JP2007188593A - 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置の書き込み対象となる複数のメモリセルからなる書き込み対象メモリセル群の全てまたは一部の前記メモリセルの集合に対して、メモリセルの夫々を、メモリセルの閾値電圧に応じて、閾値電圧分布範囲によって規定される3以上の階級に類別する類別工程と、類別された各階級に属するメモリセル数を各階級の評価値として導出する評価工程と、各階級のメモリセルに対して、各階級の評価値に応じた書き込み条件で書き込み処理を行う書き込み工程とを有する。メモリセルに印加する書き込み電圧変化量が、各階級に対する書き込み回数の推移に対し、書き込み途中において極小値を取るように変化する。
【選択図】 図5
Description
(数1)
ΔVpgm(i+1)−ΔVpgm(i)=−2×(ki+1−ki)×S0
前記数1中の前記任意数iが1以上の場合のki+1とkiが、(i+1)番目の前記階級の前記評価値Ni+1とi番目の前記階級の前記評価値Niの逆数で与えられる確率Pi+1とPiの夫々を、下記の数2と数3に示すような正規分布の累積確率分布関数Pr{ki+1}とPr{ki}で表した場合の各逆関数で与えられ、
図1に、本発明装置の一構成例のブロック図を示す。図1に示す本発明装置のブロック構成は、図9に示す従来の一般的な不揮発性記憶装置のブロック構成と同様に、メモリセルアレイ10、センスアンプ回路11、カラム(列)デコーダ12、ロウ(行)デコーダ13、カラム電圧制御回路14、ロウ電圧制御回路15、ステートマシン16、入出力バッファ17、アドレスバッファ18、及び、コマンドステートロジックインタフェース19等を備えて構成される。各部の基本的な機能は、図9に示す従来の一般的な不揮発性記憶装置と同様であり、重複する説明は割愛する。
ΔVpgm(i)=ΔVpgm(i−1)−2×(ki−ki−1)×S0
が0.1Vであるので、全メモリセルの書き込み完了後の閾値電圧分布幅も0.1Vの近傍値となる。つまり、本発明方法では、0.1Vの書き込み完了後の閾値電圧分布幅を実現するのに、均等な0.1Vの書き込み電圧増加量ΔVpgm(i)で全てのメモリセルに対して書き込み処理を行う必要がなくなり、書き込み工程の回数を大幅に軽減できることになる。比較例として、均等な0.1Vの書き込み電圧増加量ΔVpgm(i)で全てのメモリセルに対して書き込み処理を行う場合の、書き込み工程の回数iと書き込み電圧増加量ΔVpgm(i)の関係を図3に示す。図2に示す本実施形態での書き込み電圧Vpgm(i)は6〜8V程度の電圧範囲を13回の書き込み工程の繰り返しでカバーしており、これに対し、図3に示す従来の書き込み方法では、19回の書き込み工程の繰り返しで、同様の電圧範囲をカバーしている。
本実施形態は、上記第1実施形態において実際の書き込み動作の過程で実行された本発明方法の類別工程と評価工程を、予め実験やシミュレーションに基づいて実施しておき、その結果を書き込み工程の回数iと、書き込み電圧増加量ΔVpgm(i)、書き込み電圧増加量ΔVpgm(i)の変化量、及び、書き込み電圧Vpgm(i)の少なくとも何れか1つとの関係を示す対照表と作成し、記憶回路21に内蔵しておく。
本実施形態は、本発明方法の類別工程と評価工程の別実施形態について説明する。本実施形態の評価工程では、上記第1及び第2実施形態とは異なり、書き込み処理を伴わずに読み出し動作(ベリファイ処理)だけで、各階級Aiの評価値Niを導出する。
Wi=2×ki×S0
2: チャンネル
3: 絶縁膜
4: 制御ゲート
5: トンネルゲート絶縁膜
6: ソース拡散、ソース電極
7: ドレイン拡散、ドレイン電極
10: メモリセルアレイ
11: センスアンプ回路
12: カラム(列)デコーダ
13: ロウ(行)デコーダ
14: カラム電圧制御回路
15: ロウ電圧制御回路
16: ステートマシン
16a:順序回路(対照表)
17: 入出力バッファ
18: アドレスバッファ
19: コマンドステートロジックインタフェース
20: 評価値計数レジスタ回路
21: 記憶回路(対照表)
Ai,Aj: 階級
DE: 消去後の閾値電圧分布
DP1: 自然な閾値電圧分布
DP2〜DP4: 書き込み電圧印加後の移動した閾値電圧分布
DX,DY,DZ: 書き込み電圧印加毎の書き込み完了した領域の合成閾値電圧分布
Ri,Rj: 閾値電圧分布幅
Vpgm: 書き込み電圧
Vpv: 書き込み完了基準閾値電圧
Wvtp: 最終的な書き込み完了後の閾値電圧分布幅
X1〜X3: 書き込み電圧印加後の閾値電圧分布内の書き込み完了した領域
ΔVpgm: 書き込み電圧の増加量
Claims (21)
- 不揮発性半導体記憶装置の書き込み対象となる複数のメモリセルからなる書き込み対象メモリセル群の全てまたは一部の前記メモリセルの集合に対して、
前記メモリセルの夫々を、前記メモリセルの記憶状態に応じて変化する物理量に応じて、前記物理量の分布範囲によって規定される3以上の階級に類別する類別工程と、
前記類別工程で類別された前記各階級に属する前記メモリセルの数を前記各階級の評価値として導出する評価工程と、
前記各階級の前記メモリセルに対して、前記各階級の前記評価値に応じた書き込み条件で書き込み処理を行う書き込み工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。 - 前記メモリセルがMOSFET構造を有し、前記物理量が前記MOSFET構造の閾値電圧として規定されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
- 前記評価工程において、前記各階級の閾値電圧分布の上限値または下限値を参照電圧として、前記集合内の前記メモリセルに対して読み出し動作を実行して、前記階級別に読み出された前記各メモリセルの閾値電圧の内、前記参照電圧に対して高電圧側或いは低電圧側の何れか一方側にある前記メモリセルの数を集計し、隣接する前記階級間の前記集計数の差分を求め、前記各階級の前記評価値を導出することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
- 前記評価工程において、前記各階級の閾値電圧分布の幅に相当する電圧差の複数の書き込み電圧を前記集合内の前記メモリセルに順次印加することにより実行し、1つの書き込み電圧での書き込み動作が終了する毎に、前記メモリセルの書き込み状態を規定する基準閾値電圧を参照電圧とする読み出し動作を実行して書き込み状態となっている前記メモリセルの数を集計し、隣接する前記階級間の前記集計数の差分を求め、前記各階級の前記評価値を導出することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
- 前記評価工程において、前記各階級の閾値電圧分布の幅に相当する電圧差の複数の書き込み電圧を前記集合内の前記メモリセルに順次印加することにより実行し、1つの書き込み電圧での書き込み動作が終了する毎に、前記メモリセルの書き込み状態を規定する第1の基準閾値電圧を参照電圧とする第1の読み出し動作と、評価対象の前記階級の閾値電圧分布幅だけ消去側に電圧差のある第2の基準閾値電圧を参照電圧とする第2の読み出し動作とを実行して、前記第1の読み出し動作で消去状態となっている前記メモリセルの数を集計し、且つ、前記第2の読み出し動作で書き込み状態となっている前記メモリセルの数を集計し、前記2つの集計数の差分を求め、評価対象の前記階級の前記評価値を逐次導出することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
- 前記書き込み工程で使用する前記書き込み条件の内の前記各階級の前記評価値に応じて変化する条件が、前記集合全体に対して書き込み処理が終了した時点での前記集合全体の閾値電圧分布の標準偏差と、前記各階級に属する前記メモリセルの数に基づいて導出されることを特徴とする請求項2〜5の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
- 前記書き込み工程において、前記書き込み条件を変化させながら前記書き込み処理を順次実行することにより、前記集合内の前記メモリセルを順次書き込み状態に遷移させるに際し、
前記書き込み条件の変化量を、変化後の前記書き込み条件が適用されることによって前記書き込み状態に遷移する一群の前記メモリセルが属する前記階級の前記評価値が大きいほど小さく設定することを特徴とする請求項2〜6の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。 - 前記書き込み工程において、前記書き込み条件を変化させながら逐次実行する前記書き込み処理の実行回数の進行につれて、前記書き込み条件または前記書き込み条件の変化量が極小値を持つように前記書き込み条件が変化することを特徴とする請求項2〜7の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
- 前記書き込み工程で使用する前記書き込み条件の内の前記各階級の前記評価値に応じて変化する条件が、前記メモリセルの所定の電極に印加する書き込み電圧の変化量であることを特徴とする請求項2〜7の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
- 前記書き込み電圧が、前記メモリセルのゲート電極に印加する書き込みゲート電圧であることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
- 前記書き込み工程において、前記各階級の前記メモリセルに対する前記書き込み処理に適用する前記書き込み電圧の変化量を決定するに際し、
任意数i番目の前記階級の前記評価値Niが、前記任意数iと異なる任意数j番目の前記階級の前記評価値Njより大きい場合(Ni>Nj)、
前記任意数i番目の前記階級に属する前記メモリセルが書き込み直前の閾値電圧領域にある場合の当該階級に属する前記メモリセルに対する書き込み処理における前記書き込み電圧Vpgm(i)の1回前の書き込み処理における前記書き込み電圧のVpgm(i−1)からの変化量ΔVpgm(i)が、前記任意数j番目の前記階級に属する前記メモリセルが書き込み直前の閾値電圧領域にある場合の当該階級に属する前記メモリセルに対する書き込み処理における前記書き込み電圧Vpgm(j)の1回前の書き込み処理における前記書き込み電圧のVpgm(j−1)からの変化量ΔVpgm(j)より小さくなるように、決定されることを特徴とする請求項9または10に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。 - 前記書き込み工程において、前記各階級の前記メモリセルに対する前記書き込み処理に適用する前記書き込み電圧の変化量を決定するに際し、
任意数i番目の前記階級に属する前記メモリセルが書き込み直前の閾値電圧領域にある場合の当該階級に属する前記メモリセルに対する書き込み処理における前記書き込み電圧Vpgm(i)の1回前の書き込み処理における前記書き込み電圧のVpgm(i−1)からの変化量ΔVpgm(i)が、下記の数1に示す漸化式で与えられ、
(数1)
ΔVpgm(i+1)−ΔVpgm(i)=−2×(ki+1−ki)×S0
前記数1中の前記任意数iが1以上の場合のki+1とkiが、(i+1)番目の前記階級の前記評価値Ni+1とi番目の前記階級の前記評価値Niの逆数で与えられる確率Pi+1とPiの夫々を、下記の数2と数3に示すような正規分布の累積確率分布関数Pr{ki+1}とPr{ki}で表した場合の各逆関数で与えられ、
前記数1中のS0が、変化量ΔVpgm(i)を前記任意数iに関係なくΔVpgm(0)固定して前記集合全体の前記メモリセルの書き込み処理を完了させた場合の前記集合全体の閾値電圧分布の標準偏差で与えられることを特徴とする請求項9または10に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。 - 前記類別工程と前記評価工程を、実際に前記書き込み工程を前記不揮発性半導体記憶装置内で実行する前に、前記不揮発性半導体記憶装置とは別の試料を用いた実験或いはシミュレーションによって予め実行しておき、その実行結果として得られた前記各階級の前記評価値に応じた前記書き込み条件を、予め導出した上で前記不揮発性半導体記憶装置内に記憶しておくことを特徴とする請求項1〜12の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
- 請求項1〜12の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法により、書き込み対象となる複数のメモリセルからなる書き込み対象メモリセル群の全てまたは一部の前記メモリセルの集合に対して書き込み可能な不揮発性半導体記憶装置であって、
前記書き込み方法の前記類別工程を実行可能な類別手段と、
前記書き込み方法の前記評価工程を実行可能な評価手段と、
前記書き込み方法の前記書き込み工程を実行可能な書き込み手段と、
を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項2〜12の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法により、書き込み対象となる複数のメモリセルからなる書き込み対象メモリセル群の全てまたは一部の前記メモリセルの集合に対して書き込み可能な不揮発性半導体記憶装置であって、
前記書き込み方法の前記類別工程を実行可能な類別手段と、
前記書き込み方法の前記評価工程を実行可能な評価手段と、
前記書き込み方法の前記書き込み工程を実行可能な書き込み手段と、
を備えてなり、
前記評価手段が、前記集合内において、閾値電圧が所定の参照電圧以下または以上の前記メモリセルの数を集計可能な集計手段を備えていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記評価手段が、前記集計手段が集計した前記メモリセルの数を記憶するレジスタ回路を備えていることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記書き込み手段が、前記各階級の前記評価値を入力とし、前記評価値に対して予め設定された前記書き込み条件、前記書き込み条件の変化量、または、前記書き込み条件の変化量の変化量を出力とする書き込み条件対照表を備えていることを特徴とする請求項14〜16の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記書き込み手段が、前記各階級の前記評価値が入力されると、前記書き込み条件、前記書き込み条件の変化量、または、前記書き込み条件の変化量の変化量を出力とする順序回路を備えていることを特徴とする請求項14〜16の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項13に記載の不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法により、書き込み対象となる複数のメモリセルからなる書き込み対象メモリセル群の全てまたは一部の前記メモリセルの集合に対して書き込み可能な不揮発性半導体記憶装置であって、
前記書き込み方法の前記類別工程と前記評価工程を予め実行して得られる前記各階級の前記評価値に応じた前記書き込み条件を対照表として記憶する記憶回路と、
前記書き込み方法の前記書き込み工程を前記対照表として記憶された前記書き込み条件に基づいて実行可能な書き込み手段と、
を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記書き込み手段が、前記各階級の前記評価値に応じた前記書き込み条件、前記書き込み条件の変化量、または、前記書き込み条件の変化量の変化量に基づいて、前記メモリセルの所定の電極に印加する書き込み電圧を出力する書き込み電圧発生回路を備えていることを特徴とする請求項17〜19の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記書き込み電圧発生回路がD/A変換回路で構成され、
前記D/A変換回路のディジタル入力によって選択されるアナログ出力である前記書き込み電圧の離散的な分布が、前記分布の全電圧範囲を3以上の区分に均等分割した場合に、前記分布の中央寄りの区分ほど選択されるアナログ出力数が多いことを特徴とする請求項20に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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2006
- 2006-01-13 JP JP2006006162A patent/JP4658812B2/ja not_active Expired - Fee Related
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