JP2007173441A - Light-emitting module, and method of manufacturing same - Google Patents

Light-emitting module, and method of manufacturing same Download PDF

Info

Publication number
JP2007173441A
JP2007173441A JP2005367702A JP2005367702A JP2007173441A JP 2007173441 A JP2007173441 A JP 2007173441A JP 2005367702 A JP2005367702 A JP 2005367702A JP 2005367702 A JP2005367702 A JP 2005367702A JP 2007173441 A JP2007173441 A JP 2007173441A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
light emitting
recess
resin
emitting module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005367702A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Tsumura
哲也 津村
Kimiharu Nishiyama
公治 西山
Etsuo Tsujimoto
悦夫 辻本
Keiichi Nakao
恵一 中尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2005367702A priority Critical patent/JP2007173441A/en
Publication of JP2007173441A publication Critical patent/JP2007173441A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that a ceramic substrate has difficulty in processing when the ceramic substrate is used as a heat radiating substrate of an LED. <P>SOLUTION: A heat radiating resin 102 as an insulation layer containing an inorganic filler and a resin compound containing a thermosetting resin, and a lead frame 100 principally containing copper are formed so as to match a concave portion shape of a metal substrate 112 having the concave portion on its one surface, and an LED 108 is mounted on the lead frame 100 portion on the bottom of the concave portion. With this configuration, the heat generated in the LED 108 can spread to the entire light-emitting module via the lead frame 100, and the thickness of the heat radiating resin 102 can be thinned and equalized. Thus, the heat of the lead frame 100 can be efficiently diffused to the metal plate 112. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶テレビ等のバックライトを有する表示機器のバックライト等に使われる発光モジュール及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a light emitting module used for a backlight of a display device having a backlight such as a liquid crystal television and a manufacturing method thereof.

従来、液晶テレビ等のバックライトには、冷陰極管等が使われてきたが、近年、LEDやレーザー等の半導体発光素子を、放熱性の基板の上に実装することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, a cold cathode tube or the like has been used for a backlight of a liquid crystal television or the like, but in recent years, it has been proposed to mount a semiconductor light emitting element such as an LED or a laser on a heat dissipating substrate ( For example, see Patent Document 1).

図6は、発光モジュールの一例を示す断面図である。図6において、セラミック基板1に形成された凹部には、発光素子2が実装されている。また複数のセラミック基板1は、放熱板3の上に固定されている。また複数のセラミック基板1は、窓部4を有する接続基板5で電気的に接続されている。そしてLEDから放射される光6は、接続基板5に形成された窓部4を介して、外部に放出される。なお図6において、凹部を有するセラミック基板1や接続基板5における配線及びLEDの配線等は図示していない。そしてこうした発光モジュールは、液晶等のバックライトとして使われている。しかしセラミック基板1は加工が難しく高価であるため、より安価で加工性に優れた放熱基板が求められていた。   FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of a light emitting module. In FIG. 6, the light emitting element 2 is mounted in the recess formed in the ceramic substrate 1. The plurality of ceramic substrates 1 are fixed on the heat sink 3. Further, the plurality of ceramic substrates 1 are electrically connected by a connection substrate 5 having a window portion 4. The light 6 emitted from the LED is emitted to the outside through the window portion 4 formed on the connection substrate 5. In FIG. 6, the wiring in the ceramic substrate 1 having the recesses and the connection substrate 5, the LED wiring, and the like are not shown. Such light emitting modules are used as backlights for liquid crystals and the like. However, since the ceramic substrate 1 is difficult to process and expensive, there has been a demand for a heat dissipation substrate that is less expensive and has excellent workability.

一方、液晶TVを始めとする表示装置側からは、色表示範囲の拡大が望まれている。こうしたニーズに対しては、白色LED等では、限界があるため、近年では、Red(赤)、Green(緑)、Blue(青)の単色発光素子を、更には紫色、橙色、赤紫、コバルトブルー等の特別色を発光する特色発光素子も加えることで、色表示範囲(色表示は具体的にはCIE表色系等)を広げることが試みられている。   On the other hand, the display device side including the liquid crystal TV is desired to expand the color display range. In response to such needs, white LEDs and the like have limitations, and in recent years, red (red), green (green), and blue (blue) single-color light emitting elements, and further purple, orange, red purple, cobalt Attempts have been made to expand the color display range (specifically, the CIE color system, etc.) by adding a special color light emitting element that emits a special color such as blue.

こうしたニーズに対して、図6のような発光モジュールで対応した場合、セラミック基板1の凹部に、こうした発光素子を一個一個実装しながら、全体として均一な混色(混色して白色)を出して、色バランス(例えば、後述するホワイトバランス)を調整する必要がある。一方LED等の固体発光素子は温度が上昇すると発光効率が低下することが知られている。更にLEDの発光色の違いによって温度に対する発光効率の低下度合いも異なる。こうした理由により、例えば、液晶TVをON(動作)した直後は、LED部分が室温(例えば25℃)であるため、ホワイトバランスが保たれていても、LED部分の温度が上昇(例えば、40℃→50℃→60℃)するに伴い、例えば特に赤色の発光効率が低下する等の現象が生じてしまい、色再現性やバックライトの輝度も変化してしまう可能性がある。   When such a light emitting module as shown in FIG. 6 responds to such needs, while mounting each of these light emitting elements one by one in the concave portion of the ceramic substrate 1, a uniform color mixture (mixed white color) is produced as a whole, It is necessary to adjust the color balance (for example, white balance described later). On the other hand, it is known that the luminous efficiency of solid light emitting devices such as LEDs decreases as the temperature rises. Furthermore, the degree of decrease in luminous efficiency with respect to temperature varies depending on the emission color of the LED. For these reasons, for example, immediately after the liquid crystal TV is turned on (operated), the LED portion is at room temperature (for example, 25 ° C.). (→ 50 ° C. → 60 ° C.), for example, a phenomenon such as a decrease in red light emission efficiency may occur, and the color reproducibility and the brightness of the backlight may also change.

一方、図6に示すように、LED等の発光素子2が1個ずつ実装されたセラミック基板1を、放熱板3の上に並べた場合、放熱性の面から有利である一方、フィルターや拡散板等を用いて光を混ぜて白色を作製する(あるいはRGB+特別色の混合によって演色性の高い白色を作製する)ことが難しくなる。   On the other hand, as shown in FIG. 6, when the ceramic substrate 1 on which the light emitting elements 2 such as LEDs are mounted one by one is arranged on the heat radiating plate 3, it is advantageous from the viewpoint of heat dissipation, while a filter or diffusion is used. It becomes difficult to produce a white color by mixing light using a plate or the like (or to produce a white color having high color rendering properties by mixing RGB + special colors).

そのため発光素子の更なる高輝度化(その際には、大きな電流を流す必要がある)、更にはマルチLED(複数個のLEDを高密度に実装すること)に対応できる多数個の発光素子が高密度で実装できる加工性が高くそして放熱性の優れた発光モジュールが要求されている。
特開2004−311791号公報
Therefore, there are a large number of light-emitting elements that can cope with higher luminance of the light-emitting elements (in this case, it is necessary to pass a large current) and multi-LEDs (multiple LEDs are mounted at a high density). There is a demand for a light-emitting module that can be mounted at high density and has high workability and excellent heat dissipation.
JP 2004-311791 A

しかしながら、前記従来の構成では、発光素子を実装する放熱基板が、セラミック基板であったため、加工性やコスト面で不利になるという課題を有していた。   However, the conventional configuration has a problem that the heat dissipation substrate on which the light emitting element is mounted is a ceramic substrate, which is disadvantageous in terms of workability and cost.

本発明では、前記従来の課題を解決するものであり、セラミック基板の代わりに、金属製のリードフレームと高放熱性の絶縁体及び金属板を使うことで、加工性の良い発光モジュールとその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described conventional problems, and uses a metal lead frame, a highly heat-dissipating insulator and a metal plate instead of a ceramic substrate, thereby producing a light-emitting module with good workability and its manufacture. It aims to provide a method.

前記課題を解決するために、本発明はLED等の発光素子を、放熱性の高い金属製のリードフレームの上に直接実装し、更にリードフレームの熱は高放熱性を有する放熱樹脂を介して、裏面に形成した放熱用の金属基板に伝えることになる。   In order to solve the above problems, the present invention directly mounts a light emitting element such as an LED on a metal lead frame having a high heat dissipation property, and the heat of the lead frame passes through a heat dissipation resin having a high heat dissipation property. Then, it is transmitted to the metal substrate for heat dissipation formed on the back surface.

本発明の発光モジュール及びその製造方法によって得られた発光モジュールは、LEDや半導体レーザー等の発光素子によって発生した熱を効率的に拡散することができ、LED等の発光素子を有効に冷却できる。   The light emitting module obtained by the light emitting module of the present invention and the manufacturing method thereof can efficiently diffuse the heat generated by the light emitting elements such as LEDs and semiconductor lasers, and can effectively cool the light emitting elements such as LEDs.

(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1における発光モジュールについて、図1、図2を用いて説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the light emitting module in Embodiment 1 of this invention is demonstrated using FIG. 1, FIG.

図1は実施の形態1における発光モジュールを示す上面図及び断面図であり、図1(A)はその上面図、図1(B)は図1(A)の矢印104aにおける断面図である。図1において、100はリードフレーム、102は放熱樹脂、104aは図1(B)の断面部を示す矢印、104bはLED108の側面から放射された光を示す矢印、106はリードフレーム100の屈曲位置を示す点線、108はLEDであり、LED108はレーザー等の発光素子の一例として示したものであり、他の発光素子へも応用できることは言うまでもない。また110は透明樹脂、112は金属基板、114は放熱用のヒートシンク、116は凹部である。そして凹部116が形成された金属基板112と、凹部116が形成されたリードフレーム100が、互いに凹部同士が重なるようにしながら放熱樹脂102を介して一体化されることになる。なお金属基板112に形成された凹部116は第1の凹部、リードフレーム100に形成された凹部116は第2の凹部となるが、図1(B)において、第1の凹部も第2の凹部も共に凹部116として図示している。   1A and 1B are a top view and a cross-sectional view illustrating a light-emitting module in Embodiment 1, in which FIG. 1A is a top view and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along an arrow 104a in FIG. 1, 100 is a lead frame, 102 is a heat radiation resin, 104a is an arrow indicating the cross section of FIG. 1B, 104b is an arrow indicating light emitted from the side surface of the LED 108, and 106 is a bent position of the lead frame 100. The dotted line 108 indicates an LED, and the LED 108 is shown as an example of a light-emitting element such as a laser, and needless to say, it can be applied to other light-emitting elements. 110 is a transparent resin, 112 is a metal substrate, 114 is a heat sink for heat dissipation, and 116 is a recess. Then, the metal substrate 112 in which the recesses 116 are formed and the lead frame 100 in which the recesses 116 are formed are integrated via the heat radiation resin 102 so that the recesses overlap each other. The recess 116 formed in the metal substrate 112 is a first recess, and the recess 116 formed in the lead frame 100 is a second recess. In FIG. 1B, the first recess is also the second recess. Both are also shown as recesses 116.

まず図1(A)を用いて説明する。図1(A)において、リードフレーム100は複数個に分割された状態で、放熱樹脂102を介して互いに絶縁されている。そして、リードフレーム100の外周部の一部は放熱樹脂102で囲まれている。また点線106はリードフレーム100の屈曲位置を示すものであり、リードフレーム100が図1(A)の点線106の位置で折れ曲がることで、図1(B)に示すような凹部116を形成する。そしてLED108は、複数のリードフレーム100の上にまたがるように配置する(なおLED108は、必ずしもまたがって実装される必要はない)。なおLED108の実装用のワイヤー線(ワイヤー線はワイヤーボンディング接続の場合であるが、導電性樹脂や半田(フリップチップ実装等の場合))等の部材も同様に図1において図示していない。   First, description will be made with reference to FIG. In FIG. 1A, lead frames 100 are insulated from each other through a heat radiation resin 102 in a state of being divided into a plurality of parts. A part of the outer periphery of the lead frame 100 is surrounded by the heat radiation resin 102. A dotted line 106 indicates a bending position of the lead frame 100, and the lead frame 100 is bent at the position of the dotted line 106 in FIG. 1A to form a recess 116 as shown in FIG. Then, the LEDs 108 are disposed so as to straddle the plurality of lead frames 100 (note that the LEDs 108 do not necessarily have to be mounted across). Note that members such as a wire wire for mounting the LED 108 (wire wire is in the case of wire bonding connection but conductive resin or solder (in the case of flip chip mounting or the like)) are not shown in FIG.

次に図1(B)を用いて説明する。図1(B)は、図1(A)の矢印104aにおける断面図に相当する。図1(B)において、金属基板112は少なくともその片面が凹状に加工形成されている。同様にリードフレーム100も凹状に合わせてプレス加工されている。そして図1(B)に示すように、放熱樹脂102に埋め込まれるようにしてリードフレーム100が金属基板112上に絶縁された状態で固定される。図1(B)における矢印104bは、LED108から放射される光に相当する。図1(B)に示すように、リードフレーム100を凹状(あるいは放物線状等)に加工することで、LED108の側面から放射された光を、矢印104bのようにリードフレーム100表面で反射させて制御することができ、発光モジュールの輝度を高められる。   Next, description will be made with reference to FIG. FIG. 1B corresponds to a cross-sectional view taken along arrow 104a in FIG. In FIG. 1B, at least one surface of the metal substrate 112 is processed to be concave. Similarly, the lead frame 100 is also pressed in accordance with the concave shape. Then, as shown in FIG. 1B, the lead frame 100 is fixed on the metal substrate 112 so as to be embedded in the heat radiation resin 102. An arrow 104b in FIG. 1B corresponds to light emitted from the LED. As shown in FIG. 1B, by processing the lead frame 100 into a concave shape (or a parabolic shape, etc.), the light emitted from the side surface of the LED 108 is reflected on the surface of the lead frame 100 as indicated by an arrow 104b. The brightness of the light emitting module can be increased.

なお、LED108を覆う透明樹脂110は、PMMA(ポリメチルメタクリレート)やシリコン系の透明な樹脂を用いることが望ましい。ここにエポキシ系の樹脂を用いた場合、エポキシの黄化防止のUV抑制剤を添加することが必要である。これはLEDが白色、更には青色光によってエポキシ樹脂が黄化する場合があるためである。またここにシリコン系等の柔らかい(少なくともエポキシ系より硬度が低い)ものを用いることが望ましい。柔らかい(すなわち柔軟性を有する)樹脂材料を用いることで、LED108が発熱し熱膨張した際、LED108とリードフレーム100の接続部への応力集中を防止できる。同様に、LED108とリードフレーム100をボンディング接続した際の、金製ワイヤーへの応力集中を低減できる(金製ワイヤーが切断されにくくなる)。   The transparent resin 110 that covers the LED 108 is preferably PMMA (polymethyl methacrylate) or a silicon-based transparent resin. When an epoxy resin is used here, it is necessary to add a UV inhibitor for preventing yellowing of the epoxy. This is because the LED is white, and further, the epoxy resin may be yellowed by blue light. Also, it is desirable to use a soft material such as silicon (having at least a lower hardness than epoxy). By using a soft (that is, flexible) resin material, when the LED 108 generates heat and thermally expands, stress concentration on the connection portion between the LED 108 and the lead frame 100 can be prevented. Similarly, stress concentration on the gold wire when the LED 108 and the lead frame 100 are bonded to each other can be reduced (the gold wire is less likely to be cut).

図1(B)に示すように、リードフレーム100と金属基板112を互いに凹状に形状を合わせることで、その間を絶縁する放熱樹脂102の厚みを薄く(更には均一に)することができ、リードフレーム100から金属基板112への熱拡散性を高められる。そしてLED108で発生した熱は、リードフレーム100に伝わり、放熱樹脂102を介して、金属基板112、更には金属基板112に固定したヒートシンク114へ拡散する。   As shown in FIG. 1B, the lead frame 100 and the metal substrate 112 are formed in a concave shape so that the thickness of the heat-dissipating resin 102 that insulates the lead frame 100 and the metal substrate 112 can be reduced (and more uniform). The thermal diffusibility from the frame 100 to the metal substrate 112 can be enhanced. Then, the heat generated in the LED 108 is transmitted to the lead frame 100 and is diffused through the heat radiation resin 102 to the metal substrate 112 and further to the heat sink 114 fixed to the metal substrate 112.

図1(B)において、放熱樹脂102として、硬化型樹脂中に高放熱性の無機フィラーが分散されたものを用いることが望ましい。なお無機フィラーは略球形状で、その直径は0.1ミクロン以上100ミクロン以下が適当である(なお0.1ミクロン未満の場合、樹脂への分散が難しくなる場合がある)。そうしながら放熱樹脂102における無機フィラーの充填量は、熱伝導率を上げるために70〜95重量%と高濃度に充填している。特に、本実施の形態では、無機フィラーは、平均粒径3ミクロンと平均粒径12ミクロンの2種類のAl23を混合したものを用いている。この大小2種類の粒径のAl23を用いることによって、大きな粒径(平均粒径12ミクロン)のAl23の隙間に小さな粒径(平均粒径3ミクロン)のAl23を充填できるので、Al23を90重量%近くまで高濃度に充填できるものである。この結果、放熱樹脂102の熱伝導率は5W/(m・K)程度となる。なお無機フィラーとしてはAl23の代わりに、MgO、BN、SiO2、SiC、Si34、及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種以上を含んでもよい。 In FIG. 1B, it is desirable to use a heat dissipation resin 102 in which a highly heat dissipating inorganic filler is dispersed in a curable resin. The inorganic filler has a substantially spherical shape, and its diameter is suitably from 0.1 to 100 microns (if it is less than 0.1 microns, it may be difficult to disperse in the resin). Meanwhile, the filling amount of the inorganic filler in the heat radiation resin 102 is filled at a high concentration of 70 to 95% by weight in order to increase the thermal conductivity. In particular, in the present embodiment, the inorganic filler is a mixture of two types of Al 2 O 3 having an average particle size of 3 microns and an average particle size of 12 microns. By using the Al 2 O 3 of the large and small two types of particle size, Al 2 O 3 of large particle size small particle size in the gap Al 2 O 3 (average particle size 12 microns) (average particle size 3 microns) Therefore, Al 2 O 3 can be filled at a high concentration up to nearly 90% by weight. As a result, the thermal conductivity of the heat radiation resin 102 is about 5 W / (m · K). The inorganic filler may include at least one selected from the group consisting of MgO, BN, SiO 2 , SiC, Si 3 N 4 , and AlN instead of Al 2 O 3 .

なお熱硬化性の絶縁樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂の内、少なくとも1種類の樹脂を含んでいる。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れている。放熱樹脂102の厚みは、薄くすれば、リードフレーム100に装着したLED108に生じる熱を金属基板112に伝えやすいが、逆に絶縁耐圧が問題となり、厚すぎると熱抵抗が大きくなるので、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮して最適な厚さである50ミクロン以上500ミクロン以下に設定すれば良い。   The thermosetting insulating resin contains at least one kind of resin among epoxy resin, phenol resin and cyanate resin. These resins are excellent in heat resistance and electrical insulation. If the thickness of the heat radiation resin 102 is reduced, heat generated in the LED 108 attached to the lead frame 100 can be easily transferred to the metal substrate 112, but conversely, withstand voltage is a problem, and if it is too thick, the heat resistance increases. In consideration of the thermal resistance, the optimum thickness may be set to 50 microns or more and 500 microns or less.

図2は、実施の形態1における放熱メカニズムについて説明する上面図及び断面図である。図2において、116は凹部であり、LED108はリードフレーム100や金属基板112で形成された凹部116の底部分に実装されている。図2における矢印104c,104dはそれぞれLED108に発生した熱の拡散方向を示すものである。図2(A)に示すように、LED108から発生した熱は、矢印104cが示すようにリードフレーム100を伝わって高速で放熱する。これは実施の形態1において、リードフレーム100に銅を主体とした熱伝導率の高いものを使うためである。一方リードフレーム100に伝わった熱は、後述する図2(B)の矢印104dに示すように放熱樹脂102を介して、金属基板112に伝わる。そして金属基板112の熱は、ヒートシンク114等に伝わる。こうしてLED108に発生した熱を高速で拡散できるため、LED108の効率的な冷却が可能となる。   2A and 2B are a top view and a cross-sectional view illustrating a heat dissipation mechanism in the first embodiment. In FIG. 2, reference numeral 116 denotes a recess, and the LED 108 is mounted on the bottom portion of the recess 116 formed by the lead frame 100 or the metal substrate 112. The arrows 104c and 104d in FIG. 2 indicate the direction of diffusion of heat generated in the LED 108, respectively. As shown in FIG. 2A, the heat generated from the LED 108 is transmitted through the lead frame 100 as indicated by an arrow 104c and dissipated at high speed. This is because, in the first embodiment, the lead frame 100 having a high thermal conductivity mainly composed of copper is used. On the other hand, the heat transmitted to the lead frame 100 is transmitted to the metal substrate 112 through the heat radiation resin 102 as indicated by an arrow 104d in FIG. The heat of the metal substrate 112 is transmitted to the heat sink 114 and the like. Thus, since the heat generated in the LED 108 can be diffused at a high speed, the LED 108 can be efficiently cooled.

このように、LED108で発生した熱は、凹部116の側面で反射面を兼用するリードフレーム100の部分を介して、矢印104cに示すように広範囲へ拡散することとなり、効率的な熱拡散が可能となる。   As described above, the heat generated by the LED 108 is diffused over a wide range as shown by the arrow 104c through the portion of the lead frame 100 that also serves as the reflection surface on the side surface of the recess 116, and efficient heat diffusion is possible. It becomes.

また図2(B)は、図2(A)のLED108部分の断面(例えば図1(A)の矢印104a相当)である。図2(B)では、LED108で発生した熱が、リードフレーム100を通じて拡散する様子を矢印104cで、リードフレーム100の熱が放熱樹脂102を介して金属基板112へ拡散する様子を矢印104dで示している。更に図2(B)に示すように、実施の形態1では、金属基板112の凹部116の形状と、放熱樹脂102やリードフレーム100の凹部116の形状を合わせることによって、放熱樹脂102の厚みを薄く、均一にできる。そのためリードフレーム100や金属基板112に比べて、熱伝導率が低い放熱樹脂102を用いた場合でも、その影響を最小限に抑えることができる。   2B is a cross-sectional view of the LED 108 portion of FIG. 2A (for example, corresponding to the arrow 104a in FIG. 1A). In FIG. 2B, the state in which the heat generated in the LED 108 diffuses through the lead frame 100 is indicated by an arrow 104c, and the state in which the heat from the lead frame 100 diffuses to the metal substrate 112 through the heat radiation resin 102 is indicated by an arrow 104d. ing. Further, as shown in FIG. 2B, in the first embodiment, the thickness of the heat dissipation resin 102 is increased by matching the shape of the recess 116 of the metal substrate 112 with the shape of the recess 116 of the heat dissipation resin 102 and the lead frame 100. Thin and uniform. Therefore, even when the heat radiating resin 102 having a lower thermal conductivity than the lead frame 100 or the metal substrate 112 is used, the influence can be minimized.

この結果、凹部116の中に複数個のLED(更には高放熱が必要なLEDであっても)を高密度に実装することができる。   As a result, a plurality of LEDs (even LEDs that require high heat dissipation) can be mounted in the recess 116 with high density.

更に詳しく説明する。複数個のLED108は、図1(A)に示すようにリードフレーム100の上に実装される。そして複数個のLED108は、複数のリードフレーム100から電流を供給され、所定の色に発光することになる。なお図1において、LED108とリードフレーム100の接続部(例えばワイヤーボンダーによる接続)は図示していない。   This will be described in more detail. The plurality of LEDs 108 are mounted on the lead frame 100 as shown in FIG. The plurality of LEDs 108 are supplied with current from the plurality of lead frames 100 and emit light in a predetermined color. In FIG. 1, a connection portion (for example, connection by a wire bonder) between the LED 108 and the lead frame 100 is not shown.

なお、放熱樹脂102の色は、白色(もしくは白色に近い無色)が望ましい。黒色や赤、青等に着色されている場合、発光素子から放射された光を反射させにくくなり、発光効率に影響を与えるためである。   The color of the heat radiation resin 102 is desirably white (or colorless near white). This is because when the color is black, red, blue, or the like, it is difficult to reflect the light emitted from the light emitting element, which affects the light emission efficiency.

またLED108の実装は、図1(B)に示すように、リードフレーム100による凹部116の底部に行うことが望ましい。LED108を、凹部の底部(つまり窪みの底)に形成することで、LED108の側面から放射される光を、窪みの壁面部分となるリードフレーム100あるいはリードフレーム100の間に露出する放熱樹脂102によって効果的に求める所定の方向に反射でき、発光効率を高められる。   The LED 108 is desirably mounted on the bottom of the recess 116 formed by the lead frame 100 as shown in FIG. By forming the LED 108 at the bottom of the recess (that is, at the bottom of the recess), the light emitted from the side surface of the LED 108 is caused by the lead frame 100 serving as the wall surface of the recess or the heat dissipation resin 102 exposed between the lead frames 100. The light can be reflected effectively in a predetermined direction, and the luminous efficiency can be increased.

このように、複数の発光素子を凹部116の底面にてリードフレーム100の上に実装し、更にリードフレーム100を凹部116の側壁面にも広く形成(望ましくは側壁面の50%以上95%以下)する。なおリードフレーム100の側壁に占める面積割合が50%未満(すなわち放熱樹脂102の割合が50%以上)の場合、リードフレーム100による熱伝導に影響し、リードフレーム100表面による光反射量を減らす可能性がある。また95%を超えた(つまり側面における放熱樹脂102の露出割合が5%未満となった)場合、すなわちリードフレーム100の間隔を狭くした場合、短絡する可能性が高くなる。また金属基板112としては、熱伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらを主成分とする合金が望ましい。   In this way, a plurality of light emitting elements are mounted on the lead frame 100 at the bottom surface of the recess 116, and the lead frame 100 is also widely formed on the side wall surface of the recess 116 (desirably 50% to 95% of the side wall surface). ) When the area ratio of the lead frame 100 in the side wall is less than 50% (that is, the ratio of the heat radiation resin 102 is 50% or more), the heat conduction by the lead frame 100 is affected, and the amount of light reflection by the surface of the lead frame 100 can be reduced. There is sex. Further, when it exceeds 95% (that is, when the exposure ratio of the heat radiation resin 102 on the side surface is less than 5%), that is, when the interval between the lead frames 100 is narrowed, the possibility of short-circuiting increases. The metal substrate 112 is preferably made of aluminum, copper, or an alloy containing them as a main component, which has good thermal conductivity.

なお、凹部116が形成された金属基板112とリードフレーム100の間に形成された放熱樹脂102の厚みは50ミクロン以上500ミクロン以下が望ましい。また更には100ミクロン以上300ミクロン以下が望ましい。絶縁層の厚みが50ミクロン以下の場合、金属基板112とリードフレーム100の間の絶縁性が低下し、信頼性に影響を与える場合がある。またその厚みが500ミクロンを超えると、リードフレーム100から金属基板112への熱伝導性(放熱性)を低下させ品質(発光特性)に影響を与える場合がある。   The thickness of the heat radiation resin 102 formed between the metal substrate 112 having the recess 116 and the lead frame 100 is preferably 50 microns or more and 500 microns or less. Furthermore, 100 microns or more and 300 microns or less are desirable. When the thickness of the insulating layer is 50 microns or less, the insulation between the metal substrate 112 and the lead frame 100 is lowered, which may affect the reliability. On the other hand, if the thickness exceeds 500 microns, the thermal conductivity (heat dissipation) from the lead frame 100 to the metal substrate 112 may be lowered, affecting the quality (light emission characteristics).

また絶縁層の厚みバラツキは、200ミクロン以下(更には100ミクロン以下)が望ましい。図1(B)で示すように、実施の形態1では金属基板112に凹部116を形成することで、リードフレーム100と金属基板112の間を絶縁する放熱樹脂102の厚みの薄層化及び均一化が可能となる。一方、リードフレーム100と金属基板112に挟まれた放熱樹脂102の厚みバラツキ(あるいは厚み差)が200ミクロン以上と大きくなった場合、リードフレーム100から金属基板112への熱伝導性(放熱性)に影響を与え、品質(発光特性)を低下させる可能性がある。   The thickness variation of the insulating layer is desirably 200 microns or less (more preferably 100 microns or less). As shown in FIG. 1B, in the first embodiment, by forming the recess 116 in the metal substrate 112, the thickness of the heat dissipation resin 102 that insulates between the lead frame 100 and the metal substrate 112 is reduced and uniform. Can be realized. On the other hand, when the thickness variation (or thickness difference) of the heat dissipation resin 102 sandwiched between the lead frame 100 and the metal substrate 112 becomes as large as 200 microns or more, the thermal conductivity (heat dissipation) from the lead frame 100 to the metal substrate 112. The quality (light emission characteristics) may be reduced.

なお凹部116の形状は、底部に向かうにしたがって狭くなる形状が望ましい。これは光の反射効率を高めるためである。   The shape of the recess 116 is preferably a shape that becomes narrower toward the bottom. This is to increase the light reflection efficiency.

(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2における発光モジュールの一例について、図3を用いて説明する。図3は実施の形態2における発光モジュールの断面図である。図3において、118はレンズである。図3(A)は、透明樹脂110をレンズ状に加工した場合、図3(B)は透明樹脂110の上にレンズ118を実装した場合の発光モジュールを示している。
(Embodiment 2)
Hereinafter, an example of the light emitting module according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting module in the second embodiment. In FIG. 3, reference numeral 118 denotes a lens. 3A shows a light emitting module when the transparent resin 110 is processed into a lens shape, and FIG. 3B shows a light emitting module when the lens 118 is mounted on the transparent resin 110.

図3(A)、(B)において矢印104eは、LED108から放射された光の方向を示すものである。図3(A)に示すように、LED108から放射された光は、矢印104eに示すように、リードフレーム100の凹部116(もしくは凹部116を構成する壁面)で反射され、外部へと導かれる。なおここで、リードフレーム100の表面処理の高光反射率処理を行っておくことで、光の反射率を高められる。表面処理は、金やニッケルより銀の方が望ましい。これは銀の方が光の反射率が高いためである。また表面処理は光沢処理、無光沢処理(梨地処理等)を問わない。光沢がなくとも、銀等の反射率の高い部材を使うことで反射率を高められる。なお高光反射率化処理は、少なくともリードフレーム100の凹部116を形成する部分以上の広い領域が望ましい。更に、凹部116以外のリードフレーム100には、半導体やチップ部品等を実装するために、半田濡れ性を高める処理を行っておくことが望ましい。こうした処理によって、リードフレーム100の自然酸化も防止できる。   3A and 3B, an arrow 104e indicates the direction of light emitted from the LED 108. As shown in FIG. 3A, the light emitted from the LED 108 is reflected by the concave portion 116 (or the wall surface constituting the concave portion 116) of the lead frame 100 and guided to the outside as indicated by an arrow 104e. Here, by performing the high light reflectance treatment of the surface treatment of the lead frame 100, the light reflectance can be increased. The surface treatment is preferably silver rather than gold or nickel. This is because silver has a higher light reflectance. Further, the surface treatment may be glossy treatment or matte treatment (such as satin finish). Even if there is no gloss, the reflectance can be increased by using a member having a high reflectance such as silver. Note that the high light reflectivity treatment process is desirably a wide area at least larger than the portion where the concave portion 116 of the lead frame 100 is formed. Furthermore, it is desirable that the lead frame 100 other than the recess 116 is subjected to a process for improving solder wettability in order to mount a semiconductor, a chip component, or the like. By such treatment, natural oxidation of the lead frame 100 can also be prevented.

なお、凹部116を形成する側面の面積の50%以上95%以下をリードフレーム100とすることが望ましい。なお、放熱樹脂102は白色等の光反射率の高い色にすることが望ましい。しかし放熱樹脂102を白色にした場合でも、リードフレーム100の方が、光反射率が高くなる場合がある。この場合、リードフレームの面積が50%未満の場合、側面における光反射は放熱樹脂102が主となり、発光モジュールの発光効率(発光特性)に影響を与える場合がある。またリードフレームの占める割合が95%以上となった場合、リードフレーム100の加工が難しくなり作製できなくなる場合がある。   In addition, it is desirable that 50% or more and 95% or less of the area of the side surface forming the recess 116 is the lead frame 100. Note that it is desirable that the heat-dissipating resin 102 be a color having a high light reflectance such as white. However, even when the heat-dissipating resin 102 is white, the lead frame 100 may have a higher light reflectance. In this case, when the area of the lead frame is less than 50%, the light reflection on the side surface is mainly caused by the heat radiation resin 102, which may affect the light emission efficiency (light emission characteristics) of the light emitting module. Further, when the ratio of the lead frame is 95% or more, it may be difficult to manufacture the lead frame 100 because the processing of the lead frame 100 becomes difficult.

なお、レンズ118の大きさは図3(B)に示すように凹部116の幅と同等、もしくはより大きくすることが望ましい。レンズ118の大きさを大きめにすることで、レンズ118を実装した時の遊び部分が大きくできるため、光学的な位置合わせが容易にできる。特にリードフレーム100を、実施の形態3で説明するように金型成型することで、リードフレーム100の加工精度(特に凹部116の底部と、凹部116以外の平面との平行度)が高められる。そのためLED108を凹部116の底部に、レンズ118を凹部116の周囲を覆うようにセットしただけで、光軸を高精度に合わせることができる。   Note that the size of the lens 118 is desirably equal to or larger than the width of the recess 116 as shown in FIG. By increasing the size of the lens 118, a play portion when the lens 118 is mounted can be increased, and thus optical alignment can be easily performed. In particular, by molding the lead frame 100 as described in the third embodiment, the processing accuracy of the lead frame 100 (particularly the parallelism between the bottom of the recess 116 and a plane other than the recess 116) is increased. Therefore, the optical axis can be aligned with high accuracy only by setting the LED 108 at the bottom of the recess 116 and the lens 118 so as to cover the periphery of the recess 116.

なお凹部116に実装する発光素子は、少なくとも1種類以上(更に望ましくは2種類以上とすることで演色性を高めコストダウンできる)の異なる発光色を有する発光素子であることが望ましい。異なる発光色を有する複数個のLED108を使うことで演色性を高められ、一つの凹部116の中にこれらを複数個高密度で実装することで互いの混色性を高められる。また複数個の発光素子の内、1個以上の発光色を白色とすることもできる。このように実施の形態2の構成では、その優れた放熱性を生かすことで、発光効率が温度の影響を受けやすい(あるいは影響の程度が異なる)LED108であっても、温度の影響を受けにくい。また発光モジュール自体の温度が上昇した場合でも、リードフレーム100を介して個別にLED108を電気的に制御することができることは言うまでもない。   Note that the light-emitting element mounted in the recess 116 is preferably a light-emitting element having at least one or more kinds (more preferably, two or more kinds of light-emitting elements having different emission colors that can improve color rendering properties and reduce costs). By using a plurality of LEDs 108 having different emission colors, the color rendering property can be improved. By mounting a plurality of these LEDs in one recess 116 at a high density, the color mixing property can be improved. In addition, one or more emission colors of the plurality of light emitting elements may be white. As described above, in the configuration of the second embodiment, by utilizing the excellent heat dissipation property, even the LED 108 whose light emission efficiency is easily affected by the temperature (or the degree of influence is different) is hardly affected by the temperature. . It goes without saying that the LEDs 108 can be electrically controlled individually via the lead frame 100 even when the temperature of the light emitting module itself rises.

(実施の形態3)
以下、本発明の実施の形態3における発光モジュールの製造方法の一例について説明する。
(Embodiment 3)
Hereinafter, an example of the manufacturing method of the light emitting module in Embodiment 3 of this invention is demonstrated.

図4、図5は本実施の形態3における発光モジュールの製造方法の一例を示す断面図である。図4において、120a,120bは金型、122は汚れ防止フィルム、124はバリである。まず所定の金属板を、プレス等を用いて所定形状に打抜き、これをリードフレーム100とする。なおこの打抜き加工でリードフレーム100にバリ124が発生する。次に図4に示すように、リードフレーム100の下に未硬化状態の放熱樹脂102や、金属基板112をセットする。そしてこれら部材を位置決めした状態で、金型120a,120bの間にセットする。次にプレス装置(図4には図示していない)によって、金型120a,120bを矢印104fの方向に動かすことにより、リードフレーム100が放熱樹脂102に押し付けられ、そして所定温度で放熱樹脂102を加熱硬化する。また図4に示すように、リードフレーム100と、金型120aの間に汚れ防止フィルム122をセットしておくことが望ましい。また汚れ防止フィルム122は、例えば不織布等のようにある程度の空気透過性があるフィルム状のものを使うことが望ましい。こうすることで、リードフレーム100を、金型120a,120bを用いて、放熱樹脂102の中に押し付けた際、矢印104gで示すように空気が抜けやすくなり(汚れ防止フィルム122を介して、空気が抜ける)、リードフレーム100と放熱樹脂102の界面、あるいは金属基板112と放熱樹脂102の界面に、放熱性を低下させる要因となる空気残りの発生を防止できる。   4 and 5 are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a light emitting module according to the third embodiment. In FIG. 4, 120a and 120b are molds, 122 is a dirt prevention film, and 124 is a burr. First, a predetermined metal plate is punched into a predetermined shape using a press or the like, and this is used as a lead frame 100. This punching process generates burrs 124 in the lead frame 100. Next, as shown in FIG. 4, an uncured heat radiation resin 102 and a metal substrate 112 are set under the lead frame 100. And in the state which positioned these members, it sets between metal mold | die 120a, 120b. Next, the lead frame 100 is pressed against the heat radiation resin 102 by moving the molds 120a and 120b in the direction of the arrow 104f by a press device (not shown in FIG. 4), and the heat radiation resin 102 is moved at a predetermined temperature. Heat cure. Moreover, as shown in FIG. 4, it is desirable to set the antifouling film 122 between the lead frame 100 and the mold 120a. Further, it is desirable that the antifouling film 122 is a film having a certain degree of air permeability such as a nonwoven fabric. In this way, when the lead frame 100 is pressed into the heat-dissipating resin 102 using the molds 120a and 120b, the air can be easily released as indicated by the arrow 104g (the air is passed through the antifouling film 122). Can be prevented from occurring at the interface between the lead frame 100 and the heat radiation resin 102 or at the interface between the metal substrate 112 and the heat radiation resin 102.

なお、リードフレーム100を金型成型によって所定の3次元形状に抜く際、リードフレーム100の端部に発生するバリ124の方向は、前記汚れ防止フィルム122側になるようにすることが望ましい。こうすることで、リードフレーム100をプレスした際、バリ124が汚れ防止フィルム122に喰い込むため、リードフレーム100の表面(例えば、LED108等の実装面)に放熱樹脂102が回り込むことを防止できる。   It should be noted that when the lead frame 100 is pulled out into a predetermined three-dimensional shape by molding, it is desirable that the direction of the burr 124 generated at the end of the lead frame 100 is on the dirt prevention film 122 side. In this way, when the lead frame 100 is pressed, the burr 124 bites into the antifouling film 122, so that the heat radiation resin 102 can be prevented from entering the surface of the lead frame 100 (for example, the mounting surface of the LED 108 or the like).

図5は、プレス加工が終了した後の断面図である。図5に示すように、金型120a,120bを矢印104hの方向に動かすことで、発光モジュールが完成する(なお図5の状態では、まだLED108等は実装されていない)。そして図5の発光モジュールに、LED108を実装し、更に樹脂(透明樹脂)110でカバーすることで、図1に示したような発光モジュールが完成する。なお、バリ124はプレス加工時に除去して無くせるが、必要な場合、プレス後も残してもよい。   FIG. 5 is a cross-sectional view after the press working is completed. As shown in FIG. 5, the light emitting module is completed by moving the molds 120a and 120b in the direction of the arrow 104h (note that the LED 108 and the like are not yet mounted in the state of FIG. 5). Then, the LED 108 is mounted on the light emitting module of FIG. 5 and further covered with a resin (transparent resin) 110, whereby the light emitting module as shown in FIG. 1 is completed. The burr 124 can be removed and eliminated during press working, but may be left after pressing if necessary.

次に、絶縁材料について更に詳しく説明する。放熱樹脂102は、フィラーと樹脂から構成されている。なおフィラーとしては、無機フィラーが望ましい。無機フィラーとしては、Al23、MgO、BN、SiC、Si34、及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種を含む一つを有することが望ましい。なお無機フィラーを用いると、放熱性を高められるが、特にMgOを用いると線熱膨張係数を大きくできる。BNを用いると線熱膨張係数を小さくできる。こうして絶縁層102としての熱伝導率が1W/(m・K)以上で10W/(m・K)以下のものを形成することができる。なお熱伝導率が1W/(m・K)未満の場合は、発光モジュールの放熱性を低下させる影響を与える。また熱伝導率を10W/(m・K)より高くしようとした場合は、フィラー量を増やす必要があり、プレス時の加工性を低下させる影響を与える場合がある。 Next, the insulating material will be described in more detail. The heat dissipation resin 102 is composed of a filler and a resin. The filler is preferably an inorganic filler. As the inorganic filler, it is desirable to have one containing at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , MgO, BN, SiC, Si 3 N 4 , and AlN. When an inorganic filler is used, heat dissipation can be improved, but when using MgO in particular, the linear thermal expansion coefficient can be increased. When BN is used, the linear thermal expansion coefficient can be reduced. Thus, the insulating layer 102 having a thermal conductivity of 1 W / (m · K) to 10 W / (m · K) can be formed. In addition, when heat conductivity is less than 1 W / (m * K), it has the influence which reduces the heat dissipation of a light emitting module. Further, if the thermal conductivity is to be made higher than 10 W / (m · K), it is necessary to increase the amount of filler, which may affect the workability during pressing.

また樹脂としては、熱硬化性樹脂を用いることが望ましく、具体的にはエポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びイソシアネート樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含むことが望ましい。   The resin is preferably a thermosetting resin, and specifically includes at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, a phenol resin, and an isocyanate resin.

なお無機フィラーは略球形状で、その直径は0.1〜100ミクロンであるが、粒径が小さいほど樹脂への充填率を向上することができる。そのため放熱樹脂102における無機フィラーの充填量(もしくは含有率)は、熱伝導率を上げるために70〜95重量%と高濃度に充填している。特に、本実施の形態では、無機フィラーは、平均粒径3ミクロンと平均粒径12ミクロンの2種類のAl23を混合したものを用いている。この大小2種類の粒径のAl23を用いることによって、大きな粒径のAl23の隙間に小さな粒径のAl23を充填できるので、Al23を90重量%近くまで高濃度に充填できるのである。この結果、放熱樹脂102の熱伝導率は5W/(m・K)程度となる。なおフィラーの充填率が70重量%未満の場合、熱伝導性が低下する場合が有る。またフィラーの充填率(もしくは含有率)が95重量%を超えると、硬化前の放熱樹脂102の成型性を低下させる影響を与える場合があり、放熱樹脂102とリードフレーム100の接着性(例えばリードフレーム100を放熱樹脂102に埋め込んだ場合や、その表面に貼り付けた場合)にもそれらの接着性を低下させる影響を与える可能性がある。 The inorganic filler is substantially spherical and has a diameter of 0.1 to 100 microns, but the smaller the particle size, the better the filling rate into the resin. Therefore, the filling amount (or content rate) of the inorganic filler in the heat radiation resin 102 is filled at a high concentration of 70 to 95% by weight in order to increase the thermal conductivity. In particular, in the present embodiment, the inorganic filler is a mixture of two types of Al 2 O 3 having an average particle size of 3 microns and an average particle size of 12 microns. By using the Al 2 O 3 of the large and small two types of particle size, it is possible to fill the Al 2 O 3 of small particle size in the gap Al 2 O 3 of large particle size, Al 2 O 3 90 wt% near Can be filled to a high concentration. As a result, the thermal conductivity of the heat radiation resin 102 is about 5 W / (m · K). In addition, when the filling rate of a filler is less than 70 weight%, thermal conductivity may fall. Further, if the filling rate (or content rate) of the filler exceeds 95% by weight, the moldability of the heat-dissipating resin 102 before curing may be reduced, and the adhesiveness between the heat-dissipating resin 102 and the lead frame 100 (for example, lead) Even when the frame 100 is embedded in the heat-dissipating resin 102 or when it is attached to the surface thereof, there is a possibility that the adhesiveness of the frame 100 may be reduced.

なお熱硬化性の絶縁樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂の内、少なくとも1種類の樹脂を含んでいる。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れている。   The thermosetting insulating resin contains at least one kind of resin among epoxy resin, phenol resin and cyanate resin. These resins are excellent in heat resistance and electrical insulation.

なお放熱樹脂102からなる絶縁体の厚さは、薄くすれば、リードフレーム100に装着したLED108に生じる熱を金属基板112に伝えやすいが、逆に絶縁耐圧が問題となり、厚すぎると、熱抵抗が大きくなるので、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮して50ミクロン以上500ミクロン以下とすれば良い。   If the thickness of the insulator made of the heat radiation resin 102 is reduced, the heat generated in the LED 108 mounted on the lead frame 100 can be easily transferred to the metal substrate 112, but conversely, the insulation breakdown voltage becomes a problem. Therefore, in view of the withstand voltage and thermal resistance, the thickness may be set to 50 to 500 microns.

次にリードフレーム100の材質について説明する。リードフレームの材質としては、銅を主体とする合金が望ましい。これは銅が熱伝導性と導電率が共に優れているためである。またリードフレームとしての加工性や、熱伝導性を高めるためには、リードフレーム100となる銅と、少なくともSn、Zr、Ni、Si、Zn、P、Fe等の群から選択される少なくとも1種類以上の材料とからなる合金を使うことが望ましい。例えばCuを主体として、ここにSnを加えた、合金(以下、Cu+Snとする)を用いることができる。Cu+Sn合金の場合、例えばSnを0.1wt%以上0.15wt%未満添加することで、その軟化温度を400℃まで高められる。比較のためSn無しの銅(Cu>99.96wt%)を用いて、リードフレーム100を作製したところ、導電率は低いが、出来上がった放熱基板において特に凹部116の形成部等に歪が発生する場合があった。そこで詳細に調べたところ、その材料の軟化点が200℃程度と低いため、後の部品実装時(半田付け時)や、LED108の実装後の信頼性(発熱/冷却の繰り返し等)に変形する可能性があることが予想された。一方、Cu+Sn>99.96wt%の銅合金を用いた場合、実装された各種部品や複数個のLEDによる発熱の影響は特に受けなかった。また半田付け性やダイボンド性にも影響が無かった。そこでこの材料の軟化点を測定したところ、400℃であることが判った。このように、銅を主体として、いくつかの元素を添加することが望ましい。銅に添加する元素として、Zrの場合、0.015wt%以上0.15wt%以下の範囲が望ましい。添加量が0.015wt%未満の場合、軟化温度の上昇効果が少ない場合がある。また添加量が0.15wt%より多いと電気特性を低下させる影響を与える場合がある。また、Ni、Si、Zn、P等を添加することでも軟化温度を高くできる。この場合、Niは0.1wt%以上5wt%未満、Siは0.01wt%以上2wt%以下、Znは0.1wt%以上5wt%未満、Pは0.005wt%以上0.1wt%未満が望ましい。そしてこれらの元素は、この範囲で単独、もしくは複数を添加することで、銅素材の軟化点を高くできる。なお添加量がここで記載した割合より少ない場合、軟化点上昇効果が低い場合がある。またここで記載した割合より多い場合、導電率を低下させる可能性がある。同様に、Feの場合0.1wt%以上5wt%以下、Crの場合0.05wt%以上1wt%以下が望ましい。これらの元素の場合も前述の元素と同様である。   Next, the material of the lead frame 100 will be described. The lead frame material is preferably an alloy mainly composed of copper. This is because copper has both excellent thermal conductivity and electrical conductivity. In order to improve the workability and thermal conductivity as a lead frame, at least one selected from the group consisting of copper, which is the lead frame 100, and at least Sn, Zr, Ni, Si, Zn, P, Fe, etc. It is desirable to use an alloy made of the above materials. For example, an alloy (hereinafter referred to as Cu + Sn) in which Cu is a main component and Sn is added thereto can be used. In the case of a Cu + Sn alloy, for example, by adding Sn to 0.1 wt% or more and less than 0.15 wt%, the softening temperature can be increased to 400 ° C. For comparison, when lead frame 100 is manufactured using copper without Sn (Cu> 99.96 wt%), the conductivity is low, but distortion is generated particularly in the formed portion of recess 116 in the completed heat dissipation board. There was a case. As a result of detailed examination, the softening point of the material is as low as about 200 ° C., so that the material is deformed to reliability (repetition of heat generation / cooling, etc.) after mounting a component (when soldering) or after mounting the LED 108. It was expected that there was a possibility. On the other hand, when a copper alloy with Cu + Sn> 99.96 wt% was used, it was not particularly affected by the heat generated by various mounted components and a plurality of LEDs. There was no effect on solderability and die bondability. Therefore, when the softening point of this material was measured, it was found to be 400 ° C. Thus, it is desirable to add some elements mainly composed of copper. In the case of Zr as an element added to copper, a range of 0.015 wt% or more and 0.15 wt% or less is desirable. When the amount added is less than 0.015 wt%, the effect of increasing the softening temperature may be small. Moreover, when there are more addition amounts than 0.15 wt%, it may have the influence which reduces an electrical property. Also, the softening temperature can be increased by adding Ni, Si, Zn, P or the like. In this case, Ni is preferably 0.1 wt% or more and less than 5 wt%, Si is 0.01 wt% or more and 2 wt% or less, Zn is 0.1 wt% or more and less than 5 wt%, and P is preferably 0.005 wt% or more and less than 0.1 wt%. . And these elements can make the softening point of a copper raw material high by adding single or multiple in this range. In addition, when there are few addition amounts than the ratio described here, the softening point raise effect may be low. Moreover, when there is more than the ratio described here, there exists a possibility of reducing electrical conductivity. Similarly, in the case of Fe, 0.1 wt% or more and 5 wt% or less is desirable, and in the case of Cr, 0.05 wt% or more and 1 wt% or less are desirable. These elements are the same as those described above.

なお銅合金の引張り強度は、600N/mm2以下が望ましい。引張り強度が600N/mm2を超える材料の場合、リードフレーム100の加工性を低下させる影響を与える場合がある。またこうした引張り強度の高い材料は、その電気抵抗が増加する傾向にあるため、本実施の形態1で用いるようなLED等の大電流用途には適さない場合がある。一方、引張り強度が600N/mm2以下(更にリードフレーム100に微細で複雑な加工が必要な場合、望ましくは400N/mm2以下)とすることでスプリングバック(曲げ加工時に必要な角度まで曲げても圧力を除くと反力によってある程度はねかえって元にもどってしまうこと)の発生を抑えられ、凹部116の形成精度を高められる。このようにリードフレーム材料としては、Cu合金とすることで導電率を下げられ、更に柔らかくすることで加工性を高められ、更にリードフレーム100による放熱効果も高められる。 The tensile strength of the copper alloy is desirably 600 N / mm 2 or less. In the case of a material having a tensile strength exceeding 600 N / mm 2 , the workability of the lead frame 100 may be affected. Further, such a material having a high tensile strength tends to increase its electric resistance, so that it may not be suitable for high current applications such as LEDs used in the first embodiment. On the other hand, by setting the tensile strength to 600 N / mm 2 or less (and, if the lead frame 100 requires fine and complicated processing, desirably 400 N / mm 2 or less), the spring back is bent to the angle required for bending. However, if the pressure is removed, the reaction force will be returned to the original state to some extent by the reaction force), and the formation accuracy of the recess 116 can be improved. As described above, the lead frame material can be made of Cu alloy to lower the electrical conductivity, and further softened to improve the workability, and the heat dissipation effect of the lead frame 100 can be enhanced.

なお、放熱樹脂102から露出しているリードフレーム100の面(LED108や、図示していないが制御用ICやチップ部品等の実装面)に、予め半田付け性を改善するように半田層や錫層を形成しておくことで、ガラエポ基板等に比べて熱容量が大きく半田付けしにくいリードフレーム100に対して部品実装性を高められると共に、配線としての錆び防止も可能となる。なおリードフレーム100の放熱樹脂102に接する面(もしくは埋め込まれた面)には、半田層は形成しないことが望ましい。放熱樹脂102と接する面に半田層や錫層を形成すると、半田付け時にこの層が柔らかくなり、リードフレーム100と放熱樹脂102の接着性(もしくは結合強度)を低下させる影響を与える場合がある。なお図1、図2において、半田層や錫層は図示していない。   It should be noted that a solder layer or tin is previously applied to the surface of the lead frame 100 exposed from the heat-dissipating resin 102 (the LED 108 or a mounting surface of a control IC or chip component (not shown)). By forming the layer, it is possible to improve the component mountability with respect to the lead frame 100 having a larger heat capacity than the glass epoxy substrate or the like and difficult to solder, and to prevent rust as wiring. It is desirable that no solder layer be formed on the surface (or embedded surface) of the lead frame 100 that is in contact with the heat radiation resin 102. When a solder layer or a tin layer is formed on the surface in contact with the heat radiation resin 102, the layer becomes soft during soldering, which may affect the adhesion (or bond strength) between the lead frame 100 and the heat radiation resin 102. 1 and 2, the solder layer and the tin layer are not shown.

金属製の金属基板112は、熱伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらを主成分とする合金からできている。特に、本実施の形態では、金属基板112の厚みを1mmとしているが、その厚みはバックライト等の製品仕様に応じて設計できる(なお金属基板112の厚みが0.1mm以下の場合、放熱性や強度的に不足する可能性がある。また金属基板112の厚みが5mmを超えると、重量面で不利になる)。金属基板112としては、単なる板状のものだけでなく、より放熱性を高めるため、絶縁体を積層した面とは反対側の面に、表面積を広げるためにフィン部(あるいは凹凸部)を形成しても良い。線膨張係数は8×10-6/℃〜20×10-6/℃としており、金属基板112やLED108の線膨張係数に近づけることにより、基板全体の反りや歪みを小さくすることができる。またこれらの部品を表面実装する際、互いに熱膨張係数をマッチングさせることは信頼性の面からも重要となる。また金属基板112を他の放熱板(図示していない)にネジ止めすることもできる。 The metallic metal substrate 112 is made of aluminum, copper, or an alloy containing them as a main component, which has good thermal conductivity. In particular, in this embodiment, the thickness of the metal substrate 112 is set to 1 mm, but the thickness can be designed according to product specifications such as a backlight (in the case where the thickness of the metal substrate 112 is 0.1 mm or less, heat dissipation properties). (If the thickness of the metal substrate 112 exceeds 5 mm, it is disadvantageous in terms of weight). As the metal substrate 112, not only a plate-shaped substrate but also fin portions (or uneven portions) are formed on the surface opposite to the surface on which the insulator is laminated in order to increase the surface area in order to further improve heat dissipation. You may do it. The linear expansion coefficient is 8 × 10 −6 / ° C. to 20 × 10 −6 / ° C. By bringing the linear expansion coefficient close to the linear expansion coefficients of the metal substrate 112 and the LED 108, warpage and distortion of the entire substrate can be reduced. In addition, when these components are surface-mounted, matching the thermal expansion coefficients with each other is important from the viewpoint of reliability. The metal substrate 112 can also be screwed to another heat radiating plate (not shown).

またリードフレーム100としては、銅を主体とした金属板を、少なくともその一部が事前に3次元の凹部形状に打抜かれたものを用いることができる。そしてリードフレーム100の厚みは0.1mm以上1.0mm以下(更に望ましくは0.3mm以上0.5mm以下)が望ましい。これはLEDを制御するには大電流(例えば30A〜150Aの大電流が必要であり、これは駆動するLEDの数によって更に増加する場合もある)が必要であるためである。またリードフレーム100の肉厚が0.10mm未満の場合、薄肉のため、プレス加工が難しくなる場合がある。またリードフレーム100の肉厚が1mmを超えると、プレス加工による打ち抜き時にパターンの微細化を低下させる影響を与える場合がある。ここでリードフレーム100の代わりに銅箔(例えば、厚み10ミクロン以上50ミクロン以下)を使うことは望ましくない。本発明の場合、LEDで発生する熱は、リードフレーム100を通じて広く拡散されることになる。そのためリードフレーム100の厚みが厚いほど、リードフレーム100を介しての熱拡散が有効となる。一方、リードフレーム100の代わりに銅箔を用いた場合、銅箔の厚みがリードフレーム100に比べて薄い分、熱拡散しにくくなる可能性がある。   As the lead frame 100, a metal plate mainly made of copper, at least a part of which is punched into a three-dimensional recess shape in advance, can be used. The thickness of the lead frame 100 is desirably 0.1 mm or greater and 1.0 mm or less (more desirably 0.3 mm or greater and 0.5 mm or less). This is because a large current (for example, a large current of 30 A to 150 A is required to control the LED, which may be further increased depending on the number of LEDs to be driven). Further, when the lead frame 100 is less than 0.10 mm thick, it may be difficult to press due to thinness. Further, if the thickness of the lead frame 100 exceeds 1 mm, there may be an effect of reducing the miniaturization of the pattern at the time of punching by press working. Here, it is not desirable to use a copper foil (for example, a thickness of 10 to 50 microns) instead of the lead frame 100. In the case of the present invention, the heat generated in the LED is widely diffused through the lead frame 100. Therefore, the greater the thickness of the lead frame 100, the more effective the thermal diffusion through the lead frame 100. On the other hand, when a copper foil is used in place of the lead frame 100, the thickness of the copper foil is thinner than that of the lead frame 100, which may make it difficult to thermally diffuse.

次に従来例1として、リードフレーム100の代わりに、銅箔(厚み10ミクロン)を用いて、図1に示したようなサンプル試作を試みた。まず市販の銅箔を所定形状にパターニングした後、プレス加工で凹部を加工し、図4のようにして凹部が形成された金属基板112と、汚れ防止フィルム122の間にセットしようとした。しかしプレス加工した銅箔は柔らかくて、取り扱いが難しかった。   Next, as a conventional example 1, a sample prototype as shown in FIG. 1 was tried using a copper foil (thickness 10 μm) instead of the lead frame 100. First, after patterning a commercially available copper foil into a predetermined shape, a recess was processed by pressing, and an attempt was made to set between the metal substrate 112 on which the recess was formed as shown in FIG. However, the pressed copper foil was soft and difficult to handle.

次に従来例2として、銅箔を転写体の上で所定パターンに形成し、凹部116を有しない板状の未硬化の放熱樹脂102の表面に貼り付けた。そして次にこの板状の未硬化の放熱樹脂102を、図4〜図5に示すように、凹部を有する金属基板と汚れ防止フィルム122の間にセットし、表面に突起を有する金型120aを用いてプレスしながら加熱し、樹脂硬化させた。こうして放熱樹脂102に凹部116を形成すると共に、表面に貼り付けた薄い銅箔を放熱樹脂102の凹部形状に形成した。そしてこの銅箔の上に、LED108を実装し、放熱試験を行った。しかし銅箔はリードフレームに比べて厚みが薄いため、銅箔を介しての熱拡散の割合は少なかった。   Next, as Conventional Example 2, a copper foil was formed in a predetermined pattern on the transfer body, and was affixed to the surface of a plate-like uncured heat-dissipating resin 102 that does not have the recess 116. Then, as shown in FIGS. 4 to 5, the plate-shaped uncured heat radiation resin 102 is set between a metal substrate having a recess and the antifouling film 122, and a mold 120 a having a protrusion on the surface is set. It was heated while being pressed to cure the resin. In this way, the recess 116 was formed in the heat-dissipating resin 102, and a thin copper foil attached to the surface was formed into the recess shape of the heat-dissipating resin 102. And LED108 was mounted on this copper foil, and the heat dissipation test was done. However, since the copper foil is thinner than the lead frame, the rate of thermal diffusion through the copper foil was small.

次に従来例3として、配線形状に打抜いただけのリードフレーム100(凹状の3次元加工は行っていない、板厚は0.3mmの打抜いただけの曲がっていない状態)を用意し、これを従来例2で用意した板状の未硬化の放熱樹脂102の上に貼り付け、図4〜図5に示すようにして、リードフレーム100の凹部116の加工と、放熱樹脂102の凹部116の加工を同時に行ってみた。しかしリードフレーム100は硬いため、求めるような凹部116の形状に加工することはできなかった。そして、放熱樹脂102と同時に凹部116を形成するには、銅箔のようにより薄い(より柔らかい)ものを使う必要があることが判った。   Next, as a third conventional example, a lead frame 100 that has only been punched into a wiring shape (a concave three-dimensional process has not been performed and a thickness of only 0.3 mm that has not been bent) has been prepared. Affixed on the plate-shaped uncured heat radiation resin 102 prepared in Conventional Example 2, and processing the recess 116 of the lead frame 100 and the recess 116 of the heat dissipation resin 102 as shown in FIGS. I went at the same time. However, since the lead frame 100 is hard, the lead frame 100 could not be processed into the desired shape of the recess 116. It has been found that to form the recess 116 simultaneously with the heat radiation resin 102, it is necessary to use a thinner (softer) copper foil.

一方、実施の形態3の場合、図4、図5に示すように金型120a,120bで事前に成型しておいた、寸法形状の安定したリードフレーム100を用いることになる。そのためリードフレーム100として、厚みの厚い(例えば0.1mm〜1.0mmと、銅箔に比べて厚肉で曲がりにくいもの)ものを用いた場合でも、安価に高精度なものを所定の形状(打抜きや3次元的な加工)に加工できる。そしてこうして予め加工成型したリードフレーム100と放熱樹脂102とが一体化することになるため、リードフレーム100の形状精度が高い状態に保てる。   On the other hand, in the case of Embodiment 3, as shown in FIGS. 4 and 5, a lead frame 100 having a stable dimensional shape, which has been molded in advance with the molds 120a and 120b, is used. Therefore, even when a lead frame 100 having a large thickness (for example, 0.1 mm to 1.0 mm, thick and difficult to bend compared to a copper foil) is used, a high-precision one with a predetermined shape ( Punching and three-dimensional processing). Since the lead frame 100 processed and molded in advance and the heat-dissipating resin 102 are integrated, the shape accuracy of the lead frame 100 can be kept high.

更に放熱樹脂102とリードフレーム100とを加熱プレスする時の温度プロファイルを工夫することで、放熱樹脂を軟化(粘度低下)でき、リードフレーム100に対する影響も抑制できる。このようにリードフレーム100単独の成型工程と、予め成型されたリードフレーム100と放熱樹脂102との成型工程を、別々に分けることによって厚みが厚くて放熱性の優れたリードフレームを使った発光モジュールを安価に形成できる。   Furthermore, by devising the temperature profile when heat-pressing the heat-dissipating resin 102 and the lead frame 100, the heat-dissipating resin can be softened (decrease in viscosity) and the influence on the lead frame 100 can be suppressed. In this way, a light emitting module using a lead frame having a large thickness and excellent heat dissipation by dividing the molding process of the lead frame 100 alone and the molding process of the lead frame 100 and the heat radiation resin 102 which are molded in advance separately. Can be formed at low cost.

更に実施の形態3の場合、LED108が実装された凹部116の壁面にリードフレーム100が形成され、この凹部116の壁面に形成されるリードフレーム100は、LED108から放射された光を反射させると共に、LED108から発生した熱はこの凹部 116側面を介して、発光モジュール全体に拡散させることができ、発光効率を高めると共に、その放熱効果を更に高められる。このように金属よりなる反射面を、リードフレーム100が兼用することで、リードフレーム100と放熱樹脂102との接続面積を広げられるため、リードフレーム100から放熱樹脂102へ熱を伝えやすくできる。更に図1等で示したように、金属基板112を予め凹部116に形成しておくことで、リードフレーム100と金属基板112の間に形成された放熱樹脂102の厚みを薄く均一にできるため、リードフレーム100→放熱樹脂102→金属基板112への熱伝導性を高められることは言うまでもない。   Further, in the case of the third embodiment, the lead frame 100 is formed on the wall surface of the recess 116 in which the LED 108 is mounted, and the lead frame 100 formed on the wall surface of the recess 116 reflects the light emitted from the LED 108. The heat generated from the LED 108 can be diffused throughout the light emitting module via the side surface of the recess 116, and the light emission efficiency is enhanced and the heat dissipation effect is further enhanced. Since the lead frame 100 also serves as a reflective surface made of metal in this manner, the connection area between the lead frame 100 and the heat-dissipating resin 102 can be expanded, so that heat can be easily transferred from the lead frame 100 to the heat-dissipating resin 102. Further, as shown in FIG. 1 and the like, by forming the metal substrate 112 in the recess 116 in advance, the thickness of the heat radiation resin 102 formed between the lead frame 100 and the metal substrate 112 can be made thin and uniform. Needless to say, the thermal conductivity from the lead frame 100 to the heat radiation resin 102 to the metal substrate 112 can be improved.

こうして片面に凹部116(第1の凹部に相当)が形成された金属基板112と、凹部116(第2の凹部に相当)が形成された銅を主体とするリードフレーム100と、前記金属基板112と前記リードフレーム100の間に形成された、無機フィラーと熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物とを含んだ絶縁層である放熱樹脂102とを備え、前記第1の凹部の中に前記絶縁層である放熱樹脂102を介して前記第2の凹部が形成され、前記リードフレーム100の外周部の一部が前記絶縁体である放熱樹脂102で囲まれ、前記第2の凹部内の前記リードフレーム100上に1個以上のLED108等の発光素子が実装されていることを特徴とする発光モジュールを提供する。   In this way, the metal substrate 112 having the recess 116 (corresponding to the first recess) formed on one side, the lead frame 100 mainly composed of copper having the recess 116 (corresponding to the second recess), and the metal substrate 112. And a heat radiation resin 102, which is an insulating layer containing an inorganic filler and a resin composition containing a thermosetting resin, formed between the lead frame 100 and the insulating layer in the first recess. The second recess is formed through the heat dissipation resin 102, and a part of the outer peripheral portion of the lead frame 100 is surrounded by the heat dissipation resin 102 as the insulator, and the lead frame in the second recess Provided is a light emitting module in which one or more light emitting elements such as LEDs are mounted on 100.

以上のように、本発明にかかる発光モジュールを用いることで、多数個の発光素子を、安定して点灯できるため、液晶TV等のバックライト以外に、プロジェクター、投光機器等の小型化、高演色化の用途などにも適用できる。   As described above, since the light emitting module according to the present invention can be used to stably light a large number of light emitting elements, in addition to backlights such as liquid crystal TVs, projectors, projectors, etc. It can also be applied to color rendering applications.

本実施の形態1における発光モジュールを示す上面図及び断面図A top view and a cross-sectional view illustrating the light-emitting module according to Embodiment 1. 本実施の形態1における放熱メカニズムについて説明する上面図及び断面図A top view and a cross-sectional view illustrating a heat dissipation mechanism in the first embodiment. 本実施の形態2における発光モジュールの断面図Sectional drawing of the light emitting module in this Embodiment 2. 本実施の形態3における発光モジュールの製造方法の一例を示す断面図Sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the light emitting module in this Embodiment 3. 本実施の形態3における発光モジュールの製造方法の一例を示す断面図Sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the light emitting module in this Embodiment 3. 発光モジュールの一例を示す断面図Sectional drawing which shows an example of light emitting module

符号の説明Explanation of symbols

100 リードフレーム
102 放熱樹脂
104 矢印
106 点線
108 LED
110 透明樹脂
112 金属基板
114 ヒートシンク
116 凹部
118 レンズ
120 金型
122 汚れ防止フィルム
124 バリ
100 Lead frame 102 Heat radiation resin 104 Arrow 106 Dotted line 108 LED
110 Transparent resin 112 Metal substrate 114 Heat sink 116 Concave portion 118 Lens 120 Mold 122 Antifouling film 124 Burr

Claims (14)

片面に第1の凹部が形成された金属基板と、
第2の凹部が形成された銅を主体とするリードフレームと、
前記金属基板と前記リードフレームの間に形成された、無機フィラーと熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物とを含んだ絶縁層とを備え、
前記金属基板の前記第1の凹部の中に前記絶縁層を介して前記リードフレームの前記第2の凹部が形成され、
前記リードフレームの外周部の一部が前記絶縁体で囲まれ、
前記第2の凹部内の前記リードフレーム上に1個以上の発光素子が実装されていることを特徴とする発光モジュール。
A metal substrate having a first recess formed on one side;
A lead frame mainly composed of copper in which a second recess is formed;
An insulating layer formed between the metal substrate and the lead frame and including an inorganic filler and a resin composition including a thermosetting resin;
The second recess of the lead frame is formed in the first recess of the metal substrate via the insulating layer;
A portion of the outer periphery of the lead frame is surrounded by the insulator;
One or more light emitting elements are mounted on the lead frame in the second recess.
金属基板とリードフレームの間に形成された絶縁層の厚みは50ミクロン以上500ミクロン以下である請求項1記載の発光モジュール。 2. The light emitting module according to claim 1, wherein the thickness of the insulating layer formed between the metal substrate and the lead frame is not less than 50 microns and not more than 500 microns. リードフレームと金属基板の間の絶縁層の厚みのバラツキは200ミクロン以下である請求項1記載の発光モジュール。 2. The light emitting module according to claim 1, wherein the variation in thickness of the insulating layer between the lead frame and the metal substrate is 200 microns or less. リードフレームは、凹部を形成する側面の50%以上95%以下の面積を占める請求項1に記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 1, wherein the lead frame occupies an area of 50% or more and 95% or less of the side surface forming the recess. 発光素子は、少なくとも1種類以上の異なる発光色を有する発光素子である請求項1記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 1, wherein the light emitting element is a light emitting element having at least one kind of different emission colors. 発光素子の内、1個以上は発光色が白色である請求項1記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 1, wherein at least one of the light emitting elements has a white emission color. リードフレームの厚みは0.10mm以上1.0mm以下で、少なくとも絶縁層と一体化される前にその一部が凹部を有する形状に加工されたものである請求項1記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 1, wherein the lead frame has a thickness of 0.10 mm to 1.0 mm, and at least a part of the lead frame is processed into a shape having a recess before being integrated with the insulating layer. 絶縁層の熱伝導率が1W/(m・K)以上10W/(m・K)以下である請求項1に記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 1, wherein the thermal conductivity of the insulating layer is 1 W / (m · K) or more and 10 W / (m · K) or less. 無機フィラーは、Al23、MgO、BN、SiC、Si34、及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種を含む請求項1に記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 1, wherein the inorganic filler includes at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , MgO, BN, SiC, Si 3 N 4 , and AlN. 熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びイソシアネート樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含む請求項1に記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 1, wherein the thermosetting resin includes at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, a phenol resin, and an isocyanate resin. 絶縁層は白色である請求項1に記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 1, wherein the insulating layer is white. 凹部は底部に向かって狭くなる形状である請求項1に記載の発光モジュール。 The light emitting module according to claim 1, wherein the recess has a shape that narrows toward the bottom. Snは0.1wt%以上0.15wt%以下、Zrは0.015wt%以上0.15wt%以下、Niは0.1wt%以上5wt%以下、Siは0.01wt%以上2wt%以下、Znは0.1wt%以上5wt%以下、Pは0.005wt%以上0.1wt%以下、Feは0.1wt%以上5wt%以下である群から選択される少なくとも一種を含む銅を主体とするリードフレームを用いる請求項1記載の発光モジュール。 Sn is 0.1 wt% to 0.15 wt%, Zr is 0.015 wt% to 0.15 wt%, Ni is 0.1 wt% to 5 wt%, Si is 0.01 wt% to 2 wt%, Zn is Lead frame mainly composed of copper containing at least one selected from the group of 0.1 wt% to 5 wt%, P is 0.005 wt% to 0.1 wt%, and Fe is 0.1 wt% to 5 wt%. The light emitting module according to claim 1, wherein: 第1の凹部が形成された金属基板と、第2の凹部が形成されたリードフレームとの間に、未硬化状態の絶縁樹脂をセットし、
前記リードフレームと金型の間に汚れ防止フィルムを挿入した状態で、プレス加工して前記絶縁樹脂を前記金属基板と前記リードフレームの間で硬化し、前記第1の凹部の中に第2の凹部を嵌合させながら、前記リードフレームの外周部の一部を絶縁樹脂で囲んだ成型体を形成し、
前記成型体の第2の凹部に発光素子を実装し樹脂で封止する発光モジュールの製造方法。
An uncured insulating resin is set between the metal substrate on which the first recess is formed and the lead frame on which the second recess is formed,
With the antifouling film inserted between the lead frame and the mold, the insulating resin is cured between the metal substrate and the lead frame by pressing, and the second recess is inserted into the first recess. Forming a molded body in which a part of the outer periphery of the lead frame is surrounded by an insulating resin while fitting the recess,
A method for manufacturing a light emitting module, wherein a light emitting element is mounted in a second recess of the molded body and sealed with a resin.
JP2005367702A 2005-12-21 2005-12-21 Light-emitting module, and method of manufacturing same Pending JP2007173441A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005367702A JP2007173441A (en) 2005-12-21 2005-12-21 Light-emitting module, and method of manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005367702A JP2007173441A (en) 2005-12-21 2005-12-21 Light-emitting module, and method of manufacturing same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007173441A true JP2007173441A (en) 2007-07-05

Family

ID=38299607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005367702A Pending JP2007173441A (en) 2005-12-21 2005-12-21 Light-emitting module, and method of manufacturing same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007173441A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013080606A (en) * 2011-10-03 2013-05-02 Ibiden Co Ltd Electronic component mounting substrate, light-emitting device, and lighting apparatus
JP2013080807A (en) * 2011-10-03 2013-05-02 Ibiden Co Ltd Electronic component mounting substrate, light-emitting device, and illumination device
CN104073677B (en) * 2013-03-27 2017-01-11 株式会社神户制钢所 Copper alloy strip for lead frame of led

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013080606A (en) * 2011-10-03 2013-05-02 Ibiden Co Ltd Electronic component mounting substrate, light-emitting device, and lighting apparatus
JP2013080807A (en) * 2011-10-03 2013-05-02 Ibiden Co Ltd Electronic component mounting substrate, light-emitting device, and illumination device
CN104073677B (en) * 2013-03-27 2017-01-11 株式会社神户制钢所 Copper alloy strip for lead frame of led

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007214247A (en) Light-emitting module and method of manufacturing same
JP2007180320A (en) Light-emitting module and manufacturing method thereof
JP2007184542A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof, and backlight apparatus using same
JP2007194521A (en) Light-emitting module, and manufacturing method thereof
JP2007214249A (en) Light-emitting module and method of manufacturing same
JP5103841B2 (en) Light emitting module and backlight device using the same
JP2007184237A (en) Light-emitting module, its manufacturing method, and backlight device using light-emitting module
JP2007194519A (en) Light-emitting module, and manufacturing method thereof
JP2007214475A (en) Heat disspating light-emitting component and method of manufacturing same
JP2007294506A (en) Heat dissipation substrate and its manufacturing method, and light emitting module using same, and indicating device
JP2007158209A (en) Light-emitting module and manufacturing method therefor
JP2007214472A (en) Edgelight and method of manufacturing same
JP2007184541A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof and backlight apparatus using same
JP2007214471A (en) Light-emitting module and method of manufacturing same
JP2007214474A (en) Edgelight and method of manufacturing same
JP2007184534A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof, and backlight apparatus using same
JP2007180319A (en) Light-emitting module and manufacturing method thereof
JP2007184540A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof, and backlight apparatus using same
JP2007180318A (en) Light-emitting module and manufacturing method thereof
JP2007214248A (en) Light-emitting module and method of manufacturing same
JP2007158211A (en) Light-emitting module and manufacturing method therefor
JP2007173441A (en) Light-emitting module, and method of manufacturing same
JP2007194610A (en) Light emitting module, method for fabrication thereof, and indicator using the light emitting module
JP2007173791A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof, and backlight device using the module
JP2007194518A (en) Light-emitting module, and manufacturing method thereof