JP2007184807A - Package for piezoelectric device and piezoelectric device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子機器または通信機器に用いられる表面実装型の圧電デバイス用パッケージおよび圧電デバイスに関する。 The present invention relates to a surface-mount type piezoelectric device package and a piezoelectric device used in electronic equipment or communication equipment.
近年、電子機器や通信機器の携帯性向上の要求から、機器の小型化が急速に進んでいる。このため、これらに用いられる水晶発振器などの圧電デバイスにもさらなる小型化・低背化の要求がされている。
従来の圧電デバイスとして、特許文献1(図6、図7)に示すような構造が知られている。この特許文献1では、水晶発振器において、セラミック基板の上面に水晶振動片を内蔵した水晶振動子を接続し、さらにセラミック基板の下面に枠状セラミック基板を接続してできた矩形状のキャビティ部に回路素子などの電子部品素子を搭載する構造が開示されている。
また、圧電デバイスの低背化を図るために、セラミック基板を共通化してその上下面にそれぞれキャビティ部を設け、各キャビティ部に水晶振動片と電子部品素子とをそれぞれ搭載する構造の水晶発振器も知られている。
In recent years, downsizing of devices is rapidly progressing due to demands for improving portability of electronic devices and communication devices. For this reason, there is a demand for further downsizing and lowering the height of piezoelectric devices such as crystal oscillators used in these devices.
As a conventional piezoelectric device, a structure as shown in Patent Document 1 (FIGS. 6 and 7) is known. In
In addition, in order to reduce the height of the piezoelectric device, there is also a crystal oscillator having a structure in which a ceramic substrate is used in common and a cavity portion is provided on each of the upper and lower surfaces, and a crystal resonator element and an electronic component element are mounted on each cavity portion. Are known.
しかしながら、従来の構造の圧電デバイスにおいて、さらなる低背化を図るために、セラミック基板の厚さを、可能な限り薄くすることが行われる。また、圧電デバイスの小型化においては、圧電素子を小さくすると共にセラミックなどのパッケージ(収容器)を小さく設計する。このとき、集積回路などの回路素子の大きさを替えない場合、回路素子の大きさがパッケージの面積に対して相対的に大きな割合を占めてしまい、キャビティ部の割合も大きくなる。
このようなことから、回路素子を収容するキャビティの角部からパッケージの外周までの距離も短くなり、製造工程中でパッケージに外力が加わった場合、このキャビティの角部に応力が集中し、角部を起点としてパッケージにクラックが発生するおそれがある。このため、圧電デバイスの歩留まりの低下に加え、安定した品質が確保できないことが推測される。
However, in a piezoelectric device having a conventional structure, the thickness of the ceramic substrate is reduced as much as possible in order to further reduce the height. Further, in the miniaturization of the piezoelectric device, the piezoelectric element is made small and the ceramic (package) such as a ceramic is designed to be small. At this time, if the size of the circuit element such as an integrated circuit is not changed, the size of the circuit element occupies a relatively large ratio with respect to the area of the package, and the ratio of the cavity portion also increases.
For this reason, the distance from the corner of the cavity that houses the circuit element to the outer periphery of the package is also shortened. When an external force is applied to the package during the manufacturing process, stress is concentrated on the corner of the cavity and the corner There is a risk of cracks occurring in the package starting from the part. For this reason, it is presumed that stable quality cannot be secured in addition to a decrease in the yield of the piezoelectric device.
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、小型化・低背化された圧電デバイス用パッケージにおけるクラックの発生を低減し、安定した品質を確保できる圧電デバイス用パッケージおよび圧電デバイスを提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to reduce the occurrence of cracks in a piezoelectric device package that has been reduced in size and height, and to ensure stable quality. And providing a piezoelectric device.
上記課題を解決するために、本発明の圧電デバイス用パッケージは、圧電素子と回路素子とをそれぞれ収容する一方の面および他方の面に第1キャビティ部および第2キャビティ部を備えた圧電デバイス用パッケージであって、前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において略矩形状に形成され、前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成されていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a package for a piezoelectric device according to the present invention is for a piezoelectric device having a first cavity portion and a second cavity portion on one surface and the other surface for accommodating a piezoelectric element and a circuit element, respectively. In the package, the cavity shape of the first cavity portion is formed in a substantially rectangular shape in plan view, and the cavity shape of the second cavity portion is formed in a shape without a corner portion connecting curves in plan view. It is characterized by that.
この構成によれば、回路素子を収容する第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成されている。このことから、圧電デバイス用パッケージや圧電デバイスの製造工程において、圧電デバイス用パッケージに外力が加わったときに、応力が集中する角部がないため、第2キャビティ部からクラックが発生することを低減できる。そして、安定した品質を確保できる小型化・低背化された圧電デバイス用パッケージを得ることができる。 According to this configuration, the cavity shape of the second cavity portion that accommodates the circuit element is formed in a shape that does not have corner portions that connect curves in plan view. From this, in the manufacturing process of piezoelectric device packages and piezoelectric devices, when external force is applied to the piezoelectric device package, there are no corners where stress concentrates, reducing the occurrence of cracks from the second cavity. it can. Thus, it is possible to obtain a package for a piezoelectric device that is small and low in profile and can ensure stable quality.
また、本発明の圧電デバイス用パッケージは、前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において円形状に形成されていることが望ましい。 In the piezoelectric device package of the present invention, it is preferable that the cavity shape of the second cavity portion is formed in a circular shape in plan view.
この構成によれば、回路素子を収容する第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において円形状に形成されている。このことから、圧電デバイス用パッケージや圧電デバイスの製造工程において、圧電デバイス用パッケージに外力が加わったときに、応力が集中する角部がないため、第2キャビティ部からクラックが発生することを低減できる。そして、安定した品質を確保できる小型化・低背化された圧電デバイス用パッケージを得ることができる。 According to this structure, the cavity shape of the 2nd cavity part which accommodates a circuit element is formed in circular shape in planar view. From this, in the manufacturing process of piezoelectric device packages and piezoelectric devices, when external force is applied to the piezoelectric device package, there are no corners where stress concentrates, reducing the occurrence of cracks from the second cavity. it can. Thus, it is possible to obtain a package for a piezoelectric device that is small and low in profile and can ensure stable quality.
また、本発明の圧電デバイス用パッケージは、前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において楕円形状に形成されていることが望ましい。 In the piezoelectric device package of the present invention, it is desirable that the cavity shape of the second cavity portion is formed in an elliptical shape in plan view.
この構成によれば、回路素子を収容する第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において楕円形状に形成されている。このことから、圧電デバイス用パッケージや圧電デバイスの製造工程において、圧電デバイス用パッケージに外力が加わったときに、応力が集中する角部がないため、第2キャビティ部からクラックが発生することを低減できる。そして、安定した品質を確保できる小型化・低背化された圧電デバイス用パッケージを得ることができる。 According to this structure, the cavity shape of the 2nd cavity part which accommodates a circuit element is formed in the ellipse shape in planar view. From this, in the manufacturing process of piezoelectric device packages and piezoelectric devices, when external force is applied to the piezoelectric device package, there are no corners where stress concentrates, reducing the occurrence of cracks from the second cavity. it can. Thus, it is possible to obtain a package for a piezoelectric device that is small and low in profile and can ensure stable quality.
本発明の圧電デバイス用パッケージは、圧電素子と回路素子とを収容する一方の面および他方の面にそれぞれ第1キャビティ部および第2キャビティ部を備えた圧電デバイス用パッケージであって、前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において略矩形状に形成され、前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成されていることを特徴とする。 The piezoelectric device package of the present invention is a piezoelectric device package comprising a first cavity portion and a second cavity portion on one surface and the other surface for accommodating a piezoelectric element and a circuit element, respectively. The cavity shape of the cavity portion is formed in a substantially rectangular shape in a plan view, and the cavity shape of the second cavity portion is formed in a polygonal shape having an apex angle as an obtuse angle in the plan view.
この構成によれば、回路素子を収容する第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成されている。このように、角部の角度が90度を超える鈍角に形成されているため、圧電デバイス用パッケージや圧電デバイスの製造工程において、圧電デバイス用パッケージに外力が加わったときの角部に集中する応力を緩和することができ、第2キャビティ部からクラックが発生することを低減できる。そして、安定した品質を確保できる小型化・低背化された圧電デバイス用パッケージを得ることができる。 According to this configuration, the cavity shape of the second cavity portion that accommodates the circuit element is formed in a polygonal shape with an apex angle being an obtuse angle in plan view. As described above, since the angle of the corner portion is formed to be an obtuse angle exceeding 90 degrees, in the manufacturing process of the piezoelectric device package or the piezoelectric device, the stress concentrated on the corner portion when an external force is applied to the piezoelectric device package. Can be mitigated, and the occurrence of cracks from the second cavity portion can be reduced. Thus, it is possible to obtain a package for a piezoelectric device that is small and low in profile and can ensure stable quality.
本発明の圧電デバイスは、一方の面に第1キャビティ部が形成され、他方の面に第2キャビティ部が形成された圧電デバイス用パッケージに、それぞれ圧電素子と回路素子とが収容された圧電デバイスであって、前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において略矩形状に形成され、この第1キャビティ部内に前記圧電素子が収容され、かつ前記第1キャビティ部とその上部に設けられた蓋体とにより画定される内部を前記蓋体により気密に封止され、前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成され、この第2キャビティ部内に前記回路素子が収容されたことを特徴とする。 The piezoelectric device according to the present invention includes a piezoelectric device package in which a first cavity portion is formed on one surface and a second cavity portion is formed on the other surface. The cavity shape of the first cavity part is formed in a substantially rectangular shape in plan view, the piezoelectric element is accommodated in the first cavity part, and the first cavity part and a lid provided on the upper part thereof The interior defined by the body is hermetically sealed by the lid, and the cavity shape of the second cavity part is formed in a shape without a corner part connecting curves in plan view, and the second cavity part has the shape The circuit element is accommodated.
この構成によれば、回路素子を収容する第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成されている。このことから、圧電デバイスの製造工程や圧電デバイスの外部基板への実装工程において、圧電デバイス用パッケージに外力が加わったときに、応力が集中する角部がないため、第2キャビティ部からクラックが発生することを低減でき、安定した品質を確保できる小型化・低背化された圧電デバイスを得ることができる。 According to this configuration, the cavity shape of the second cavity portion that accommodates the circuit element is formed in a shape that does not have corner portions that connect curves in plan view. Therefore, in the piezoelectric device manufacturing process and the mounting process of the piezoelectric device on the external substrate, when an external force is applied to the piezoelectric device package, there is no corner where stress is concentrated. Generation | occurence | production can be reduced and the piezoelectric device by which size reduction and the low profile which can ensure the stable quality could be obtained.
本発明の圧電デバイスは、前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において円形状に形成されていることが望ましい。 In the piezoelectric device of the present invention, it is desirable that the cavity shape of the first cavity portion is formed in a circular shape in plan view.
この構成によれば、回路素子を収容する第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において円形状に形成されている。このことから、圧電デバイスの製造工程や圧電デバイスの外部基板への実装工程において、圧電デバイス用パッケージに外力が加わったときに、応力が集中する角部がないため、第2キャビティ部からクラックが発生することを低減でき、安定した品質を確保できる小型化・低背化された圧電デバイスを得ることができる。 According to this structure, the cavity shape of the 2nd cavity part which accommodates a circuit element is formed in circular shape in planar view. Therefore, in the piezoelectric device manufacturing process and the mounting process of the piezoelectric device on the external substrate, when an external force is applied to the piezoelectric device package, there is no corner where stress is concentrated. Generation | occurence | production can be reduced and the piezoelectric device by which size reduction and the low profile which can ensure the stable quality could be obtained.
本発明の圧電デバイスは、第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において楕円形状に形成されていることが望ましい。 In the piezoelectric device of the present invention, it is desirable that the cavity shape of the second cavity portion is formed in an elliptical shape in plan view.
この構成によれば、回路素子を収容する第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において楕円形状に形成されている。このことから、圧電デバイスの製造工程や圧電デバイスの外部基板への実装工程において、圧電デバイス用パッケージに外力が加わったときに、応力が集中する角部がないため、第2キャビティ部からクラックが発生することを低減でき、安定した品質を確保できる小型化・低背化された圧電デバイスを得ることができる。 According to this structure, the cavity shape of the 2nd cavity part which accommodates a circuit element is formed in the ellipse shape in planar view. Therefore, in the piezoelectric device manufacturing process and the mounting process of the piezoelectric device on the external substrate, when an external force is applied to the piezoelectric device package, there is no corner where stress is concentrated. Generation | occurence | production can be reduced and the piezoelectric device by which size reduction and the low profile which can ensure the stable quality could be obtained.
本発明の圧電デバイスは、一方の面に第1キャビティ部が形成され、他方の面に第2キャビティ部が形成された圧電デバイス用パッケージに、それぞれ圧電素子と回路素子とが収容された圧電デバイスであって、前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において略矩形状に形成され、この第1キャビティ部内に前記圧電素子が収容され、かつ前記第1キャビティ部とその上部に設けられた蓋体とにより画定される内部を前記蓋体により気密に封止され、前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成され、この第2キャビティ部内に前記回路素子が収容されたことを特徴とする。 The piezoelectric device according to the present invention includes a piezoelectric device package in which a first cavity portion is formed on one surface and a second cavity portion is formed on the other surface. The cavity shape of the first cavity part is formed in a substantially rectangular shape in plan view, the piezoelectric element is accommodated in the first cavity part, and the first cavity part and a lid provided on the upper part thereof The interior defined by the body is hermetically sealed by the lid, and the cavity shape of the second cavity part is formed in a polygonal shape having an obtuse angle at the apex in plan view, and the second cavity part The circuit element is accommodated.
この構成によれば、回路素子を収容する第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成されている。このように、角部の角度が90度を超える鈍角に形成されているため、圧電デバイスの製造工程や圧電デバイスの外部基板への実装工程において、圧電デバイス用パッケージに外力が加わったときの角部に集中する応力を緩和することができ、第2キャビティ部からクラックが発生することを低減できる。そして、安定した品質を確保できる小型化・低背化された圧電デバイスを得ることができる。 According to this configuration, the cavity shape of the second cavity portion that accommodates the circuit element is formed in a polygonal shape with an apex angle being an obtuse angle in plan view. As described above, since the angle of the corner is an obtuse angle exceeding 90 degrees, the angle when an external force is applied to the piezoelectric device package in the manufacturing process of the piezoelectric device or the mounting process of the piezoelectric device on the external substrate. The stress concentrated on the portion can be relaxed, and the occurrence of cracks from the second cavity portion can be reduced. And the piezoelectric device reduced in size and reduced in height which can ensure the stable quality can be obtained.
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
<圧電デバイス用パッケージ>
以降、本実施形態では圧電デバイス用パッケージとして水晶発振器用パッケージを例にとり説明する。
(第1の実施形態)
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
<Piezoelectric device package>
Hereinafter, in the present embodiment, a crystal oscillator package will be described as an example of a piezoelectric device package.
(First embodiment)
図1は、第1の実施形態における水晶発振器用パッケージの構成を示し、図1(a)は模式平面図、図1(b)は同図(a)のA−A断線に沿う模式断面図、図1(c)は模式底面図である。
水晶発振器用パッケージ1は、一方の面に第1キャビティ部10と、第1キャビティ部10に対向する他方の面(裏面)に第2キャビティ部12を備えている。第1キャビティ部10は積層されたセラミック基板15上面に枠状のコバールなどからなるシームリング16が接合され、セラミック基板15の上面を底面としてシームリング16の内側を側壁とする第1キャビティ部10を形成している。
また、セラミック基板15はセラミックグリーンシートを積層、焼成して凹部を形成する第2キャビティ部12が形成されている。
1A and 1B show a configuration of a crystal oscillator package according to the first embodiment. FIG. 1A is a schematic plan view, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 1C is a schematic bottom view.
The
The
第1キャビティ部10のキャビティ形状は、図1(a)に示すように、平面視において略矩形状に形成され、第1キャビティ部10のセラミック基板15上面には電極パッド11が形成されている。この電極パッド11は水晶振動片と接続するための接続端子である。
第2キャビティ部12のキャビティ形状は、図1(c)に示すように、平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成されている。また、第2キャビティ部12内には接続パッド13が形成されている。この接続パッド13はIC(Integrated Circuit)などの回路素子との接続を果たす接続端子である。さらに、この第2キャビティ部12が形成された側の四隅には外部基板などとの接続を可能とする外部接続端子14が形成されている。
なお、図示しないがセラミック基板15内部で、電極パッド11、接続パッド13、外部接続端子14はそれぞれ所定の配線がなされ、接続されている。
As shown in FIG. 1A, the cavity shape of the
The cavity shape of the
Although not shown, the
以上のように、本実施形態では、回路素子を収容する第2キャビティ部12のキャビティ形状が平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成されている。このことから、水晶発振器用パッケージ1やこのパッケージを用いた水晶発振器の製造工程において、水晶発振器用パッケージ1に外力が加わったときに、第2キャビティ部12に角部がないため応力が集中せず、セラミック基板15にクラックが発生することを低減できる。そして、安定した品質を確保する小型化・低背化された水晶発振器用パッケージ1を得ることができる。
(第2の実施形態)
As described above, in the present embodiment, the cavity shape of the
(Second Embodiment)
次に第2の実施形態の水晶発振器用パッケージについて説明する。
図2は、第2の実施形態における水晶発振器用パッケージの構成を示し、図2(a)は模式平面図、図2(b)は同図(a)のB−B断線に沿う模式断面図、図2(c)は模式底面図である。
Next, a crystal oscillator package according to a second embodiment will be described.
2A and 2B show the configuration of the crystal oscillator package according to the second embodiment. FIG. 2A is a schematic plan view, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along the line BB in FIG. FIG. 2 (c) is a schematic bottom view.
水晶発振器用パッケージ2は、一方の面に第1キャビティ部20と、第1キャビティ部20に対向する他方の面(裏面)に第2キャビティ部22を備えている。第1キャビティ部20は積層されたセラミック基板25上面に枠状のコバールなどからなるシームリング26が接合され、セラミック基板25の上面を底面としてシームリング26の内側を側壁とする第1キャビティ部20を形成している。
また、セラミック基板25はセラミックグリーンシートを積層、焼成して凹部を形成する第2キャビティ部22が形成されている。
The
Further, the
第1キャビティ部20のキャビティ形状は、図2(a)に示すように、平面視において略矩形状に形成され、第1キャビティ部20のセラミック基板25上面には電極パッド21が形成されている。この電極パッド21は水晶振動片と接続するための接続端子である。
第2キャビティ部22のキャビティ形状は、図2(c)に示すように、平面視において円形状に形成されている。また、第2キャビティ部22内には接続パッド23が形成されている。この接続パッド23はICなどの回路素子との接続を果たす接続端子である。さらに、この第2キャビティ部22が形成された面の四隅には外部基板などとの接続を可能とする外部接続端子24が形成されている。
なお、図示しないがセラミック基板25内部で、電極パッド21、接続パッド23、外部接続端子24はそれぞれ所定の配線がなされ、接続されている。
As shown in FIG. 2A, the cavity shape of the
The cavity shape of the
Although not shown, the
以上のように、本実施形態では、回路素子を収容する第2キャビティ部22のキャビティ形状が平面視において円形状に形成されている。このことから、水晶発振器用パッケージ2やこのパッケージを用いた水晶発振器の製造工程において、水晶発振器用パッケージ2に外力が加わったときに、第2キャビティ部22に角部がないため応力が集中せず、セラミック基板25にクラックが発生することを低減できる。そして、安定した品質を確保する小型化・低背化された水晶発振器用パッケージ2を得ることができる。
(第3の実施形態)
As described above, in this embodiment, the cavity shape of the
(Third embodiment)
次に第3の実施形態の水晶発振器用パッケージについて説明する。
図3は、第3の実施形態における水晶発振器用パッケージの構成を示し、図3(a)は模式平面図、図3(b)は同図(a)のC−C断線に沿う模式断面図、図3(c)は模式底面図である。
Next, a crystal oscillator package according to a third embodiment will be described.
3A and 3B show a configuration of a crystal oscillator package according to the third embodiment. FIG. 3A is a schematic plan view, and FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along the line CC in FIG. FIG. 3C is a schematic bottom view.
水晶発振器用パッケージ3は、一方の面に第1キャビティ部30と、第1キャビティ部30に対向する他方の面(裏面)に第2キャビティ部32を備えている。第1キャビティ部30は積層されたセラミック基板35上面に枠状のコバールなどからなるシームリング36が接合され、セラミック基板35の上面を底面としてシームリング36の内側を側壁とする第1キャビティ部30を形成している。
また、セラミック基板35はセラミックグリーンシートを積層、焼成して凹部を形成する第2キャビティ部32が形成されている。
The
The
第1キャビティ部30のキャビティ形状は、図3(a)に示すように、平面視において略矩形状に形成され、第1キャビティ部30のセラミック基板35上面には電極パッド31が形成されている。この電極パッド31は水晶振動片と接続するための接続端子である。
第2キャビティ部32のキャビティ形状は、図3(c)に示すように、平面視において楕円形状に形成されている。また、第2キャビティ部32内には接続パッド33が形成されている。この接続パッド33はICなどの回路素子との接続を果たす接続端子である。さらに、この第2キャビティ部32が形成された面の四隅には外部基板などとの接続を可能とする外部接続端子34が形成されている。
なお、図示しないがセラミック基板35内部で、電極パッド31、接続パッド33、外部接続端子34はそれぞれ所定の配線がなされ、接続されている。
As shown in FIG. 3A, the cavity shape of the
As shown in FIG. 3C, the cavity shape of the
Although not shown, the
以上のように、本実施形態では、回路素子を収容する第2キャビティ部32のキャビティ形状が平面視において楕円形状に形成されている。このことから、水晶発振器用パッケージ3やこのパッケージを用いた水晶発振器の製造工程において、水晶発振器用パッケージ3に外力が加わったときに、第2キャビティ部32に角部がないため応力が集中せず、セラミック基板35にクラックが発生することを低減できる。そして、安定した品質を確保する小型化・低背化された水晶発振器用パッケージ3を得ることができる。
(第4の実施形態)
As described above, in the present embodiment, the cavity shape of the
(Fourth embodiment)
次に第4の実施形態の水晶発振器用パッケージについて説明する。
図4は、第4の実施形態における水晶発振器用パッケージの構成を示し、図4(a)は模式平面図、図4(b)は同図(a)のD−D断線に沿う模式断面図、図4(c)は模式底面図である。
Next, a crystal oscillator package according to a fourth embodiment will be described.
4A and 4B show the configuration of the crystal oscillator package according to the fourth embodiment. FIG. 4A is a schematic plan view, and FIG. 4B is a schematic cross-sectional view taken along the line DD in FIG. FIG. 4C is a schematic bottom view.
水晶発振器用パッケージ4は、一方の面に第1キャビティ部40と、第1キャビティ部40に対向する他方の面(裏面)に第2キャビティ部42を備えている。第1キャビティ部40は積層されたセラミック基板45上面に枠状のコバールなどからなるシームリング46が接合され、セラミック基板45の上面を底面としてシームリング46の内側を側壁とする第1キャビティ部40を形成している。
また、セラミック基板45はセラミックグリーンシートを積層、焼成して凹部を形成する第2キャビティ部42が形成されている。
The
In addition, the
第1キャビティ部40のキャビティ形状は、図4(a)に示すように、平面視において略矩形状に形成され、第1キャビティ部40のセラミック基板45上面には電極パッド41が形成されている。この電極パッド41は水晶振動片と接続するための接続端子である。
第2キャビティ部42のキャビティ形状は、図4(c)に示すように、平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成されている。また、第2キャビティ部42内には接続パッド43が形成されている。この接続パッド43はICなどの回路素子との接続を果たす接続端子である。さらに、この第2キャビティ部42が形成された面の四隅には外部基板などとの接続を可能とする外部接続端子44が形成されている。
なお、図示しないがセラミック基板45内部で、電極パッド41、接続パッド43、外部接続端子44はそれぞれ所定の配線がなされ、接続されている。
As shown in FIG. 4A, the cavity shape of the
The cavity shape of the
Although not shown, the
以上のように、本実施形態では、回路素子を収容する第2キャビティ部42のキャビティ形状が平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成されている。このように、角部の角度が90度を超える鈍角に形成されているため、水晶発振器用パッケージ4やこのパッケージを用いた水晶発振器の製造工程において、水晶発振器用パッケージ4に外力が加わったときの角部に集中する応力を緩和でき、セラミック基板45にクラックが発生するのを低減できる。そして、安定した品質を確保する小型化・低背化された水晶発振器用パッケージ4を得ることができる。
<圧電デバイス>
As described above, in the present embodiment, the cavity shape of the
<Piezoelectric device>
以下の実施形態では、圧電デバイスとして水晶発振器を例にとり説明する。
(第5の実施形態)
In the following embodiments, a crystal oscillator will be described as an example of a piezoelectric device.
(Fifth embodiment)
第5の実施形態の水晶発振器は、第1の実施形態で説明した水晶発振器用パッケージ1に水晶振動片と回路素子を収容したものであり、水晶発振器用パッケージについては、第1の実施形態で説明したのと同符号を用い、説明を省略する。
図5は、第5の実施形態における水晶発振器の構成を示し、図5(a)は模式平面図、図5(b)は同図(a)のE−E断線に沿う模式断面図、図5(c)は模式底面図である。
The crystal oscillator of the fifth embodiment is a crystal oscillator package and a circuit element accommodated in the
5A and 5B show the configuration of the crystal oscillator according to the fifth embodiment. FIG. 5A is a schematic plan view, and FIG. 5B is a schematic cross-sectional view taken along the line EE in FIG. 5 (c) is a schematic bottom view.
水晶発振器5の水晶発振器用パッケージ1における第1キャビティ部10には、水晶振動片50が収容されている。水晶振動片50には励振電極51が形成され、Agペーストなどの導電性接着剤52を介して、セラミック基板15上面に形成された電極パッド11に固定され、また、励振電極51と電極パッド11との導通がとられている。
さらに、第1キャビティ部10とその上方に設けられた蓋体53とにより画定される内部を、蓋体53とシームリング16をシーム溶接することにより内部を減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気で気密に封止されている。
A
Further, the interior defined by the
また、平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成された水晶発振器用パッケージ1の第2キャビティ部12には、回路素子としてのIC55が収容されている。IC55のボンディングパッド(図示せず)にはAuなどのバンプ56が形成され、セラミック基板15に形成された接続パッドにフェイスダウンボンディングされている。IC55は、その角部が水晶発振器パッケージ1の外周の各辺と向かい合うように配置されている。なお、IC55には水晶振動片50を励振させる発振回路が内蔵されている。
さらに、場合により、第2キャビティ部12にアンダーフィル(絶縁性樹脂)を充填して、IC55と接続パッドとの接合強度の向上および、IC55の保護を行っても良い。
Further, an
In some cases, the
以上、本実施形態の水晶発振器5では、IC55を収容する第2キャビティ部12のキャビティ形状が平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成されている。このことから、水晶発振器5の製造工程や水晶発振器5の外部基板への実装工程において、水晶発振器用パッケージ1に外力が加わったときに、第2キャビティ部12に角部がないため応力が集中せず、セラミック基板15にクラックが発生するのを低減でき、安定した品質を確保できる小型化・低背化された水晶発振器5を得ることができる。
また、第2キャビティ部12にアンダーフィルを充填する場合、第2キャビティ部12のIC55との間隔が大きく開いた部分から充填することができ、アンダーフィルの充填作業が容易になる効果も有する。
(第6の実施形態)
As described above, in the
Further, when filling the
(Sixth embodiment)
第6の実施形態の水晶発振器は、第2の実施形態で説明した水晶発振器用パッケージ2に水晶振動片と回路素子を収容したものであり、水晶発振器用パッケージについては、第2の実施形態で説明したのと同符号を用い、説明を省略する。
図6は、第6の実施形態における水晶発振器の構成を示し、図6(a)は模式平面図、図6(b)は同図(a)のF−F断線に沿う模式断面図、図6(c)は模式底面図である。
The crystal oscillator of the sixth embodiment is a crystal oscillator package and a circuit element accommodated in the
6A and 6B show a configuration of a crystal oscillator according to the sixth embodiment. FIG. 6A is a schematic plan view, and FIG. 6B is a schematic cross-sectional view taken along the line F-F in FIG. 6 (c) is a schematic bottom view.
水晶発振器6の水晶発振器用パッケージ2における第1キャビティ部20には、水晶振動片60が収容されている。水晶振動片60には励振電極61が形成され、Agペーストなどの導電性接着剤62を介して、セラミック基板25上面に形成された電極パッド21に固定され、また、励振電極61と電極パッド21との導通がとられている。
さらに、第1キャビティ部20とその上方に設けられた蓋体63とにより画定される内部を、蓋体63とシームリング26をシーム溶接することにより内部を減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気で気密に封止されている。
The
Further, the inside defined by the
また、平面視において円形状に形成された水晶発振器用パッケージ2の第2キャビティ部22には、回路素子としてのIC65が収容されている。IC65のボンディングパッド(図示せず)にはAuなどのバンプ66が形成され、セラミック基板25に形成された接続パッドにフェイスダウンボンディングされている。また、IC65の配置は、第2キャビティ部22の形状が円形状のため、セラミック基板25に形成した接続パッドの位置を変更すれば、どのような向きに配置することも可能である。なお、IC65には水晶振動片60を励振させる発振回路が内蔵されている。
さらに、場合により、第2キャビティ部22にアンダーフィル(絶縁性樹脂)を充填して、IC65と接続パッドとの接合強度の向上および、IC65の保護を行っても良い。
Further, an
Further, in some cases, the
以上、本実施形態の水晶発振器6では、IC65を収容する第2キャビティ部22のキャビティ形状が平面視において円形状に形成されている。このことから、水晶発振器6の製造工程や水晶発振器6の外部基板への実装工程において、水晶発振器用パッケージ2に外力が加わったときに、第2キャビティ部22に角部がないため応力が集中せず、セラミック基板25にクラックが発生するのを低減でき、安定した品質を確保する小型化・低背化された水晶発振器6を得ることができる。
また、第2キャビティ部22にアンダーフィルを充填する場合、第2キャビティ部22のIC65との間隔が大きく開いた部分から充填することができ、アンダーフィルの充填作業が容易になる効果も有する。
(第7の実施形態)
As described above, in the crystal oscillator 6 of the present embodiment, the cavity shape of the
In addition, when filling the
(Seventh embodiment)
第7の実施形態の水晶発振器は、第3の実施形態で説明した水晶発振器用パッケージ3に水晶振動片と回路素子を収容したものであり、水晶発振器用パッケージについては、第3の実施形態で説明したのと同符号を用い、説明を省略する。
図7は、第7の実施形態における水晶発振器の構成を示し、図7(a)は模式平面図、図7(b)は同図(a)のG−G断線に沿う模式断面図、図7(c)は模式底面図である。
The crystal oscillator of the seventh embodiment is a crystal oscillator package and a circuit element accommodated in the
7A and 7B show the configuration of the crystal oscillator according to the seventh embodiment. FIG. 7A is a schematic plan view, FIG. 7B is a schematic cross-sectional view taken along the line GG in FIG. 7 (c) is a schematic bottom view.
水晶発振器7の水晶発振器用パッケージ3における第1キャビティ部30には、水晶振動片70が収容されている。水晶振動片70には励振電極71が形成され、Agペーストなどの導電性接着剤72を介して、セラミック基板35上面に形成された電極パッド31に固定され、また、励振電極71と電極パッド31との導通がとられている。
さらに、第1キャビティ部30とその上方に設けられた蓋体73とにより画定される内部を、蓋体73とシームリング36をシーム溶接することにより内部を減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気で気密に封止されている。
A
Further, the inside defined by the
また、平面視において楕円形状に形成された水晶発振器用パッケージ3の第2キャビティ部32には、回路素子としてのIC75が収容されている。IC75のボンディングパッド(図示せず)にはAuなどのバンプ76が形成され、セラミック基板35に形成された接続パッドにフェイスダウンボンディングされている。また、IC75の配置は、第2キャビティ部32の形状が楕円形状のため、セラミック基板35に形成した接続パッドの位置を変更すれば、どのような向きに配置することも可能である。なお、IC75には水晶振動片70を励振させる発振回路が内蔵されている。
さらに、場合により、第2キャビティ部32にアンダーフィル(絶縁性樹脂)を充填して、IC75と接続パッドとの接合強度の向上および、IC75の保護を行っても良い。
An
Further, in some cases, the
以上、本実施形態の水晶発振器7では、IC75を収容する第2キャビティ部32のキャビティ形状が平面視において楕円形状に形成されている。このことから、水晶発振器7の製造工程や水晶発振器7の外部基板への実装工程において、水晶発振器用パッケージ3に外力が加わったときに、第2キャビティ部32に角部がないため応力が集中せず、セラミック基板35にクラックが発生するのを低減でき、安定した品質を確保する小型化・低背化された水晶発振器7を得ることができる。
また、第2キャビティ部32にアンダーフィルを充填する場合、第2キャビティ部32のIC75との間隔が大きく開いた部分から充填することができ、アンダーフィルの充填作業が容易になる効果も有する。
As described above, in the
In addition, when filling the
また、上記実施形態の変形例として、図9の水晶発振器の底面図に示すような実施も可能である。
水晶発振器用パッケージ100の底面には、外部接続端子104と細長い楕円形状の第2キャビティ部101が形成され、このキャビティ部101にひし形状のIC105がフェイスダウンボンディングされている。
このような構成であっても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。
(第8の実施形態)
Further, as a modification of the above-described embodiment, an implementation as shown in the bottom view of the crystal oscillator of FIG. 9 is possible.
On the bottom surface of the
Even with such a configuration, it is possible to enjoy the same effects as in the above embodiment.
(Eighth embodiment)
第8の実施形態の水晶発振器は、第4の実施形態で説明した水晶発振器用パッケージ4に水晶振動片と回路素子を収容したものであり、水晶発振器用パッケージについては、第4の実施形態で説明したのと同符号を用い、説明を省略する。
図8は、第8の実施形態における水晶発振器の構成を示し、図8(a)は模式平面図、図8(b)は同図(a)のH−H断線に沿う模式断面図、図8(c)は模式底面図である。
The crystal oscillator of the eighth embodiment is a crystal oscillator package and a circuit element accommodated in the
8A and 8B show the configuration of the crystal oscillator according to the eighth embodiment. FIG. 8A is a schematic plan view, and FIG. 8B is a schematic cross-sectional view taken along the line H-H in FIG. 8 (c) is a schematic bottom view.
水晶発振器8の水晶発振器用パッケージ4における第1キャビティ部40には、水晶振動片80が収容されている。水晶振動片80には励振電極81が形成され、Agペーストなどの導電性接着剤82を介して、セラミック基板45上面に形成された電極パッド41に固定され、また、励振電極81と電極パッド41との導通がとられている。
さらに、第1キャビティ部40とその上方に設けられた蓋体83とにより画定される内部を、蓋体83とシームリング46をシーム溶接することにより内部を減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気で気密に封止されている。
A
Further, the inside defined by the
また、平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成された水晶発振器用パッケージ4の第2キャビティ部42には、回路素子としてのIC85が収容されている。IC85のボンディングパッド(図示せず)にはAuなどのバンプ86が形成され、セラミック基板45に形成された接続パッドにフェイスダウンボンディングされている。IC85は、その角部が水晶発振器パッケージ4の外周の各辺と向かい合うように配置されている。なお、IC85には水晶振動片80を励振させる発振回路が内蔵されている。
さらに、場合により、第2キャビティ部42にアンダーフィル(絶縁性樹脂)を充填して、IC85と接続パッドとの接合強度の向上および、回路素子85の保護を行っても良い。
Further, an
Further, in some cases, the
以上、本実施形態の水晶発振器8では、IC85を収容する第2キャビティ部42のキャビティ形状が平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成されている。このように、角部の角度が90度を超える鈍角に形成されているため、水晶発振器8の製造工程や水晶発振器8の外部基板への実装工程において、水晶発振器用パッケージ8に外力が加わったときの角部に集中する応力を緩和でき、セラミック基板45にクラックの発生を低減することができる。そして、安定した品質を確保できる小型化・低背化された水晶発振器8を得ることができる。
また、第2キャビティ部42にアンダーフィルを充填する場合、第2キャビティ部42のIC85との間隔が大きく開いた部分から充填することができ、アンダーフィルの充填作業が容易になる効果も有する。
As described above, in the crystal oscillator 8 of the present embodiment, the cavity shape of the
In addition, when filling the
また、上記実施形態の変形例として、図10の水晶発振器の底面図に示すような実施も可能である。
水晶発振器用パッケージ110の底面には、外部接続端子114と頂点の角度を鈍角とする多角形状の第2キャビティ部111が形成され、このキャビティ部111に長方形状のIC115がフェイスダウンボンディングされている。
このような構成であっても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。
Further, as a modification of the above-described embodiment, an implementation as shown in the bottom view of the crystal oscillator of FIG. 10 is possible.
On the bottom surface of the
Even with such a configuration, it is possible to enjoy the same effects as in the above embodiment.
なお、上記実施形態では、凹部を有するセラミック基板にシームリングを接合した水晶発振器用パッケージについて説明したが、シームリングに代わり、この部分もセラミックにて形成した水晶発振器用パッケージとしてもよい。
また、上記実施形態では、圧電デバイスとして水晶振動片を用いた水晶発振器を例に挙げ説明を行ったが、圧電素子の材料として水晶に限らず、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料を用いた圧電振動片としても良い。
また、圧電素子として水晶振動片に代わるSAW(弾性表面波)素子、振動ジャイロ素子などを用いるSAW発振器、振動ジャイロセンサなどの圧電デバイスおいても利用が可能であり、同様の効果を享受することができる。
In the above embodiment, the crystal oscillator package in which the seam ring is bonded to the ceramic substrate having the recess has been described. However, instead of the seam ring, this part may be a ceramic oscillator package formed of ceramic.
In the above embodiment, a crystal oscillator using a crystal resonator element as a piezoelectric device has been described as an example. However, the piezoelectric element material is not limited to quartz, and piezoelectric materials such as lithium tantalate and lithium niobate are used. The piezoelectric vibrating piece used may be used.
In addition, it can be used in piezoelectric devices such as SAW oscillators and vibration gyro sensors using SAW (surface acoustic wave) elements, vibration gyro elements, etc. instead of quartz crystal resonators as piezoelectric elements, and enjoy the same effects. Can do.
1〜4…圧電デバイス用パッケージとしての水晶発振器用パッケージ、5〜8…圧電デバイスとしての水晶発振器、10…第1キャビティ部、11…電極パッド、12…第2キャビティ部、13…接続パッド、14…外部接続端子、15…セラミック基板、16…シームリング、50…圧電素子としての水晶振動片、51…励振電極、52…導電性接着剤、53…蓋体、55…回路素子としてのIC、56…バンプ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1-4 ... Crystal oscillator package as a package for piezoelectric devices, 5-8 ... Crystal oscillator as a piezoelectric device, 10 ... 1st cavity part, 11 ... Electrode pad, 12 ... 2nd cavity part, 13 ... Connection pad, DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において略矩形状に形成され、
前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成されていることを特徴とする圧電デバイス用パッケージ。 A package for a piezoelectric device comprising a first cavity portion and a second cavity portion on one surface and the other surface that respectively accommodate a piezoelectric element and a circuit element,
The cavity shape of the first cavity part is formed in a substantially rectangular shape in plan view,
A package for a piezoelectric device, wherein the cavity shape of the second cavity portion is formed in a shape without a corner portion connecting curves in a plan view.
前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において円形状に形成されていることを特徴とする圧電デバイス用パッケージ。 The package for a piezoelectric device according to claim 1,
A package for a piezoelectric device, wherein a cavity shape of the second cavity portion is formed in a circular shape in plan view.
前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において楕円形状に形成されていることを特徴とする圧電デバイス用パッケージ。 The package for a piezoelectric device according to claim 1,
A package for a piezoelectric device, wherein a cavity shape of the second cavity portion is formed in an elliptical shape in plan view.
前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において略矩形状に形成され、
前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成されていることを特徴とする圧電デバイス用パッケージ。 A package for a piezoelectric device comprising a first cavity portion and a second cavity portion on one side and the other side for accommodating a piezoelectric element and a circuit element, respectively.
The cavity shape of the first cavity part is formed in a substantially rectangular shape in plan view,
A package for a piezoelectric device, wherein the cavity shape of the second cavity portion is formed in a polygonal shape with an apex angle being an obtuse angle in plan view.
前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において略矩形状に形成され、この第1キャビティ部内に前記圧電素子が収容され、かつ前記第1キャビティ部とその上部に設けられた蓋体とにより画定される内部を前記蓋体により気密に封止され、
前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において曲線を繋いだ角部がない形状に形成され、この第2キャビティ部内に前記回路素子が収容されたことを特徴とする圧電デバイス。 A piezoelectric device in which a piezoelectric element and a circuit element are accommodated in a package for a piezoelectric device in which a first cavity portion is formed on one surface and a second cavity portion is formed on the other surface,
A cavity shape of the first cavity portion is formed in a substantially rectangular shape in plan view, the piezoelectric element is accommodated in the first cavity portion, and is defined by the first cavity portion and a lid provided on the upper portion. The inside is airtightly sealed by the lid,
A piezoelectric device characterized in that the cavity shape of the second cavity portion is formed so as not to have a corner portion connecting curves in a plan view, and the circuit element is accommodated in the second cavity portion.
前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において円形状に形成されていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 5, wherein
A piezoelectric device characterized in that a cavity shape of the first cavity portion is formed in a circular shape in a plan view.
第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において楕円形状に形成されていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 5, wherein
A piezoelectric device characterized in that the cavity shape of the second cavity portion is formed in an elliptical shape in plan view.
前記第1キャビティ部のキャビティ形状が平面視において略矩形状に形成され、この第1キャビティ部内に前記圧電素子が収容され、かつ前記第1キャビティ部とその上部に設けられた蓋体とにより画定される内部を前記蓋体により気密に封止され、
前記第2キャビティ部のキャビティ形状が平面視において頂点の角度を鈍角とする多角形状に形成され、この第2キャビティ部内に前記回路素子が収容されたことを特徴とする圧電デバイス。
A piezoelectric device in which a piezoelectric element and a circuit element are accommodated in a package for a piezoelectric device in which a first cavity portion is formed on one surface and a second cavity portion is formed on the other surface,
A cavity shape of the first cavity portion is formed in a substantially rectangular shape in plan view, the piezoelectric element is accommodated in the first cavity portion, and is defined by the first cavity portion and a lid provided on the upper portion. The inside is airtightly sealed by the lid,
A piezoelectric device, wherein the cavity shape of the second cavity portion is formed in a polygonal shape having an apex angle as an obtuse angle in plan view, and the circuit element is accommodated in the second cavity portion.
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