JP2007169156A - 低ohオーバークラッディングを製造するための方法および装置 - Google Patents
低ohオーバークラッディングを製造するための方法および装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】方法は、一次プリフォームを提供するステップと、少なくとも1つのチューブ内に一次プリフォームを配置するステップとを含み、少なくとも1つのチューブが、オーバークラッディングされるべきゾーンを作成するために一次プリフォームを部分的に覆い、このオーバークラッドゾーンが、少なくとも1つのチューブの外側の一次プリフォームに配置され、方法がさらに、少なくとも1つのチューブの外側の圧力に対して過圧下で、一次プリフォームと少なくとも1つのチューブとの間の環状の空間内にガスを噴射するステップと、オーバークラッディングデバイスを使用してオーバークラッディング材料によって、オーバークラッドゾーンで一次プリフォームをオーバークラッディングするステップとを含む。
【選択図】図1
Description
一次プリフォームを提供するステップと、
少なくとも1つのチューブ内に一次プリフォームを配置するステップとを含み、少なくとも1つのチューブが、オーバークラッドゾーンである、オーバークラッディングされるべきゾーンを作成するために一次プリフォームを部分的に覆い、このオーバークラッドゾーンが、少なくとも1つのチューブの外側の一次プリフォームに配置され、前記製造方法がさらに、
少なくとも1つのチューブの外側の圧力に対して過圧下で、一次プリフォームと少なくとも1つのチューブとの間の環状の空間内にガスを噴射するステップと、
オーバークラッディングデバイスを使用してオーバークラッディング材料によって、オーバークラッドゾーンで一次プリフォームをオーバークラッディングするステップとを含む方法を提案する。
一次プリフォームを提供するステップと、
一次プリフォームの直径の4倍から10倍の間で構成された直径と、一次プリフォームの長さの0.3倍から0.8倍の間で構成された長さとを有するチューブ内に、前記一次プリフォームを配置するステップと、
チューブの外側の圧力に対して過圧下で、チューブ内にガスを噴射するステップと、
一次プリフォームをオーバークラッディングするステップとを含む。
一次プリフォームを受けるための支持体と、
支持体によって受けられた一次プリフォームを包囲するように構成される少なくとも1つのチューブとを備え、それによって、一次プリフォームと少なくとも1つのチューブとの間に環状の空間を形成し、前記少なくとも1つのチューブが、オーバークラッドゾーンである、オーバークラッディングされるべきゾーンを作成するために前記一次プリフォームを部分的に覆い、このオーバークラッドゾーンが、少なくとも1つのチューブの外側の一次プリフォームに配置され、装置がさらに、
少なくとも1つのチューブの外側の圧力に対して過圧下で、一次プリフォームと少なくとも1つのチューブとの間の環状の空間内にガスを噴射するように構成されたガスリザーバと、
オーバークラッドゾーンに一次プリフォームをオーバークラッディングするためのデバイスとを備える。
一次プリフォームを受けるための支持体と、
一次プリフォームの直径の4倍から10倍の間で構成された直径と、一次プリフォームの長さの0.3倍から0.8倍の間で構成された長さとを有し、支持体に取り付けられた一次プリフォームを包囲するように構成されている少なくとも1つのチューブと、
少なくとも1つのチューブの外側の圧力に対して過圧下で、少なくとも1つのチューブと一次プリフォームとの間の環状の空間内にガスを噴射するように構成されたガスリザーバと、
一次プリフォームをオーバークラッディングするためのデバイスとを備える。
20 チューブ
21 ガス取入パイプ
22 開口
30 プラズマトーチ
Claims (26)
- オーバークラッディングすることによって最終光ファイバプリフォームを製造するための製造方法であって、前記製造方法が、
一次プリフォーム(10)を提供するステップと、
少なくとも1つのチューブ(20)内に前記一次プリフォーム(10)を配置するステップとを含み、少なくとも1つのチューブ(20)が、オーバークラッドゾーンである、オーバークラッディングされるべきゾーンを作成するために一次プリフォーム(10)を部分的に覆い、オーバークラッドゾーンが、少なくとも1つのチューブ(20)の外側の一次プリフォーム(10)に配置され、前記製造方法がさらに、
少なくとも1つのチューブ(20)の外側の圧力に対して過圧下で、一次プリフォーム(10)と少なくとも1つのチューブ(20)との間の環状の空間内にガスを噴射するステップと、
オーバークラッディングデバイスを使用してオーバークラッディング材料によって、オーバークラッドゾーンで一次プリフォーム(10)をオーバークラッディングするステップとを含む製造方法。 - 少なくとも1つのチューブ(20)が、一次プリフォーム(10)の外径の4倍から10倍の間で構成された内径を有する、請求項1に記載の製造方法。
- 少なくとも1つのチューブ(20)が、一次プリフォーム(10)の長さの0.3倍から0.8倍の間で構成された長さを有する、請求項1または請求項2に記載の製造方法。
- 噴射されるガスが、窒素および空気から選択される、請求項1から3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 噴射されるガスが、20℃で5%未満である相対湿度レベルを有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 噴射されるガスが、フッ化および/または塩化されたガスを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 少なくとも1つのチューブ(20)の外側の圧力に対する環状の空間内の過圧が、1×104Pa(0.1バール)から1×105Pa(1バール)の間で構成される、請求項1から6のいずれか一項に記載の製造方法。
- 噴射されるガスが、300℃から600℃の間で構成される温度に加熱される、請求項1から7のいずれか一項に記載の製造方法。
- オーバークラッディングが、オーバークラッディング材料のプラズマ付着によって行われる、請求項1から8のいずれか一項に記載の製造方法。
- オーバークラッディング材料が、シリカ粒子からなる、請求項1から9のいずれか一項に記載の製造方法。
- オーバークラッディング材料が、天然のシリカ粒子からなる、請求項10に記載の製造方法。
- 少なくとも1つのチューブ(20)が、オーバークラッディングデバイスの通過およびオーバークラッディング材料の挿入を許すために、少なくとも1つのチューブ(20)の長手方向軸に対して横切る方向の開口(22)を備える、請求項1から11のいずれか一項に記載の製造方法。
- オーバークラッディングデバイスが、プラズマトーチ(30)である、請求項1から12のいずれか一項に記載の製造方法。
- 少なくとも1つのチューブ(20)が、水晶製である、請求項1から13のいずれか一項に記載の製造方法。
- 少なくとも1つのチューブ(20)が、ステンレス鋼製である、請求項1から13のいずれか一項に記載の製造方法。
- 一次プリフォーム(10)が、2つのチューブ(20)内に配置され、2つのチューブ(20)が、オーバークラッドゾーンの両側にあり、2つのチューブ(20)それぞれが、オーバークラッドゾーンに近接した一次プリフォーム(10)のゾーンを覆う、請求項1から15のいずれか一項に記載の製造方法。
- 少なくとも1つのチューブ(20)が、静止位置に保持され、一方、一次プリフォーム(10)が、一次プリフォーム(10)の対称軸に沿って並進移動される、請求項1から16のいずれか一項に記載の製造方法。
- 少なくとも1つのチューブ(20)が、一次プリフォーム(10)の対称軸に沿って、オーバークラッディングデバイスと一緒に並進移動される、請求項1から17のいずれか一項に記載の製造方法。
- 最終光ファイバプリフォームを製造するための装置であって、
一次プリフォーム(10)を受けるための支持体と、
支持体によって受けられた一次プリフォーム(10)を包囲するように構成される少なくとも1つのチューブ(20)とを備え、それによって、一次プリフォーム(10)と少なくとも1つのチューブ(20)との間に環状の空間を形成し、前記少なくとも1つのチューブ(10)が、オーバークラッドゾーンである、オーバークラッディングされるべきゾーンを作成するために前記一次プリフォーム(10)を部分的に覆い、オーバークラッドゾーンが、少なくとも1つのチューブ(20)の外側の一次プリフォーム(10)に配置され、前記装置がさらに、
少なくとも1つのチューブ(20)の外側の圧力に対して過圧下で、一次プリフォーム(10)と少なくとも1つのチューブ(20)との間の環状の空間内にガスを噴射するように構成されたガスリザーバと、
オーバークラッドゾーンで一次プリフォーム(10)をオーバークラッディングするためのデバイスとを備える装置。 - 少なくとも1つのチューブ(20)が、一次プリフォーム(10)の直径の4倍から10倍の間で構成された直径を有する、請求項19に記載の装置。
- 少なくとも1つのチューブ(20)が、一次プリフォーム(10)の長さの0.3倍から0.8倍の間で構成された長さを有する、請求項19または請求項20に記載の装置。
- 少なくとも1つのチューブ(20)内の相対湿度レベルを測定しかつ制御するためのデバイスをさらに備える、請求項19から21のいずれか一項に記載の装置。
- 環状の空間内の圧力を測定しかつ制御するためのデバイスをさらに備える、請求項19から22のいずれか一項に記載の装置。
- 環状の空間内に噴射されるべきガスを加熱するためのデバイスをさらに備える、請求項19から23のいずれか一項に記載の装置。
- オーバークラッディングするためのデバイスが、プラズマトーチ(30)およびシリカ粒子のための取入ダクトを備える、請求項19から24のいずれか一項に記載の装置。
- 装置が、オーバークラッドゾーンの両側に2つのチューブ(20)を備える、請求項19から25のいずれか一項に記載の装置。
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