JP5103841B2 - Light emitting module and backlight device using the same - Google Patents

Light emitting module and backlight device using the same Download PDF

Info

Publication number
JP5103841B2
JP5103841B2 JP2006256655A JP2006256655A JP5103841B2 JP 5103841 B2 JP5103841 B2 JP 5103841B2 JP 2006256655 A JP2006256655 A JP 2006256655A JP 2006256655 A JP2006256655 A JP 2006256655A JP 5103841 B2 JP5103841 B2 JP 5103841B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode portion
conductive resin
anode
lead frame
ground
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006256655A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007165843A (en
Inventor
悦夫 辻本
哲也 津村
公治 西山
涼 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2006256655A priority Critical patent/JP5103841B2/en
Publication of JP2007165843A publication Critical patent/JP2007165843A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5103841B2 publication Critical patent/JP5103841B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Description

本発明は、薄型ディスプレイ等のバックライトあるいは薄型の照明装置等に使われる発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置に関するものである。   The present invention relates to a light emitting module used for a backlight such as a thin display or a thin illuminating device, a manufacturing method thereof, and a backlight device using the same.

従来、液晶テレビ等のバックライトには、冷陰極管等が使われてきたが、近年、LEDやレーザ等の半導体発光素子を、放熱性の基板の上に実装することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, a cold cathode tube or the like has been used for a backlight of a liquid crystal television or the like, but in recent years, it has been proposed to mount a semiconductor light emitting element such as an LED or a laser on a heat dissipating substrate ( For example, see Patent Document 1).

図12は、従来の発光モジュールの一例を示す断面図である。図12において、セラミック基板101に形成された凹部には、発光素子102が実装されている。また複数のセラミック基板101は放熱板103の上に固定されており、この複数のセラミック基板101は窓部104を有する接続基板105で電気的に接続されている。そして発光素子102から放射される光の方向106は、接続基板105に形成された窓部104を介して、外部に放出される。なお図12において、凹部を有するセラミック基板101や接続基板105における配線および発光素子102などの配線パターン等は図示していない。   FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of a conventional light emitting module. In FIG. 12, a light emitting element 102 is mounted in a recess formed in the ceramic substrate 101. Further, the plurality of ceramic substrates 101 are fixed on the heat radiating plate 103, and the plurality of ceramic substrates 101 are electrically connected by a connection substrate 105 having a window portion 104. The direction 106 of light emitted from the light emitting element 102 is emitted to the outside through the window 104 formed in the connection substrate 105. In FIG. 12, the wiring in the ceramic substrate 101 having the recesses and the connection substrate 105, the wiring pattern of the light emitting element 102, and the like are not shown.

そして、このような構成を有する発光モジュールは液晶ディスプレイ等のバックライトとして使われている。   The light emitting module having such a configuration is used as a backlight for a liquid crystal display or the like.

一方、液晶TVを始めとする表示装置側からは、色表示範囲の拡大、発光素子の更なる高輝度化(大きな電流を流す必要がある)、更には多数個の発光素子を高密度で実装できる放熱性の優れた発光モジュールが要求されている。
特開2004−311791号公報
On the other hand, from the display device side such as a liquid crystal TV, the color display range is expanded, the luminance of the light emitting element is further increased (a large current needs to flow), and a large number of light emitting elements are mounted at high density. There is a demand for a light emitting module with excellent heat dissipation.
JP 2004-311791 A

しかしながら、前記従来の構成では、発光素子を実装する基板がセラミック基板101であることから、加工性や放熱性で不利になるという課題を有しており、本発明では、前記従来の課題を解決するものであり、セラミック基板101の代わりに、リードフレームと熱伝導性に優れた絶縁体と金属基板を一体化構成することによって、放熱性と高輝度化に優れた発光モジュールとそれを用いたバックライト装置を提供することを目的とする。 However, in the conventional configuration, since the substrate on which the light emitting element is mounted is the ceramic substrate 101, there is a problem that it is disadvantageous in workability and heat dissipation, and the present invention solves the conventional problem. Instead of the ceramic substrate 101, a light emitting module excellent in heat dissipation and high brightness by using a lead frame, an insulator excellent in thermal conductivity, and a metal substrate are integrated and used. An object is to provide a backlight device .

前記課題を解決するために、本発明はLED等の発光素子を、放熱性と光の反射性に優れたリードフレームの上に直接実装し、リードフレームによる放熱を行うとともに、更にリードフレームの熱を均一の厚みとして設けた熱伝導性樹脂を介して、裏面に形成した放熱用の金属基板に伝えるものである。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention directly mounts a light emitting element such as an LED on a lead frame that is excellent in heat dissipation and light reflectivity, performs heat dissipation by the lead frame, and further heats the lead frame. Is transmitted to a heat-dissipating metal substrate formed on the back surface through a thermally conductive resin provided with a uniform thickness .

本発明の発光モジュールとそれを用いたバックライト装置によって得られた発光モジュールは、LEDや半導体レーザ等の発光素子によって発光された光を同一方向に集光するとともに、発生した熱をリードフレームと金属基板によって効率的に拡散放熱することができることから、放熱性と発光効率に優れた小型の発光モジュールを実現することができ、さらにこの発光モジュールを用いてバックライト装置を構成することによって放熱性に優れた薄型の液晶用などのバックライト装置を実現することができる。 The light emitting module obtained by the light emitting module of the present invention and the backlight device using the same condenses light emitted by light emitting elements such as LEDs and semiconductor lasers in the same direction, and generates generated heat as a lead frame. Since it is possible to efficiently diffuse and dissipate heat with a metal substrate, it is possible to realize a small light emitting module with excellent heat dissipation and light emission efficiency, and furthermore, by constructing a backlight device using this light emitting module, heat dissipation is achieved . It is possible to realize a backlight device that is excellent in thin liquid crystal display.

(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1における発光モジュールとその製造方法について、図面を用いて説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the light emitting module and the manufacturing method thereof according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明の実施の形態1における発光モジュールの構成を示す斜視図であり、図2は図1の発光モジュールにおける断面図を示す。   FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a light emitting module according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG.

図1および図2において、1は銅などの熱伝導性に優れたリードフレームであり、このリードフレーム1は陽極電極としてのリードフレーム1aと接地電極としてのリードフレーム1bとによって構成している。そして、2は熱伝導性に優れた絶縁性を有する無機フィラとエポキシ樹脂などの複合材料からなる熱伝導性樹脂であり、また熱伝導性樹脂2には熱伝導性に優れた金属基板3を接合している。   1 and 2, reference numeral 1 denotes a lead frame having excellent thermal conductivity, such as copper. The lead frame 1 is composed of a lead frame 1a as an anode electrode and a lead frame 1b as a ground electrode. Reference numeral 2 denotes a heat conductive resin made of a composite material such as an inorganic filler having an excellent heat conductivity and an epoxy resin, and the heat conductive resin 2 includes a metal substrate 3 having a high heat conductivity. It is joined.

そして、8は赤、青、緑あるいは白色などを発光するLEDであり、4はこのLED8から放射された光の進行方向を示す矢印である。そして、前記LED8は半導体レーザ等の発光素子の一例として示したものであり、他の発光素子へ応用できることは言うまでもない。   Reference numeral 8 denotes an LED that emits red, blue, green, white, or the like. Reference numeral 4 denotes an arrow that indicates a traveling direction of light emitted from the LED 8. The LED 8 is shown as an example of a light emitting element such as a semiconductor laser, and it goes without saying that it can be applied to other light emitting elements.

さらにまた、リードフレーム1aはどのような特性を有するLED8にも対応できるように個別に分割している。このようにリードフレーム1aを個別の分割した電極構造として構成することによってLED8への印加電圧あるいは印加電流を個別に制御できることから輝度を個別に制御することができる。   Furthermore, the lead frame 1a is individually divided so as to be compatible with the LED 8 having any characteristics. In this way, by configuring the lead frame 1a as an individual divided electrode structure, the applied voltage or applied current to the LED 8 can be individually controlled, so that the luminance can be individually controlled.

なお、あらかじめLED8を選別して用いるときには、リードフレーム1aはリードフレーム1bと同じように共通電極の構造とすることも可能であり、これによって、より放熱性に優れた発光モジュールを実現することができる。   When the LEDs 8 are selected and used in advance, the lead frame 1a can have a common electrode structure in the same manner as the lead frame 1b, thereby realizing a light emitting module with better heat dissipation. it can.

また、リードフレーム1a、1bは熱伝導性樹脂2に埋設されるようにして金属基板3の上に絶縁された状態で固定しており、このリードフレーム1a、1bは熱伝導性樹脂2を介して互いに絶縁されている。そして、この熱伝導性樹脂2は絶縁性と熱伝導性に優れていることから発熱の集中が起こることなくLED8から放出された熱を拡散放熱させることができる。   The lead frames 1a and 1b are fixed in an insulated state on the metal substrate 3 so as to be embedded in the heat conductive resin 2, and the lead frames 1a and 1b are interposed via the heat conductive resin 2. Are insulated from each other. And since this heat conductive resin 2 is excellent in insulation and heat conductivity, the heat | fever discharge | released from LED8 can be diffused and radiated without concentration of heat_generation | fever occurring.

次に、リードフレーム1a、1bをテーパ状に折り曲げることで、図2に示すような凹部6を形成しており、前記LED8はリードフレーム1aとリードフレーム1bの上に跨るようにバンプ電極9を介して実装されている。   Next, by bending the lead frames 1a and 1b into a tapered shape, a recess 6 as shown in FIG. 2 is formed, and the LED 8 has bump electrodes 9 extending over the lead frame 1a and the lead frame 1b. Has been implemented through.

なお、LED8の実装形態としてはワイヤボンディング接続、あるいは導電性樹脂や半田などによりフリップチップ実装などを用いることができるが、適宜選択して実装することが可能である。   The LED 8 can be mounted by wire bonding or flip chip mounting using conductive resin, solder, or the like, but can be appropriately selected and mounted.

このように、リードフレーム1a、1bをテーパ状に折り曲げ加工するとともに、できる限り広い面積となるように設計することによってLED8から発光された光をリードフレーム1a、1bを介して、所定の方向へ光を反射することによって発光効率に優れた発光モジュールを実現することができる。   In this way, the lead frames 1a and 1b are bent into a taper shape, and the light emitted from the LED 8 is directed in a predetermined direction through the lead frames 1a and 1b by designing the lead frames 1a and 1b to have as large an area as possible. By reflecting light, a light emitting module having excellent light emission efficiency can be realized.

また、このとき、リードフレーム1a、1bには放熱性に優れた銅を主成分とする金属材料によって形成することによってリードフレーム1は電極と、光の反射板および放熱板としての作用効果を発揮することができ、発光効率に優れた小型の発光モジュールを実現することができる。   At this time, the lead frames 1a and 1b are formed of a metal material mainly composed of copper, which has excellent heat dissipation, so that the lead frame 1 exhibits an effect as an electrode, a light reflector and a heat sink. Thus, a small light emitting module with excellent luminous efficiency can be realized.

さらに、このリードフレーム1a、1bの表出面には光の反射率の高い銀またはニッケルを主成分とする金属材料の薄膜材料を用いて形成した反射膜5を形成することによって、更に発光効率の高い発光モジュールを実現することができる。   Further, by forming a reflective film 5 made of a metal thin film material mainly composed of silver or nickel having a high light reflectivity on the exposed surface of the lead frames 1a and 1b, the luminous efficiency is further improved. A high light emitting module can be realized.

また、このリードフレーム1a、1bはテーパ状あるいは曲面状(あるいは放物線状等)に加工することで、LED8の側面から放射された光を、矢印4の方向に反射制御することができ、発光モジュールの輝度をより高められるという効果を発揮することができる。   Further, the lead frames 1a and 1b are processed into a taper shape or a curved surface shape (or a parabolic shape or the like), so that the light emitted from the side surface of the LED 8 can be controlled to be reflected in the direction of the arrow 4, and the light emitting module The effect that the brightness of the can be further increased can be exhibited.

なお、LED8の上には通常、発光素子の信頼性確保とレンズとしての機能を発揮することができる透明樹脂などを用いて密封封止している(図示していない)。この透明樹脂には、PMMA(ポリメタクリレート)やシリコン系の透明な樹脂を用いることが望ましい。また、エポキシ系樹脂を用いた場合には、エポキシ系樹脂の黄化防止のUV抑制剤を添加することが必要である。これはLED8に白色、または青色発光素子を用いたときに、光によってエポキシ樹脂が黄化する場合があるためである。   The LED 8 is usually hermetically sealed using a transparent resin or the like that can ensure the reliability of the light emitting element and function as a lens (not shown). As this transparent resin, it is desirable to use PMMA (polymethacrylate) or silicon-based transparent resin. Moreover, when an epoxy resin is used, it is necessary to add a UV inhibitor for preventing yellowing of the epoxy resin. This is because the epoxy resin may be yellowed by light when a white or blue light emitting element is used for the LED 8.

また、透明樹脂にシリコン系樹脂等の柔らかい(少なくともエポキシ系より硬度が低い)透明樹脂を用いることが望ましい。この柔軟性を有する樹脂材料を用いることで、LED8が発熱、熱膨張した際のLED8とリードフレーム1a、1bの接続部への応力集中を防止することができる。   Moreover, it is desirable to use a soft transparent resin (having a hardness lower than that of an epoxy resin) such as a silicon resin as the transparent resin. By using this flexible resin material, it is possible to prevent stress concentration on the connection portion between the LED 8 and the lead frames 1a and 1b when the LED 8 generates heat and thermally expands.

同様に、LED8とリードフレーム1a、1bをワイヤボンディング接続したときに金製ワイヤーへの応力集中を低減することもできる(金製ワイヤーが切断されにくくなる)。   Similarly, stress concentration on the gold wire can be reduced when the LED 8 and the lead frames 1a and 1b are connected by wire bonding (the gold wire is difficult to be cut).

また、リードフレーム1a、1bと金属基板3の間を絶縁する熱伝導性樹脂2の厚みをできる限り薄く(更には均一に)することによって、リードフレーム1a、1bから金属基板3への熱拡散性を高められる。これによって、LED8で発生した熱はリードフレーム1a、1bに伝熱する。そして、このリードフレーム1a、1bの接続先を工夫することによってリードフレーム1a、1bを通じてかなりの熱を外部へ放熱することが可能となるとともに、さらにこのリードフレーム1a、1bの裏面には熱伝導性樹脂2を介して金属基板3へ拡散できる構造としていることから、金属基板3を通じてもLED8で発生した熱を効率よく拡散できる発光モジュールを実現することができる。このように電極と放熱板として用いるリードフレーム1a、1bと放熱のための金属基板3との複合化によって放熱をしていることから複数の高輝度特性を有するLED8を高密度に実装することができる発光モジュールを実現することができる。   Further, by reducing the thickness of the heat conductive resin 2 that insulates between the lead frames 1a and 1b and the metal substrate 3 as much as possible (and more uniformly), heat diffusion from the lead frames 1a and 1b to the metal substrate 3 is achieved. Increases sex. Thereby, the heat generated in the LED 8 is transferred to the lead frames 1a and 1b. By devising the connection destination of the lead frames 1a and 1b, it is possible to dissipate a considerable amount of heat to the outside through the lead frames 1a and 1b. Since it has a structure that can diffuse to the metal substrate 3 through the conductive resin 2, it is possible to realize a light emitting module that can efficiently diffuse the heat generated by the LED 8 through the metal substrate 3. Since heat is radiated by combining the lead frames 1a and 1b used as the electrodes and the heat radiating plate with the metal substrate 3 for heat radiating as described above, it is possible to mount a plurality of LEDs 8 having high luminance characteristics at high density. The light emitting module which can be realized is realizable.

また、熱伝導性樹脂2として、熱硬化型樹脂の中に熱伝導性に優れた無機フィラを分散させたものを用いることが望ましく、特にこの無機フィラは略球形状で、その直径は0.1〜100μmが適当である(なお0.1μm未満の場合、樹脂への分散が難しくなる場合がある)。そのため熱伝導性樹脂2における無機フィラの充填量は、熱伝導率を上げるために70〜95重量%と高濃度に充填している。本実施の形態1では、無機フィラは平均粒径3μmと平均粒径12μmの2種類のAl23を混合したものを用いている。この大小2種類の平均粒径のAl23を用いることによって、大きな平均粒径のAl23の隙間に小さな平均粒径のAl23を充填できるので、Al23を90重量%近くまで高濃度に充填できるものである。この結果、熱伝導性樹脂2の熱伝導率は5W/(m・K)程度となる。なお無機フィラとしてはAl23の代わりに、熱伝導性に優れたMgO、BN、SiC、Si34及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種以上を含んでもよい。 Moreover, it is desirable to use the thermally conductive resin 2 in which an inorganic filler having excellent thermal conductivity is dispersed in a thermosetting resin. In particular, the inorganic filler is substantially spherical and has a diameter of 0. 0. 1 to 100 μm is appropriate (if it is less than 0.1 μm, it may be difficult to disperse in the resin). Therefore, the filling amount of the inorganic filler in the heat conductive resin 2 is filled at a high concentration of 70 to 95% by weight in order to increase the heat conductivity. In Embodiment 1, the inorganic filler is a mixture of two types of Al 2 O 3 having an average particle diameter of 3 μm and an average particle diameter of 12 μm. By using the Al 2 O 3 having an average particle size of the large and small two types, it is possible to fill the Al 2 O 3 of smaller average particle size in the gap Al 2 O 3 of greater average particle size, the Al 2 O 3 90 It can be filled at a high concentration up to nearly% by weight. As a result, the heat conductivity of the heat conductive resin 2 is about 5 W / (m · K). The inorganic filler may contain at least one selected from the group consisting of MgO, BN, SiC, Si 3 N 4 and AlN excellent in thermal conductivity instead of Al 2 O 3 .

なお、熱硬化性の絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂の内、少なくとも1種類の樹脂を含んでいる。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れている。熱伝導性樹脂2の厚みは薄くすればリードフレーム1a、1bに装着したLED8から生じる熱を金属基板3に伝えやすくなるが、絶縁耐圧が問題となり、厚すぎると熱抵抗が大きくなることから、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮して最適な厚さである50〜500μmに設定すれば良く、より好ましくは50〜200μmである。   In addition, as a thermosetting insulating resin, at least 1 type of resin is included among an epoxy resin, a phenol resin, and cyanate resin. These resins are excellent in heat resistance and electrical insulation. If the thickness of the heat conductive resin 2 is reduced, the heat generated from the LEDs 8 attached to the lead frames 1a and 1b can be easily transferred to the metal substrate 3. However, the insulation resistance becomes a problem, and if it is too thick, the thermal resistance increases. What is necessary is just to set to 50-500 micrometers which is the optimal thickness in consideration of a withstand voltage and a thermal resistance, More preferably, it is 50-200 micrometers.

以上のように、LED8から発生した熱はまずリードフレーム1a、1bから横方向に熱伝導することによって放熱する。これは、リードフレーム1a、1bに銅を主体とした熱伝導率の高いものを用いていることによる。次に、リードフレーム1a、1bに伝わった熱は、熱伝導性樹脂2を介して、金属基板3に熱伝導する。さらに、金属基板3の熱は接続構造を工夫することによって放熱性に優れた構成とすることができる。例えば、ヒートシンク等に伝えることによって効率よく放熱することができる。   As described above, the heat generated from the LED 8 is first dissipated by conducting heat laterally from the lead frames 1a and 1b. This is because the lead frames 1a and 1b are made of copper having high thermal conductivity. Next, the heat transferred to the lead frames 1 a and 1 b is conducted to the metal substrate 3 through the heat conductive resin 2. Furthermore, the heat of the metal substrate 3 can be configured to have excellent heat dissipation by devising the connection structure. For example, heat can be efficiently radiated by transmitting to a heat sink or the like.

また、金属基板3としては、熱伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらを主成分とする合金が望ましい。   The metal substrate 3 is preferably aluminum, copper, or an alloy containing them as a main component, which has good thermal conductivity.

このようにして、LED8に発生した熱を効率よく高速で拡散することができることから、LED8の効率的な冷却が可能となり、凹部6の中に複数個のLED8(更には高放熱が必要なLEDであっても)を高密度に実装することができる。   In this way, the heat generated in the LED 8 can be diffused efficiently and at high speed, so that the LED 8 can be efficiently cooled, and a plurality of LEDs 8 (and LEDs that require high heat dissipation) are contained in the recess 6. Even) can be mounted with high density.

この結果、小型、低背型の高密度実装可能な発光モジュールを実現することができる。このような発光モジュールは液晶表示装置などのバックライトなどに特に効果的である。   As a result, a small, low-profile light emitting module capable of high-density mounting can be realized. Such a light emitting module is particularly effective for a backlight of a liquid crystal display device or the like.

そして、複数個のLED8は複数のリードフレーム1aから電流を供給され、リードフレーム1bの接地電極へ接続されることによって、所定の色に発光することになる。   The plurality of LEDs 8 are supplied with current from the plurality of lead frames 1a and are connected to the ground electrode of the lead frame 1b, thereby emitting light in a predetermined color.

また、異なった波長の光を発光するLED8を実装することによって所望の広い波長帯域をカバーする発光モジュールを実現することができる。   Further, by mounting the LED 8 that emits light of different wavelengths, a light emitting module that covers a desired wide wavelength band can be realized.

また、一方のリードフレーム1bを共通の一つの接地電極とし、他方のリードフレーム1aを一つの共通の陽極電極とし、接地電極と陽極電極の上に発光素子を並列接続して実装することによって、特にリードフレーム1aにおいて、より熱伝導性に優れた高密度実装された発光モジュールを実現することができる。そしてこのとき、同じ波長の光を発光する素子を選別して実装することが好ましい。これは、LED8へ印加する電圧あるいは電流を一定とすることが必要であるからである。   Also, by mounting one lead frame 1b as one common ground electrode, the other lead frame 1a as one common anode electrode, and mounting the light emitting element in parallel on the ground electrode and the anode electrode, In particular, in the lead frame 1a, it is possible to realize a light-emitting module mounted with high density and excellent in thermal conductivity. At this time, it is preferable to select and mount elements that emit light of the same wavelength. This is because the voltage or current applied to the LED 8 needs to be constant.

なお、熱伝導性樹脂2の色は反射率の観点から白色(もしくは白色に近い無色)が望ましい。これは表出した熱伝導性樹脂2からも反射させることによる効果を発揮することができるためである。これに対して、黒色や赤、青等に着色されている場合、LED8から放射された光を反射させにくくなり、発光効率に影響を与える。   The color of the heat conductive resin 2 is preferably white (or colorless near white) from the viewpoint of reflectance. This is because the effect of reflecting from the exposed heat conductive resin 2 can be exhibited. On the other hand, when it is colored black, red, blue or the like, it becomes difficult to reflect the light emitted from the LED 8 and affects the light emission efficiency.

このように、複数のLED8を凹部6の底面にてリードフレーム1a、1bの上に跨るように実装し、更にリードフレーム1a、1bをテーパ状に折り曲げて反射板としても用いていることから、側壁面にも広く形成していることが好ましく、側壁面の50〜95%とすることが望ましい。これによって、効率よく発光した光を前面の所定の方向に集光して反射させることができる。   In this way, a plurality of LEDs 8 are mounted on the bottom surface of the recess 6 so as to straddle the lead frames 1a and 1b, and the lead frames 1a and 1b are further bent into a tapered shape and used as a reflector. It is preferable to form it widely also on the side wall surface, and it is desirable to make it 50 to 95% of the side wall surface. Thereby, the light emitted efficiently can be collected and reflected in a predetermined direction on the front surface.

なお、リードフレーム1a、1bの側壁に占める面積割合が50%を下回る場合、リードフレーム1a、1bの表面による光反射量を減らす可能性がある。また95%を超えた場合(側面における熱伝導性樹脂2の露出割合が5%未満のとき)、リードフレーム1aどうし、あるいはリードフレーム1aとリードフレーム1bとが短絡する可能性が高くなる。   In addition, when the area ratio which occupies for the side wall of lead frame 1a, 1b is less than 50%, there exists a possibility of reducing the light reflection amount by the surface of lead frame 1a, 1b. If it exceeds 95% (when the exposed ratio of the heat conductive resin 2 on the side surface is less than 5%), the possibility of short-circuiting between the lead frames 1a or between the lead frames 1a and 1b increases.

なお、凹部6の形状は、底部に向かって狭くなる形状が望ましく、発光素子の特性、あるいはバックライトに要求される発光特性から適宜、所定の形状に折り曲げ加工することによって任意の形状の反射板として設計することができ、光の反射効率を自由に設計することができる発光モジュールを実現することができる。   Note that the shape of the recess 6 is desirably a shape that narrows toward the bottom, and a reflector having any shape can be obtained by appropriately bending it into a predetermined shape from the characteristics of the light-emitting element or the light-emitting characteristics required for the backlight. It is possible to realize a light emitting module that can be freely designed with light reflection efficiency.

次に、本実施の形態1における発光モジュールの製造方法について、図面を用いて説明する。図3、図4は本実施の形態1における発光モジュールの製造方法を説明するための平面図であり、図5〜図10は断面図である。   Next, the manufacturing method of the light emitting module in this Embodiment 1 is demonstrated using drawing. 3 and 4 are plan views for explaining the method for manufacturing the light emitting module according to Embodiment 1, and FIGS. 5 to 10 are cross-sectional views.

図3は本実施の形態1におけるリードフレーム1の平面図であり、フープ状に連続したものとして用いている。そして、リードフレーム1aは個片化できるようにしてあり、リードフレーム1bは連続した金属片となるようにしている。   FIG. 3 is a plan view of the lead frame 1 according to the first embodiment, which is used as a continuous hoop. The lead frame 1a can be singulated, and the lead frame 1b is a continuous metal piece.

そして、フープ状のリードフレーム1を機械的に搬送するために、ガイド穴20を設けている。このようなリードフレーム1aとリードフレーム1bに跨ってLED8を実装する位置を点線で示している。   A guide hole 20 is provided to mechanically transport the hoop-shaped lead frame 1. A position where the LED 8 is mounted across the lead frame 1a and the lead frame 1b is indicated by a dotted line.

また、点線30はリードフレーム1を折り曲げる位置を示している。   A dotted line 30 indicates a position where the lead frame 1 is bent.

そして、図4は熱伝導性樹脂2と金属基板3を接合してLED8を実装した後、打ち抜いて、所定の発光モジュールとしてリードフレーム1の余分な部分を切断した状態を示している。   4 shows a state in which the thermally conductive resin 2 and the metal substrate 3 are joined and the LED 8 is mounted, and then punched out to cut off an excess portion of the lead frame 1 as a predetermined light emitting module.

次に、具体的に発光モジュールを作製するための製造方法について詳細に説明する。   Next, a manufacturing method for manufacturing a light emitting module will be described in detail.

図5〜図10は本実施の形態1における発光モジュールの製造方法の一例を示す断面図である。図5において、10は下金型、11は金型、12は上金型であり、13はリードフレーム1の汚れを防止するための汚れ防止フィルムである。   5-10 is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the light emitting module in this Embodiment 1. FIG. In FIG. 5, 10 is a lower mold, 11 is a mold, 12 is an upper mold, and 13 is a dirt prevention film for preventing the lead frame 1 from being stained.

まず、所定の銅を主体とするシート状の金属板などを、プレス等を用いて所定形状に打ち抜き、これをリードフレーム1とする。   First, a sheet-like metal plate mainly made of predetermined copper is punched into a predetermined shape using a press or the like, and this is used as the lead frame 1.

このとき、反射膜5を形成するときには、シート状の金属板の少なくとも一面に銀などを主成分とする薄膜を形成しておくと良い。   At this time, when the reflective film 5 is formed, a thin film mainly composed of silver or the like is preferably formed on at least one surface of the sheet-like metal plate.

次に、下金型10と金型11をセットして、この中に所定の寸法に加工された厚み1mmの主成分が銅からなる金属基板3を載置し、この金属基板3の上に未硬化状態のシート状の熱伝導性樹脂2をセットする。このとき、熱伝導性樹脂2はあらかじめ熱伝導性に優れた無機フィラとエポキシ樹脂などとを所定の配合比に混練して均一化した後、所定の厚みになるように圧延ロールなどによってシート状に加工しておくことによって作製することができる。そして、この圧延したシートの厚みはリードフレーム1の隙間に充填する熱伝導性樹脂2の量を加味した厚みとすることが好ましい。   Next, a lower mold 10 and a mold 11 are set, and a metal substrate 3 made of copper having a main component of 1 mm in thickness processed into a predetermined dimension is placed on the metal mold 3. An uncured sheet-like heat conductive resin 2 is set. At this time, the heat conductive resin 2 is preliminarily kneaded with an inorganic filler having excellent heat conductivity and an epoxy resin, etc. at a predetermined blending ratio, and then made into a sheet shape by a rolling roll or the like so as to have a predetermined thickness. It can be produced by processing into The thickness of the rolled sheet is preferably a thickness that takes into account the amount of the heat conductive resin 2 that fills the gaps in the lead frame 1.

そして、この熱伝導性樹脂2の上にリードフレーム1を位置決めした状態で、金型11と上金型12の間にセットする。   Then, the lead frame 1 is positioned on the heat conductive resin 2 and set between the mold 11 and the upper mold 12.

次に、図6に示すようにプレス装置(図6には図示していない)によって、上金型12を下降させながら、リードフレーム1が熱伝導性樹脂2に押し付けられ、そして所定温度、所定時間で加熱硬化する。このとき、リードフレーム1と、金型12の間に汚れ防止フィルム13をセットしておくことによって、リードフレーム1を熱伝導性樹脂2の中に押し付けた際、リードフレーム1の表面の汚れを防止するとともに、空気残りの発生を防止できる。   Next, as shown in FIG. 6, the lead frame 1 is pressed against the heat conductive resin 2 while lowering the upper mold 12 by a pressing device (not shown in FIG. 6), and the temperature is set at a predetermined temperature. Heat cure in time. At this time, by setting the antifouling film 13 between the lead frame 1 and the mold 12, when the lead frame 1 is pressed into the heat conductive resin 2, the surface of the lead frame 1 is stained. In addition to preventing, the generation of air residue can be prevented.

その後、図7に示すように成型金型から取り出すことによって、リードフレーム1と金属基板3が熱伝導性樹脂2にて一体化された成型品を作製する。   After that, as shown in FIG. 7, the lead frame 1 and the metal substrate 3 are integrated with the heat conductive resin 2 by taking out from the molding die, thereby producing a molded product.

次に、図8に示すようにリードフレーム1aとリードフレーム1bに跨るようにLED8をはんだバンプ接続技術などによってバンプ実装によって実装する。   Next, as shown in FIG. 8, the LED 8 is mounted by bump mounting using a solder bump connection technique or the like so as to straddle the lead frame 1a and the lead frame 1b.

その後、図9に示すように今までは連続フープとして扱うために必要なリードフレーム1の余分な部分を金型などを用いて切断することによって所定の発光モジュールの外形形状に切断加工する。   Thereafter, as shown in FIG. 9, an extra portion of the lead frame 1 that has been required to be handled as a continuous hoop is cut by using a die or the like to be cut into an outer shape of a predetermined light emitting module.

そして、図10に示すように所定の折り曲げ位置14に沿ってテーパ状に金型などを用いて折り曲げ加工する。この折り曲げ加工の形状は発光モジュールの形状寸法によって所定の形状に加工することが容易にできる。   Then, as shown in FIG. 10, it is bent along a predetermined bending position 14 using a die or the like in a tapered shape. The bent shape can be easily processed into a predetermined shape according to the shape and size of the light emitting module.

そして、その後必要に応じて透明樹脂などでカバーすることで、図1に示したような発光モジュールが完成する。   Then, the light emitting module as shown in FIG. 1 is completed by covering with a transparent resin or the like as necessary.

次に、絶縁材料について更に詳しく説明する。熱伝導性樹脂2はフィラと絶縁樹脂から構成されている。なおこのフィラとしては無機フィラが望ましい。そして、無機フィラとしては熱伝導性に優れたAl23、MgO、BN、SiC、Si34およびAlNからなる群から選択される少なくとも一種を含む一つを含むことが望ましい。なお、MgOを用いると線熱膨張係数を大きくすることができ、BNを用いると線熱膨張係数を小さくすることができる。このようにして、熱伝導性樹脂2としての熱伝導率が1〜10W/(m・K)のものを形成することができる。なお、熱伝導率が1W/(m・K)未満の場合、発光モジュールの放熱性に影響を与える。また熱伝導率を10W/(m・K)より高くしようとした場合、無機フィラ量を増やす必要があり、プレス時の加工性に影響を与える場合がある。 Next, the insulating material will be described in more detail. The thermally conductive resin 2 is composed of a filler and an insulating resin. As this filler, an inorganic filler is desirable. The inorganic filler preferably includes at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , MgO, BN, SiC, Si 3 N 4 and AlN having excellent thermal conductivity. If MgO is used, the linear thermal expansion coefficient can be increased, and if BN is used, the linear thermal expansion coefficient can be decreased. In this way, the thermal conductive resin 2 having a thermal conductivity of 1 to 10 W / (m · K) can be formed. In addition, when heat conductivity is less than 1 W / (m * K), it influences the heat dissipation of a light emitting module. Further, if the thermal conductivity is to be made higher than 10 W / (m · K), it is necessary to increase the amount of inorganic filler, which may affect the workability during pressing.

また絶縁樹脂としては、熱硬化性樹脂を用いることが望ましく、具体的にはエポキシ樹脂、フェノール樹脂およびイソシアネート樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含むことが望ましい。   The insulating resin is preferably a thermosetting resin, and specifically includes at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, a phenol resin, and an isocyanate resin.

また、無機フィラは略球形状で、その直径は0.1〜100μmであるが、粒径が小さいほど樹脂への充填率を向上できる。そのため熱伝導性樹脂2における無機フィラの充填量(もしくは含有率)は、熱伝導率を上げるために70〜95重量%と高濃度に充填している。特に、本実施の形態1では、無機フィラは平均粒径3μmと平均粒径12μmの2種類のAl23を混合したものを用いている。この大小2種類の粒径のAl23を用いることによって、大きな粒径のAl23の隙間に小さな粒径のAl23を充填できるので、Al23を90重量%近くまで高濃度に充填できるものである。この結果、熱伝導性樹脂2の熱伝導率は5W/m・K程度となる。そして、無機フィラの充填率が70重量%未満の場合には熱伝導性が低下する場合が有る。また、無機フィラの充填率(もしくは含有率)が95重量%を超えると、未硬化前の熱伝導性樹脂2の成型性に影響を与える場合があり、熱伝導性樹脂2とリードフレーム1の接着性(例えば埋め込んだ場合や、その表面に貼り付けた場合)に影響を与える可能性がある。 In addition, the inorganic filler has a substantially spherical shape and a diameter of 0.1 to 100 μm. The smaller the particle size, the better the filling rate into the resin. Therefore, the filling amount (or content) of the inorganic filler in the heat conductive resin 2 is filled at a high concentration of 70 to 95% by weight in order to increase the heat conductivity. In particular, in the first embodiment, the inorganic filler is a mixture of two types of Al 2 O 3 having an average particle diameter of 3 μm and an average particle diameter of 12 μm. By using the Al 2 O 3 of the large and small two types of particle size, it is possible to fill the Al 2 O 3 of small particle size in the gap Al 2 O 3 of large particle size, Al 2 O 3 90 wt% near Can be filled to a high concentration. As a result, the heat conductivity of the heat conductive resin 2 is about 5 W / m · K. And when the filling rate of an inorganic filler is less than 70 weight%, thermal conductivity may fall. Further, when the filling rate (or content rate) of the inorganic filler exceeds 95% by weight, the moldability of the uncured thermal conductive resin 2 may be affected. There is a possibility of affecting the adhesiveness (for example, when embedded or attached to the surface).

なお、熱硬化性の絶縁樹脂はエポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂の内、少なくとも1種類の樹脂を含んでいる。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れている。   The thermosetting insulating resin contains at least one kind of resin among epoxy resin, phenol resin and cyanate resin. These resins are excellent in heat resistance and electrical insulation.

次に、リードフレーム1の材質について説明する。リードフレーム1の材質としては、銅を主体とするものが望ましい。これは銅が熱伝導性と導電率が共に優れているためである。またリードフレーム1としての加工性や、熱伝導性を高めるためには、リードフレーム1となる銅素材に銅以外の少なくともSn、Zr、Ni、Si、Zn、P、Fe等の群から選択される少なくとも1種類以上の材料とからなる合金を使うことが望ましい。例えばCuを主体として、ここにSnを加えた、合金(以下、Cu+Snとする)を用いることができる。Cu+Sn合金の場合、例えばSnを0.1〜0.15wt%の範囲で添加することによって、その軟化温度を400℃まで高められる。比較のために、Sn無しの銅(Cu>99.96wt%)を用いて、リードフレーム1を作製したところ、導電率は低いが、でき上がった放熱基板において特に凹部6の形成部等に歪みが発生する場合があった。そこで詳細に調べたところ、その材料の軟化点が200℃程度と低いために、後工程において部品を実装した時(半田付け時)、LED8の実装後の信頼性(発熱/冷却の繰り返し等)に変形する可能性があることが予想された。   Next, the material of the lead frame 1 will be described. The lead frame 1 is preferably made of copper as a main material. This is because copper has both excellent thermal conductivity and electrical conductivity. In order to improve the workability and thermal conductivity as the lead frame 1, the copper material used as the lead frame 1 is selected from a group of at least Sn, Zr, Ni, Si, Zn, P, Fe, etc. other than copper. It is desirable to use an alloy made of at least one kind of material. For example, an alloy (hereinafter referred to as Cu + Sn) in which Cu is a main component and Sn is added thereto can be used. In the case of a Cu + Sn alloy, for example, by adding Sn in the range of 0.1 to 0.15 wt%, the softening temperature can be increased to 400 ° C. For comparison, the lead frame 1 was manufactured using Sn-free copper (Cu> 99.96 wt%). The electrical conductivity was low, but in the completed heat dissipation substrate, particularly, the formation portion of the recess 6 was distorted. It may occur. As a result of detailed examination, the softening point of the material is as low as about 200 ° C., so the reliability after mounting the LED 8 (repetition of heat generation / cooling, etc.) when mounting the component in the subsequent process (soldering) It was predicted that there was a possibility of deformation.

一方、Cu+Sn>99.96wt%の銅素材を用いた場合、実装された各種部品や複数個のLED8による発熱の影響は特に受けなかった。そして、半田付け性やダイボンド性にも影響が無かった。そこで、この材料の軟化点を測定したところ、400℃であることが判った。   On the other hand, when a copper material with Cu + Sn> 99.96 wt% was used, it was not particularly affected by the heat generated by various mounted components and the plurality of LEDs 8. And there was no effect on solderability and die bondability. Therefore, when the softening point of this material was measured, it was found to be 400 ° C.

このように、銅を主体として、いくつかの元素を添加することが望ましい。銅に添加する元素として、Zrの場合、0.015〜0.15wt%の範囲が望ましい。添加量が0.015wt%より低くなると、軟化温度の上昇効果が少ない場合がある。また添加量が0.15wt%より多いと電気特性に影響を与える場合がある。また、Ni、Si、Zn、P等を添加することでも軟化温度を高くできる。この場合、Niは0.1〜5wt%、Siは0.01〜2wt%、Znは0.1〜5wt%、Pは0.005〜0.1wt%の組成範囲が望ましい。   Thus, it is desirable to add some elements mainly composed of copper. In the case of Zr as an element to be added to copper, a range of 0.015 to 0.15 wt% is desirable. When the addition amount is lower than 0.015 wt%, the effect of increasing the softening temperature may be small. On the other hand, if the amount added is more than 0.15 wt%, the electrical characteristics may be affected. Also, the softening temperature can be increased by adding Ni, Si, Zn, P or the like. In this case, a composition range of 0.1 to 5 wt% for Ni, 0.01 to 2 wt% for Si, 0.1 to 5 wt% for Zn, and 0.005 to 0.1 wt% for P is desirable.

そして、これらの元素は、この範囲で単独、もしくは複数を添加することで、銅素材の軟化点を高くできる。なお、添加量がここで記載した割合より少ない場合、軟化点の上昇効果が低い場合がある。また、ここで記載した割合より多い場合、導電率への影響の可能性がある。同様に、Feの場合0.1〜5wt%、Crの場合0.05〜1wt%が望ましい。これらの元素の場合も前述の元素と同様である。   And these elements can make the softening point of a copper raw material high by adding single or multiple in this range. In addition, when there are few addition amounts than the ratio described here, the raise effect of a softening point may be low. Moreover, when there are more than the ratio described here, there exists a possibility of affecting the electrical conductivity. Similarly, in the case of Fe, 0.1 to 5 wt% and in the case of Cr 0.05 to 1 wt% are desirable. These elements are the same as those described above.

なお、銅合金の引張り強度は600N/mm2以下が望ましい。この引張り強度が600N/mm2を超える材料の場合、リードフレーム1の加工性に影響を与える場合がある。また、こうした引張り強度の高い材料は、その電気抵抗が増加する傾向にあるため、本実施の形態1で用いるようなLED8等の大電流用途には向かない場合がある。一方、引張り強度が600N/mm2以下(更にリードフレーム1に微細で複雑な加工が必要な場合、望ましくは400N/mm2以下)とすることでスプリングバック(必要な角度まで曲げても圧力を除くと反力によってはねかえってしまうこと)の発生を抑えられ、凹部6の形成精度を高められる。このようにリードフレーム材料としては、Cuを主体としたリードフレーム1とすることで高い導電率を実現し、柔らかくすることで加工性を高め、更に熱伝導性にも優れていることから放熱効果も高められる。 The tensile strength of the copper alloy is desirably 600 N / mm 2 or less. In the case of a material having a tensile strength exceeding 600 N / mm 2 , the workability of the lead frame 1 may be affected. In addition, such a material having high tensile strength tends to increase its electrical resistance, and thus may not be suitable for high current applications such as the LED 8 used in the first embodiment. On the other hand, by setting the tensile strength to 600 N / mm 2 or less (and if the lead frame 1 requires fine and complicated processing, desirably 400 N / mm 2 or less), the springback (pressure even if bent to the required angle) If it is removed, the occurrence of rebound by reaction force) can be suppressed, and the formation accuracy of the recess 6 can be improved. Thus, as the lead frame material, high conductivity is realized by making the lead frame 1 mainly composed of Cu, softening improves workability, and furthermore, it has excellent thermal conductivity, so that the heat dissipation effect. Can also be enhanced.

なお、リードフレーム1の熱伝導性樹脂2から露出している面(LED8あるいは、図示していないが制御用ICやチップ部品等の実装面)に、予め半田付け性を改善するように半田層や錫層を形成しておくことで、ガラエポ基板等に比べて熱容量の大きく半田付けしにくいリードフレーム1へ対する部品の実装性を高められると共に、配線の錆び防止が可能となる。なおリードフレーム1の熱伝導性樹脂2に接する面(もしくは埋め込まれた面)には、半田層は形成しないことが望ましい。このように熱伝導性樹脂2と接する面に半田層や錫層を形成すると、半田付け時にこの層が柔らかくなり、リードフレーム1と熱伝導性樹脂2の接着性(もしくは結合強度)に影響を与える場合がある。なお図1、図2において、半田層や錫層は図示していない。   A solder layer is previously applied to the surface of the lead frame 1 exposed from the heat conductive resin 2 (the LED 8 or a mounting surface of a control IC or a chip component (not shown)). By forming the tin layer, it is possible to improve the mountability of components on the lead frame 1 having a large heat capacity and difficult to solder compared to a glass epoxy substrate or the like, and to prevent rusting of the wiring. It is desirable that no solder layer be formed on the surface (or embedded surface) of the lead frame 1 that is in contact with the heat conductive resin 2. When a solder layer or a tin layer is formed on the surface in contact with the heat conductive resin 2 in this way, this layer becomes soft during soldering, which affects the adhesion (or bond strength) between the lead frame 1 and the heat conductive resin 2. May give. 1 and 2, the solder layer and the tin layer are not shown.

また、金属基板3としては、熱伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらを主成分とする合金からできている。特に、本実施の形態1では、金属基板3の厚みを1mmとしているが、その厚みは発光モジュール等の仕様に応じて設計できる(金属基板3の厚みが0.1mmを下回るときには放熱性や強度的に不足する可能性がある。また金属基板3の厚みが5mmを超えると、厚み寸法、重量面で不利になる)。金属基板3としては、単なる板状のものだけでなく、より放熱性を高めるため、熱伝導性樹脂2と接合した反対側の面に、表面積を広げるためにフィン部(あるいは凹凸部)を形成することによってさらに、その放熱性を高めることができる。   The metal substrate 3 is made of aluminum, copper, or an alloy containing them as a main component, which has good thermal conductivity. In particular, in the first embodiment, the thickness of the metal substrate 3 is 1 mm, but the thickness can be designed according to the specifications of the light emitting module or the like (when the thickness of the metal substrate 3 is less than 0.1 mm, heat dissipation and strength In addition, if the thickness of the metal substrate 3 exceeds 5 mm, it is disadvantageous in terms of thickness and weight). The metal substrate 3 is not only a plate-shaped substrate, but also fins (or uneven portions) are formed on the opposite surface joined to the heat conductive resin 2 to increase the surface area in order to further improve heat dissipation. In addition, the heat dissipation can be enhanced.

全膨張係数は8〜20×10-6/℃とすることによって、金属基板3やLED8の線膨張係数に近づけることにより、発光モジュールの基板全体の反りや歪みを小さくできる。また実装部品を表面実装する際、互いに熱膨張係数をマッチングさせることは信頼性的にも重要となる。 By setting the total expansion coefficient to 8 to 20 × 10 −6 / ° C., it is possible to reduce the warpage and distortion of the entire substrate of the light emitting module by bringing it closer to the linear expansion coefficient of the metal substrate 3 and the LED 8. In addition, when the mounting components are surface-mounted, it is important in terms of reliability to match the thermal expansion coefficients with each other.

また、金属基板3を他の放熱板(図示していない)にネジ止めできるように加工することも可能である。   It is also possible to process the metal substrate 3 so that it can be screwed to another heat radiating plate (not shown).

また、リードフレーム1としては、少なくともその一部が事前に3次元の凹部形状に打ち抜かれたものを用いることができる。そしてリードフレーム1の厚みは0.1〜1.0mm(より望ましくは0.4〜0.8mm)が望ましい。これはLEDを制御するには大電流(例えば30〜150Aであり、これは駆動するLEDの数によって更に増加する場合もある)が必要であるためである。またリードフレーム1の肉厚が1mmを超えると、プレスによる打ち抜き時にパターンの微細化が影響を受ける場合がある。   Further, as the lead frame 1, at least a part of which is punched into a three-dimensional recess shape in advance can be used. The thickness of the lead frame 1 is desirably 0.1 to 1.0 mm (more desirably 0.4 to 0.8 mm). This is because a large current (for example, 30 to 150 A, which may be further increased depending on the number of LEDs to be driven) is required to control the LEDs. Further, if the thickness of the lead frame 1 exceeds 1 mm, pattern miniaturization may be affected when punching with a press.

(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2におけるバックライト装置について、図面を用いて説明する。
(Embodiment 2)
Hereinafter, a backlight device according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図11は本発明の実施の形態2におけるバックライト装置の一例であるエッジライトの構成を示す断面図である。   FIG. 11 is a cross-sectional view showing a configuration of an edge light which is an example of a backlight device according to Embodiment 2 of the present invention.

図11に示すエッジライトは、LEDなどの発光素子を用いて薄型を要求されている液晶用バックライトに用いるエッジライトを示したものであり、その構成はLED8、リードフレーム41a、41b、熱伝導性樹脂2および金属基板3よりなる発光モジュールと、導光板42と、拡散板43と、反射板44およびフレーム45からなり、光源である発光モジュールから発光された光は導光板42の側面より入射させ、導光板42を用いて面状に光を導光させた後、拡散板43を用いて均一性と指向性を制御しながら光を拡散させることによって薄型の面状光源を実現するものである。そして、反射板44は導光板42より照射された光を反射させることによって、効率良く一方向に発光する面状の光源とするために用いるものである。この拡散板43と反射板44は必要に応じて用いることができるものである。また、エッジライトの光学特性を向上させるためにプリズムなどを用いることも可能である。なお、ここでは実装した複数のLED素子の輝度、色域、色調などの光学制御を行う光学制御回路部などの説明は省略する。   The edge light shown in FIG. 11 shows an edge light used for a backlight for a liquid crystal that is required to be thin using a light emitting element such as an LED, and its configuration is LED 8, lead frames 41a and 41b, heat conduction. The light emitted from the light emitting module, which is a light source, is incident from the side surface of the light guide plate 42. The light emitting module is composed of the light emitting resin 2 and the metal substrate 3, the light guide plate 42, the diffusion plate 43, the reflection plate 44, and the frame 45. After the light is guided in a planar shape using the light guide plate 42, the thin planar light source is realized by diffusing the light while controlling the uniformity and directivity using the diffusion plate 43. is there. The reflecting plate 44 is used to make a planar light source that efficiently emits light in one direction by reflecting light emitted from the light guide plate 42. The diffusion plate 43 and the reflection plate 44 can be used as necessary. In addition, a prism or the like can be used to improve the optical characteristics of the edge light. In addition, description of the optical control circuit part etc. which perform optical control of the brightness | luminance of the some LED element mounted, color gamut, color tone, etc. here is abbreviate | omitted.

そして、本実施の形態2におけるエッジライトの構成において、最も特徴的なところはリードフレーム41を折り曲げて反射板として用いていることと、例えばリードフレーム41aの一端がエッジライトのフレーム45に接合していることである。このとき、リードフレーム41a、41bの表面に反射膜5を形成しておくことによって、効率よくLED8の光を導光板42へ集中させることができる。そして、通常、エッジライトは一本の細い棒状の基板の上に発光素子を列状に配置することが行われており、薄型のエッジライトを実現するためには、この発光素子からの放熱を効率良く放熱することができるエッジライトの構成が非常に重要であり、図11に示したような構成とすることによってLED8から発生した熱はリードフレーム41a、41bへ放熱され、その後リードフレーム41aからフレーム45へと放熱される。そして、リードフレーム41aの一端とフレーム45との接合は棒状の長さ方向に沿って接合長さをより大きくとることが放熱性の観点から効果的である。   In the configuration of the edge light in the second embodiment, the most characteristic point is that the lead frame 41 is bent and used as a reflector, and one end of the lead frame 41a is joined to the edge light frame 45, for example. It is that. At this time, the light of the LED 8 can be efficiently concentrated on the light guide plate 42 by forming the reflection film 5 on the surfaces of the lead frames 41a and 41b. In general, the edge light is arranged by arranging light emitting elements in a row on a thin rod-shaped substrate. In order to realize a thin edge light, heat from the light emitting elements is dissipated. The configuration of the edge light that can efficiently dissipate heat is very important. With the configuration as shown in FIG. 11, the heat generated from the LED 8 is dissipated to the lead frames 41a and 41b, and then from the lead frame 41a. Heat is radiated to the frame 45. And, it is effective from the viewpoint of heat dissipation that the one end of the lead frame 41a and the frame 45 are joined with a larger joining length along the rod-like length direction.

このとき、フレーム45は金属などの熱伝導性に優れた材料を用いることによって補強用の構造材であるとともに表示デバイスの裏側などに大きな放熱面積を有するような構造とすることが可能であり、効率良くLED8からの発熱を放熱することができる。また、フレーム45に放熱フィンあるいはヒートパイプなどの更なる冷却構造を追加することも可能である。   At this time, the frame 45 is a structural material for reinforcement by using a material having excellent thermal conductivity such as a metal and can have a structure having a large heat radiation area on the back side of the display device, etc. Heat generated from the LED 8 can be efficiently radiated. It is also possible to add a further cooling structure such as a heat radiating fin or a heat pipe to the frame 45.

そして、フレーム45へ接合するリードフレーム41aは接地端子側とすることが好ましい。   The lead frame 41a joined to the frame 45 is preferably on the ground terminal side.

また、フレーム45を接地電極とすることができないときには熱伝導性樹脂2を介して絶縁処理した後、リードフレーム41aをフレーム45へ接合することが好ましい。これによって直接接合するより放熱性は若干低下するが、電気的に絶縁処理した状態で放熱することができるエッジライトを実現することができる。この場合、もう一方のリードフレーム41bもフレーム45へ熱伝導性樹脂2を介して絶縁処理した後、接合することが好ましい。これによって、放熱性をより高めることができる。   In addition, when the frame 45 cannot be used as a ground electrode, it is preferable that the lead frame 41 a is joined to the frame 45 after insulating treatment via the heat conductive resin 2. This makes it possible to realize an edge light capable of radiating heat in a state of being electrically insulated, although the heat radiation performance is slightly lower than that of direct bonding. In this case, it is preferable that the other lead frame 41 b is also bonded to the frame 45 after being insulated through the heat conductive resin 2. Thereby, heat dissipation can be improved more.

さらにまた、金属基板3をフレーム45へ接合することによって、放熱性をより高めることができる。これによって、リードフレーム41a、41bより熱伝導性樹脂2へと放熱され、その後金属基板3へと放熱される。そして、この金属基板3は熱伝導性に優れた金属材料を用いていることから、効率良くフレーム45へと放熱することができる。また、金属基板3をフレーム45の一部に熱伝導性樹脂2を介して接合することによって放熱性を高めることと、非常に薄いエッジライトを実現したとき、たわみなどの応力に対して有効なエッジライトを実現することができる。   Furthermore, by joining the metal substrate 3 to the frame 45, heat dissipation can be further improved. As a result, heat is radiated from the lead frames 41 a and 41 b to the heat conductive resin 2 and then to the metal substrate 3. And since this metal substrate 3 uses the metal material excellent in heat conductivity, it can thermally radiate to the flame | frame 45 efficiently. Further, it is effective against stress such as deflection when the metal substrate 3 is joined to a part of the frame 45 through the heat conductive resin 2 to improve heat dissipation and a very thin edge light is realized. Edge light can be realized.

以上のように、本発明にかかる発光モジュールとそれを用いたバックライト装置を用いることで、高放熱性と小型化が実現できることから、多数個の発光素子を高密度に実装することによって高輝度の小型低背型の液晶TV等のバックライト、プロジェクタ、などの光源として有用である。 As described above, by using the light emitting module according to the present invention and the backlight device using the light emitting module , high heat dissipation and downsizing can be realized. Therefore, high luminance can be achieved by mounting a large number of light emitting elements at high density. It is useful as a light source for backlights, projectors, etc. of small and low-profile liquid crystal TVs.

本発明の実施の形態1における発光モジュールの斜視図The perspective view of the light emitting module in Embodiment 1 of this invention 同断面図Cross section 同製造方法を説明するためのリードフレームの平面図A plan view of a lead frame for explaining the manufacturing method 同平面図Plan view 同製造方法を説明するための断面図Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method 同断面図Cross section 同断面図Cross section 同断面図Cross section 同断面図Cross section 同断面図Cross section 本発明の実施の形態2におけるバックライト装置の断面図Sectional drawing of the backlight apparatus in Embodiment 2 of this invention 従来の発光モジュールの断面図Sectional view of a conventional light emitting module

符号の説明Explanation of symbols

1、1a、1b リードフレーム
2 熱伝導性樹脂
3 金属基板
4 光の方向を示す矢印
5 反射膜
6 凹部
8 LED
9 バンプ
10 下金型
11 金型
12 上金型
13 汚れ防止フィルム
14 折り曲げ位置
20 ガイド穴
30 折り曲げ位置
41a、41b リードフレーム
42 導光板
43 拡散板
44 反射板
45 フレーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a, 1b Lead frame 2 Thermal conductive resin 3 Metal substrate 4 Arrow which shows the direction of light 5 Reflective film 6 Recessed part 8 LED
9 Bump 10 Lower mold 11 Mold 12 Upper mold 13 Antifouling film 14 Bending position 20 Guide hole 30 Bending position 41a, 41b Lead frame 42 Light guide plate 43 Diffuser plate 44 Reflector plate 45 Frame

Claims (6)

金属基板と、この金属基板の上に設けられた無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなる熱伝導性樹脂と、この熱伝導性樹脂の上に設けられて単一の導体からなる共通の接地電極側リードフレームと独立した導体からなる複数の陽極電極側リードフレームと、この接地電極側リードフレームと陽極電極側リードフレームとに接続させた複数の発光素子とを備え、前記接地電極側リードフレームは前記熱伝導性樹脂に面接触させた接地電極部と、この接地電極部から折り曲げられて前記熱伝導性樹脂に非接触とさせた接地側反射電極部とを有し、前記陽極電極側リードフレームは前記熱伝導性樹脂に面接触させた陽極電極部と、この陽極電極部から折り曲げられて前記熱伝導性樹脂に非接触とさせた陽極側反射電極部とを有し、前記接地電極部および前記陽極電極部と前記金属基板との間に位置させた前記熱伝導性樹脂は、その厚みを均一とさせたうえで、前記発光素子は前記接地電極部と前記陽極電極部とに接続させた発光モジュール。 A metal substrate, a thermally conductive resin made of an inorganic filler and a thermosetting resin provided on the metal substrate, and a common ground electrode made of a single conductor provided on the thermally conductive resin A plurality of anode electrode side lead frames made of a conductor independent of the side lead frame, and a plurality of light emitting elements connected to the ground electrode side lead frame and the anode electrode side lead frame. A ground electrode portion that is in surface contact with the heat conductive resin, and a ground side reflective electrode portion that is bent from the ground electrode portion and is not in contact with the heat conductive resin; Has an anode electrode portion that is in surface contact with the thermally conductive resin, and an anode-side reflective electrode portion that is bent from the anode electrode portion and is not in contact with the thermally conductive resin . Yo Wherein the thermally conductive resin is positioned between the metal substrate and the anode electrode unit, after it as its thickness uniform, the light emitting element was connected to said anode electrode portion and the ground electrode section Light emitting module. 金属基板と、この金属基板の上に設けられた無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなる熱伝導性樹脂と、この熱伝導性樹脂の上に設けられて単一の導体からなる共通の接地電極側リードフレームと独立した導体からなる複数の陽極電極側リードフレームと、この接地電極側リードフレームと陽極電極側リードフレームとに接続させた複数の発光素子とを備え、前記接地電極側リードフレームは前記熱伝導性樹脂に面接触させた接地電極部と、この接地電極部から折り曲げられて前記熱伝導性樹脂に非接触とさせた接地側反射電極部とを有し、前記陽極電極側リードフレームは前記熱伝導性樹脂に面接触させた陽極電極部と、この陽極電極部から折り曲げられて前記熱伝導性樹脂に非接触とさせた陽極側反射電極部とを有し、前記接地電極側リードフレームは、前記接地電極部から前記接地側反射電極部への延伸方向に均一な幅寸法を有するとともに、前記陽極電極側リードフレームは、前記陽極電極部から前記陽極側反射電極部への延伸方向に均一な幅寸法を有し、前記発光素子は前記接地電極部と前記陽極電極部とに接続させた発光モジュール。A metal substrate, a thermally conductive resin made of an inorganic filler and a thermosetting resin provided on the metal substrate, and a common ground electrode made of a single conductor provided on the thermally conductive resin A plurality of anode electrode side lead frames made of a conductor independent of the side lead frame, and a plurality of light emitting elements connected to the ground electrode side lead frame and the anode electrode side lead frame. A ground electrode portion that is in surface contact with the heat conductive resin, and a ground side reflective electrode portion that is bent from the ground electrode portion and is not in contact with the heat conductive resin; Has an anode electrode portion in surface contact with the thermal conductive resin, and an anode-side reflective electrode portion bent from the anode electrode portion and brought into non-contact with the thermal conductive resin. The frame has a uniform width dimension in the extending direction from the ground electrode portion to the ground-side reflective electrode portion, and the anode electrode-side lead frame extends in the extending direction from the anode electrode portion to the anode-side reflective electrode portion. The light emitting module has a uniform width dimension, and the light emitting element is connected to the ground electrode portion and the anode electrode portion. 接地側反射電極部と陽極側反射電極部との断面形状は、テーパ状もしくは曲面状とした請求項1もしくは請求項2に記載の発光モジュール。The light emitting module according to claim 1 or 2, wherein a cross-sectional shape of the ground side reflection electrode portion and the anode side reflection electrode portion is tapered or curved. 接地電極側リードフレームおよび陽極電極側リードフレームの表出面に反射膜を設けた請求項1もしくは請求項2に記載の発光モジュール。The light emitting module according to claim 1 or 2, wherein a reflective film is provided on the exposed surfaces of the ground electrode side lead frame and the anode electrode side lead frame. 金属基板と、この金属基板の上に設けられた無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなる熱伝導性樹脂と、この熱伝導性樹脂の上に設けられて単一の導体からなる共通の接地電極側リードフレームと独立した導体からなる複数の陽極電極側リードフレームと、この接地電極側リードフレームと陽極電極側リードフレームとに接続させた複数の発光素子とを備え、前記接地電極側リードフレームは前記熱伝導性樹脂に面接触させた接地電極部と、この接地電極部から折り曲げられて前記熱伝導性樹脂に非接触とさせた接地側反射電極部とを有し、前記陽極電極側リードフレームは前記熱伝導性樹脂に面接触させた陽極電極部と、この陽極電極部から折り曲げられて前記熱伝導性樹脂に非接触とさせた陽極側反射電極部とを有し、前記接地電極部および前記陽極電極部と前記金属基板との間に位置させた前記熱伝導性樹脂は、その厚みを均一とさせたうえで、前記発光素子は前記接地電極部と前記陽極電極部とに接続させた発光モジュールと、側面の入射面から入射した前記発光モジュールの光を照射する導光板と、この導光板の一部を覆うフレームとを有し、少なくとも前記接地側反射電極部もしくは前記陽極側反射電極部一端を前記フレームの一部に接合したバックライト装置。A metal substrate, a thermally conductive resin made of an inorganic filler and a thermosetting resin provided on the metal substrate, and a common ground electrode made of a single conductor provided on the thermally conductive resin A plurality of anode electrode side lead frames made of a conductor independent of the side lead frame, and a plurality of light emitting elements connected to the ground electrode side lead frame and the anode electrode side lead frame. A ground electrode portion that is in surface contact with the heat conductive resin, and a ground side reflective electrode portion that is bent from the ground electrode portion and is not in contact with the heat conductive resin; Has an anode electrode portion that is in surface contact with the thermally conductive resin, and an anode-side reflective electrode portion that is bent from the anode electrode portion and is not in contact with the thermally conductive resin. Yo The heat conductive resin positioned between the anode electrode part and the metal substrate was made uniform in thickness, and the light emitting element was connected to the ground electrode part and the anode electrode part. A light-emitting module; a light guide plate that irradiates light of the light-emitting module incident from an incident surface of the side surface; and a frame that covers a part of the light guide plate, and at least the ground-side reflective electrode portion or the anode-side reflective electrode A backlight device having one end joined to a part of the frame. 金属基板と、この金属基板の上に設けられた無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなる熱伝導性樹脂と、この熱伝導性樹脂の上に設けられて単一の導体からなる共通の接地電極側リードフレームと独立した導体からなる複数の陽極電極側リードフレームと、この接地電極側リードフレームと陽極電極側リードフレームとに接続させた複数の発光素子とを備え、前記接地電極側リードフレームは前記熱伝導性樹脂に面接触させた接地電極部と、この接地電極部から折り曲げられて前記熱伝導性樹脂に非接触とさせた接地側反射電極部とを有し、前記陽極電極側リードフレームは前記熱伝導性樹脂に面接触させた陽極電極部と、この陽極電極部から折り曲げられて前記熱伝導性樹脂に非接触とさせた陽極側反射電極部とを有し、前記接地電極側リードフレームは、前記接地電極部から前記接地側反射電極部への延伸方向に均一な幅寸法を有するとともに、前記陽極電極側リードフレームは、前記陽極電極部から前記陽極側反射電極部への延伸方向に均一な幅寸法を有し、前記発光素子は前記接地電極部と前記陽極電極部とに接続させた発光モジュールと、側面の入射面から入射した前記発光モジュールの光を照射する導光板と、この導光板の一部を覆うフレームとを有し、少なくとも前記接地側反射電極部もしくは前記陽極側反射電極部一端を前記フレームの一部に接合したバックライト装置。A metal substrate, a thermally conductive resin made of an inorganic filler and a thermosetting resin provided on the metal substrate, and a common ground electrode made of a single conductor provided on the thermally conductive resin A plurality of anode electrode side lead frames made of a conductor independent of the side lead frame, and a plurality of light emitting elements connected to the ground electrode side lead frame and the anode electrode side lead frame. A ground electrode portion that is in surface contact with the heat conductive resin, and a ground side reflective electrode portion that is bent from the ground electrode portion and is not in contact with the heat conductive resin; Has an anode electrode portion in surface contact with the thermal conductive resin, and an anode-side reflective electrode portion bent from the anode electrode portion and brought into non-contact with the thermal conductive resin. The frame has a uniform width dimension in the extending direction from the ground electrode portion to the ground-side reflective electrode portion, and the anode electrode-side lead frame extends in the extending direction from the anode electrode portion to the anode-side reflective electrode portion. A light emitting module connected to the ground electrode portion and the anode electrode portion, a light guide plate that irradiates light of the light emitting module incident from a light incident surface; And a frame that covers a part of the light guide plate, and at least one end of the ground-side reflection electrode part or the anode-side reflection electrode part is joined to a part of the frame.
JP2006256655A 2005-11-18 2006-09-22 Light emitting module and backlight device using the same Expired - Fee Related JP5103841B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006256655A JP5103841B2 (en) 2005-11-18 2006-09-22 Light emitting module and backlight device using the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005333895 2005-11-18
JP2005333895 2005-11-18
JP2006256655A JP5103841B2 (en) 2005-11-18 2006-09-22 Light emitting module and backlight device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007165843A JP2007165843A (en) 2007-06-28
JP5103841B2 true JP5103841B2 (en) 2012-12-19

Family

ID=38248339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006256655A Expired - Fee Related JP5103841B2 (en) 2005-11-18 2006-09-22 Light emitting module and backlight device using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5103841B2 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100735325B1 (en) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 Light emitting diode package and fabrication method thereof
PL2074351T5 (en) * 2006-10-12 2018-10-31 Dsm Ip Assets Bv Lighting device
JP4992636B2 (en) * 2007-09-26 2012-08-08 株式会社Jvcケンウッド Backlight device
JP2009140835A (en) * 2007-12-08 2009-06-25 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting device, plane light unit, and display device
JP2010040563A (en) * 2008-07-31 2010-02-18 Otsuka Techno Kk Led lighting structure, and manufacturing method thereof
JP5759192B2 (en) * 2010-01-29 2015-08-05 日東電工株式会社 Backlight and liquid crystal display device
KR20110121927A (en) * 2010-05-03 2011-11-09 삼성엘이디 주식회사 Illumination apparatus employing the light emitting device package
JP5049382B2 (en) 2010-12-21 2012-10-17 パナソニック株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE USING THE SAME
KR101330770B1 (en) * 2011-11-16 2013-11-18 엘지이노텍 주식회사 Bent printed circuit board for backlight unit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5396695A (en) * 1977-02-03 1978-08-24 Toyo Dengu Seisakushiyo Kk Display
JP2001348488A (en) * 2000-06-06 2001-12-18 Matsushita Electric Works Ltd Heat-conductive resin composition, prepreg, radiating circuit board and radiating heating part
JP2003005674A (en) * 2001-06-18 2003-01-08 Sony Corp Display element and image display device
JP3798299B2 (en) * 2001-11-02 2006-07-19 三菱伸銅株式会社 Method for manufacturing deformed strip and method for manufacturing lead frame
JP4139634B2 (en) * 2002-06-28 2008-08-27 松下電器産業株式会社 LED lighting device and manufacturing method thereof
JP2005183531A (en) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp Semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007165843A (en) 2007-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007184542A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof, and backlight apparatus using same
JP7252483B2 (en) Light-emitting device, integrated light-emitting device and light-emitting module
JP5103841B2 (en) Light emitting module and backlight device using the same
JP2007214247A (en) Light-emitting module and method of manufacturing same
JP2007184237A (en) Light-emitting module, its manufacturing method, and backlight device using light-emitting module
JP2007194521A (en) Light-emitting module, and manufacturing method thereof
JP2007214249A (en) Light-emitting module and method of manufacturing same
JP2007184541A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof and backlight apparatus using same
JP2007180320A (en) Light-emitting module and manufacturing method thereof
JP2007214475A (en) Heat disspating light-emitting component and method of manufacturing same
JP2007214472A (en) Edgelight and method of manufacturing same
JP2007194519A (en) Light-emitting module, and manufacturing method thereof
JP2007184534A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof, and backlight apparatus using same
JP2007158209A (en) Light-emitting module and manufacturing method therefor
JP2007214474A (en) Edgelight and method of manufacturing same
JP2007184540A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof, and backlight apparatus using same
JP4659515B2 (en) Light-emitting element mounting substrate, light-emitting element storage package, light-emitting device, and lighting device
JP2007214471A (en) Light-emitting module and method of manufacturing same
JP2007180319A (en) Light-emitting module and manufacturing method thereof
JP2007194610A (en) Light emitting module, method for fabrication thereof, and indicator using the light emitting module
JP2007214248A (en) Light-emitting module and method of manufacturing same
JP2007158211A (en) Light-emitting module and manufacturing method therefor
JP2007180318A (en) Light-emitting module and manufacturing method thereof
JP2007227489A (en) Heat dissipation substrate, its production method and light emitting module employing it
JP2007173791A (en) Light-emitting module, manufacturing method thereof, and backlight device using the module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081208

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110517

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110518

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120319

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120904

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120917

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees