined electrode pads 46 among these are provided via the conductive adhesive 14 described above by wiring (not shown) in the ceramic package 41. Thus, it is configured to be electrically connected to the excitation electrode 13 formed on the crystal vibrating piece 12. Further, the predetermined electrode pad 46 is connected to an adjustment terminal 48 provided on each of the opposing side surfaces of the ceramic package 41 via a wiring 47 in the ceramic package 41. A lid 15 is provided on the upper portion of the ceramic package 41, and is hermetically sealed while maintaining the space of the recess in which the crystal vibrating piece 12 is accommodated in a reduced pressure atmosphere or an inert gas atmosphere.

さらに、集積回路素子20に設けられたバンプ21と水晶振動子パッケージ40の電極パッド46とが接続され、集積回路素子20が水晶振動子パッケージ40の底面に、いわゆるフェイスダウンボンディングされている。なお、この集積回路素子20には、水晶振動片12を励振させる発振回路、温度補償回路、記憶回路などを含んでいる。
このようにして、調整端子48はセラミックパッケージ41内の配線47を経て所定の電極パッド46に接続され、集積回路素子20のバンプ21から集積回路素子20に内蔵された記憶回路と接続されるように構成されている。
Further, the bumps 21 provided on the integrated circuit element 20 are connected to the electrode pads 46 of the crystal resonator package 40, and the integrated circuit element 20 is so-called face-down bonded to the bottom surface of the crystal resonator package 40. The integrated circuit element 20 includes an oscillation circuit that excites the quartz crystal resonator element 12, a temperature compensation circuit, a memory circuit, and the like.
In this way, the adjustment terminal 48 is connected to the predetermined electrode pad 46 through the wiring 47 in the ceramic package 41, and is connected to the memory circuit built in the integrated circuit element 20 from the bump 21 of the integrated circuit element 20. It is configured.

以上のように、本実施形態の水晶発振器3は、セラミックパッケージ41の対向する側面にそれぞれ調整端子48が形成されていることから、この調整端子48を用いて集積回路素子20の記憶回路に温度補償データを書き込むことができる。
また、調整端子48をセラミックパッケージ41の対向する側面に設けることにより、データを書き込む際に接触するコンタクトプローブなどの接触子を両側から水晶発振器3を挟持でき、安定した接触を保つことができる。
以上のように、本実施形態の温度補償型の水晶発振器3によれば、データ書き込みなどの調整作業において、集積回路素子の記憶回路を制御できる小型化された水晶発振器3を提供することができる。
なお、集積回路素子に発振回路とPLL回路などを内蔵したPLL発振器においても、上記のような構成をとれば、調整端子から周波数データを書き込むことができ、小型化されたPLL水晶発振器を提供することができる。
(第4の実施形態)
As described above, in the crystal oscillator 3 of the present embodiment, the adjustment terminals 48 are formed on the opposing side surfaces of the ceramic package 41, respectively. Compensation data can be written.
Further, by providing the adjustment terminal 48 on the opposing side surface of the ceramic package 41, a contact such as a contact probe that contacts when writing data can be held between the crystal oscillator 3 from both sides, and stable contact can be maintained.
As described above, according to the temperature-compensated crystal oscillator 3 of the present embodiment, it is possible to provide a miniaturized crystal oscillator 3 that can control the storage circuit of the integrated circuit element in adjustment work such as data writing. .
Even in a PLL oscillator in which an oscillation circuit and a PLL circuit are incorporated in an integrated circuit element, the frequency data can be written from the adjustment terminal by using the above configuration, and a downsized PLL crystal oscillator is provided. be able to.
(Fourth embodiment)

次に、第4の実施形態として、第1の実施形態で示した構成における温度補償型水晶発振器の製造方法について説明する。
図4は温度補償型水晶発振器の製造方法の工程を説明するフローチャートである。
図5は、温度補償データを書き込む前の水晶発振器の構成を示し、図5(a)は模式平面図、図5(b)は模式部分断面図、図5(c)は模式底面図である。
Next, as a fourth embodiment, a method for manufacturing a temperature compensated crystal oscillator having the configuration shown in the first embodiment will be described.
FIG. 4 is a flowchart for explaining the steps of the method for manufacturing the temperature compensated crystal oscillator.
FIG. 5 shows a configuration of a crystal oscillator before temperature compensation data is written. FIG. 5 (a) is a schematic plan view, FIG. 5 (b) is a schematic partial sectional view, and FIG. 5 (c) is a schematic bottom view. .

図4のフローチャートに従い、図5の構成図を参考にして説明する。
まず、セラミックパッケージ11の凹部に水晶振動片12を導電性接着剤14にて固着し、セラミックパッケージ11内に水晶振動片12を収容する(ステップS1)。
次に、水晶振動片12に形成された励振電極13に重りを付加、あるいは励振電極13の一部を除去することで水晶振動片12の周波数調整を行う(ステップS2)。
続いて、セラミックパッケージ11の上部を蓋体15で、シーム溶接などにより水晶振動片12が収容された凹部の空間を減圧雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保って、気密に封止する(ステップS3)。このようにして、水晶振動子パッケージ10を製造する。
A description will be given with reference to the configuration diagram of FIG. 5 according to the flowchart of FIG.
First, the crystal vibrating piece 12 is fixed to the concave portion of the ceramic package 11 with the conductive adhesive 14, and the crystal vibrating piece 12 is accommodated in the ceramic package 11 (step S1).
Next, the frequency of the crystal vibrating piece 12 is adjusted by adding a weight to the excitation electrode 13 formed on the crystal vibrating piece 12 or removing a part of the excitation electrode 13 (step S2).
Subsequently, the upper portion of the ceramic package 11 is sealed with a lid 15 and hermetically sealed by keeping the space of the concave portion in which the crystal vibrating piece 12 is accommodated by seam welding or the like in a reduced pressure atmosphere or an inert gas atmosphere (step S3). . In this way, the crystal resonator package 10 is manufactured.

次に、水晶振動子パッケージ10の電極パッド16と、集積回路素子50の能動面54に形成したバンプ51とを接合する(ステップS4)。このことで、図5に示すように集積回路素子50と水晶振動子パッケージ10とが一体化した状態となる。
ここで、集積回路素子50には、水晶振動片12を励振させる発振回路、温度補償回路、記憶回路などを含んでいる。また、集積回路素子50は水晶振動子パッケージ10の平面投影形状より図(図5)中左右両側に延出する調整用延出部56を備えている。この集積回路素子50の能動面54側における調整用延出部56には調整端子57が設けられ、集積回路素子50に内蔵された記憶回路と接続されている。
さらに、集積回路素子50の裏面55には、外部の基板などに接続される外部接続端子53が形成されている。この外部接続端子53は、集積回路素子50の能動面54から開口されたスルーホール52を介して、能動面54の配線と接続されるように構成されている。
Next, the electrode pads 16 of the crystal resonator package 10 and the bumps 51 formed on the active surface 54 of the integrated circuit element 50 are bonded (step S4). As a result, as shown in FIG. 5, the integrated circuit element 50 and the crystal unit package 10 are integrated.
Here, the integrated circuit element 50 includes an oscillation circuit, a temperature compensation circuit, a storage circuit, and the like that excite the crystal resonator element 12. Further, the integrated circuit element 50 includes an adjustment extension 56 extending from the planar projection shape of the crystal resonator package 10 to the left and right sides in the drawing (FIG. 5). An adjustment terminal 57 is provided on the adjustment extension 56 on the active surface 54 side of the integrated circuit element 50, and is connected to a memory circuit built in the integrated circuit element 50.
Furthermore, an external connection terminal 53 connected to an external substrate or the like is formed on the back surface 55 of the integrated circuit element 50. The external connection terminal 53 is configured to be connected to a wiring on the active surface 54 through a through hole 52 opened from the active surface 54 of the integrated circuit element 50.

次に、集積回路素子50の調整用延出部56に配置した調整端子57にコンタクトプローブなどの接触子をあて、集積回路素子50の記憶回路に温度補償データを書き込む(ステップS5)。
その後、図5に示す切断線C,Dに沿って、集積回路素子50の調整用延出部56を切断して分離する(ステップS6)。
このようにして、第1の実施形態と同様の構成である温度補償型の水晶発振器を得ることができる。
Next, a contact such as a contact probe is applied to the adjustment terminal 57 disposed in the adjustment extension 56 of the integrated circuit element 50, and temperature compensation data is written in the storage circuit of the integrated circuit element 50 (step S5).
Thereafter, the adjustment extension 56 of the integrated circuit element 50 is cut and separated along the cutting lines C and D shown in FIG. 5 (step S6).
In this way, a temperature compensated crystal oscillator having the same configuration as that of the first embodiment can be obtained.

以上、温度補償型の水晶発振器の製造方法によれば、水晶振動子パッケージ10の平面投影形状より延出する調整用延出部56に形成した調整端子57から集積回路素子50内の記憶回路にデータを書き込むことができる。その後、集積回路素子50の調整用延出部56を分離することで小型化した水晶発振器を得ることができる。
このように、本実施形態の水晶発振器の製造方法によれば、水晶発振器の小型化が図られた結果、調整端子を水晶発振器内に設けられない場合、あるいは調整作業の困難さが生じた場合に、容易に調整作業を行える水晶発振器の製造方法を提供できる。
また、調整端子57が集積回路素子50の両側に設けられていることから、データを書き込む際に接触するコンタクトプローブなどの接触子が安定した接触を保つことができる。
さらに、調整用延出部56の調整端子57を形成した面に、外部接続端子53と導通する端子をさらに設けても良い。このようにすれば、データ書き込みなどの調整時に一方向からコンタクトプローブなどの接触子を接触させることができ、生産性を向上させることができ、加えて生産設備を簡略化する効果を有する。
As described above, according to the method for manufacturing the temperature-compensated crystal oscillator, the adjustment terminal 57 formed on the adjustment extension 56 extending from the planar projection shape of the crystal resonator package 10 is connected to the memory circuit in the integrated circuit element 50. Data can be written. Thereafter, by separating the adjustment extension 56 of the integrated circuit element 50, a miniaturized crystal oscillator can be obtained.
As described above, according to the crystal oscillator manufacturing method of the present embodiment, when the crystal oscillator is downsized, the adjustment terminal cannot be provided in the crystal oscillator, or the adjustment work is difficult. In addition, it is possible to provide a method for manufacturing a crystal oscillator that can be easily adjusted.
Further, since the adjustment terminals 57 are provided on both sides of the integrated circuit element 50, a contact such as a contact probe that contacts when writing data can maintain a stable contact.
Furthermore, you may provide further the terminal connected with the external connection terminal 53 in the surface in which the adjustment terminal 57 of the extension part 56 for adjustment was formed. In this way, a contact such as a contact probe can be brought into contact from one direction at the time of adjustment such as data writing, productivity can be improved, and in addition, production equipment can be simplified.

なお、上記第1の実施形態〜第4の実施形態において、集積回路素子に設けた外部接続端子に半田ボールなどの金属ボールを付加して外部接続用の端子としても良い。
また、上記実施形態において集積回路素子の能動面から裏面の外部接続端子への接続は集積回路素子を貫通するスルーホールを介して行っているが、集積回路素子の側面を介して、裏面の外部接続端子に接続しても良い。
また、集積回路素子と水晶振動子パッケージの接続を行った後に、それらの隙間にアンダーフィル(絶縁性樹脂)を充填して加熱硬化させ、集積回路素子と水晶振動子パッケージの接続強度の向上および、集積回路素子の保護を行っても良い。
In the first to fourth embodiments, a metal ball such as a solder ball may be added to the external connection terminal provided in the integrated circuit element to serve as an external connection terminal.
In the above embodiment, the connection from the active surface of the integrated circuit element to the external connection terminal on the back surface is made through a through-hole penetrating the integrated circuit element. You may connect to a connection terminal.
In addition, after connecting the integrated circuit element and the crystal resonator package, the gap between them is filled with an underfill (insulating resin) and cured by heating to improve the connection strength between the integrated circuit element and the crystal resonator package. The integrated circuit element may be protected.

以上、上記実施形態では、圧電デバイスとして水晶振動子を用いた水晶発振器を例に挙げ説明を行ったが、圧電素子の材料として水晶に限らず、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料を用いた圧電振動子としても良い。
また、圧電素子として水晶振動片に代わるSAW(弾性表面波)素子、振動ジャイロ素子などを用いるSAW発振器、振動ジャイロセンサなどにおいても利用が可能であり、同様の効果を享受することができる。
As described above, in the above-described embodiment, the crystal oscillator using the crystal resonator as the piezoelectric device has been described as an example. However, the piezoelectric element material is not limited to quartz, and piezoelectric materials such as lithium tantalate and lithium niobate are used. The piezoelectric vibrator used may be used.
Further, the present invention can also be used in a SAW oscillator, a vibration gyro sensor, and the like using a SAW (surface acoustic wave) element, a vibration gyro element, or the like as a piezoelectric element instead of a crystal vibrating piece, and can enjoy the same effect.

第1の実施形態における水晶発振器の構成を示し、(a)は模式平面図、(b)は模式部分断面図、(c)は模式底面図。The structure of the crystal oscillator in 1st Embodiment is shown, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic fragmentary sectional view, (c) is a schematic bottom view. 第2の実施形態における水晶発振器の構成を示し、(a)は模式平面図、(b)は模式部分断面図、(c)は模式底面図。The structure of the crystal oscillator in 2nd Embodiment is shown, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic fragmentary sectional view, (c) is a schematic bottom view. 第3の実施形態における水晶発振器の構成を示し、(a)は模式平面図、(b)は模式部分断面図、(c)は模式底面図。The structure of the crystal oscillator in 3rd Embodiment is shown, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic fragmentary sectional view, (c) is a schematic bottom view. 第4の実施形態における水晶発振器の製造方法の工程順を示すフローチャート。9 is a flowchart showing a process sequence of a method for manufacturing a crystal oscillator according to a fourth embodiment. 第4の実施形態における水晶発振器の製造方法を説明する説明図であり、(a)は模式平面図、(b)は模式部分断面図、(c)は模式底面図。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the crystal oscillator in 4th Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic fragmentary sectional view, (c) is a schematic bottom view.

符号の説明Explanation of symbols

1,2,3…圧電デバイスとしての水晶発振器、10…圧電素子パッケージとしての水晶振動子パッケージ、11…収容器としてのセラミックパッケージ、12…圧電素子としての水晶振動片、15…蓋体、16…電極パッド、20…集積回路素子、21…接続端子としてのバンプ、22…スルーホール、23…外部接続端子、24…集積回路素子の能動面、25…集積回路素子の裏面、30…集積回路素子、33…外部接続端子、37…調整端子、40…圧電素子パッケージとしての水晶振動子パッケージ、48…調整端子、50…集積回路素子、53…外部接続端子、56…調整用延出部、57…調整端子。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2, 3 ... Crystal oscillator as a piezoelectric device, 10 ... Crystal oscillator package as a piezoelectric element package, 11 ... Ceramic package as a container, 12 ... Crystal vibrating piece as a piezoelectric element, 15 ... Cover, 16 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Electrode pad, 20 ... Integrated circuit element, 21 ... Bump as connection terminal, 22 ... Through hole, 23 ... External connection terminal, 24 ... Active surface of integrated circuit element, 25 ... Back surface of integrated circuit element, 30 ... Integrated circuit Elements 33 ... external connection terminals 37 ... adjustment terminals 40 ... crystal oscillator package as piezoelectric element package 48 ... adjustment terminals 50 ... integrated circuit elements 53 ... external connection terminals 56 ... extension parts for adjustment, 57: Adjustment terminal.

Claims (5)

収容器の内部に圧電素子が収容され、その内部を気密に封止された圧電素子パッケージと、
前記圧電素子パッケージの外表面に接続された集積回路素子と、を備え、
前記圧電素子パッケージの外表面に形成された電極パッドと前記集積回路素子の一方の面である能動面に形成された接続端子とが接続され、前記集積回路素子の他方の面には外部接続端子が形成されていることを特徴とする圧電デバイス。
A piezoelectric element package in which a piezoelectric element is housed and hermetically sealed; and
An integrated circuit element connected to the outer surface of the piezoelectric element package,
An electrode pad formed on the outer surface of the piezoelectric element package and a connection terminal formed on an active surface which is one surface of the integrated circuit element are connected, and an external connection terminal is connected to the other surface of the integrated circuit element. A piezoelectric device characterized in that is formed.
請求項1に記載の圧電デバイスにおいて、
前記集積回路素子の平面視における大きさが、前記圧電素子パッケージの平面視における大きさと略同等であることを特徴とする圧電デバイス。
The piezoelectric device according to claim 1.
A size of the integrated circuit element in plan view is approximately equal to a size of the piezoelectric element package in plan view.
請求項1または2に記載の圧電デバイスにおいて、
前記集積回路素子の他方の面に、前記外部接続端子に加えて前記集積回路素子内の回路を制御可能な調整端子が備えられていることを特徴とする圧電デバイス。
The piezoelectric device according to claim 1 or 2,
A piezoelectric device, wherein an adjustment terminal capable of controlling a circuit in the integrated circuit element is provided on the other surface of the integrated circuit element in addition to the external connection terminal.
請求項1または2に記載の圧電デバイスにおいて、
前記圧電素子パッケージの側面に前記集積回路素子と導通し前記集積回路素子内の回路を制御可能な調整端子が備えられていることを特徴とする圧電デバイス。
The piezoelectric device according to claim 1 or 2,
A piezoelectric device comprising an adjustment terminal that is electrically connected to the integrated circuit element and capable of controlling a circuit in the integrated circuit element on a side surface of the piezoelectric element package.
圧電素子を収容した圧電素子パッケージの外表面に形成した電極パッドと集積回路素子の一方の面である能動面に形成した接続端子とを接続し、前記集積回路素子の他方の面に外部接続端子を設けた圧電デバイスの製造方法であって、
前記圧電素子パッケージに、その平面投影形状より大きく前記圧電素子パッケージの平面投影形状より延出する調整用延出部に調整端子を設けた前記集積回路素子を接続し、
前記調整端子から前記集積回路素子内の記憶回路を制御し、その後、前記集積回路素子の前記調整用延出部を分離することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
An electrode pad formed on the outer surface of a piezoelectric element package containing a piezoelectric element is connected to a connection terminal formed on an active surface which is one surface of the integrated circuit element, and an external connection terminal is connected to the other surface of the integrated circuit element. A method of manufacturing a piezoelectric device provided with
Connecting to the piezoelectric element package the integrated circuit element provided with an adjustment terminal at an adjustment extension extending from the planar projection shape of the piezoelectric element package larger than the planar projection shape;
A method for manufacturing a piezoelectric device, comprising: controlling a memory circuit in the integrated circuit element from the adjustment terminal; and then separating the adjustment extending portion of the integrated circuit element.
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