JP2007184499A - 薄膜デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイスにおいて、下部導体層中の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜の特性が変化したり誘電体膜の厚みの均一性が低下したりすることを防止する。
【解決手段】薄膜デバイス１の製造方法は、基板２の上に平坦化膜３を形成する工程と、平坦化膜３の上に下部導体層１０を形成する工程と、下部導体層１０の上に誘電体膜２０を成膜する工程と、誘電体膜２０の上に上部導体層３０を形成する工程とを備えている。下部導体層１０を形成する工程は、電気めっき法によって、下部導体層１０を構成するめっき膜を形成する工程と、このめっき膜を１６０〜４００℃の範囲内の温度で加熱する熱処理を行う工程とを含んでいる。
【選択図】図１

Description

本発明は、積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイスの製造方法に関する。

近年、携帯電話機等の高周波電子機器の小型化・薄型化の要求に伴い、高周波電子機器に搭載される電子部品の小型化、低背化が求められている。電子部品には、キャパシタを備えたものがある。キャパシタは、一般的には、誘電体層と、この誘電体層を挟むように配置された一対の導体層とを有している。

キャパシタを備えた電子部品では、小型化、低背化のためには、一対の導体層が誘電体層を介して対向する領域の面積の縮小とキャパシタを構成する層の数の縮小が重要である。従来は、主に、誘電体層を構成する誘電体材料として誘電率の大きい材料を用いたり、誘電体層の厚みを小さくしたりすることによって、上記領域の面積の縮小とキャパシタを構成する層の数の縮小が図られていた。

従来、キャパシタを備えた電子部品としては、特許文献１に記載された薄膜コンデンサ（薄膜キャパシタ）や、特許文献２に記載された薄膜キャパシタ素子が知られている。特許文献１に記載された薄膜コンデンサは、薄膜形成技術を用いて基板上に順に成膜された下部電極層、誘電体層、上部電極層を有している。特許文献２に記載された薄膜キャパシタ素子は、薄膜形成技術を用いて基板上に順に成膜された下部電極、誘電体層、上部電極を有している。特許文献２には、下部電極とその周囲に配置された絶縁体層の上面を平坦化し、その上に誘電体層を成膜する技術が記載されている。上記の薄膜コンデンサや薄膜キャパシタ素子のように、薄膜形成技術を用いて形成された電子部品を、本出願では薄膜デバイスと呼ぶ。

特開２００３−３４７１５５号公報 特開２００３−１７３６６号公報

キャパシタを備えた薄膜デバイスでは、薄膜形成技術を用いて誘電体層を形成するので、誘電体層の厚みを小さくでき、その結果、薄膜デバイスを低背化することが可能になる。しかしながら、キャパシタを備えた薄膜デバイスでは、誘電体層の厚みが小さくなると、キャパシタの特性が意図していたものと異なったり、キャパシタの耐電圧が低下したり、製品間におけるキャパシタの特性や耐電圧のばらつきが大きくなったりするという問題が生じる。以下、この問題について、図２１を参照して詳しく説明する。

図２１は、キャパシタを備えた薄膜デバイスの構成の一例を示す断面図である。図２１に示した薄膜デバイスは、基板１０１の上に配置された下部導体層１０２と、基板１０１および下部導体層１０２の上に配置された誘電体層１０３と、下部導体層１０２との間で誘電体層１０３を挟む位置に配置された上部導体層１０４とを備えている。この薄膜デバイスは、薄膜形成技術を用いて、基板１０１上に下部導体層１０２、誘電体層１０３、上部導体層１０４が、この順に成膜されて形成される。

図２１に示した薄膜デバイスにおいて、下部導体層１０２は、十分な電流を流すことができるように、ある程度の厚みが必要である。そのため、下部導体層１０２の形成方法としては、例えば電気めっき法が用いられる。ところで、電気めっき法では、被めっき物の表面に到達した金属イオンが電子を受け取って金属に還元され、金属結晶の格子に取り込まれることによって、金属結晶が成長して行く。この金属結晶の成長の過程が完了すれば、めっき膜は平衡状態となる。しかしながら、形成直後のめっき膜では、上述のような金属結晶の成長の過程が完了せずに、平衡状態に達していない部分が存在する場合がある。銅のめっき膜を形成する場合を例に取ると、上述の平衡状態に達していない部分には、硫酸銅、リン、塩素、ナトリウム等の未反応の残留物質が存在している場合がある。このような残留物質を含む下部導体層１０２の上に誘電体層１０３を成膜すると、下部導体層１０２中の残留物質が誘電体層１０３に拡散する場合がある。すると、誘電体層１０３の誘電率、誘電正接等の特性が変化して、この特性が意図していたものと異なってしまう場合が生じ得る。その結果、例えば、キャパシタの特性が意図していたものと異なってしまったり、誘電体層１０３の絶縁性が低下して、キャパシタの耐電圧が低下したり、製品間におけるキャパシタの特性や耐電圧のばらつきが大きくなったりする場合がある。

下部導体層１０２中の残留物質が誘電体層１０３に拡散することによる影響を低減するために、誘電体層１０３を厚くすることも考えられる。しかしながら、この場合には、同じキャパシタンスのキャパシタを実現するのに、下部導体層１０２と上部導体層１０４が誘電体層１０３を介して対向する領域の面積を大きくしたり、導体層と誘電体層の積層数を増やしたりする必要が生じる。すると、薄膜デバイスの小型化、低背化が困難になる。

また、平衡状態に達していない部分を含む下部導体層１０２の上に誘電体層１０３を成膜すると、誘電体層１０３の成膜過程で下部導体層１０２が加熱されることによって、下部導体層１０２中の平衡状態に達していなかった部分の状態が変化し、その結果、誘電体層１０３に接する下部導体層１０２の上面の形状が変化する場合がある。このように、誘電体層１０３の成膜過程で下部導体層１０２の上面の形状が変化すると、誘電体層１０３の厚みの分布が不均一になる場合がある。すると、誘電体層１０３において、厚みが特に小さい部分が生じて、その部分の絶縁性が低下し、キャパシタの耐電圧が極端に低下する場合がある。その場合、誘電体層１０３の絶縁破壊等によるキャパシタの短絡不良が発生しやすくなる。また、誘電体層１０３の厚みの分布が不均一になると、製品間におけるキャパシタの耐電圧のばらつきが大きくなる。

また、誘電体層１０３の成膜後に下部導体層１０２が加熱される場合もある。それは、例えば、誘電体層１０３の成膜後に形成された有機絶縁体膜を加熱する場合や、薄膜デバイスを半田付け等によってマザーボードに実装する場合である。このように、誘電体層１０３の成膜後に下部導体層１０２が加熱されると、下部導体層１０２中の平衡状態に達していなかった部分の状態が変化し、下部導体層１０２の上面の形状が変化する場合がある。この場合には、既に形成されている誘電体層１０３の形状も変化してしまい、誘電体層１０３に歪みが発生したりクラック等の欠陥が発生したりする。また、これにより、誘電体層１０３の絶縁不良が発生する場合もある。

なお、下部導体層１０２の全体が平衡状態に達するように、下部導体層１０２の形成後、十分な時間、放置した後に、下部導体層１０２の上に誘電体層１０３を成膜することも考えられる。しかしながら、この場合には、薄膜デバイスの製造に必要な時間が長くなってしまう。

特許文献１、２のいずれにも、以上の問題点に対する解決策は記載されていない。なお、以上の問題点は、キャパシタを備えた薄膜デバイスに限らず、積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイス全般に当てはまる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイスであって、下部導体層中の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜の特性が変化したり誘電体膜の厚みの均一性が低下したりすることを防止できるようにした薄膜デバイスの製造方法を提供することにある。

本発明の薄膜デバイスの製造方法は、下部導体層と、下部導体層の上に配置された誘電体膜と、誘電体膜の上に配置された上部導体層とを備えた薄膜デバイスを製造する方法であって、
下部導体層を形成する工程と、
下部導体層の上に誘電体膜を成膜する工程と、
誘電体膜の上に上部導体層を形成する工程とを備えている。

下部導体層を形成する工程は、電気めっき法によって、下部導体層を構成するめっき膜を形成する工程と、めっき膜を１６０〜４００℃の範囲内の温度で加熱する熱処理を行う工程とを含んでいる。

本発明の薄膜デバイスの製造方法では、下部導体層を構成するめっき膜に対して熱処理を施すことによって、めっき膜中の平衡状態に達していなかった部分が平衡状態に達する。そして、その後、下部導体層の上に誘電体膜が成膜される。

本発明の薄膜デバイスの製造方法において、熱処理を行う工程は、めっき膜を２００〜４００℃の範囲内の温度で加熱してもよい。

また、本発明の薄膜デバイスの製造方法において、誘電体膜の厚みは、０．０２〜１μｍの範囲内であってもよい。

また、本発明の薄膜デバイスの製造方法において、下部導体層、誘電体膜および上部導体層は、キャパシタを構成してもよい。

また、本発明の薄膜デバイスの製造方法において、熱処理は、下部導体層の形成後において下部導体層に熱が加えられる際に下部導体層が達する温度以上の温度でめっき膜を加熱してもよい。

また、本発明の製造方法によって製造される薄膜デバイスは、更に、有機絶縁体層を備えていてもよい。この場合、本発明の薄膜デバイスの製造方法は、更に、下部導体層の形成後に、有機絶縁体層を形成する工程を備え、有機絶縁体層を形成する工程は、加熱された後に有機絶縁体層となる有機絶縁体膜を形成する工程と、有機絶縁体膜を加熱する工程とを含み、熱処理は、有機絶縁体膜を加熱する工程において下部導体層が達する温度以上の温度でめっき膜を加熱してもよい。あるいは、本発明の薄膜デバイスの製造方法は、更に、めっき膜の形成後に、有機絶縁体層を形成する工程を備え、有機絶縁体層を形成する工程は、加熱された後に有機絶縁体層となる有機絶縁体膜を形成する工程と、有機絶縁体膜を加熱する工程とを含み、熱処理は、有機絶縁体膜を加熱する工程と同時に行われてもよい。

本発明の薄膜デバイスの製造方法では、下部導体層を構成するめっき膜に対して熱処理を施すことによって、めっき膜中の平衡状態に達していなかった部分が平衡状態に達する。そして、その後、下部導体層の上に誘電体膜が成膜される。従って、本発明によれば、下部導体層中の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜の特性が変化したり誘電体膜の厚みの均一性が低下したりすることを防止することができるという効果を奏する。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によって製造される薄膜デバイスについて説明する。図１は、本実施の形態における薄膜デバイスの断面図である。図１に示したように、本実施の形態における薄膜デバイス１は、基板２と、この基板２の上に配置された絶縁材料よりなる平坦化膜３と、この平坦化膜３の上に設けられたキャパシタ４とを備えている。キャパシタ４は、平坦化膜３の上に配置された下部導体層１０と、この下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、この誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。

下部導体層１０と上部導体層３０は、それぞれ所定の形状にパターニングされている。誘電体膜２０は、下部導体層１０の上面および側面ならびに平坦化膜３の上面を覆うように配置されている。上部導体層３０は、下部導体層１０との間で誘電体膜２０を挟む位置に配置されている。下部導体層１０と上部導体層３０は、キャパシタ４において誘電体膜２０を挟んで対向する一対の電極を構成する。

薄膜デバイス１は、更に、誘電体膜２０の上に配置された有機絶縁体層５を備えている。この有機絶縁体層５は、下部導体層１０の上方に配置された開口部５ａを有している。上部導体層３０の一部は、開口部５ａ内に配置されて、誘電体膜２０を介して下部導体層１０に対向している。

基板２は、例えば絶縁材料（誘電体材料）によって構成されている。基板２を構成する絶縁材料は、無機材料でもよいし有機材料でもよい。基板２を構成する絶縁材料としては、例えばＡｌ_２Ｏ_３を用いることができる。また、基板２は、半導体材料によって構成されていてもよい。

平坦化膜３を構成する絶縁材料は、無機材料でもよいし有機材料でもよい。平坦化膜３を構成する無機材料としては、例えばＡｌ_２Ｏ_３を用いることができる。平坦化膜３の材料として無機材料を用いる場合には、物理気相成長法（以下、ＰＶＤ法と記す。）または化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法と記す。）を用いて平坦化膜３を形成することが好ましい。平坦化膜３を構成する有機材料としては、例えば樹脂を用いることができる。この場合、樹脂は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂のいずれでもよい。平坦化膜３の材料として樹脂等の有機材料を用いる場合には、平坦化膜３を構成する有機材料を、流動性を有する状態で、基板２の上に塗布し、その後、有機材料を硬化させることによって、平坦化膜３を形成することが好ましい。また、平坦化膜３は、スピン・オン・グラス（ＳＯＧ）膜で構成してもよい。また、平坦化膜３は、インクジェット技術によって形成してもよい。

平坦化膜３の上面の最大高さ粗さＲｚは、基板２の上面の最大高さ粗さＲｚよりも小さい。なお、最大高さ粗さＲｚは、表面粗さを表すパラメータの１つであり、基準長さにおける輪郭曲線の山の高さの最大値と谷深さの最大値との和と定義される。また、平坦化膜３の厚みは、０．０１〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。

なお、基板２の上面の表面粗さが十分に小さい場合には、平坦化膜３を設けずに、基板２の上に直接、下部導体層１０を配置してもよい。

下部導体層１０と上部導体層３０は、Ｃｕ等の導電材料によって構成されている。誘電体膜２０は誘電体材料によって構成されている。誘電体膜２０を構成する誘電体材料は、無機材料であることが好ましい。誘電体膜２０を構成する誘電体材料としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_４Ｎ_３またはＳｉＯ_２を用いることができる。

誘電体膜２０の厚みは、下部導体層１０の厚みよりも小さく、例えば０．０２〜１μｍの範囲内であることが好ましく、０．０５〜０．５μｍの範囲内であることがより好ましい。下部導体層１０の厚みは、５〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。上部導体層３０の厚みは、５〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。

ここで、下部導体層１０および上部導体層３０の厚みが上記の範囲内であることが好ましい理由について説明する。本実施の形態に係る薄膜デバイスは、例えば、無線ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）用や携帯電話機用のバンドパスフィルタに利用される。無線ＬＡＮでは、２．５ＧＨｚ帯の周波数帯が使用されている。この周波数帯における通過損失を考慮すると、下部導体層１０および上部導体層３０の厚みは３μｍ以上であることが必要となる。すなわち、下部導体層１０および上部導体層３０の厚みが３μｍ未満の場合には、通過損失が大きくなりすぎる。また、携帯電話機では、８００ＭＨｚ〜１．９５ＧＨｚの周波数帯域が使用される。この周波数帯域のうちの特に低周波側でのノイズの抑制やバンドパスフィルタの減衰特性の向上のためには、下部導体層１０および上部導体層３０の厚みは５μｍ以上であることが必要となる。そのため、下部導体層１０および上部導体層３０の厚みは５μｍ以上であることが好ましい。一方、下部導体層１０および上部導体層３０が厚すぎると、下部導体層１０および上部導体層３０の各上面の表面粗さが大きくなって、下部導体層１０および上部導体層３０の表皮抵抗が増大する。あるいは、下部導体層１０および上部導体層３０の各上面の表面粗さを低減するための平坦化処理の工程が必要になり、その平坦化処理のための手間がかかる。従って、実用的には、下部導体層１０および上部導体層３０の厚みは１０μｍ以下であることが好ましい。

有機絶縁体層５は、有機絶縁材料によって構成されている。有機絶縁体層５を構成する有機絶縁材料としては、例えば樹脂を用いることができる。この場合、樹脂は、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂のいずれでもよい。有機絶縁体層５の材料として用いられる樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、四ふっ化エチレン樹脂、変性ポリフェニレンエーテル、液晶ポリマ、変性ポリイミドを用いることができる。また、有機絶縁体層５の材料として用いられる樹脂は、感光性樹脂であってもよい。

次に、図２ないし図１１を参照して、本実施の形態に係る薄膜デバイス１の製造方法について説明する。なお、以下の説明では、各層の材料と厚みの一例を挙げているが、本実施の形態における薄膜デバイス１の製造方法は、それらに限定されるわけではない。

図２は、本実施の形態に係る薄膜デバイス１の製造方法における一工程を示す断面図である。薄膜デバイス１の製造方法では、まず、図２に示したように、基板２の上に平坦化膜３を形成する。ここでは、一例として、平坦化膜３を構成する絶縁材料を、無機材料であるＡｌ_２Ｏ_３とし、平坦化膜３をＰＶＤ法またはＣＶＤ法を用いて形成するものとする。このようにして形成された平坦化膜３は、セラミックに比べて非常に緻密である。この時点における平坦化膜３の厚みは、例えば５．５μｍとする。

次に、図３に示したように、平坦化膜３の上面を、研磨することによって平坦化する。その場合の研磨方法としては、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）が用いられる。研磨後の平坦化膜３の厚みは、例えば２．０μｍになるようにする。また、ここでは、一例として、研磨後の平坦化膜３の上面の最大高さ粗さＲｚが３０ｎｍになるようにするものとする。なお、平坦化膜３の上面の研磨方法は、ＣＭＰに限らず、バフ研磨、ラップ研磨、ダイス研磨等の他の研磨方法であってもよい。また、平坦化膜３の上面の平坦化の処理は、２種類以上の研磨方法を組み合わせて行ってもよい。なお、平坦化膜３の上面を平坦化しなくても、平坦化膜３の上面の最大高さ粗さＲｚが十分に小さくなる場合には、平坦化膜３の上面を研磨によって平坦化しなくてもよい。

また、平坦化膜３の材料としては、樹脂等の有機材料を用いてもよい。この場合には、平坦化膜３を構成する有機材料を、流動性を有する状態で、基板２の上に塗布し、その後、有機材料を硬化させることによって、平坦化膜３を形成してもよい。また、平坦化膜３は、スピン・オン・グラス（ＳＯＧ）膜で構成してもよい。また、平坦化膜３は、インクジェット技術によって形成してもよい。これらの場合には、平坦化膜３の上面を研磨しなくても、平坦化膜３の上面の最大高さ粗さＲｚを十分に小さくすることが可能である。

次に、図４に示したように、例えばスパッタ法によって、基板２の上に、第１の電極膜１１と第２の電極膜１２を順に成膜する。これら電極膜１１，１２は、後に電気めっき法によってめっき膜を形成する際における電極として用いられると共に、下部導体層１０の一部を構成するものである。第１の電極膜１１の材料としては、例えばＴｉが用いられる。第１の電極膜１１の厚みは、例えば５ｎｍである。第２の電極膜１２の材料としては、例えばＣｕまたはＮｉが用いられる。第２の電極膜１２の厚みは、例えば１００ｎｍである。なお、電極膜１１，１２の代わりに、１層の電極膜を形成してもよい。

図５は、次の工程を示す。この工程では、まず、電極膜１２の上に、例えば８μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして、フレーム４０を形成する。このフレーム４０は、形成すべき下部導体層１０の形状に対応した形状の溝部４１を有している。

次に、図６に示したように、電極膜１１，１２を電極として用いて、電気めっき法によって、溝部４１内にめっき膜１３を形成する。めっき膜１３の材料としては、例えばＣｕが用いられる。めっき膜１３の厚みは、例えば９〜１０μｍとする。

次に、図７に示したように、めっき膜１３の上面を、研磨することによって平坦化する。その場合の研磨方法としては、例えばＣＭＰが用いられる。研磨後のめっき膜１３の厚みは、例えば８μｍになるようにする。なお、めっき膜１３の上面の研磨方法は、ＣＭＰに限らず、バフ研磨、ラップ研磨、ダイス研磨等の他の研磨方法であってもよい。また、めっき膜１３の上面の平坦化の処理は、２種類以上の研磨方法を組み合わせて行ってもよい。なお、めっき膜１３の上面は、研磨によって平坦化しなくてもよい。

なお、図６に示した工程において、めっき膜１３の厚みがフレーム４０の厚みよりも大きくなるようにめっき膜１３を形成した場合には、図７に示した工程において、めっき膜１３のうち、フレーム４０の溝部４１からはみ出した部分を研磨して、めっき膜１３の厚みがフレーム４０の厚みと一致した時点で研磨を終了してもよい。この場合には、めっき膜１３によって形成される下部導体層１０の厚みを正確に制御することが可能になる。また、フレーム４０の研磨量が多いと、砥石等の研磨部材の目詰まりが生じ、その結果、めっき膜１３の上面の平坦化が妨げられる場合がある。めっき膜１３の厚みがフレーム４０の厚みと一致した時点で研磨を終了することにより、このような不具合の発生を防止することができる。

図８は、次の工程を示す。この工程では、まず、フレーム４０を剥離する。次に、めっき膜１３に対して、水等を用いた洗浄工程および乾燥工程を行って、硫酸銅、リン、塩素、ナトリウム等のめっき浴の残渣成分を、めっき膜１３から除去する。次に、めっき膜１３に対して熱処理を施す。この熱処理は、めっき膜１３を１６０〜４００℃の範囲内の温度で加熱する処理である。この熱処理は、めっき膜１３を２００〜４００℃の範囲内の温度で加熱することが好ましい。また、熱処理は、下部導体層１０の形成後において下部導体層１０に熱が加えられる際に下部導体層１０が達する温度以上の温度でめっき膜１３を加熱する。また、熱処理では、例えば３０〜６０分間、めっき膜１３の温度を上記の温度範囲内の温度に保持する。この熱処理の条件については、後で詳しく説明する。ここでは、一例として、熱処理は、めっき膜１３を２００℃の温度で６０分間加熱する処理とする。

次に、図９に示したように、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、電極膜１１，１２のうち、めっき膜１３の下に存在している部分以外の部分を除去する。これにより、残った電極膜１１，１２およびめっき膜１３によって下部導体層１０が形成される。

次に、図１０に示したように、例えばスパッタ法によって、下部導体層１０の上面および側面ならびに平坦化膜３の上面を覆うように、誘電体膜２０を成膜する。誘電体膜２０の厚みは、例えば０．１μｍとする。

図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、誘電体膜２０の上に、加熱された後に有機絶縁体層５となる有機絶縁体膜５Ｐを形成する。有機絶縁体膜５Ｐの材料は、有機絶縁体層５と同様である。有機絶縁体膜５Ｐの材料として熱硬化性樹脂や感光性樹脂を用いた場合には、有機絶縁体膜５Ｐは、例えば、誘電体膜２０の上に熱硬化性樹脂や感光性樹脂を塗布することによって形成される。有機絶縁体膜５Ｐの材料として熱可塑性樹脂を用いた場合には、有機絶縁体膜５Ｐは、例えば、熱可塑性樹脂よりなるフィルムを誘電体膜２０の上に被せることによって形成される。

有機絶縁体膜５Ｐの材料として熱硬化性樹脂を用いた場合には、有機絶縁体膜５Ｐの形成後、有機絶縁体膜５Ｐを硬化させるために有機絶縁体膜５Ｐを加熱する。有機絶縁体膜５Ｐの材料として熱可塑性樹脂を用いた場合には、有機絶縁体膜５Ｐの形成後、有機絶縁体膜５Ｐを誘電体膜２０に貼り付けるために有機絶縁体膜５Ｐを加熱する。有機絶縁体膜５Ｐの材料として感光性樹脂を用いた場合には、有機絶縁体膜５Ｐのプリベークのために有機絶縁体膜５Ｐを加熱する。

次に、有機絶縁体膜５Ｐをパターニングする。有機絶縁体膜５Ｐの材料として熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いた場合には、有機絶縁体膜５Ｐのパターニングは、例えば有機絶縁体膜５Ｐを選択的にエッチングすることによって行われる。有機絶縁体膜５Ｐの材料として感光性樹脂を用いた場合には、有機絶縁体膜５Ｐのパターニングは、フォトリソグラフィによって行われる。有機絶縁体膜５Ｐの材料として感光性樹脂を用いた場合には、有機絶縁体膜５Ｐのパターニング後、有機絶縁体膜５Ｐのポストベークのために有機絶縁体膜５Ｐを加熱する。

このように有機絶縁体膜５Ｐがパターニングされて、図１２に示したように、開口部５ａを有する有機絶縁体層５が形成される。上述のように有機絶縁体膜５Ｐを加熱する工程では、有機絶縁体膜５Ｐを、例えば１８０〜３５０℃の範囲内の温度で加熱する。このとき、下部導体層３の温度も、例えば１８０〜３５０℃の範囲内の温度に達する。図８に示した工程におけるめっき膜１３に対する熱処理では、上述のように有機絶縁体膜５Ｐを加熱する工程において下部導体層３が達する温度以上の温度でめっき膜１３を加熱する。

次に、図１３に示したように、誘電体膜２０の上であって、下部導体層１０との間で誘電体膜２０を挟む位置に、上部導体層３０を形成する。上部導体層３０の形成方法は、平坦化の処理を除いて、下部導体層１０の形成方法と同様である。すなわち、まず、誘電体膜２０の上に、電極膜３１，３２を、この順に成膜する。電極膜３１，３２の材料および厚みは、電極膜１１，１２と同様である。次に、電極膜３２の上に、例えば８μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして、図示しないフレームを形成する。このフレームは、形成すべき上部導体層３０の形状に対応した形状の溝部を有している。このフレームの溝部は、その内側に有機絶縁体層５の開口部５ａを含むように形成される。次に、電極膜３１，３２を電極として用いて、電気めっき法によって、溝部内にめっき膜３３を形成する。めっき膜３３の材料としては、例えばＣｕが用いられる。めっき膜３３の厚みは、例えば８μｍとする。次に、フレームを剥離する。次に、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、電極膜３１，３２のうち、めっき膜３３の下に存在している部分以外の部分を除去する。これにより、残った電極膜３１，３２およびめっき膜３３によって上部導体層３０が形成される。

以上説明したように、本実施の形態では、下部導体層１０を形成する工程は、電気めっき法によって、下部導体層１０を構成するめっき膜１３を形成する工程と、このめっき膜１３を１６０〜４００℃の範囲内の温度で加熱する熱処理を行う工程とを含んでいる。この熱処理は、めっき膜１３を２００〜４００℃の範囲内の温度で加熱することが好ましい。

形成直後のめっき膜１３中には、金属結晶の成長の過程が完了せずに、平衡状態に達していない部分が存在する場合がある。そのため、めっき膜１３の形成後、めっき膜１３に対して熱処理を行わずに、比較的短時間のうちに、めっき膜１３の上に誘電体膜２０を成膜すると、めっき膜１３中の平衡状態に達していない部分に存在する未反応の残留物質が誘電体膜２０に拡散し、その結果、誘電体膜２０の誘電率、誘電正接等の特性が変化して、この特性が意図していたものと異なってしまう場合が生じ得る。

また、めっき膜１３の形成後、めっき膜１３に対して熱処理を行わずに、下部導体層１０の形成後において下部導体層１０に熱が加えられると、以下のような問題が発生する。

まず、下部導体層１０の形成後において下部導体層１０に熱が加えられる場合としては、誘電体膜２０の成膜過程で下部導体層１０に熱が加えられる場合がある。この場合には、誘電体膜２０の成膜過程でめっき膜１３が加熱されて、めっき膜１３中の平衡状態に達していなかった部分の状態が変化し、めっき膜１３の上面の形状が変化する場合がある。このように、誘電体膜２０の成膜過程でめっき膜１３の上面の形状が変化すると、誘電体膜２０の厚みの分布が不均一になる場合がある。

また、下部導体層１０の形成後において下部導体層１０に熱が加えられる場合としては、有機絶縁体膜５Ｐを加熱する工程において下部導体層１０に熱が加えられる場合がある。この場合には、有機絶縁体膜５Ｐを加熱する工程においてめっき膜１３が加熱されて、めっき膜１３中の平衡状態に達していなかった部分の状態が変化し、めっき膜１３の上面の形状が変化する場合がある。この場合には、既に形成されている誘電体膜２０の形状も変化してしまい、誘電体膜２０に歪みが発生したりクラック等の欠陥が発生したりする。また、これにより、誘電体膜２０の絶縁不良が発生する場合もある。

また、下部導体層１０の形成後において下部導体層１０に熱が加えられる場合としては、薄膜デバイス１を半田付け等によってマザーボードに実装する際に下部導体層１０に熱が加えられる場合がある。この場合も、有機絶縁体膜５Ｐを加熱する工程において下部導体層１０に熱が加えられる場合と同様の問題が発生する場合がある。

これに対し、本実施の形態では、めっき膜１３に対して熱処理を施した後に、めっき膜１３の上に誘電体膜２０を成膜している。めっき膜１３に対する熱処理は、１６０〜４００℃の範囲内の温度であって、下部導体層１０の形成後において下部導体層１０に熱が加えられる際に下部導体層１０が達する温度以上の温度でめっき膜１３を加熱する。この熱処理によって、めっき膜１３中の平衡状態に達していなかった部分は平衡状態に達する。従って、本実施の形態によれば、めっき膜１３中の未反応の残留物質が誘電体膜２０に拡散したり、下部導体層１０の形成後において下部導体層１０に熱が加えられた際に、めっき膜１３中の平衡状態に達していなかった部分の状態が変化したりすることを防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、めっき膜１３の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜２０の特性が変化したり誘電体膜２０の厚みの均一性が低下したりすることを防止することができる。その結果、本実施の形態によれば、キャパシタ４の特性が意図していたものと異なったり、キャパシタ４の耐電圧が低下したり、製品間におけるキャパシタ４の特性や耐電圧のばらつきが増大したりすることを抑制することができる。

また、本実施の形態によれば、めっき膜１３中の未反応の残留物質が誘電体膜２０に拡散することによる影響を低減するために誘電体膜２０を厚くする必要がない。また、本実施の形態によれば、誘電体膜２０の厚みを均一化することができる。これらのことから、本実施の形態によれば、キャパシタ４の耐電圧を十分な大きさに維持したままで、誘電体膜２０を薄くすることが可能になる。これにより、同じキャパシタンスのキャパシタを実現する場合において、下部導体層１０と上部導体層３０が誘電体膜２０を介して対向する領域の面積を小さくしたり、導体層と誘電体膜の積層数を減らしたりすることができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜デバイスの小型化、低背化が可能になる。

また、本実施の形態によれば、めっき膜１３に熱処理を施した後、直ちに誘電体膜２０を成膜することが可能になる。従って、本実施の形態によれば、薄膜デバイス１の製造に必要な時間を短縮することができる。

ここで、図１４を参照して、本実施の形態における他の効果について説明する。図１４は、下部導体層１０の上面の表面粗さと誘電体膜２０の上面の表面粗さを強調して示す薄膜デバイス１の断面図である。図１４に示したように、本実施の形態では、めっき膜１３に対して熱処理を施すことにより、めっき膜１３に対して熱処理を施さない場合に比べて、めっき膜１３の上面、すなわち下部導体層１０の上面の表面粗さが大きくなる。このような下部導体層１０の上に誘電体膜２０を形成することにより、誘電体膜２０の上面の表面粗さも、めっき膜１３に対して熱処理を施さない場合に比べて大きくなる。ただし、本実施の形態では、誘電体膜２０の成膜時には、下部導体層１０の上面の表面粗さはほとんど変化しないので、誘電体膜２０の厚みは、めっき膜１３に対して熱処理を施さない場合に比べて均一化することができる。以上のことから、本実施の形態によれば、めっき膜１３に対して熱処理を施さない場合に比べて、誘電体膜２０の厚みを均一化しながら、下部導体層１０と誘電体膜２０との界面の面積および誘電体膜２０と上部導体層３０との界面の面積を大きくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、めっき膜１３に対して熱処理を施さない場合に比べて、例えば１０％程度、キャパシタ４の単位面積あたりのキャパシタンスを増加させることができる。

また、本実施の形態によれば、上述のように下部導体層１０と誘電体膜２０との界面の面積および誘電体膜２０と上部導体層３０との界面の面積を大きくすることができることから、下部導体層１０と誘電体膜２０との間の密着性および誘電体膜２０と上部導体層３０との間の密着性を向上させることができる。これにより、薄膜デバイス１の信頼性を向上させることができる。

ここで、めっき膜１３に対する熱処理の条件について詳しく説明する。前述のように、めっき膜１３に対する熱処理は、めっき膜１３を１６０〜４００℃の範囲内の温度で加熱するものである。また、この熱処理は、めっき膜１３を２００〜４００℃の範囲内の温度で加熱することが好ましい。まず、熱処理における温度の下限値が１６０℃であることの意味について説明する。一般的に、めっき膜の形成後には、めっき膜を乾燥させる工程が行われる。この乾燥工程では、通常、１５０℃以下の温度でめっき膜が加熱される。熱処理における温度の下限値が１６０℃であるというのは、この熱処理が、めっき膜の形成後の乾燥工程とは異なるものであることを表している。

次に、図１５を参照して、熱処理における温度の下限値を１６０℃とする、もう１つの理由について説明する。図１５は、めっき膜１３に対する熱処理における温度と、めっき膜１３の上面の算術平均粗さＲａとの関係を調べた実験結果を示す特性図である。図１５において、横軸は熱処理における温度（℃）を表し、縦軸はめっき膜１３の上面の算術平均粗さＲａ（ｎｍ）を表している。図１５から分かるように、熱処理における温度が１６０℃になるとめっき膜１３の上面の算術平均粗さＲａが大きくなり始め、熱処理における温度が１６０℃以上では、熱処理における温度が高くなるほどめっき膜１３の上面の算術平均粗さＲａは大きくなる。従って、めっき膜１３の状態が明確に変化する熱処理における温度の下限値は１６０℃と考えられる。これが、熱処理における温度の下限値を１６０℃とする、もう１つの理由である。

次に、熱処理における温度は２００℃以上であることが好ましい理由について説明する。薄膜デバイス１をマザーボードに実装する方法としては、リフローによる半田付けが一般的である。この半田付けの際には、薄膜デバイス１も加熱され、そのとき薄膜デバイス１の内部の温度は２００℃程度に達する。熱処理における温度が２００℃よりも低いと、上記の半田付けの際に、熱処理時よりも高い温度でめっき膜１３が加熱され、その結果、めっき膜１３の状態やめっき膜１３の上面の形状が変化して、キャパシタ４の特性が変化する可能性がある。これを防止するために、熱処理における温度は２００℃以上であることが好ましい。

次に、熱処理における温度の上限値を４００℃とする理由について説明する。めっき膜１３を平衡状態にすることを促進する観点からは、熱処理における温度は高い方が好ましい。しかし、図１５から分かるように、熱処理における温度が高くなるほど、めっき膜１３の上面の表面粗さが大きくなる。従って、熱処理における温度が高すぎることは、めっき膜１３の上面の表面粗さが大きくなりすぎるため、好ましくない。

一方、例えばスパッタ法によって誘電体膜２０を成膜する際には、めっき膜１３が加熱される場合がある。誘電体膜２０の成膜方法によるが、誘電体膜２０の成膜時におけるめっき膜１３の温度は最高で４００℃程度に達する。熱処理における温度が、誘電体膜２０の成膜時におけるめっき膜１３の温度よりも低いと、誘電体膜２０の成膜時に、熱処理時よりも高い温度でめっき膜１３が加熱され、その結果、めっき膜１３の状態やめっき膜１３の上面の形状が変化して、熱処理による効果が低減されてしまう。そのため、熱処理における温度は、誘電体膜２０の成膜時におけるめっき膜１３の温度以上であることが好ましい。そのため、誘電体膜２０の成膜方法によっては、熱処理における温度を４００℃程度にまで上げる必要性が生じる。以上のことから、本実施の形態では、熱処理における温度の上限値を４００℃としている。

なお、本実施の形態において、誘電体膜２０を成膜する前に、逆スパッタ、紫外線洗浄等を用いて、下部導体層１０の表面に存在する酸化物、有機物等の不要物質を除去すると共に、下部導体層１０の表面を活性化して、下部導体層１０の表面の誘電体膜２０に対する密着性や誘電体膜２０の均質性を向上させてもよい。この場合、特に、同一の真空チャンバ内で、下部導体層１０の表面の誘電体膜２０に対する密着性を向上させる処理と誘電体膜２０を成膜する処理とを連続的に行うことにより、下部導体層１０と誘電体膜２０との密着性や誘電体膜２０の均質性をより一層向上させることができる。

また、電極膜１１や電極膜３１を成膜する前においても、逆スパッタ等を用いて、電極膜１１または電極膜３１の下地の表面に存在する酸化物、有機物等の不要物質を除去すると共に、下地の表面の電極膜１１または電極膜３１に対する密着性を向上させてもよい。

なお、下部導体層１０を形成する工程や上部導体層３０を形成する工程において、電極膜のうち、めっき膜の下に存在している部分以外の部分を除去する方法としては、例えば逆スパッタが用いられる。この場合、逆スパッタの条件によっては、下部導体層１０や上部導体層３０や誘電体膜２０の上面を荒れさせてしまうおそれがある。これを防止する方法としては、ウェットエッチングによって電極膜を除去する方法や、逆スパッタによって電極膜を除去する場合には逆スパッタにおける出力や時間を調整する方法がある。また、例えばＣｕよりなるめっき膜の上に、電極膜には用いられていない材料（例えばＮｉ）よりなる膜を、例えばめっき法によって形成し、逆スパッタによって電極膜を選択的にエッチングしてもよい。また、例えばＣｕよりなるめっき膜の上に、例えばＣｕよりなるスパッタ膜を形成してもよい。この場合には、スパッタ膜における結晶粒径がめっき膜における結晶粒径よりも小さくなるので、逆スパッタによって下部導体層１０や上部導体層３０の上面が荒れることを防止することができる。

また、誘電体膜２０の成膜後、電極膜３１の形成前に逆スパッタを行う場合や、逆スパッタによって電極膜３１，３２を除去して上部導体層３０を形成する場合には、誘電体膜２０の厚みの減少や、誘電体膜２０の損傷を防止するために、出力、ガス流量、処理時間等の逆スパッタの条件を調整することが必要である。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。始めに、図１６を参照して、本実施の形態に係る製造方法によって製造される薄膜デバイスについて説明する。図１６は、本実施の形態における薄膜デバイスの断面図である。図１６に示したように、本実施の形態における薄膜デバイス１は、基板２と、この基板２の上に配置された絶縁材料よりなる平坦化膜３と、この平坦化膜３の上に設けられたキャパシタ４とを備えている。キャパシタ４は、平坦化膜３の上に配置された下部導体層１０と、この下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、この誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。

薄膜デバイス１は、更に、平坦化膜３と誘電体膜２０の間において下部導体層１０の周囲に配置された有機絶縁体層５０と、誘電体膜２０の上に配置された有機絶縁体層５とを備えている。有機絶縁体層５は、下部導体層１０の上方に配置された開口部５ａを有している。上部導体層３０の一部は、開口部５ａ内に配置されて、誘電体膜２０を介して下部導体層１０に対向している。

基板２、平坦化膜３、下部導体層１０および上部導体層３０の材料および構成は、第１の実施の形態と同様である。有機絶縁体層５０および有機絶縁体層５の材料は、第１の実施の形態における有機絶縁体層５と同様である。本実施の形態では、誘電体膜２０は、下部導体層１０の上面および有機絶縁体層５０の上面を覆うように配置されている。下部導体層１０の上面および有機絶縁体層５０の上面は平坦であることが好ましい。誘電体膜２０の材料および厚みは、第１の実施の形態と同様である。

次に、図１７ないし図２０を参照して、本実施の形態に係る薄膜デバイス１の製造方法について説明する。本実施の形態に係る薄膜デバイス１の製造方法では、図９に示したように下部導体層１０を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、次に、図１７に示したように、下部導体層１０および平坦化膜３の上に、加熱された後に有機絶縁体層５０となる有機絶縁体膜５０Ｐを形成する。有機絶縁体膜５０Ｐの材料および形成方法は、第１の実施の形態における有機絶縁体膜５Ｐの材料および形成方法と同様である。次に、第１の実施の形態における有機絶縁体膜５Ｐを加熱する理由と同じ理由で、有機絶縁体膜５０Ｐを加熱する。

次に、下部導体層１０の上面が露出するように、有機絶縁体膜５０Ｐをパターニングする。有機絶縁体膜５０Ｐのパターニングの方法は、第１の実施の形態における有機絶縁体膜５Ｐのパターニングの方法と同様である。あるいは、ＣＭＰ等によって、下部導体層１０の上面が露出するまで有機絶縁体膜５０Ｐを研磨することによって、有機絶縁体膜５０Ｐをパターニングしてもよい。有機絶縁体膜５０Ｐの材料として感光性樹脂を用いた場合には、有機絶縁体膜５０Ｐのパターニング後、有機絶縁体膜５０Ｐのポストベークのために有機絶縁体膜５０Ｐを加熱する。

このように有機絶縁体膜５０Ｐがパターニングされて、図１８に示したように、有機絶縁体層５０が形成される。有機絶縁体膜５０Ｐを加熱する工程では、有機絶縁体膜５０Ｐを、例えば１８０〜３５０℃の範囲内の温度で加熱する。本実施の形態では、有機絶縁体膜５０Ｐを加熱する工程と同時に、めっき膜１３に対する熱処理が行われる。従って、本実施の形態では、めっき膜１３に対する熱処理における温度は、有機絶縁体膜５０Ｐを加熱する際の温度と等しい。

次に、図１９に示したように、例えばスパッタ法によって、下部導体層１０の上面および有機絶縁体層５０の上面を覆うように、誘電体膜２０を成膜する。

図２０は、次の工程を示す。この工程では、まず、誘電体膜２０の上に有機絶縁体層５を形成する。この有機絶縁体層５の形成方法は、第１の実施の形態と同様である。次に、上部導体層３０を形成する。この上部導体層３０の形成方法も、第１の実施の形態と同様である。

以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜デバイス１の製造方法は、めっき膜１３の形成後に、有機絶縁体層５０を形成する工程を備えている。有機絶縁体層５０を形成する工程は、加熱された後に有機絶縁体層５０となる有機絶縁体膜５０Ｐを形成する工程と、有機絶縁体膜５０Ｐを加熱する工程とを含んでいる。本実施の形態では、めっき膜１３に対する熱処理は、有機絶縁体膜５０Ｐを加熱する工程と同時に行われる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明の薄膜デバイスでは、上部導体層３０の上に保護膜が設けられていてもよいし、上部導体層３０が露出していてもよい。また、上部導体層３０の上方に更に１以上の層が配置されていてもよい。

また、本発明では、上部導体層３０の上面の上に、新たな誘電体膜と導体層を、交互に合計で２層以上形成してもよい。これにより、導体層と誘電体膜とが交互に、合計で５層以上積層されて構成されたキャパシタを形成することができる。

また、本発明における下部導体層、誘電体膜および上部導体層は、キャパシタを構成するものに限らない。例えば、下部導体層と上部導体層が、それぞれ別個の信号線を構成し、誘電体膜は下部導体層と上部導体層を絶縁するためのものであってもよい。

また、本発明の薄膜デバイスは、キャパシタ以外の素子を含んでいてもよい。薄膜デバイスに含まれるキャパシタ以外の素子は、インダクタや抵抗等の受動素子でもよいし、トランジスタ等の能動素子でもよい。また、薄膜デバイスに含まれるキャパシタ以外の素子は、集中定数素子でもよいし、分布定数素子でもよい。

また、本発明の薄膜デバイスは、側部、底面または上面に配置された端子を備えていてもよい。また、本発明の薄膜デバイスは、複数の導体層を接続するスルーホールを備えていてもよい。また、本発明の薄膜デバイスは、下部導体層１０または上部導体層３０を、端子や他の素子に接続するための配線用の導体層を備えていてもよい。あるいは、下部導体層１０または上部導体層３０の一部が端子を兼ねていてもよいし、下部導体層１０または上部導体層３０がスルーホールを介して端子に接続されていてもよい。

本発明の薄膜デバイスは、キャパシタとキャパシタ以外の素子とを含んでいる場合には、ＬＣ回路部品や、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ等の各種のフィルタや、ダイプレクサや、デュプレクサ等、キャパシタを含む種々の回路部品として利用することが可能である。

また、本発明の薄膜デバイスは、例えば、携帯電話機等の移動体通信機器や、無線ＬＡＮ用の通信装置において利用される。

本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によって製造される薄膜デバイスの断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜デバイスの製造方法における一工程を示す断面図である。 図２に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図４に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図５に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図６に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図７に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図８に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図９に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によって製造される薄膜デバイスの効果を説明するための断面図である。 めっき膜に対する熱処理における温度とめっき膜の上面の算術平均粗さとの関係を調べた実験結果を示す特性図である。 本発明の第２の実施の形態に係る製造方法によって製造される薄膜デバイスの断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る薄膜デバイスの製造方法における一工程を示す断面図である。 図１７に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１８に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図１９に示した工程に続く工程を示す断面図である。 キャパシタを備えた薄膜デバイスの構成の一例を示す断面図である。

符号の説明

１…薄膜デバイス、２…基板、３…平坦化膜、４…キャパシタ、５…有機絶縁体層、１０…下部導体層、２０…誘電体膜、３０…上部導体層。

Claims (7)

1. 下部導体層と、前記下部導体層の上に配置された誘電体膜と、前記誘電体膜の上に配置された上部導体層とを備えた薄膜デバイスを製造する方法であって、
   前記下部導体層を形成する工程と、
   前記下部導体層の上に前記誘電体膜を成膜する工程と、
   前記誘電体膜の上に前記上部導体層を形成する工程と
   を備え、
   前記下部導体層を形成する工程は、
   電気めっき法によって、前記下部導体層を構成するめっき膜を形成する工程と、
   前記めっき膜を１６０〜４００℃の範囲内の温度で加熱する熱処理を行う工程とを含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
2. 前記熱処理は、前記めっき膜を２００〜４００℃の範囲内の温度で加熱することを特徴とする請求項１記載の薄膜デバイスの製造方法。
3. 前記誘電体膜の厚みは、０．０２〜１μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜デバイスの製造方法。
4. 前記下部導体層、誘電体膜および上部導体層は、キャパシタを構成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方法。
5. 前記熱処理は、前記下部導体層の形成後において前記下部導体層に熱が加えられる際に前記下部導体層が達する温度以上の温度で前記めっき膜を加熱することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方法。
6. 前記薄膜デバイスは、更に、有機絶縁体層を備え、
   前記薄膜デバイスの製造方法は、更に、前記下部導体層の形成後に、前記有機絶縁体層を形成する工程を備え、
   前記有機絶縁体層を形成する工程は、加熱された後に前記有機絶縁体層となる有機絶縁体膜を形成する工程と、前記有機絶縁体膜を加熱する工程とを含み、
   前記熱処理は、前記有機絶縁体膜を加熱する工程において前記下部導体層が達する温度以上の温度で前記めっき膜を加熱することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方法。
7. 前記薄膜デバイスは、更に、有機絶縁体層を備え、
   前記薄膜デバイスの製造方法は、更に、前記めっき膜の形成後に、前記有機絶縁体層を形成する工程を備え、
   前記有機絶縁体層を形成する工程は、加熱された後に前記有機絶縁体層となる有機絶縁体膜を形成する工程と、前記有機絶縁体膜を加熱する工程とを含み、
   前記熱処理は、前記有機絶縁体膜を加熱する工程と同時に行われることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜デバイスの製造方法。
   

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